RU2011124539A - Твердотельное устройство формирования изображений в электронное устройство - Google Patents
Твердотельное устройство формирования изображений в электронное устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011124539A RU2011124539A RU2011124539/28A RU2011124539A RU2011124539A RU 2011124539 A RU2011124539 A RU 2011124539A RU 2011124539/28 A RU2011124539/28 A RU 2011124539/28A RU 2011124539 A RU2011124539 A RU 2011124539A RU 2011124539 A RU2011124539 A RU 2011124539A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- image sensor
- substrate
- thermal conductivity
- state imaging
- Prior art date
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
1. Твердотельное устройство формирования изображений, содержащее:подложку;область датчика изображения, расположенную на подложке;схему обработки сигналов, расположенную на подложке, для обработки выхода из области датчика изображения; иобласть с низкой теплопроводностью, расположенная между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов,в которомобласть с низкой теплопроводностью имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки.2. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором подложка содержит керамический материал.3. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором область с низкой теплопроводностью содержит воздух или органический материал.4. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, дополнительно содержащее:многослойный керамический пакет межсоединений, который включает в себя первый слой проводников, подложку и второй слой проводников,в котором,область датчика изображения и схема обработки сигналов электрически соединены с многослойным керамическим пакетом межсоединений.5. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором падающий свет принимают на первой стороне области датчика изображения и область с низкой теплопроводностью расположена на второй стороне области датчика изображения.6. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в которомобласть с низкой теплопроводностью сформирована на, по меньшей мере, одной из верхней поверхности подложки и нижней поверхности подложки, иподложка расположена между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов.7. Твердотельное устройство �
Claims (20)
1. Твердотельное устройство формирования изображений, содержащее:
подложку;
область датчика изображения, расположенную на подложке;
схему обработки сигналов, расположенную на подложке, для обработки выхода из области датчика изображения; и
область с низкой теплопроводностью, расположенная между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов,
в котором
область с низкой теплопроводностью имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки.
2. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором подложка содержит керамический материал.
3. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором область с низкой теплопроводностью содержит воздух или органический материал.
4. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, дополнительно содержащее:
многослойный керамический пакет межсоединений, который включает в себя первый слой проводников, подложку и второй слой проводников,
в котором,
область датчика изображения и схема обработки сигналов электрически соединены с многослойным керамическим пакетом межсоединений.
5. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором падающий свет принимают на первой стороне области датчика изображения и область с низкой теплопроводностью расположена на второй стороне области датчика изображения.
6. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором
область с низкой теплопроводностью сформирована на, по меньшей мере, одной из верхней поверхности подложки и нижней поверхности подложки, и
подложка расположена между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов.
7. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, дополнительно содержащее:
канавку, сформированную на подложке,
в которой
область с низкой теплопроводностью находится в пределах канавки.
8. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, дополнительно содержащее:
сквозное отверстие, сформированное в подложке,
в которой
область с низкой теплопроводностью находится в сквозном отверстии.
9. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором центр области с низкой теплопроводностью расположен приблизительно в центре области датчика изображения.
10. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором область с низкой теплопроводностью выполнена большей в одном измерении, чем схема обработки сигналов.
11. Твердотельное устройство формирования изображений по п.1, в котором область с низкой теплопроводностью эффективно изолирует область датчика изображения от тепла, генерируемого схемой обработки сигналов.
12. Твердотельное устройство формирования изображений по п.3, в котором область с низкой теплопроводностью включает в себя пластину, пластина предусмотрена между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов.
13. Твердотельное устройство формирования изображений, содержащее:
микросхему датчика изображения;
микросхему обработки сигналов, электрически соединенную с микросхемой датчика изображения; и
область с низкой теплопроводностью между микросхемой датчика изображения и микросхемой обработки сигналов,
в которой
область с низкой теплопроводностью эффективно изолирует микросхему датчика изображения от тепла генерируемого микросхемой обработки сигналов.
14. Твердотельное устройство формирования изображений по п.13, в котором
микросхема датчика изображения содержит область датчика изображения и область периферийной цепи, и
область с низкой теплопроводностью расположена между областью датчика изображения и микросхемой обработки сигналов.
15. Твердотельное устройство формирования изображений по п.13, дополнительно содержащее:
подложку,
в которой
участок подложки расположен между, по меньшей мере, участком области периферийной цепи и участком микросхемы обработки сигналов.
16. Электронное устройство по п.15, в котором область с низкой теплопроводностью имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки.
17. Электронное устройство, содержащее:
твердотельное устройство формирования изображений, включающее в себя:
(a) подложку;
(b) микросхему датчика изображения на подложке;
(c) схему обработки сигналов для обработки выхода из микросхемы датчика изображения; и
(d) область с низкой теплопроводностью, расположенную между микросхемой датчика изображения и схемой обработки сигналов; и
блок управления, выполненный с возможностью управления твердотельным устройством формирования изображений,
в котором
область с низкой теплопроводностью имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки.
18. Электронное устройство по п.17, в котором
микросхема датчика изображения содержит область датчика изображения и область периферийной цепи, и
область с низкой теплопроводностью расположена между областью датчика изображения и микросхемой обработки сигналов.
19. Электронное устройство по п.17, в котором участок подложки расположен между, по меньшей мере, участком области периферийной цепи и участком микросхемы обработки сигналов.
20. Электронное устройство по п.17, в котором подложка содержит кремний.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-142778 | 2010-06-23 | ||
| JP2010142778A JP2012009547A (ja) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 固体撮像装置、電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011124539A true RU2011124539A (ru) | 2012-12-27 |
| RU2510100C2 RU2510100C2 (ru) | 2014-03-20 |
Family
ID=44484892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011124539/28A RU2510100C2 (ru) | 2010-06-23 | 2011-06-16 | Твердотельное устройство формирования изображений и электронное устройство |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9070610B2 (ru) |
| EP (1) | EP2400551A3 (ru) |
| JP (1) | JP2012009547A (ru) |
| KR (1) | KR20110139648A (ru) |
| CN (1) | CN102299147A (ru) |
| BR (1) | BRPI1103239A2 (ru) |
| RU (1) | RU2510100C2 (ru) |
| TW (1) | TW201212217A (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5794002B2 (ja) | 2011-07-07 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器 |
| JP2014138119A (ja) | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6244662B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-12-13 | 株式会社ニコン | 撮像装置及びカメラ |
| JP2015032653A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP6314477B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-04-25 | ソニー株式会社 | 電子デバイス |
| JP6666027B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2020-03-13 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および撮像装置 |
| CN108352389B (zh) | 2015-11-12 | 2022-09-27 | 索尼公司 | 固态成像装置与固态成像设备 |
| US10256266B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-04-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip-scale image sensor package and associated method of making |
| CN109084591A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-25 | 明光瑞尔非金属材料有限公司 | 一种适用于耐火砖的降温装置 |
| CN114944407A (zh) * | 2018-09-21 | 2022-08-26 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 光电传感集成系统、镜头模组、电子设备 |
| JP6621951B1 (ja) * | 2018-12-28 | 2019-12-18 | 長瀬産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7469592B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2024-04-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN112166499A (zh) * | 2020-02-19 | 2021-01-01 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 图像传感器和电子装置 |
| KR20240057480A (ko) | 2022-10-24 | 2024-05-03 | 클라시커 주식회사 | 공기청정기용 에어필터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 공기청정기용 에어필터 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4754139A (en) * | 1986-04-10 | 1988-06-28 | Aerojet-General Corporation | Uncooled high resolution infrared imaging plane |
| JP3417225B2 (ja) * | 1996-05-17 | 2003-06-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とそれを用いたカメラ |
| US6795120B2 (en) * | 1996-05-17 | 2004-09-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| KR100877159B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2009-01-07 | 파나소닉 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
| JP3787765B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2006-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4036694B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2008-01-23 | シャープ株式会社 | 積層型半導体装置 |
| JP4127776B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2008-07-30 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| JP2004335533A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Canon Inc | マルチチップパッケージ |
| TWI231606B (en) * | 2003-11-10 | 2005-04-21 | Shih-Hsien Tseng | Image pickup device and a manufacturing method thereof |
| JP4379295B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 |
| TWI311438B (en) * | 2006-08-28 | 2009-06-21 | Advanced Semiconductor Eng | Image sensor module |
| JP4740182B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-08-03 | 富士フイルム株式会社 | デジタルカメラ |
| JP4384202B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2009-12-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびそれを備えた光学装置用モジュール |
| JP4799594B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2010054718A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP5075104B2 (ja) | 2008-12-22 | 2012-11-14 | 住友化学株式会社 | ジメチルエーテル製造用触媒 |
-
2010
- 2010-06-23 JP JP2010142778A patent/JP2012009547A/ja active Pending
-
2011
- 2011-06-15 EP EP11169976.5A patent/EP2400551A3/en not_active Ceased
- 2011-06-15 TW TW100120942A patent/TW201212217A/zh unknown
- 2011-06-16 US US13/162,060 patent/US9070610B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-16 RU RU2011124539/28A patent/RU2510100C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-06-16 KR KR1020110058387A patent/KR20110139648A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-06-17 BR BRPI1103239-1A patent/BRPI1103239A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-06-23 CN CN201110173517A patent/CN102299147A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9070610B2 (en) | 2015-06-30 |
| KR20110139648A (ko) | 2011-12-29 |
| RU2510100C2 (ru) | 2014-03-20 |
| US20120008025A1 (en) | 2012-01-12 |
| TW201212217A (en) | 2012-03-16 |
| BRPI1103239A2 (pt) | 2012-11-27 |
| EP2400551A3 (en) | 2013-10-23 |
| EP2400551A2 (en) | 2011-12-28 |
| CN102299147A (zh) | 2011-12-28 |
| JP2012009547A (ja) | 2012-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011124539A (ru) | Твердотельное устройство формирования изображений в электронное устройство | |
| US20230259226A1 (en) | Electronic Device Display With Array of Discrete Light-Emitting Diodes | |
| TW200633508A (en) | Semiconductor image sensor module, manufacturing method of semiconductor image sensor module, camera and manufacturing method of camera | |
| US10141471B2 (en) | Proximity detector device with interconnect layers and related methods | |
| TW201110676A (en) | Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set | |
| RU2008142998A (ru) | Матрица детекторов излучения | |
| WO2003077538A3 (en) | Radiation imaging device and system | |
| US9645238B1 (en) | Proximity sensor, electronic apparatus and method for manufacturing proximity sensor | |
| JP2012044114A5 (ru) | ||
| TWI256146B (en) | Sensor semiconductor device and fabrication method thereof | |
| JP2014099582A5 (ru) | ||
| TW201222777A (en) | Image capture device | |
| TW200924180A (en) | Electronic assembly for image sensor device | |
| EP2228826A3 (en) | Solid-state image pickup device and a method of manufacturing the same | |
| TW200731521A (en) | Semiconductor device and method for making same | |
| JP2013080838A5 (ru) | ||
| TW201436188A (zh) | 無蓋式感測器模組及其製造方法 | |
| JP2006191465A (ja) | 電子機器 | |
| US8810048B2 (en) | 3D IC and 3D CIS structure | |
| TW200701774A (en) | Stack-type image sensor module | |
| US20140078386A1 (en) | Lens Module | |
| TW200744199A (en) | Novel nano-crystal device for image sensing | |
| JP2011023528A5 (ru) | ||
| JP2012044091A5 (ru) | ||
| TWI520322B (zh) | 低輪廓感測器模組及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150617 |