201212217 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種固態成像器件及一種電子裝置。 本申請案主張2010年6月23日申請的日本專利申請案jp 2010-142778號之優先權，在法律允許的範圍内該案以引 用方式併入本文中。 【先前技術】 一種電子裝置（諸如一數位攝影機或一數位照相機）包含 一固態成像器件。在該固態成像器件中，一成像區域（其 中呈一矩陣配置複數個像素）包含一半導體基板之表面上 之一影像感測器晶片。舉例而言，該成像區域包含一 CCD(電荷耦合器件）或CMOS(互補金屬氧化物半導體）影像 感測器晶片。 在影像感測器晶片中’一光電轉換部分設置在複數個像 素之每一者中。該光電轉換部分係（舉例而言）一光電二極 體且接收透過一光接收表面中之一外部光學系統輸入之光 且實行光電轉換以產生信號電荷。 在該固態成像器件中，對自該影像感測器晶片輸出之一 輸出信號執行信號處理。 另一方面’要求減小該固態成像器件之大小。 為此原因，在該固態成像器件中，已提出一種技術，其 中對一輸出信號執行信號處理之該影像感測器晶片與該信 號處理晶片兩者皆安裝在一單一多層配接線封裝中（曰本 專利第3417225號（圖1及類似物。 154142.doc 201212217 此外，為解釋目的，本發明之發明者包含在以下闡述中 以解釋其等已認識到且已利用本發明克服的問題。在這點 上，圖24A至圖24C係示意性展示一固態成像器件之圖。 圖24A展示一上表面。圖24B展示沿圖24A之線X1-X2戴 取之一橫截面。圖24C展示沿圖24八之線丫1-丫2截取之一橫 截面。 如圖24A至圖24C中展示，該固態成像器件包含一影像 感測器晶片100、一信號處理晶片2〇〇及一多層配接線陶瓷 封裝300Z。 該影像感測器晶片100係（舉例而言）一 CCD。如圖24A中 展示’該影像感測器晶片1〇〇實行一成像區域PA中之成 像。在該成像區域PA中’複數個像素（圖中未展示）呈一矩 陣配置且接收入射光作為一主影像並產生信號電荷。在該 影像感測器晶片1 〇〇中’一輸出電路設置在圍繞該成像區 域PA之一周邊區域SA中且輸出自該成像區域pa傳送的信 號電荷作為一輸出信號。 s亥k號處理晶片200係（舉例而言）一類比前端（AFE)或一 類比至數位轉換器（ADC)且對來自該影像感測器晶片1〇〇之 一輸出信號執行信號處理。 如圖24A至圖24C中展示’在該多層配接線陶瓷封裝 300Z中’安裝有該影像感測器晶片ι〇〇與該信號處理晶片 2 0 0兩者。 明確言之’如圖24B及圖24C中展示，該影像感測器晶 片100設置在該多層配接線陶瓷封裝300Z之上表面上。凹 154142.doc 201212217 陷為一凹形之一容納空間SP1設置在該多層配接線陶曼封 裝300Z之該上表面中，且該影像感測器晶片100容納在該 容納空間SP1中。該影像感測器晶片100係利用一晶粒黏結 材料710而安裝在該容納空間SP1之一底面S12上。表面S12 可充當一晶粒附接表面。如圖2 4B中展示，一階梯設置在 該容納空間SP1中，且導線810設置在該階梯之一表面811 與該底面S12上設置的該影像感測器晶片100之表面間以電 連接該階梯之該表面S11與該影像感測器晶片100之表面。 如圖24B及圖24C展示，一玻璃板400藉由一密封材料 740黏結至該多層配接線陶瓷封裝300Z之上表面以便密封 該容納空間SP1。離散組件500設置在該多層配接線陶究封 裝300Z之該上表面上之該玻璃板400周圍。 另一方面，如圖24B及圖24C中展示，該信號處理晶片 200安裝在該多層配接線陶瓷封裝300Z之下表面上。凹陷 為一凹形之一容納空間SP2設置在該多層配接線陶瓷封裝 300Z之該下表面中，且該信號處理晶片2〇〇容納在該容納 空間SP2中。該^说處理晶片200係利用一晶粒黏結材料 720而安裝在該容納空間SP2之一底面S22上。表面S22可充 當一晶粒附接表面。如圖24B及圖24C中展示，一階梯設 置在該容納空間SP2中，且導線820設置在該階梯之一表面 S21與該底面S22上設置的該信號處理晶片2〇〇之表面間以 電連接該階梯之該表面S21與該影像感測器晶片200之表 面。 如圖24B及圖24C中展示，一填充層6〇〇設置在該多層配 154142.doc 201212217 接線陶瓷封裝300Z之該下表面中以便填充該容納空間 SP2。 如圖24A中展示’外部引線310設置在該多層配接線陶瓷 封裝300Z之上端部分及下端部分中。 在該固態成像器件中，該影像感測器晶片1〇〇經組態使 得該成像區域PA中有少許功率消耗，且大多數功率消耗發 生在設置有一周邊電路（諸如具有一源極隨耦器電路之一 輸出電路）之該周邊區域SA中》在該固態成像器件中，該 影像感測器晶片100具有咼於該信號處理晶片2〇〇之功率消 耗。 為此原因，在該固態成像器件中，該信號處理晶片2〇〇 變成一熱源’且該信號處理晶片200之熱傳輸至該影像感 測器晶片100之該成像區域PA，造成該成像區域PA之溫产 上升。因此，會明顯惡化暗電流特性》 圖25係展示環境溫度與一固態成像器件中之暗電流間之 關係之一圖。 如圖25中展示，可理解：隨著溫度上升若干。〇至1〇。^ 暗電流之出現惡化大約1.5倍至3倍。 隨著暗電流之出現’會降低所擷取影像之影像品質。 因此，在該固態成像器件中’難以實現所梅取影像之大 小減小及影像品質之改良。 【發明内容】 本文揭示提供一固態成像器件及一電子裝置之— 或多個 發明，該等發明能夠實現所擷取影像之大小減小及影像 154l42.doc -6- 201212217 質之改良。 根據一實施例’一種固態成像器件包含一基板、一影像 感測器區域、一信號處理電路及一低導熱率區域。該影像 感測器區域承載於該基板上。該信號處理電路承載於該基 板上且經組態以處理來自該影像感測器區域之一輸出。該 低導熱率區域係定位在該影像感測器區域與該信號處理電 路間。該低導熱率區域具有比該基板之導熱率更低之一導 熱率。 根據一實施例，一種固態成像器件包含一影像感測器晶 片、一信號處理晶片及一低導熱率區域。該信號處理晶片 電連接至該影像感測器晶片。該低導熱率區域係定位在該 影像感測器晶片與該信號處理晶片間。該低導熱率區域對 於隔絕該影像感測器晶片與由該信號處理晶片產生的熱係 有效的。 固態成像器件及一 根據一實施例’ 一種電子裝置包含一 控制區段，該控制區段經組態以控制該固態成像器件。該 固態成像器件包含： (C)一信號處理電路； Ο) —基板；（b) —影像感測器晶片； 及（d) —低導熱率區域。該影像感測 器晶片係在該基板上。該信號處理電路經組態以處理來自 該影像感測器晶片之一輸出。 。該低導熱率區域係定位在該
有比該基板之導熱率更低之一導熱率。
品質之改良。 134142.doc 201212217 【實施方式】 下文，將描述體現本發明（本文稱為實施例）之原理之器 件及構造。將依以下次序實行描述。 1. 實施例ι(當一凹部設置在一封裝之上表面中時） 2. 實施例2(當一凹部設置在一封裝之下表面中時） 3. 實施例3(當凹部設置在一封裝之上表面及下表面中時） 4. 實施例4(當一通孔設置在一封裝中時） 5. 實施例5 (當一封裝之一通孔在上部與下部間之寬度不 同時） 6. 實施例6(當一空心部分設置在一封裝中時） 7. 實施例7(當一 CCD與一 AFE容納在不同階梯中時） 8. 實施例8(當使用一中間板設置一 CCD時） 9·實施例9(當一 CCD僅設置在拐角部分中時） 10·實施例10(當使用一間隔物設置一CCD時） 11. 實施例11 (當一 CCD裸露安裝在一 AFE上時） 12. 實施例12(當一 CCD裸露安裝在一 AFE上時） 13. 實施例13(當一 CCD裸露安裝在一 AFE上時） 14. 實施例14(當一 CCD裸露安裝在一 AFE上時） 15. 實施例15(當一 Ccd裸露安裝在一 AFE上時） 16. 實施例16(當一 CCD裸露安裝在一 AFE上時） 17. 其他 < 1.實施例1 > [A]器件組態 [A-1]相機主要部分之組態 154142.doc 201212217 圖1係展示根據實施例1之—相機4〇之組態之一組態圖。 如圖1中展示，該相機40具有一固態成像器件i、一光學 系統42及一控制區段43。將按次序描述各自區段。 該固態成像器件1在一成像表面上接收透過該光學系統 42輸入的入射光Η且實行光電轉換以產生信號電荷。此 後，執行信號處理以產生且輸出一數位信號。 該光學系統42包含一光學構件（諸如一成像透鏡及/或一 光圈）且經配.置以便將一主影像之入射光聚焦在該固態成 像器件1之該成像表面上。 該控制區段43輸出各種控制信號至該固態成像器件i且 控制並驅動該固態成像器件1。 [A-2]固態成像器件之主要部分之組態 將描述該固態成像器件1之整體組態。 圖2A至圖2C係展示根據實施例1之該固態成像器件1之 組態之圖。 圖2A以平面圖展示該固態成像器件之一上表面。圖2B 展示沿圖2Α之線Χ1-Χ2截取之一橫截面。圖2C展示沿圖2Α 之線Υ1-Υ2截取之一橫截面。 如圖2Α至圖2C中展示，該固態成像器件1包含一影像感 測器晶片100、一信號處理晶片200、一多層配接線陶瓷封 裝300及一低導熱率層901。 將按次序描述構成該固態成像器件1之各自區段。 (a)影像感測器晶片1〇〇 如圖2A至圖2C中展示，該影像感測器晶片ι〇0安裝在該 154142.doc 201212217 多層配接線陶瓷封裝300中。 如圖2A中展示，該影像感測器晶片100在其之表面中設 置有一成像區域PA及一周邊區域SA。 該影像感測器晶片100在該成像區域PA中接收作為一主 影像輸入之入射光且產生信號電荷。在該成像區域PA中， 複數個像素（圖中未展示）呈一矩陣配置，且設置在圍繞該 成像區域PA之該周邊區域SA中之一輸出電路（圖中未展示） 輸出自該成像區域PA傳送的該等信號電荷作為一輸出信 號。 如圖2B及圖2C中展示，該影像感測器晶片1 〇〇設置在該 多層配接線陶瓷封裝300之上表面上。 該影像感測器晶片100容納在一容納空間SP1内部，該容 納空間SP1在該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中凹陷 成一凹形。經由一晶粒黏結材料71 0將該影像感測器晶片 1〇〇安裝在該容納空間SP1之一表面S12上。表面S12可充當 一晶粒附接表面。如圖2B中展示，一階梯設置在該容納空 間SP1中，且導線810設置在該階梯之一表面S11與該影像 感測器晶片100之表面間以電連接該階梯之該表面S11及該 影像感測器晶片100之表面。 圖3及圖4係展示實施例1中之該影像感測器晶片100之主 要部分之圖。圖3以平面圖示意性展示該影像感測器晶片 100之該上表面。圖4展示沿圖3之線Xla-X2a截取之一橫截 面。 如圖3中展示，該影像感測器晶片100係（舉例而言）一行 154142.doc •10· 201212217 間CCD固態成像元件。該影像感測器晶片1〇〇具有一半導 體基板11，且该成像區域PA及該周邊區域sa設置在該半 導體基板11之表面中。 如圖3中展示，像素P、電荷讀出部分R〇、垂直傳送暫 存器部分VT及元件分開部分SS設置在該成像區域pA中。 同時’一水平傳送暫存器部分HT及一輸出部分〇υτ設置在 該周邊區域SA中。 (a-Ι)像素Ρ 如圖3中展示，複數個像素p設置在該成像區域pA中且呈 一矩陣平行配置在水平方向X及垂直方向丫上。 如圖4中展示，一光電二極體21設置在每一像素卩中。該 光電二極體21在一光接收表面JS上接收入射光Ή且實行光 電轉換以產生信號電荷。 明確言之，該光電二極體21設置在該半導體基板^内部 之一則側部分中。雖然圖中未展示，但該光電二極體2 j經 組態（舉例而言）使得一 η型半導體區域（η)(圖中未展示）及一 Ρ型半導體區域（Ρ+)(圖中未展示）在該半導體基板11内部形 成的Ρ型半導體井區（ρ)(圖中未展示）上依序形成。該η型半 導體區域（η)用作為一信號電荷累積區域。該ρ型半導體區 域（Ρ+)用作為一電洞累積區域且抑制作為該信號電荷累積 區域之該η型半導體區域（η)中之暗電流之出現。 如圖4中展示’在該光電二極體21上，一濾色片及一 晶載透鏡ML設置在一平坦薄膜ΗΤ上。 該遽色片CF著色一主影像之入射光且傳輸光至該半導體 154142.doc -11- 201212217 基板11之該光接收表面JS。 圖5係展示根據實施例1之該濾色片CF之一圖。圖5展示 該濾色片CF之上表面。 如圖5中展示，該濾色片CF包含一紅色濾光層CFR、一 綠色濾光層CFG及一藍色濾光層CFB。該紅色濾光層 CFR、該綠色濾光層CFG及該藍色濾光層CFB彼此相鄰且 經設置以對應於複數個像素P。 如圖5中展示，該紅色遽光層CFR、該綠色滤光層CFG及 該藍色濾光層CFB呈一拜耳（Bayer)陣列BH平行配置。 即，複數個綠色濾光層CFG在對角線方向上平行配置以具 有一方格圖案。該紅色濾光層CFR及該藍色濾光層CFB相 對於複數個綠色濾光層CFG在該對角線方向上平行配置。 如圖4中展示’複數個晶載透鏡ML配置在該濾色片CF之 上表面上以便對應於該等像素P。該等晶載透鏡ML之每一 者係在該光接收表面JS上方形成之一凸透鏡，使得中心比 邊緣厚且將入射光Η聚焦在該光電二極體21之該光接收表 面JS上。 在每一像素Ρ中，該光電二極體21經由上文提到的部分 (例如’晶載透鏡、濾色片及平坦薄膜）在該光接收表面JS 上接收入射光Η。
(a-2)電荷讀出部分R0、垂直傳送暫存器部分ντ、元件分 開部分SS 如圖3令展示，複數個電荷讀出部分尺〇設置在該成像區 域ΡΑ中以便對應於複數個像素ρ。每一電荷讀出部分讀 154I42.doc -12· 201212217 出對應像素p中產生的信號電荷至對應垂直傳送暫存器部 分VT。 如圖4中展示，每一電荷讀出部分R〇設置有一電荷讀出 通道區域22R且讀出由該光電二極體21產生的信號電荷。 明確言之，如圖4中展示，該電荷讀出通道區域22R經設 置以便相鄰於該半導體基板U内部之該前側部分中之該光 電二極體21。 該電荷讀出通道區域22R在水平方向x上配置在該光電二 極體2 1之左側。舉例而言，該電荷讀出通道區域22R構成 為一 P型半導體區域。 如圖3中展示，在該成像區域pA中，每一垂直傳送暫存 盗部分VT在垂直方向y上延伸以便對應於在該垂直方向y 上配置的複數個像素P。每一垂直傳送暫存器部分ντ配置 在6亥垂直方向y上配置的複數個像素ρ之行間。複數個垂直 傳送暫存器部分VT設置在該成像區域PA中。複數個垂直 傳送暫存盗部分VT配置在該水平方向χ上以便對應於該水 平方向X上配置的複數個像素每一垂直傳送暫存器部分 VT(所謂垂直傳送CCD)在該垂直方向y上依序傳送透過該 電何凟出部分RO自每—像素p讀出的該等信號電荷。舉例 而。在母垂直傳送暫存器部分VT中，透過四相驅動 傳送該等信號電荷。 如圖4中展示，每一垂直傳送暫存器部分ντ設置有一電 荷傳送通道區域23V。該電荷傳送通道區域23V傳送藉由 該電荷傳送通道區域23”之該電荷讀出部分RO自該光電 154142.doc -13- 201212217 二極體2i讀出的信號電荷β 明破言之，如圖4中展示，該電荷傳送通道區域23V經設 置相鄰於該半導體基板11内部之該前m卩分中之該電荷讀 出通道區域22R。 該電荷傳送通道區域23V在哕光I古a * 隹这水十方向x上配置在該電荷 讀出通道區域22R之左側。舉例而言，該電荷傳送通道區 域23VI组態使得-n型半導體區域（n)(圖中未展示）設置在 δ亥半導體基板11内部之一 0¾]主道/ \/ isi 牛導體井區（P)(圖中未展 示）。 如圖3中展示，每一元件分開部分ss經設置以便分開複 數個像素P周邊之該等像素p。 如圖4中展示，每一元件分開部分ss設置有一通道止擋 器區域24S。 明確言之，如圖4中展示，該通道止擋器區域24S設置在 該半導體基板11内部之該前侧部分中。 該通道止擋器區域24S經設置以便内插在該水平方向乂上 配置在一相鄰行中之該電荷傳送通道區域23 V與該光電二 極體21間。關於該垂直方向y上之橫截面，雖然圖中未展 示，但該通道止擋器區域24S設置在該垂直方向y上平行配 置的兩個光電二極體21間。 該通道止擔盗區域2 4 S經組態（舉例而言）使得一 p型半導 體區域（p+)(圖中未展示）設置在該半導體基板丨丨内部之一 p 型半導體井區（P)(圖中未展示）上且形成一電位阻障以阻止 信號電荷之流出及流入。 154142.doc -14· 201212217 如圖4中展示’一傳送電極31T設置在該電荷讀出部分 RO、該垂直傳送暫存器部分VT及該元件分開部分ss中。 如圖4中展示，該傳送電極31T經設置以便透過該半導體 基板11之上表面上之一閘極絕緣薄膜（圖中未展示）面向該 電荷讀出通道區域22R及該電荷傳送通道區域23 V。 該傳送電極31Τ在該電荷讀出部分R〇中用作為一電荷讀 出電極以讀出由該光電二極體2丨產生的信號電荷。此外， 该傳送電極3 1T在該垂直傳送暫存器部分ντ中用作為一垂 直傳送電極以在該垂直方向7上傳送所讀取信號電荷。雖 然圖中未展示，但在該垂直方向7上平行配置複數個傳送 電極31Τ。藉由將一四相驅動脈衝信號依序供應至該垂直 方向y上平行配置的該等傳送電極31Τ而傳送該等信號電 何0 舉例而s，該傳送電極31Τ由一導電材料（諸如多晶矽） ^成且在由（舉例而言）一層氧化矽薄膜製成之一閘極絕緣 溥膜（圖中未展示）上形成。 一抗反射薄膜322設置在該傳送電極31Τ之上表面上。用 穿過一絕緣薄膜ΖΖ之一光阻薄膜6〇覆蓋該傳送電極 (a-3)水平傳送暫存器部分ητ 。如圖3中展示’該水平傳送暫存器部分m配置在該成像 、品域之下分中。該水平傳送暫存器部分ΗΤ在該水 向X上延伸且在該水平方上依序傳送信號電荷，該 ，七號電荷在該垂直方向y±藉由複數個垂直傳送暫存器 4为VT之每—者傳送。即，該水平傳送暫存器部分们係 154142.doc 15 201212217
一所謂水平傳送CCD且用（舉例而言）一個二相驅動脈衝信 號驅動以傳送每一水平線（一列像素）傳送的信號電荷。 (a-4)輸出部分OUT 如圖3中展示，該輸出部分〇υτ設置在該水平傳送暫存 器部分ΗΤ之左端部分中。該輸出部分〇υτ具有（舉例而言） 一源極隨耦器電路且將由該水平傳送暫存器部分Ητ水平 傳送的該等信號電荷轉變成一電壓且輸出該電壓作為一類 比信號。 (b)信號處理晶片200 如圖2A至圖2C中展示，該信號處理晶片2〇〇安裝在該多 層配接線陶瓷封裝300中。 如圖2B及圖2C中展示’該信號處理晶片2〇〇在該多層配 接線陶瓷封裝300中配置在與其中配置有該影像感測器晶 片1〇〇之該上表面相對之下表面中。該信號處理晶片2〇0經 配置以便面向該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域pA。 明確言之，如圖2B及圖2C中展示，該信號處理晶片200 容納在一容納空間SP2内部，該容納空間SP2在該多層配接 線陶瓷封裝300之該下表面中凹陷成一凹形。該信號處理 晶片200經由一晶粒黏結材料720安裝在該容納空間SP2之 一底面S22上。表面S22可充當一晶粒附接表面。如圖2B及 圖2C中展示，一階梯設置在該容納空間SP2中，且導線820 設置在該階梯之一表面S21與該底面S22上設置的該信號處 理晶片200之表面間以電連接該階梯之該表面S21及該信號 處理晶片200之該表面。 154142.doc •16· 201212217 一半導體器件（圖中未展
測器晶片100輸出的該輪出信號作為一數位信號。 該信號處理晶片200經組態使得一半導體丨 示）設置在一半導體基板（圖中未展示）上且包 半導體器件之配接線（圖中未展示）之一多層丨 未展示）設置在該半導體基板（圖中未展示）上 (c)多層配接線陶瓷封裝3〇〇 如圖2A至圖2C中展示，在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇 中’女裝該景> 像感測器晶片1 〇〇與該信號處理晶片2〇〇兩 該多層配接線陶瓷封裝300經組態使得一多層配接線層 (圖中未展示）設置在由矽製成之一陶瓷基板（圖中未展示） 上。即’在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇中，透過層間絕緣 薄膜（圖中未展示）在該陶瓷基板（圖中未展示）上形成複數 個配接線（圖中未展示）以形成一多層結構。該多層配接線 陶瓷封裝300容納該影像感測器晶片100及該信號處理晶片 200且透過配接線（圖中未展示）電連接該影像感測器晶片 100與該信號處理晶片200。 在此實施例中，該影像感測器晶片1〇〇與該信號處理晶 片200分別容納在該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面及 該下表面中。接著，舉例而言，該影像感測器晶片10 0與 154142.doc 201212217 該信號處理晶片200電連接至設置在該陶瓷基板（圖中未展 不）之兩個表面上之該等多層配接線層（圖中未展示），使得 該影像感測器晶片100與該信號處理晶片2〇〇彼此電連接。 該影像感測器晶片100與該信號處理晶片200經配置以便把 構成該多層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板（圖中未展示） 與該低導熱率層901夾在其等之間。 明確言之’如圖2B及圖2C中展示’在該多層配接線陶 瓷封裝300中，該影像感測器晶片ι〇〇設置在該上表面中。 凹陷成一凹形之該容納空間SP1設置在該多層配接線陶竞 封裝300之該上表面中’且該影像感測器晶片1〇〇容納在該 容納空間SP1内部。該影像感測器晶片1 〇〇經由該晶粒黏結 材料710安裝至該多層配接線陶瓷封裝3〇〇，且該容納空間 SP1之該表面S12作為一晶粒附接表面。舉例而言，一熱固 性黏合劑（舉例而言’銀膏糊）用作為該晶粒黏結材料71〇以 固定該影像感測器晶片100。 如圖2Β中展示，一階梯設置在該容納空間SP 1中，且導 線810設置在該階梯之該表面S11與該影像感測器晶片100 之表面間以電連接該階梯之該表面S11及該影像感測器晶 片100之該表面。舉例而言，該多層配接線陶竞封裝300及 該影像感測器晶片100之内部引線（配接線）（圖中未展示）透 過AU導線810彼此電黏結。 如圖2Β及圖2C中展示，一透明玻璃板400藉由一密封材 料740黏結至該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面以便密 封該容納空間SP1。 154142.doc -18- 201212217 同時，如圖2B及圖2C中展示，離散組件500設置在該多 層配接線陶瓷封裝300之該上表面上之該玻璃板400之周邊 部分中》舉例而言，若干組件（諸如電晶體、電阻器及電 容器）設置為該等離散組件500。 同時’如圖2B及圖2C中展示，該信號處理晶片200安裝 在該多層配接線陶瓷封裝300之該下表面上。凹陷成一凹 形之該容納空間SP2設置在該多層配接線陶瓷封裝300之該 下表面中，且該信號處理晶片200容納在該容納空間SP2内 部。該信號處理晶片200利用該晶粒黏結材料720安裝至該 容納空間SP2之表面S22上。表面S22可充當一晶粒附接表 面。舉例而言’一熱固性黏合劑用作為該晶粒黏結材料 720以固定該信號處理晶片200。 如圖2B及圖2C中展示，一階梯設置在該容納空間SP2 中，且該等導線820没置在遠階梯之該表面S21與該信號處 理晶片200之表面間以電連接該階梯之該表面S21及該信號 處理晶片200之該表面。舉例而言，該多層配接線陶兗封 裝300及該信號處理晶片200之内部引線（圖中未展示）透過 AU導線820彼此電黏結。 如圖2B及圖2C中展示，一填充層6〇〇設置在該多層配接 線陶瓷封裝300之該下表面中以填充該容納空間sp2。舉例 而言，熱固性或uv可固化樹脂填充在該容納空間SP2中以 提供該填充層600。 如圖2A中展示，外部引線3 1〇設置在該多層配接線陶瓷 封裝300之上端部分及下端部分中。該等外部引線31〇透過 154142.doc •19 201212217 該多層配接線陶瓷封裝300内部之多層配接線適當電連接 至該等内部引線。 (d)低導熱率區域/層901 如圖2B及圖2C中展示，一低導熱率區域901(其在本文甲 亦可稱為一低導熱率層901)經設置以便内插在該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片200間》在該影像感測器晶片 1〇〇之該成像區域PA中，該低導熱率區域901設置在與輸入 入射光之該上表面相對之該下表®上。 明確言之’如圖2B及圖2C中展示，該低導熱率層901設 置在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上表面上。該低導熱 率層901在對應於該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上表面中 設置的該容納空間SP1内部之該成像區域pa且其上安裝有 該影像感測器晶片100之該表面S12之一部分中形成。該低 導熱率層901經設置以便面向該影像感測器晶片ι〇〇之該成 像區域PA之整個表面。即’該影像感測器晶片ι〇〇黏結至 作為該周邊區域SA中之一晶粒附接表面之該表面812，且 該低導熱率層901内插在該影像感測器晶片ι〇〇之該成像區 域PA與該信號處理晶片200間。 該低導熱率層901具有低於構成該多層配接線陶瓷封裝 300之陶究基板之導熱率的導熱率。該低導熱率層9〇1隔絕 自該生熱信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1 〇〇之 該成像區域PA之熱。 如圖2B及圖2C中展示，該低導熱率層9〇1可包含（舉例而 έ )空氣（例如’一空氣層）。在該容納空間SP〗中，在其上 154142.doc -20· 201212217 設置有該影像感測器晶片100之該表面s 12中經設置具有一 凹形之一渠溝部分形成為該低導熱率層901。該低導熱率 層901經形成以便具有（舉例而言）〇·2 mm至0.3 mm之一厚 度。 除了及/或替代上文提到的空氣層，該低導熱率層901可 包含及/或由一有機材料（諸如環氧樹脂）製成。 [B]操作 圖6A及圖6B係以一放大比例示意性展示根據實施例1之 該固態成像器件1中之熱傳輸之一態樣之圖。 不像實施例1 一樣，圖6 A展示不存在低導熱率層901之一 情況。明確言之，在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇中，多層 配接線31及32分別設置在一陶瓷基板3〇之上表面及下表面 上。在此情況中，容納空間SP1及SP2經設置使得該陶瓷基 板30之該上表面及下表面暴露’且一影像感測器晶片ι〇〇 及一《s號處理晶片200分別安裝在該容納空間SP1及SP2 中。即，不像圖6B —樣，圖6A展示該影像感測器晶片100 與該信號處理晶片200僅具有夾在其等間之該陶瓷基板3〇 而不存在低導熱率層9〇 1之一情況。此外，分開設置電連 接該專多層配接線層31及32中之配接線之導體（圖中未展 示）。 同時，與此實施例中一樣，圖6]8展示存在該低導熱率層 901之一情況。明確言之，不像圖6α—樣，在該陶瓷基板 30之上表面中形成一渠溝’且該渠溝部分中之一空氣層形 為~低導熱率層901。即，在此情況中，該影像感測器 154142.doc •21 · 201212217 晶片100與該信號處理晶片200之間夾著該陶瓷基板30與該 低導熱率層901。 該影像感測器晶片1〇〇具有比該信號處理晶片200之功率 消耗更低的功率消耗。在該影像感測器晶片1 〇〇中，大多 數功率消耗出現在設置在該周邊區域SA中之一周邊電路 (諸如一輸出電路）中，且在該成像區域PA中存在很少功率 消耗。 出於此原因，如圖6A中展示，自該信號處理晶片200產 生的熱Q可透過該多層配接線陶瓷封裝300傳輸至該影像感 測器晶片100之該成像區域PA。出於此原因，如上文描 述’溫度上升可出現在該影像感測器晶片1〇〇之該成像區 域PA中，明顯惡化暗電流特性。 然而’在此實施例中，如圖6B中展示，該低導熱率層 9〇1設置在該影像感測器晶片100之該成像區域pA與該信號 處理晶片200間，其等經配置面向彼此。 該低導熱率層901具有低於構成該多層配接線陶瓷封裝 300之該陶瓷基板之導熱率的導熱率。由該低導熱率層901 隔絕該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域PA，其阻止熱Q 自該信號處理晶片200傳輸至該成像區域PA » 該影像感測器晶片100之該周邊區域S A黏結至該多層配 接線陶瓷封裝300之該表面S12，使得該周邊區域SA之熱Q 傳輸至該多層配接線陶瓷封裝300且被釋放。 因此’在此實施例中，可能抑制該影像感測器晶片100 中之該成像區域PA之溫度上升。 154142.doc •22· 201212217 明確言之，在此實施例中，相比於不存在低導熱率層 901之情況，溫度下降大約2。〇。 因此’將從圖25中瞭解，在此實施例中，可能使暗電流 之出現減小大約20%。 [C]結論 如上文描述，在此實施例中，該影像感測器晶片1 〇〇設 置在該多層配接線陶瓷封裝300之一表面中。該信號處理 晶片200設置在與設置有該影像感測器晶片1〇〇之該表面相 對之該多層配接線陶瓷封裝300之另一表面中。該多層配 接線陶瓷封裝300透過該等配接線（參見圖2A至圖2C及類似 物）電連接該影像感測器晶片1 〇〇及該信號處理晶片2〇〇。 在此實施例中’該低導熱率層901經設置以便内插在該 影像感測器晶片1 00之該成像區域PA與該信號處理晶片2〇〇 間’其等經配置面向彼此。在對應於該多層配接線陶瓷封 裝3 00之該陶瓷基板3〇之一表面中之該成像區域pA之一部 分中形成一渠溝’且該低導熱率層9〇1設置在該渠溝部分 中。圍繞該影像感測器晶片100中之該成像區域PA之該周 邊區域S A黏結至圍繞該多層配接線陶瓷封裝3 〇〇之該陶瓷 基板30之一表面上之該渠溝之一部分。在該多層配接線陶 瓷封裝300中（參見圖2A至圖2B、圖6A及圖0B)，該低導熱 率層901可包含具有比其上設置有該等多層配接線層31及 32之該陶瓷基板30之導熱率更低的導熱率之一區域（例 如，一空氣層）。 出於此原因，如上文描述，由該低導熱率層9〇1隔絕該 154142.doc •23- 201212217 影像感測器晶片100之該成像區域PA與可自該信號處理晶 片200朝向該影像感測器晶片100傳導的熱。亦可能將該影 像感測器晶片100之該周邊區域SA之熱釋放至該多層配接 線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中’即使當該器件大小減小時，可能 抑制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，藉此改良所 擷取影像之影像品質。 <2.實施例2> [A]器件組態及類似物 圖7A至圖7C係展示根據實施例2之一固態成像器件之組 態之圖。 類似於圖2A至圖2C’圖7A至圖7C示意性展示該固態成 像器件之一組態。圖7A以平面圖展示該固態成像器件之一 上表面。圖7B展示沿圖7A之線X1-X2截取之一橫截面。圖 7C展示沿圖7A之線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖7A至圖7C中展示，在此實施例中，一低導熱率層 902不同於實施例i中之低導熱率層9〇1。除了此點及有關 點之外’此實施例與實施例1相同。出於此原因，將省略 重疊部分之描述。 如圖7B及圖7C中展示，與實施例1中一樣，該低導熱率 層902内插在該影像感測器晶片1〇〇與該信號處理晶片2〇〇 間。 與實施例1中一樣，該低導熱率層902可包含空氣及/或 任何其他材料，該材料具有低於構成該多層配接線陶瓷封 154142.doc -24- 201212217 裝300之該陶瓷基板之導熱率的導熱率。出於此原因，該 低導熱率層902隔絕可自該生熱信號處理晶片200朝向該影 像感測器晶片100之該成像區域PA傳導之熱。 然而’如圖7B及圖7C中展示，該低導熱率層902設置在 與實施例1中展示的該低導熱率層901之位置不同之一位置 處。 明確言之，如圖7B及圖7C中展示，該低導熱率層902在 該多層配接線陶瓷封裝300之該下表面中形成。在該多層 配接線陶瓷封裝300之該下表面中之該容納空間SP2内部， 該低導熱率層902在對應於其上安裝有該信號處理晶片2〇〇 之該表面S22中之該成像區域pa之一部分中形成。即，該 低導熱率層902内插在該影像感測器晶片100之該成像區域 PA與該信號處理晶片200間。 如圖7B及圖7C中展示，在該容納空間SP2中，在其上設 置有該信號處理晶片200之該表面S22中經設置具有一凹形 之一渠溝部分形成為該低導熱率層9〇2。 在對應於該多層配接線陶瓷封裝300之該下表面（舉例而 言’圖6A及圖6B之該陶瓷基板3〇之下表面）中之該成像區 域PA之一部分中形成一渠溝。該低導熱率層9〇2設置在該 渠溝部分中。 出於此原因’在此實施例中’如圖7B及圖7C中展示， 該影像感測器晶片100在面向作為一晶粒附接表面之該表 面S12之整個表面上黏結至該多層配接線陶瓷封裝3〇〇。 同時，如圖7B及圖7C中展示，利用面向充當一晶粒附 154142.doc -25· 201212217 接表面之該表面S22之該信號處理晶片200之表面之周邊部 分’該信號處理晶片200黏結至該多層配接線陶瓷封裝 300。即，該信號處理晶片200之該周邊部分黏結至圍繞該 多層配接線陶瓷封裝300之該下表面中之作為該低導熱率 層902之該渠溝之一部分。 [B]結論 如上文描述，在此實施例中，類似於實施例1，該低導 熱率層902經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像感 測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因，由該低導熱率層902隔絕可自該生熱信號 處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域pA 的熱。 特定言之，在此實施例中，該低導熱率層902經設置更 靠近作為一熱源之該信號處理晶片200(相比於該影像感測 器晶片100)。出於此原因，藉由該低導熱率層902可能更 有效隔絕自該信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片 1(>〇之該成像區域PA的熱。 此外，可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝300 » 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片1 〇〇中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <3.實施例3> [A]器件組態及類似物 154142.doc -26· 201212217 圖8A至圖8C係展示根據實施例3之一固態成像器件之組 態之圖。 類似於圖2A至圖2C，圖8A至圖8C示意性展示該固態成 像器件之組態。圖8A以平面圖展示該固態成像器件之一上 表面。圖8B展示沿圖8A之線X1-X2截取之一橫截面。圖8(： 展示沿圖8 A之線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖8A至圖8C中展示，此實施例不同於實施例1，不同 點在於設置複數個低導熱率層901及902。除了此點及有關 點之外’此貫施例與實施例1相同。出於此原因，將省略 重疊部分之描述。 在此實施例中，如圖8B及圖8C中展示，與實施例1中一 樣’ 一低導熱率層901設置在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之 該上表面中。 即，在對應於該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中 之該成像區域PA之一部分中形成一渠溝（「第一渠溝」）， 且該低導熱率層901設置在該渠溝部分中。 此外’如圖8B及圖8C中展示，不像實施例1 一樣，一低 導熱率層902設置在該多層配接線陶瓷封裝300之該下表面 中。 與實施例2中一樣’在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該下 表面中設置的該容納空間SP2内部，該低導熱率層9〇2在對 應於其上安裝有該信號處理晶片200之該表面S22中之該成 像區域PA之一部分中形成。 即’與實施例2中一樣，在對應於該多層配接線陶曼封 154142.doc •27· 201212217 裝300之該下表面中之該成像區域pa之一部分中形成一渠 溝（「第二渠溝」），且該低導熱率層902設置在該渠溝部分 中。 如上文描述，在此實施例中，複數個低導熱率層9〇 1及 902内插在該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域pA與該信號 處理晶片200間。該低導熱率層901及9 02可包含空氣及/或 任何其他材料，該材料具有比其上安裝有該影像感測器晶 片100及該信號處理晶片200之該基板之導熱率更低之一導 熱率。 在此實施例中，如圖8 B及圖8 C中展示，利用面向充當 一晶粒附接表面之該表面S 12之該影像感測器晶片100之一 表面之周邊部分，該影像感測器晶片100黏結至該多層配 接線陶瓷封裝300。 類似地，如圖8B及圖8C中展示，利用面向充當一晶粒 附接表面之該表面S22之該信號處理晶片200之一表面之周 邊部分，該信號處理晶片200黏結至該多層配接線陶瓷封 裝 300 〇 [B]結論 如上文描述，在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層901及902經設置以便内插在經配置面向彼此之該 影像感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200 間。 出於此原因，由該低導熱率層901及902隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區 154142.doc -28- 201212217 域PA的熱。 特定言之，在此實施例中’設置複數個低導熱率層9〇 i 及902 ’使得更有效隔絕自該信號處理晶片2〇〇傳輸至該影 像感測器晶片100之該成像區域PA的熱。 亦可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域s A之熱釋 放至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片10 0中暗電流之出現，改良所操取影 像之影像品質。 <4·實施例4> [A]器件組態及類似物 圖9A至圖9C係展示根據實施例4之一固態成像器件之組 態之圖。 類似於圖2A至圖2C ’圖9A至圖9C示意性展示該固態成 像器件之組態。圖9A以平面圖展示該固態成像器件之一上 表面。圖9B展示沿圖9A之線X1-X2截取之一橫截面。圖9C 展示沿圖9A之線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖9A至圖9C中展示，在此實施例中，一低導熱率層 904不同於實施例1 ^除了此點及有關點之外，此實施例與 實施例1相同。出於此原因將省略重疊部分之描述。 在此實施例中’如圖9B及圖9C中展示，與實施例1中一 樣，該低導熱率層904内插在該影像感測器晶片100與該信 號處理晶片200間。 與實施例1中一樣’該低導熱率層904可包含空氣（例 154142.doc -29- 201212217 如’一空氣層）及/或任何其他材料，該材料具有比構成該 多層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板之導熱率更低之一 導熱率。出於此原因，該低導熱率層904隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區 域PA的熱，藉此保護該成像區域pA。 然而’不像實施例1 一樣，該多層配接線陶瓷封裝3〇〇設 置有一通孔，該通孔穿過該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之上 表面及下表面。舉例而言，一通孔經形成以便穿過圖6 A及 圖6B中展示的該陶瓷基板30之一表面及另一表面。此通孔 設置為該低導熱率層904。 明確言之，在該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中 設置的該容納空間SP1内部，該低導熱率層904在對應於其 上安裝有影像感測器晶片100之該表面S12中之該成像區域 PA之一部分中形成。在該多層配接線陶瓷封裝300之該下 表面中設置的該容納空間SP2内部，該低導熱率層904在對 應於其上安裝有該信號處理晶片200之該表面S22中之該信 號處理晶片200之中心部分之一部分中形成。即，該低導 熱率層904經形成使得其之上表面及下表面窄於該成像區 域PA之下表面及該信號處理晶片200之上表面。 該影像感測器晶片1 00靠近該低導熱率層904之該上表 面，且該信號處理晶片200靠近該低導熱率層904之該下表 面。 出於此原因，在此實施例中，如圖9B及圖9C中展示， 藉由具有面向充當一晶粒附接表面之該表面S12之該影像 154142.doc • 30· 201212217 感測器晶片之一表面之一周邊部分，該影像感測器晶片 100黏結至該多層配接線陶瓷封裝3〇〇。即，圍繞該影像感 測器晶片100中之該成像區域PA之該周邊區域SA黏結至圍 繞該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上表面上之通孔之—部 分。 類似地’如圖9B及圖9C中展示，利用面向充當一晶粒 附接表面之該表面S22之該信號處理晶片200之一表面之周 邊部分，該信號處理晶片200黏結至該多層配接線陶瓷封 裝300。即，該信號處理晶片2〇〇之該周邊部分黏結至圍繞 該多層配接線陶瓷封裝3 00之該下表面上之通孔之一部 分。 [B]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層904經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因’由該低導熱率層904隔絕可自該生熱信號 處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇0之該成像區域PA 的熱。 特定言之，在此實施例中，該低導熱率層904設置在該 影像感測器晶片100之該成像區域ΡΑ與該信號處理晶片200 面向彼此之整體方向（例如，厚度方向）上。出於此原因， 更有效隔絕可自該信號處理晶片200傳輸至該影像感測器 晶片100之該成像區域ΡΑ的熱。 此外，可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域S Α之 154142.doc •31- 201212217 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中’即使當該器件大小減小，仍可能 抑制該影像感測器晶片10 0中暗電流之出現，改良所擷取 影像之影像品質。 <5.實施例5> [A]器件組態及類似物 圖10A至圖10C係展示根據實施例5之一固態成像器件之 組態之圖。 類似於圖2A至圖2C，圖10A至圖10C示意性展示該固態 成像器件之組態。圖10 A以平面圖展示該固態成像器件之 一上表面。圖10B展示沿圖1 〇 A之線X1-X2截取之一橫截 面。圖10(：展示沿圖10八之線丫1-丫2截取之一橫截面。 如圖10A至圖10C中展示’在此實施例中，一低導熱率 層905不同於實施例1。除了此點及有關點之外，此實施例 與實施例1相同。出於此原因，將省略重疊部分之描述。 在此實施例中，如圖1 0B及圖1 0C中展示，與實施例！中 一樣’該低導熱率層905經設置以便内插在該影像感測器 晶片100與該信號處理晶片200間。 與實施例1中一樣’該低導熱率層9 0 5可包含空氣（例 如’ 一空氣層）及/或任何其他材料，該材料具有比構成該 多層配接線陶瓷封裝3 00之該陶瓷基板之導熱率更低之一 導熱率。出於此原因，該低導熱率層905隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區 域PA的熱。 154142.doc -32· 201212217 然而，不像實施例1 一樣，該多層配接線陶瓷封裝3〇〇設 置有一通孔，該通孔穿過該多層配接線陶瓷封裝300之上 表面及下表面。舉例而言，一通孔經形成以便穿過圖6八及 圖6B中展示的該多層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板30 之一表面及另一表面。此通孔設置為或有助於該低導熱率 層905之形成。 如圖10B及圖10C中展示’該低導熱率層905包含一第一 低導熱率部分905 a及一第二低導熱率部分905b。 在該低導熱率層905中，如圖10B及圖10C中展示，該第 一低導熱率部分9〇5a在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上 表面中形成。該第一低導熱率部分9〇5a經形成以便具有與 該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域PA相同的平面形狀。 在該低導熱率層905令，如圖10B及圖10C中展示，該第 二低導熱率部分9〇5b在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該下 表面中形成。 在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該下表面中設置的該容 納空間SP2内部，該第二低導熱率部分9〇5b在對應於其上 文裝有該化號處理晶片200之該表面S22中之該成像區域pa 之一部分中形成。在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該下表 面中設置的該容納空間SP2内部，該第二低導熱率部分 905b在對應於其上安裝有該信號處理晶片2〇〇之談表面S22 中之該k號處理晶片200之中心部分之一部分中形成。 即’該第二低導熱率部分9〇5b經形成使得其之上表面及 下表面窄於該成像區域PA之下表面及該信號處理晶片2〇〇 154142.doc •33· 201212217 之上表面。 在該低導熱率層905中，該第一低導熱率部分905a之下 表面與該第二低導熱率部分905b之上表面彼此連接。 以此方式’在該多層配接線陶瓷封裝300中，該通孔經 形成以便使該上表面及該下表面之寬度不同。該第一低導 熱率部分905a之一寬度不同於（例如，大於）該第二低導熱 率部分905b之一寬度。 在此實施例中’如圖10B及圖10C中展示，利用面向充 當一晶粒附接表面之該表面S12之該影像感測器晶片1〇〇之 一表面炙周邊部分，該影像感測器晶片100黏結至該多層 配接線陶瓷封裝300。 類似地，如圖10B及圖10C中展示，利用面向充當一晶 粒附接表面之該表面S22之該信號處理晶片200之一表面之 周邊部分，該信號處理晶片200黏結至該多層配接線陶瓷 封裝300。 [B]結論 如上文描述，在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層905經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因’該低導熱率層905隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域pa的 熱。 特定言之，在此實施例中，該低導熱率層905設置在該 影像感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200 154142.doc •34· 201212217 面向彼此之整體方向（例如，厚度方向）上。在該低導熱率 層905中，該第一低導熱率部分9〇5a設置在該影像感測器 晶片100之整個成像區域PA上。出於此原因，更有效隔絕 可自該信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該 成像區域PA的熱。 此外’可能將該影像感測器晶片1 〇〇之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝3〇〇。 因此’在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <6.實施例6> [A]器件組態及類似物 圖11A至圖11C係展示根據實施例6之一固態成像器件之 組態之圖。 類似於圖2A至圖2C，圖11A至圖11C示意性展示該固態 成像器件之組態。圖11A展示該固態成像器件之一上表 面。圖118展示沿圖11八之線又1-又2截取之一橫截面。圖 11C展示沿圖11A之線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖11A至圖11C中展示，在此實施例中，一低導熱率 層906不同於實施例1。除了此點及有關點之外，此實施例 與實施例1相同。出於此原因，將省略重疊部分之描述。 如圖11B及圖11C中展示，與實施例1中一樣，該低導熱 率層906經設置以便内插在該影像感測器晶片1〇〇與該信號 處理晶片200間。 154142.doc •35· 201212217 與實施例1中一樣，該低導熱率層906可包含空氣（例 如，一空氣層）及/或任何其他材料，該材料具有比構成該 多層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板之導熱率更低之一 導熱率。出於此原因’該低導熱率層906隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區 域PA的熱》 然而，如圖11B及圖11C中展示，該低導熱率層906設置 在與實施例1中展示的該低導熱率層9〇1之位置不同之一位 置處。 明確言之’如圖11B及圖11C中展示，該低導熱率層9〇6 在該多層配接線陶瓷封裝300内部及/或該上表面與該下表 面間形成。該低導熱率層906内插在該多層配接線陶瓷封 裝300之該上表面中設置的該容納空間SP1與該多層配接線 陶瓷封裝300之該下表面中設置的該容納空間Sp2.間。舉例 而言，在圖6A及圖6B之該陶瓷基板30之上表面及下表面 間形成一空心部分，且該低導熱率層906設置在該空心部 分中。即，在該多層配接線陶瓷封裝300中，利用包含一 空氣層之該低導熱率層906 ’夾在該影像感測器晶片1 〇〇與 該信號處理晶片200間之該陶瓷基板可具有一空心結構。 出於此原因，在此實施例中’如圖11B及圖i 1C中展示， 面向表面S 12之該影像感測器晶片1 〇〇之一整個表面黏結至 該多層配接線陶瓷封裝300。表面S12可充當一晶粒附接表 面。 類似地’如圖11B及圖11C中展示’面向表面S22之該信 154142.doc • 36 - 201212217 號處理晶片200之一整個表面黏結至該多層配接線陶究封 裝300。表面S22可充當一晶粒附接表面》 如圖11B及圖11C中展示，該低導熱率層9〇6經形成以便 具有寬於該影像感測器晶片10 0之該成像區域p A之一平面 形狀。即’該低導熱率層906經設置以便面向該影像感測 器晶片100之該周邊區域SA之整個表面以及該成像區域pa 之整個表面》 [B]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層906經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因，該低導熱率層906隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域PA的 熱。 ， 可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之熱釋放 至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中’即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <7·實施例7> [A]器件組態及類似物 圖12A至圖12C係展示根據實施例7之一固態成像器件之 組態之圖。 類似於圖2A至圖2C，圖12A至圖12C示意性展示該固態 154142.doc •37- 201212217 成像器件之組態。圖12 A以平面圖展示該固態成像器件之 一上表面。圖12B展示沿圖12A之線X1-X2截取之一橫截 面。圖12C展示沿圖12A之線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖12A至圖12C中展示，在此實施例中，在該多層配 接線陶瓷封裝300中，其上設置有該信號處理晶片200之一 表面不同於實施例1之表面。除了此點及有關點之外，此 實施例與實施例1相同。出於此原因，將省略重疊部分之 描述。 如圖12A至圖12C中展示，與實施例1中一樣，在該多層 配接線陶瓷封裝300中，安裝該影像感測器晶片100與該信 號處理晶片200兩者。 如圖12Β及圖12C中展示，不像實施例1 一樣，在該多層 配接線陶瓷封裝300中，該影像感測器晶片100與該信號處 理晶片200兩者皆設置在該上表面上（即，該等表面之相同 側上）。 如圖12Β及圖12C中展示，凹陷成一凹形之一容納空間 SP1設置在該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中。舉例 而言，該多層配接線陶瓷封裝300在圖6Α及圖6Β之該陶竟 基板30之上表面上設置有一多層配接線層31，且在該多層 配接線層3 1中形成之一渠溝設置為該容納空間SP1。 該多層配接線陶瓷封裝300之該容納空間SP1經結構化以 便自底面向上逐步加寬。在該容納空間SP1内部，容納該 影像感測器晶片100與該信號處理晶片200兩者使得該影像 感測器晶片100與該信號處理晶片200堆疊有内插在其等間 154142.doc •38· 201212217 之一低導熱率層907。在該容納空間SP1内部，該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片2〇〇透過配接線彼此電連接。 明確言之’如圖12B及圖12C中展示，該信號處理晶片 200藉由—晶粒黏結材料720而安裝在該容納空間SP1中設 置之一底面S14上。表面S14可充當一晶粒附接表面《舉例 而言’—熱固性黏合劑（舉例而言，銀膏糊）用作為該晶粒 黏結材料720以固定該信號處理晶片200。即，該信號處理 晶片200安裝在該容納空間spi之第〇階梯（例如，底面） 上。 如圖12B及圖12C中展示，一階梯設置在該容納空間SP1 中’且導線820設置在該階梯之一上表面S13與該信號處理 晶片200之表面間以電連接該階梯之該上表面S13及該信號 處理晶片200之該表面。舉例而言，該多層配接線陶瓷封 裝300之内部引線（圖中未展示）與該信號處理晶片200透過 Au導線820彼此電黏結。即，在該容納空間SP1之第一階 梯中’該等内部引線（圖中未展示）與該信號處理晶片200彼 此電連接。 如圖12B及圖12C中展示，在該容納空間SP1中，透過具 有高於其上設置有該等導線820之該階梯之一階梯之一上 表面S12(其作為一晶粒附接表面）安裝該影像感測器晶片 100。舉例而言，一熱固性黏合劑（舉例而言，銀膏糊）用作 為該晶粒黏結材料710以固定該影像感測器晶片100。即， 該影像感測器晶片100安裝在該容納空間SP1之第二階梯 上。影像感測器晶片100之該周邊區域SA之至少一部分黏 154142.doc •39- 201212217 結至該容納空間SP1之該第二階梯。該影像感測器晶片ι〇〇 經組態使得圍繞該成像區域P A之該周邊區域§ a黏結至該 多層配接線陶瓷封裝300。 如圖12C中展示，導線810設置在高於作為一晶粒附接表 面之該階梯之一階梯之一上表面S11與該影像感測器晶片 10 0之表面間以電連接該階梯之該上表面S11與該影像感測 器晶片10 0之該表面。舉例而言’該多層配接線陶竞封裝 300之内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片ι〇〇透過 Au導線810彼此電黏結。即，在該容納空間sp 1之第三階 梯中’該等内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片100 彼此電連接。 如圖12B及圖12C中展示，一透明玻璃板400藉由一密封 材料740黏結至該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面以便 密封該容納空間SP1。 如圖12B及圖12C中展示，該低導熱率層907内插在該影 像感測器晶片100與該信號處理晶片200間。 該低導熱率層907具有比構成該多層配接線陶瓷封裝300 之該陶瓷基板之導熱率更低之一導熱率且隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區 域PA的熱。 在該容納空間SP1内部，該影像感測器晶片100之該成像 區域PA之整個表面與該信號處理晶片200之整個上表面間 之一部分設置為該低導熱率層907。 [B]結論 154142.doc •40- 201212217 如上文描述，在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層907經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因，該低導熱率層907隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區域pa的 熱。 此外，可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <8·實施例8> [A]器件組態及類似物 圖13 A至圖13C.係展示根據實施例8之一固態成像器件之 組態之圖。 類似於圖12八至圖12(：’圖13八至圖13(：示意性展示該固 態成像器件之組態。圖13A以平面圖展示該固態成像器件 之一上表面。圖13B展示沿圖13A之線X1-X2截取之一橫截 面。圖13C展示沿圖13八之線丫1_丫2截取之一橫截面。 如圖13A至圖13C中展示，此實施例不同於實施例1，不 同點在於進一步設置一辛間板3〇1。除了此點及有關點之 外，此實施例與實施例1相同。出於此原因，將省略重疊 部分之描述。 如圖13B及圖13C中展示，該申間板3〇丨設置在該影像感 154142.doc •41 201212217 測器晶片100與該信號處理晶片200間。 如圖13B及圖13C中展示，一渠溝設置為該多層配接線 陶瓷封裝300之該上表面中之一容納空間SP1，且該中間板 301容納在該容納空間SP1内部。 明確言之，如圖13B及圖13C中展示，與實施例7中一 樣’該信號處理晶片200藉由一晶粒黏結材料720安裝在該 容納空間SP1中之該底面S14上。表面S14可充當一晶粒附 接表面。一階梯設置在該容納空間SP1中，且該等導線820 設置在該階梯之該上表面S13與該信號處理晶片200之表面 間以電連接該階梯之該上表面S13及該信號處理晶片200之 該表面。 然而’如圖13B及圖13C中展示，不像實施例7—樣，在 該容納空間SP1中，該中間板301設置在高於其上設置有該 等導線820之該階梯之一階梯之該上表面S12上。即，該中 間板301設置在該容納空間SP1之該第二階梯上。該中間板 301藉由周邊部分中之晶粒黏結材料711黏結至該容納空間 SP1之該第二階梯。 如圖13B及圖13C中展示，該影像感測器晶片1〇〇經由該 晶粒黏結材料710安裝在作為一晶粒附接表面之該中間板 301之該上表面上。如圖13C中展示，該等導線810設置在 較高階梯之該上表面S11與該影像感測器晶片100之表面間 以電連接該階梯之該上表面S11與該影像感測器晶片100之 該表面。舉例而言，該多層配接線陶瓷封裝300之内部引 線（圖中未展示）與該影像感測器晶片1〇〇透過Au導線810彼 154142.doc • 42· 201212217 此電黏結。即’在該容納空間SP1之該第三階梯中，該等 内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片100彼此電連 接。 以此方式，該中間板3 0 1經組態使得其之下表面黏結至 該多層配接線陶瓷封裝300且該影像感測器晶片1〇〇黏結至 其之上表面。 如圖13B及圖13C中展示’與實施例7中一樣，一低導熱 率層908内插在該影像感測器晶片1〇〇與該信號處理晶片 200 間。 該低導熱率層908具有比構成該多層配接線陶瓷封裝3〇〇 之忒陶瓷基板更低之導熱率且隔絕可自該生熱信號處理晶 片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域pA的熱。 該影像感測器晶片100之該成像區域pA之整個表面與該信 號處理晶片200之整個上表面間之一部分設置為該低導熱 率層908 » 然而，在此實施例中，不像實施例7一樣，該低導熱率 層908經設置以便夾在該中間板3〇1與該容納空間spi内部 之該信號處理晶片200間。 該中間板可包含任何適宜材料。在此實施例中，舉例而 言，可使用包含與構成該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該陶 竟基板相同的基板材料之該中間板3〇1。 此外及/或替代地，舉另一實例，亦可使用包含具有比 構成該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該陶瓷基板之導熱率更 低之一導熱率之一基板之該中間板3〇1。在此情況中，該 154142.doc •43· 201212217 中間板301隔絕可自該生熱信號處理晶片200傳輸至該影像 感測器晶片100之該成像區域PA的熱。因此，該信號處理 晶片200之熱不容易傳輸至該影像感測器晶片1 〇〇之該成像 區域PA，合適抑制暗電流之出現。 此外及/或替代地，該中間板301可包含具有比構成該多 層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板之導熱率更高之一導 熱率之一基板。在此情況中，容易在該中間板30i中傳輸 熱’使得可能將所傳輸的熱合適釋放至該多層配接線陶究 封裝300。因此，可能合適抑制暗電流之出現。 [B]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層908經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因’該低導熱率層908隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域pA的 熱。 亦可能藉由適當調整該中間板301之導熱率而隔絕或釋 放熱。 此外，可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此’在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <9_實施例9> 154142.doc • 44· 201212217 [A]器件組態及類似物 圖14A至圖14C及圖15A至圖15C係展示根據實施例9之一 固態成像器件之組態之圖。 類似於圖12八至圖12(：，圖14八至圖14(：及圖15八至圖15匸 示意性展示該固態成像器件之組態。圖14A及圖15A展示 該固態成像器件之一上表面。圖14B展示沿圖14A之線 Xla-X2a截取之一橫截面。圖14C展示沿圖14A之線Yla-Y2a截取之一橫截面。圖15B展示沿圖15A之線X1-X2截取 之一橫截面。圖15C展示沿圖15A之線Y1-Y2截取之一橫截 面。 如圖14A至圖14C及圖15A至圖15C中展示，在此實施例 中，該多層配接線陶瓷封裝300之一容納空間SP1之結構不 同於實施例7。除了此點及有關點之外，此實施例與實施 例7相同。出於此原因，將省略重疊部分之描述。 如圖14B至圖14C及圖15A至圖15C中展示，類似於實施 例7 ’凹陷成一凹形之一容納空間SP1設置在該多層配接線 陶瓷封裝300之該上表面中。該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之 該容納空間SP1經結構化以便自底面向上逐步加寬。該影 像感測器晶片100與該信號處理晶片200兩者容納在該容納 空間SP1内部。 明確言之，如圖14B至圖14C及圖15A至圖15C中展示， 類似於實施例7，該信號處理晶片200利用晶粒黏結材料 720安裝在該容納空間SP1中之該底面S14上。表面S14可充 當一晶粒附接表面》即’該信號處理晶片200安裝在該容 154142.doc •45- 201212217 納空間SP1之該第〇階梯（例如，底面）上。一階梯設置在該 容納空間SP1中，且導線820設置在該階梯之該上表面S13 與該信號處理晶片200之表面間以電連接該階梯之該上表 面S 13及該信號處理晶片200之該表面。即，在該容納空間 SP1之該第一階梯中，該等内部引線（圖中未展示）與該信 號處理晶片200彼此電連接。 如圖14B至圖14C及圖15A至圖15C中展示，類似於實施 例7，該影像感測器晶片100經由該晶粒黏結材料710安裝 至一階梯之該上表面S12上，該階梯高於作為一晶粒附接 表面之該容納空間SP1中的其上設置有該等導線82〇之階 梯。即，該影像感測器晶片100安裝在該容納空間SP1之該 第二階梯上。該影像感測器晶片1 00黏結至該周邊區域SA 中之該容納空間之該第二階梯。 然而，如圖14A至圖14C及圖15A至圖15C中展示，該容 納空間SP1之該第二階梯經形成使得僅利用具有一矩形形 狀之該影像感測器晶片100之四個拐角部分放置該影像感 測器晶片100。 如圖15C中展示，與實施例7中一樣，導線810設置在比 作為一晶粒附接表面之該階梯更高之階梯之該上表面S11 與該影像感測器晶片100之表面間以電連接該階梯之該上 表面S 11與該影像感測器晶片1 〇〇之該表面。即，在該容納 空間SP1之該第三階梯中，該等内部引線（圖中未展示）與 該影像感測器晶片100彼此電連接。 以此方式，即使當該影像感測器晶片10〇之大小在垂直 154142.doc • 46 - 201212217 方向上等於或小於面向該信號處理晶片200之内部弓丨線之 寬度時，可能合適安裝該影像感測器晶片100 β 如圖14Α至圖14C及圖15Α至圖15C中展示，一低導熱率 層909内插在該影像感測器晶片100與該信號處理晶片2〇〇 間。 該低導熱率層909具有比構成該多層配接線陶瓷封裝3〇〇 之該陶瓷基板之導熱率更低之一導熱率且隔絕可自該生熱 信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區 域ΡΑ的熱。 類似於實施例7，在該容納空間SP1内部，該影像感測器 晶片100之該成像區域ΡΑ之整個表面與該信號處理晶片2〇〇 之整個上表面間之一部分經設置為該低導熱率層9〇9。 不像實施例7—樣，在該影像感測器晶片1〇〇之該周邊區 域SA中，該低導熱率層909設置在除了該四個拐角部分之 外的一部分下方。 如上文描述，在此實施例中，該影像感測器晶片1〇〇經 組態使得僅其之拐角部分黏結至該多層配接線陶瓷封裝 3〇〇，且在該周邊區域SA中，該低導熱率層9〇9設置在除了 該等拐角部分之外的一部分中。 [Β]結論 如上文描述，在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層909經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域ΡΑ與該信號處理晶片2〇〇間。 出於此原因，該低導熱率層909隔絕可自該生熱信號處 154142.doc -47- 201212217 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區域PA的 熱。 此外，可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶瓷封裝300。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <10.實施例1〇> [A]器件組態及類似物 圖16A至圖16C及圖17A至圖PC係展示根據實施例1〇之 一固態成像器件之組態之圖。 類似於圖14A至圖14C及圖15A至圖15C，圖16A至圖16C 及圖17A至圖17C示意性展示該固態成像器件之組態。圖 16A及圖17A以平面圖展示該固態成像器件之一上表面。 圖16B展示沿圖16A之線Xla-X2a截取之一橫截面。圖16C 展示沿圖16A之線Yla-Y2a截取之一橫截面。圖17B展示沿 圖17A之線X1-X2截取之一橫截面。圖17C展示沿圖17A之 線Y1-Y2截取之一橫截面。 如圖16A至圖16C及圖17A至圖17C中展示，此實施例不 同於實施例9，因為設置複數個低導熱率層910a及910b。 除了此點及有關點之外，此實施例與實施例7相同。出於 此原因，將省略重疊部分之描述。 如圖16B至圖16C及圖17B及圖17C中展示，類似於實施 例9，該容納空間SP1之該第二階梯經形成使得僅利用具有 154142.doc •48- 201212217 一矩形形狀之該影像感測器晶片1 〇〇之四個拐角部分放置 該影像感測器晶片1 〇〇。 不像實施例9 —樣，在該容納空間SP1内部，該固態低導
熱率層910a設置在該影像感測器晶片100之該成像區域pA 之整個表面與該信號處理晶片200之整個上表面間之一部 分中°該低導熱率層9丨〇a配置為（舉例而言）一塑膠間隔 物。 類似於實施例9，在該影像感測器晶片！ 00之該周邊區域 SA中’該低導熱率層91〇b(其係作為氣體之一空氣層）設置 在除了該四個拐角部分之外的一部分下方。 該等低導熱率層9i〇a及91〇b具有比構成該多層配接線陶 資•封裝300之該陶瓷基板之導熱率更低之一導熱率且隔絕 可自該生熱信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇 之該成像區域PA的熱。 [B]結論 如上文描述，在此實施例中’類似於其他實施例，該等 低導熱率層910a及910b經設置以便内插在經配置面向彼此 之該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域PA與該信號處理晶 片200間。 出於此原因，該等低導熱率層91〇a及91〇b隔絕可自該生 熱信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片i〇〇之該成像 區域PA的熱。 此外’可能將該影像感測器晶片100之該周邊區域SA之 熱釋放至該多層配接線陶竟封裝3〇〇。 ϋ；* 154142.doc -49- 201212217 因此’在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <11.實施例11> [A]器件組態及類似物 圖18係展示根據實施例11之一固態成像器件之組態之一 圖。 圖18示意性展示該固態成像器件之橫截面。圖18展示對 應於一固態成像器件之Y1-Y2方向（例如，圖7C)之一橫截 面。 如圖18中展示’在此實施例中，該影像感測器晶片1〇〇 之安裝形式及該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之一容納空間spi 之結構不同於實施例7。除了此點及有關點之外，此實施 例與實施例7相同》出於此原因，將省略重疊部分之描 述0 如圖18中展示，該影像感測器晶片10〇與該信號處理晶 片200設置在該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上表面中。 凹陷成一凹形之該容納空間SP1設置在該多層配接線陶 究封裝300之該上表面中。該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該 容納空間SP1經結構化以便自底面向上逐漸加寬。該影像 感測器晶片100與該信號處理晶片200兩者容納在該容納空 間SP1内部。 明確言之’如圖18中展示，與實施例7中一樣，該信號 處理晶片200利用該晶粒黏結材料720安裝在該容納空間 154142.doc • 50· 201212217 SP1中之該底面S14上。表面S14可充當一晶粒附接表面。 一階梯設置在該容納空間SP1中，且導線820設置在該階梯 之該上表面S13與該信號處理晶片200之表面間以電連接該 階梯之該上表面S1 3及該信號處理晶片200之該表面。因 此’該多層配接線陶瓷封裝300之内部引線（圖中未展示）與 該信號處理晶片200彼此電連接。即，該信號處理晶片200 安裝在該容納空間SP1之該第0階梯（底面）上，且在該容納 空間SP1之該第一階梯中，該信號處理晶片2〇〇與該多層配 接線陶瓷封裝300彼此電連接。 如圖1 8中展示，不像實施例7 —樣，在該容納空間SP 1 中，該影像感測器晶片1〇〇直接安裝在該信號處理晶片200 之上表面上。舉例而言，凸塊810B設置在該影像感測器晶 片100之下表面上，且該影像感測器晶片1〇〇與該信號處理 晶片200透過該等凸塊8 ][ 0B彼此電連接。 以此方式’以一裸露晶片方式將該影像感測器晶片1〇〇 安裝在該信號處理晶片2〇〇之上表面上。 如圖18中展示，透明玻璃板4〇〇藉由密封材料740黏結至 該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該上表面以便密封該容納空 間 SP1。 如圖18中展示，一低導熱率層911内插在該影像感測器 晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片2〇〇間。即，該 低導熱率層911設置在與該影像感測器晶片ι〇〇之該成像區 域PA中輸入入射光之該上表面相對之下表面中。 該低導熱率層911具有比構成該影像感測器晶片1〇〇之基 154142.doc •51- 201212217 板（例如，對應於圖4之該半導體基板）之導熱率更低之一導 熱率。該低導熱率層911具有比構成該多層配接線陶竞封 裝300之該陶竟基板的導熱率更低的導熱率。該低導熱率 層911隔絕可自該生熱信號處理晶片2〇〇傳輸至該影像感測 益晶片100之該成像區域p A的熱。 一渠溝設置在對應於面向該信號處理晶片2〇〇之該影像 感測器晶片100之下表面中之該成像區域PA之一部分中， 且該渠溝部分包含設置為該低導熱率層911之空氣或一空 氣層。 舉例而言’可對構成該影像感測器晶片1〇〇之該半導體 基板11(例如’參見圖4)之下表面執行勉刻處理以形成該渠 溝部分。因此，該低導熱率層911可設置在此渠溝部分 中。 該等凸塊810B設置在對應於該影像感測器晶片ι〇〇之下 表面上之該周邊區域SA之一部分中，且該影像感測器晶片 1 〇〇與該彳§號處理晶片2〇〇利用此部分彼此電連接。 [B]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層911經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片2〇〇間。 出於此原因，該低導熱率層911隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區域PA的 熱。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 154142.doc -52- 201212217 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現’改良所擷取影 像之影像品質° <12.實施例12> [A]器件組態及類似物 圖19係展示根據實施例12之一固態成像器件之組態之一 圖。 類似於圖18，圖19示意性展示該固態成像器件之橫截 面0 如圖19中展示’在此實施例中，該影像感測器晶片1〇〇 之安裝形式及該多層配接線陶變封裝300之一容納空間SP1 之結構不同於實施例Π。除了此點及有關點之外，此實施 例與實施例11相同。出於此原因，將省略重疊部分之描 述。 如圖19中展示’與實施例11中一樣，該信號處理晶片 200利用該晶粒黏結材料720安裝在該多層配接線陶瓷封裝 300之該上表面中設置的該容納空間spi中之該底面sj4 上。表面S14可充當一晶粒附接表面。一階梯設置在該容 納空間SP1中，且導線820設置在該階梯之該上表面S13與 該信號處理晶片200之表面間以電連接該階梯之該上表面 S13及該信號處理晶片2〇〇之該表面。因此，該多層配接線 陶瓷封裝300之内部引線（圖中未展示）與該信號處理晶片 200彼此電連接。 如圖19中展示，與實施例11中一樣，在該容納空間SP1 中，該影像感測器晶片j 〇〇直接配置在該信號處理晶片2〇〇 154142.doc •53· 201212217 之上表面上。 如圖19中展示’不像實施例u一樣，導線810設置在較 高階梯之該上表面S11與該影像感測器晶片1〇〇之上表面間 以電連接該較高階梯之該上表面S11及該影像感測器晶片 100之該上表面。舉例而言，該多層配接線陶瓷封裝300之 内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片100透過該等 Αιι導線810彼此電連接。即，在該容納空間spi中，該等 内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片100彼此電連 接。 以此方式，在此實施例中，以一裸露晶片形式安裝該影 像感測器晶片100與該信號處理晶片200。 如圖19中展示，與實施例η中一樣，一低導熱率層911 内插在該影像感測器晶片100之該成像區域ΡΑ與該信號處 理晶片200間。由該低導熱率層911隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇0的熱。 [Β]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層911經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域ΡΑ與該信號處理晶片200間。 出於此原因，該低導熱率層911隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域pa的 熱。 因此，在此實施例中’即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片1 〇〇中暗電流之出現，改良所擷取影 154142.doc •54· 201212217 像之影像品質。 <13.實施例13> [A]器件組態及類似物 圖20係展示根據實施例13之一固態成像器件之組態之一 圖。 類似於圖18 ’圖20示意性展示該固態成像器件之橫截 面。 如圖20中展示，在此實施例中，該信號處理晶片2〇0之 安裝形式、該多層配接線陶瓷封裝300之一容納空間SP1之 結構及一低導熱率層913之位置不同於實施例11。除了此 點及有關點之外，此實施例與實施例丨丨相同。出於此原 因’將省略重疊部分之描述。 如圖20中展示，凹陷成一凹形之該容納空間SP1設置在 該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中，且該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片2〇〇兩者容納在該容納空間 SP1内部。 明確言之’如圖20中展示’該信號處理晶片2〇〇安裝在 該容納空間SP1中之該底面S14上。 不像實施例11 一樣，凸塊820B設置在該信號處理晶片 200之下表面上。該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之配接線（圖 中未展示）與該信號處理晶片200透過該等凸塊820B彼此電 連接。 如圖20中展示，與實施例11中一樣，在該容納空間sp i 中，該影像感測器晶片100直接安裝在該信號處理晶片200 154142.doc -55- 201212217 之上表面上。凸塊810B設置在該影像感測器晶片100之下 表面上，且該影像感測器晶片100與該信號處理晶片200透 過該等凸塊810Β彼此電連接。 如圖20中展示，低導熱率層913内插在該影像感測器晶 片1〇〇之該成像區域ΡΑ與該信號處理晶片200間。 該低導熱率層913具有比構成該影像感測器晶片100之一 基板（例如，對應於圖4之該半導體基板）更低的導熱率。該 低導熱率層913亦具有比構成該信號處理晶片200之基板之 導熱率更低之一導熱率。該低導熱率層913亦具有比構成 該多層配接線陶瓷封裝300之該陶瓷基板更低的導熱率。 該低導熱率層913隔絕可自該生熱信號處理晶片200傳輸至 該影像感測器晶片100之該成像區域ΡΑ的熱。 一渠溝設置在對應於面向該影像感測器晶片100之該信 號處理晶片200之上表面中之該成像區域ΡΑ之一部分中， 且該渠溝部分之一空氣層設置為該低導熱率層913。 舉例而言，對構成該信號處理晶片200之該半導體基板 (圖中未展示）之上表面執行蝕刻處理以形成該渠溝部分。 因此，該低導熱率層913被設置。 利用對應於該信號處理晶片200之上表面中之該影像感 測器晶片100之該周邊區域SA之一部分，該影像感測器晶 片1〇〇與該信號處理晶片200彼此電連接。 [Β]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層913經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 154142.doc •56· 201212217
因此，在此實施例中 制該影像感測器晶片1! 丨列中，即使當該器件大小減小，可能抑 片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <14.實施例14> [A]器件組態及類似物 圖21係展示根據實施例14之一固態成像器件之組態之一 圖。 類似於圖19，圖21示意性展示該固態成像器件之橫截 如圖21中展示’在此實施例中，該信號處理晶片2〇〇之 安裝形式、該多層配接線陶瓷封裝3 00之一容納空間SP1之 結構及一低導熱率層9 13之位置不同於實施例12。除了此 點及有關點之外，此實施例與實施例12相同。出於此原 因，將省略重疊部分之描述。 如圖21中展示，凹陷成一凹形之該容納空間SP1設置在 該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中，且該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片200兩者容納在該容納空間 SP1内部。 萌確言之，如圖21中展示，該信號處理晶片200安裝在 該容納空間SP1中之該底面S14上。 154142.doc •57· 201212217 不像實施例12—樣，凸塊820B設置在該信號處理晶片 200之下表面上。該多層配接線陶瓷封裝300之配接線（圖 中未展示）與該信號處理晶片200透過該等凸塊820B彼此電 連接。 如圖21中展示，與實施例12中一樣，在該容納.空間SP1 中，該影像感測器晶片100直接安裝在該信號處理晶片200 之上表面上》 如圖21中展示，與實施例12中一樣，導線810設置在一 較高階梯之一上表面S11與該影像感測器晶片1 〇〇之上表面 間以電連接該階梯之該上表面S11與該影像感測器晶片100 之該上表面。舉例而言，該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之内 部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片1〇〇透過Au導線 810彼此電連接《即，在該容納空間SP1中，該等内部引線 (圖中未展示）與該影像感測器晶片1 〇〇彼此電連接。 如圖21中展示’類似於實施例13，該低導熱率層913内 插在該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域pA與該信號處理 晶片2 0 0間。 明確言之’該低導熱率層913具有比構成該影像感測器 晶片100之一基板（例如’對應於圖4之該半導體基板）之導 熱率更低的導熱率。該低導熱率層913亦具有比構成該信 號處理晶片200之一基板之導熱率更低之一導熱率。該低 導熱率層913亦具有比構成該多層配接線陶瓷封裝3〇〇之該 陶瓷基板更低之一導熱率。該低導熱率層913隔絕可自該 生熱信號處理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1 〇〇之該成 154142.doc • 58 - 201212217 像區域PA的熱。 凹陷成一凹形之一渠溝在對應於該信號處理晶片200之 上表面令之該成像區域ΡΑ之一部分中形成，且該渠溝部分 包含空氣或一空氣層，該空氣層設置為該低導熱率層 913 » 該影像感測器晶片1 00利用該影像感測器晶片1 〇〇之該周 邊區域SA放置在該信號處理晶片200之上表面上。 [Β]結論 如上文描述，在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層913經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域ΡΑ與該信號處理晶片2〇〇間。 出於此原因’該低導熱率層913隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域卩八的 熱。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <15.實施例15> [Α]器件組態及類似物 圖22係展示根據實施例15之—固態成像器件之組態之一 圖。 類似於圖19，圖22示意性展示該固態成像器件之橫截 面。 如圖22中展示’在此實施例中，該影像感測器晶片_ 154142.doc -59· 201212217 與該信號處理晶片200之安裝形式及該多層配接線陶究封 裝300之一容納空間SP1之結構不同於實施例12。除了此點 及有關點之外’此實施例與實施例12相同。出於此原因， 將省略重疊部分之描述。 如圖22中展示，凹陷成一凹形之該容納空間SP1設置在 該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中，且該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片200兩者容納在該容納空間 SP1内部》 明確言之’如圖22中展示’與實施例12中一樣，該信號 處理晶片200安裝在該容納空間SP1中之該底面S14上。該 信號處理晶片200利用該晶粒黏結材料720而安裝在該多層 配接線陶瓷封裝300之該上表面中設置的該容納空間SP1中 之該底面S14上。表面S14可充當一晶粒附接表面。 如圖22中展示，與實施例12中一樣，在該容納空間SP1 中，該影像感測器晶片100直接安裝在該信號處理晶片200 之上表面上。 如圖2 2中展不’不像實施例12 —樣，該影像感測器晶片 1〇〇與該信號處理晶片200透過由通孔820V製成之連接而彼 此電連接。 導線810設置在一較高階梯之上表面si 1與該影像感測器 晶片100之上表面間以電連接該階梯之該上表面S11與該影 像感測|§晶片10 0之該上表面。舉例而言，該多層配接線 陶瓷封裝300之内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片 100透過Au導線810彼此電連接。即，在該容納空間SP1 154142.doc -60- 201212217 中’該等内部引線（圖中未展示）與該影像感測器晶片100彼 此電連接。 如圖22中展示，類似於實施例12，一低導熱率層911内 插在該影像感測器晶片1〇〇之該成像區域PA與該信號處理 晶片2 0 0間。 [B]結論 如上文描述’在此實施例十，類似於其他實施例，該低 導熱率層911經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域pA與該信號處理晶片2〇〇間。 出於此原因，該低導熱率層911隔絕可自該生熱信號處 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片ι〇〇之該成像區域PA的 熱。 因此，在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片1〇〇中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <16.實施例16> [A]器件組態及類似物 圖23係展示根據實施例16之一固態成像器件之组態之一 圖。 類似於圖20，圖23示意性展示該固態成像器件之橫截 面。 如圖23中展示’在此實施例中’該影像感測器晶片ι〇〇 之安褒形式不同於實施例13。除了此點及有關點之外，此 實施例與實施例13相同。出於此原因，將省略重疊部分之 154142.doc 201212217 描述。 如圖23中展示，凹陷成一凹形之一容納空間SP1設置在 該多層配接線陶瓷封裝300之該上表面中，且該影像感測 器晶片100與該信號處理晶片200兩者容納在該容納空間 SP1内部。 明確言之’如圖23中展示，與實施例13中一樣，該信號 處理晶片200安裝在該容納空間SP1中之該底面S14上。凸 塊820B设置在該说處理晶片200之下表面上，且該多層 配接線陶瓷封裝300之配接線（圖中未展示）與該信號處理晶 片200透過該等凸塊820B彼此電連接。 如圖23中展示，與實施例13中一樣，在該容納空間SP1 中’該影像感測器晶片100直接安裝在該信號處理晶片200 之上表面上。 如圖23中展示，不像實施例13—樣，該影像感測器晶片 100與該信號處理晶片200透過由通孔820V製成之連接而彼 此電連接。 如圖23中展示’類似於實施例13，一低導熱率層913内 插在該影像感測器晶片1 〇〇之該成像區域PA與該信號處理 晶片2 0 0間。 [B]結論 如上文描述’在此實施例中，類似於其他實施例，該低 導熱率層913經設置以便内插在經配置面向彼此之該影像 感測器晶片100之該成像區域PA與該信號處理晶片200間。 出於此原因’該低導熱率層913隔絕可自該生熱信號處 154142.doc -62- 201212217 理晶片200傳輸至該影像感測器晶片100之該成像區域PA的 熱。 因此’在此實施例中，即使當該器件大小減小，可能抑 制該影像感測器晶片100中暗電流之出現，改良所擷取影 像之影像品質。 <17.其他> 在實行本發明中，本發明並不限於前述實施例，且可使 用各種修改。 雖然在前述實施例中’已描述該影像感測器晶片1〇〇係 一 CCD影像感測器晶片之情況’但本發明並不限於此。本 發明亦可應用於一 CMOS影像感測器晶片。 雖然在前述實施例中，已描述本發明應用於一相機之情 況’但本發明並不限於此。本發明亦可應用於具有一固態 成像器件之其他電子裝置，諸如一掃描器及一影印機。 該影像感測器晶片1 〇〇之大小與該信號處理晶片2〇〇之大 小間之關係並不限於上文描述的關係。該影像感測器晶片 1〇〇與该仏號處理晶片2〇〇可係不同大小或相同大小。 前述實施例可適當彼此組合。 熟習此項技術者應瞭解取決於設計要求及其他因數可出 現各種修改、組合、子組合及/或更改，只要其等在隨附 申請專利範圍或其等之等效物範圍内。 雖然熟習此項技術者可建議修改及改變，但發明者之意 圖係體現在所有改變及修改由於合理且適當落在其等對該 技術貢獻之範圍内擔保的本專利内。 154142.doc -63· 201212217 【圖式簡單說明】 圖1係展示根據實施例1之一相機之組態之一組態圖； 圖2A至圖2C係展示根據實施例1之一固態成像器件之組 態之圖； 圖3係展示根據實施例1之一影像感測器晶片之一主要部 分之一圖； 圖4係展示根據實施例1之一影像感測器晶片之一主要部 分之一圖； 圖5係展示根據實施例1之一濾色片CF2 一圖； 圖6A及圖6B係展示根據實施例1之一固態成像器件中之 熱傳輸之一態樣之圖； 圖7A至圖7C係展示根據實施例2之一固態成像器件之組 態之圖； 圖8A至圖8C係展示根據實施例3之一固態成像器件之組 態之圖； 圖9A至圖9C係展示根據實施例4之一固態成像器件之組 態之圖， 圖10A至圖10C係展示根據實施例5之一固態成像器件之 組態之圖； 圖11A至圖11C係展示根據實施例6之一固態成像器件之 組態之圖； 圖12A至圖12C係展示根據實施例7之一固態成像器件之 組態之圖； 圖13 A至圖13 C係展示根據實施例8之一固態成像器件之 154142.doc -64 - 201212217 組態之圖； 圖14A至圖14C係展示根據實施例9之一固態成像器件之 組態之圖， 圖15A至圖15C係展示根據實施例9之一固態成像器件之 組態之圖； 圖16A至圖16C係展示根據實施例1 〇之一固態成像器件 之組態之圖； 圖17A至圖17C係展示根據實施例1〇之一固態成像器件 之組態之圖； 圖18係展示根據實施例11之一固態成像器件之組態之一 圖； 圖19係展示根據實施例12之一固態成像器件之組態之一 園， 圖2〇係展示根據實施例13之一固態成像器件之組態之一
El · 國， 圖21係展示根據實施例14之一固態成像器件之組態之一 圖， 圖22係展示根據實施例丨5之一固態成像器件之組態之一 圖； 圖23係展示根據實施例16之一固態成像器件之組態之一 rs*i · 圖， 圖24A至圖24C係示意性展示一固態成像器件之圖；及 圖25係展示環境溫度與一固態成像器件中之暗電流間之 一關係之一圖。 154142.doc -65· 201212217 【主要元件符號說明】 1 固態成像器件 11 半導體基板 21 光電二極體 22R 電荷讀出通道區域 23V 電荷傳送通道區域 24S 通道止擋器區域 30 陶瓷基板 31 多層配接線層 31T 傳送電極 32 多層配接線層 40 相機 42 光學系統 43 控制區段 60 光阻薄膜 100 影像感測晶片 200 信號處理晶片 300 多層配接線陶瓷封裝 300Z 多層配接線陶瓷封裝 310 外部引線 322 抗反射薄膜 400 玻璃板 500 離散組件 600 填充層 154142.doc -66- 201212217 710 晶粒黏結材料 711 晶粒黏結材料 720 晶粒黏結封料 740 密封材料 810 導線 820 導線 901 低導熱率層 902 低導熱率層 904 低導熱率層 905 低導熱率層 905a 第一低導熱率部分 905b 第二低導熱率部分 906 低導熱率層 907 低導熱率層 908 低導熱率層 909 低導熱率層 910a 低導熱率層 910 b 低導熱率層 911 低導熱率層 913 低導熱率層 CF 渡色片 CFB 藍色遽光層 CFG 綠色滤光層 CFR 紅色濾光層 154142.doc ·67- 201212217 Η ΗΤ ΗΤ JS ML OUT Ρ ΡΑ RO 511 512 513 514 521 522 SA SP1 SP2 SS VT ζζ 入射光 水平傳送暫存器部分 平坦薄膜 光接收表面 晶載透鏡 輸出部分 像素 成像區域 電荷讀出部分 表面 底面 上表面 底面 表面 底面 周邊區域 容納空間 容納空間 元件分開部分 垂直傳送暫存器部分 絕緣薄膜 154142.doc -68 -