CN101410983A - 辐射检测器阵列 - Google Patents

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Abstract

一种尤其适用于计算断层摄影(CT)应用的辐射检测器模块(22)包括闪烁器(200)、光检测器阵列(202)和信号处理电子部件(205)。所述光检测器阵列(202)包括具有多个光检测器的半导体基板(208)和形成在所述基板(208)的不受照射的一侧上的金属化部件(210)。所述金属化部件在所述光检测器和所述信号处理电子部件(205)之间以及所述信号处理电子部件(205)和电连接器(209)之间对电信号进行路由。

Description

辐射检测器阵列
技术领域
本发明涉及在计算断层摄影(CT)系统中采用的x射线检测器阵列。本发明还可以应用于对x辐射之外的其他辐射的检测，以及需要辐射敏感检测器的阵列的其他医疗和非医疗应用当中。
背景技术
经证实，CT扫描仪在提供表示对象的内部结构的信息方面具有非常重要的价值。例如，在医疗成像方面，广泛采用CT扫描仪提供表示患者的生理情况的图像和其他信息。近年来多层(slice)CT得到了迅速应用，因为随着层或通道的数量的增大可以具有若干优点，例如，提高了扫描心脏和解剖学中的其他活动部分的能力，缩短了扫描时间，提高了扫描仪吞吐量，提高了轴向分辨率和覆盖范围等。
然而，这一趋势的一个后果是所需要的x射线检测器变得越来越复杂，越来越昂贵。实际上，检测器即使不是CT扫描仪中的最昂贵的部件，也往往是其中最昂贵的部件之一。例如，目前技术水平的CT扫描仪被设计成在一次机架(gantry)旋转中获取多达128个层，典型的检测器系统可能需要多达80000个独立的检测元件或像素。
由于阵列中的像素之间的间隙或空间可能对图像质量具有不利影响这一事实，而使得情况变得更加复杂。这一要求倾向于限制检测器信号的路由(routing)和所需的读出电子部件可用的空间，所述读出电子部件有利地位于检测器之后的空间中。
在发明名称为Solid State X-Radiation Detector Modules and MosaicsThereof，and an Imaging Method and Apparatus for Employing Same的美国专利No.6510195中公开了一种适于在多层CT扫描仪中使用的二维(2D)检测器系统，通过引用将该专利的全部内容明确并入到本文中。如在该专利中所更加全面讨论的那样，这种系统中的检测器模块包括与光电二极管阵列进行光通信的闪烁器。具有多个金属焊盘的金属化层提供与各个光电二极管的接触，所述多个金属焊盘位于光电二极管阵列的不受照射的一侧。所述焊盘与光电二极管的间距和间隔相适应。因此，又将所述焊盘凸块接合到独立的载体基板。所述载体基板又包括多个导电层，所述导电层设置成电路图案，并且连接到所述基板的另一侧上的接触焊盘。所述接触焊盘为读出电子部件提供连接点。在所公开的另一实施例中，将具有与光电二极管的间距和间隔匹配的输入连接的ASIC直接连接到所述焊盘。组装若干检测器模块以便形成2D平铺阵列。
尽管这种检测器系统确实有效，但仍然存在改进的空间。例如，仍然希望进一步降低检测器的成本，简化制造过程，以及提高检测器设计的灵活性和可靠性。
发明内容
本发明的各个方面解决了这些和其他问题。
根据本发明的第一个方面，一种辐射检测器包括闪烁器、光检测器阵列和信号处理电子部件。所述光检测器阵列包括具有多个与所述闪烁器进行光通信的光检测器元件的半导体基板、以及形成在所述半导体基板的与所述闪烁器相反的一侧上的金属化部件(metalization)。在所述光检测器阵列的与所述闪烁器相反的一侧上承载所述信号处理电子部件。所述金属化部件包括电连接到所述光检测器元件的第一多个接触以及与所述第一多个接触和所述信号处理电子部件电连通的第二多个接触。
根据本发明的另一方面，一种辐射检测器包括半导体基板底，所述半导体基板具有辐射接收面和对由所述辐射接收面接收的辐射进行检测的辐射敏感检测器元件的二维阵列。所述检测器包括形成在所述半导体基板的与所述辐射接收面相反的一侧上的金属化部件，所述金属化部件包括第一接触和第二接触。所述第一接触电连接到所述光检测器元件的阵列，并且将所述金属化部件配置为将电信号从所述第一接触路由到所述第二接触。
根据另一方面，一种设备包括检查区域、支撑所述检查区域中的对象的对象支架、以及设置成二维阵列的多个辐射检测器模块。所述检测器模块包括光检测器阵列，所述光检测器阵列包括具有面对所述检查区域的辐射接收面和辐射敏感检测器的阵列的半导体基板。所述检测器模块还包括采用半导体制造技术形成在所述半导体基板的与所述辐射接收面相反的一侧上的至少第一电信号路由层、以及由所述光检测器阵列承载的信号处理电子部件(205)。将所述至少第一信号路由层物理设置在所述半导体基板和所述信号处理电子部件之间，并且将所述至少第一电信号路由层电连接至所述信号处理电子部件。
在阅读和理解附图和说明之后，本领域技术人员将意识到本发明的其他方面。
附图说明
在附图的各幅图中通过举例的方式而非限定的方式示出了本发明，其中采用类似的附图标记表示类似的元件，在附图中：
图1示出CT扫描仪；
图2A、2B和2C示出检测器模块；
图3A、3B、3C和3D示出光检测器阵列和某些相关部件；
图4是示出检测器模块；
图5示出制造检测器模块的步骤。
图6A、6B、6C、6D和6E示出各个制造阶段中的检测器模块；
图7A和7B示出检测器模块的盖设置；
图8A、8B和8C示出检测器子组件；
图9A、9B和9C示出检测器子组件；
图10A和10B示出检测器子组件；
图11示出设置成形成弓形检测器的一部分的检测器子组件。
具体实施方式
参考图1，CT扫描仪10包括围绕检测区域14旋转的旋转机架部分18和固定机架部分19。旋转机架18支撑诸如x射线管的辐射源12。旋转机架18还支撑x射线敏感检测器20，其在检测区域14的相对侧上形成相对的弧。由x射线源12产生的x射线穿过检测区域14，并由检测器20检测。对象支架16支撑处于检测区域14中的诸如患者的对象。支架16优选可以与机架18的旋转协调移动，以便提供螺旋扫描。
检测器20包括多个检测器模块22，其中每一个模块22包括辐射敏感检测器像素的阵列。对多个检测器模块22进行设置以便形成一般为弓形的二维(2D)平铺检测器阵列，其中各个检测器模块22的像素邻接或者以其他方式与一个或多个相邻模块22中的像素基本毗连。如下文中进一步讨论的那样，有利地采用背部照明光电二极管(BIP)阵列制造检测器模块22，所述阵列具有一个或多个金属化层以及形成在其不受照射的一侧上的相应电接触。由检测器阵列承载的并且连接到所述接触的读出电子部件提供将光检测器产生的电平相对较低的模拟信号转换成数字信号的多路复用器、放大器、模数转换器等。
在一种实施方式中，检测器20包括一百二十八(128)个或更多的层。还应注意，可以将检测器模块22或包括在其中的检测器像素设置成使得检测器阵列是不规则的。例如，可以使一行或多行或者一列或多列中的像素彼此偏移。还可以实施所谓的第四代扫描仪构造以及平板检测器，在所述第四代扫描仪中检测器20跨越360度的弧，并且其在x射线源12旋转时保持固定。同样地，可以实施层数量更多或更少的检测器。
优选由旋转机架18承载的数据获取系统24接收来自多个检测器模块22的输出信号，并提供额外的多路复用、数据通信等功能。重构器26重构由检测器20获得的数据，以形成表示接受检查的对象的体积图像数据。
通用计算机用作操作员控制台44。控制台44包括诸如监视器或显示器的人可以阅读的输出装置以及诸如键盘和鼠标的输入装置。驻留在控制台上的软件允许操作者通过以下方式控制扫描仪的操作：建立预期的扫描协议，启动和终止扫描，观察并以其他方式操纵体积图像数据，以及以其他方式与扫描仪交互。
控制器28根据需要协调各种扫描参数，以实现预期的扫描协议，包括x射线源12参数、患者躺椅16的移动和数据获取系统26的操作。
在图2A、2B和2C中示出了典型检测器模块22。模块22包括闪烁器200、光检测器阵列202、盖203、读出或信号处理电子部件205以及一个或多个连接器209。
闪烁器200与光检测器阵列202进行光通信，从而通过光检测器阵列202的光接收面207接收由闪烁器200响应于入射辐射204而产生的光。
光检测器阵列202包括半导体基板208和金属化部件210。如图2所示，基板208形成常规的BIP阵列，其中对半导体208进行掺杂，以提供所述阵列中的光电二极管的阳极212和其他部件。
形成在基板208的不受照射的一侧上的金属化部件210在光电二极管和读出电子部件205当中以及在读出电子部件205和连接器209之间提供预期的电连接和信号路由。优选采用作为光检测器阵列202的制造的一部分的已知CMOS或者其他半导体加工技术形成金属化部件210。更具体而言，金属化部件210包括在与BIP阵列208的制造相同的净室环境中施加的交替的绝缘和金属层。所述金属层通常由诸如铝或铜的导体来制成，而所述绝缘体则通常由氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、聚酰亚胺或其他适当的绝缘体制成。在任何情况下，均施加由预期的金属或绝缘体构成的均匀涂层，并采用光刻法对所述层进行构图，以形成预期的电路图案。重复所述过程，直到提供了预期数量的金属化层为止。过孔在各个金属层之间提供电连接。
如图所示，金属化部件210包括第一2101、第二2102和第三2103金属层。为了清晰起见，未示出绝缘层。第一金属化层2101包括电连接到所述阵列中的光电二极管的连接焊盘214和根据需要对光电二极管输出信号进行路由的导电电路迹线221。第二金属化层2102包括可以从光检测器阵列202的后部228到达的连接焊盘216、219以及电路迹线。第三金属化层2103用作接地平面。过孔299根据需要在层之间对信号进行路由。例如，如图所示，过孔将来自第一层2101的信号路由到第二层2102中用于连接到读出电子部件205的输入的迹线和/或焊盘。就这一方面而言，应当注意，将第一层2101的焊盘214和迹线221示为处于不同的平面或水平上，以有助于显示其间的连接。以类似的方式示出第二层2102。在实践中，每一层通常基本上为平面。
将读出电子部件205安装到连接焊盘上，所述读出电子部件205通常包括诸如专用集成电路(ASIC)206和分立部件209的部件，所述分立部件209例如为电阻器、电容器或者其他无源或有源电路。如图2A和2B所示，通过引线接合218将ASIC 206电连接到焊盘216，其与ASIC 206的几何形状和引出线相符。其他焊盘217与部件209的几何形状和引出线相符，所述部件209又焊接或以其他方式连接到其相应的焊盘217。此外，如图所示，通过焊接点220或以其他方式将连接器209连接到焊盘219，所述焊盘219与接器209的几何形状和引出线相符。
这样的布局的一个特殊优点在于，能够相对便宜地施加电互连，所述电互连与读出电子部件的布局和其他要求相符。此外，金属化部件210可以降低用于提供各种互连的载体基板的复杂性，或者如图2所示，完全将其取代。
可以提供由诸如钨、钼或铅的辐射衰减材料制成的并且位于光检测器阵列202和ASIC 206之间的辐射屏蔽层222，以保护ASIC 206免受电离辐射的有害影响，所述电离辐射没有以其他方式被闪烁器200或光检测器阵列202吸收。还可以提供静电屏蔽224(为了便于显示，图2A中将其省略)以保护一些或所有的读出电子部件205免受从检测器模块22的后部入射的电场的有害影响。设置在屏蔽224和ASIC 206之间和/或设置在屏蔽224和盖203之间的导热环氧树脂层226有助于消散由ASIC 206产生的热量。
盖203用于保护电路205和光检测器阵列202的不受照射的一侧228。为了进一步促进由ASIC 206产生的热量的消散，盖203可以由铝、导热陶瓷或其他导热材料制成。设置在盖203和光检测器阵列202的不受照射的一侧228之间的空间中的诸如环氧树脂或类似化合物的密封剂230(为了便于显示，在图2A中未示出)提供了结构鲁棒性，并另外保护读出电子部件205不受污染物的影响。
如图所示，读出电子部件205和连接器209位于由光检测器阵列的辐射接收面207限定的有界平面内。应当认识到，这种结构有助于构造平铺检测器阵列。
图3A、3B、3C和3D更为详细地示出了光检测器阵列202以及第一2101、第二2102和第三2103金属化层的典型路由。参考图3B，第一金属化层2101中的迹线将来自各个光电二极管接触214的电平相对较低的模拟信号路由到第二金属化层2102中的预期连接焊盘216的附近。过孔将第一层中的迹线连接到第二金属化层2102中的相应迹线，所述迹线又连接到焊盘216。参考图3C，第二金属化层2102中的迹线在焊盘216和连接焊盘219之间对电平通常较高的功率和数字读出信号进行路由，所述连接焊盘219与连接器209的几何形状和引出线相符。可以以类似的方式对来自和去往其他电路元件或部件的信号进行路由。此外，还可以直接在光电二极管焊盘214和连接器219之间对信号进行路由。参考图3D，第三金属化层2103优选位于第一2101和第二2102金属化层之间，并且包括接地平面或电连接到地的屏蔽316。
应当认识到，将电平相对较低的检测器信号与功率和数字信号分开易于减少其间的不利耦合。可以实施数量更多或更少的金属化层210(例如，一个(1)、两个(2)、四个(4)或者更多的层)，因为这种层210的数量和构造以及其间的连接通常依预期互连的密度和复杂性、各种电信号的特性以及其间的预期屏蔽而定。
尽管已经将ASIC 206描述为引线接合到其相应的焊盘216，但是其也可以是倒装片或者采用图4所示的焊料凸块402将其凸块接合到被适当构造的连接焊盘216上。
现在将参考图5和图6对检测器模块22的制造进行说明。
在步骤502中，参考图6A，例如，对基板208进行处理，以形成常规BIP阵列。
在步骤504中，参考图6B，将预期的金属化部件210施加到基板208的不受照射的一侧，以形成光检测器阵列202。
在步骤506中，参考图6C，例如通过回流焊接操作将读出电子部件208的各个部件附着到光检测器阵列202的背面，在所述回流焊接操作中，将读出电子部件205和连接器209焊接到形成在金属化部件210的背表面228上的相应焊盘216、217、219上。在通过引线接合218连接ASIC 206和其他部件的情况下，还将应用预期的引线接合。在利用辐射屏蔽222时，通常根据应用情况，在焊接或引线接合操作之前安装辐射屏蔽222。注意，如果需要，也可以采用导电环氧树脂或其他适当的材料替代焊料。
在步骤508中，参考图6D，施加导热粘合剂226和静电屏蔽224(如果存在的话)，并安装盖203。
在步骤510中，参考图6E，将密封剂230注入到盖203和阵列202的背面之间的一个或多个空间中。
在步骤512中，将闪烁器200(如果有的话)附着到阵列202的光接收面207。
图7A和7B示出了可选的盖设置。如图7A所示，盖203由第一盖部分203a和导热盖部分203b形成。由相对便宜的材料例如塑料或其他聚合物注射成型或以其他方式制成第一盖部分203a。由导热性相对较强的材料例如铝或导热陶瓷制成导热部分203b。在制造第一部分203a之后，使第一部分203a和第二部分204b结合。或者，可以围绕导热盖部分203b成型或以其他方式形成第一盖部分203a。在任何情况下，均优选将导热部分203b构造为提供相对有效的导热路径，其有助于消散由ASIC 206或读出电子部件205的其他预期部分所产生的热量。
参考图7B，检测器模块22设有导热构件702，其与以上相对于图7A所描述的导热盖部分203b类似。在安装导热构件703a之后，将诸如聚合物或密封剂的保护覆盖层704成型或者以其他方式施加到检测器模块22的背面。
其他的变型也是可能的。例如，可以采用受到正面照射的光电二极管实现光检测器阵列202，其中在所述阵列的受到照射的一侧上形成光电二极管电连接。在这种情况下，光检测器阵列202有利地设有通孔或过孔，其将光电二极管信号路由到光检测器阵列202的不受照射的一侧。也可以采用适当的光检测器或者光电二极管技术，例如正-本征-负(PIN)光电二极管、互补金属氧化物半导体(CMOS)光检测器、或在线性或单光子模式下工作的雪崩光电二极管，制造光检测器阵列202。
还应当认识到，可以由通常基于具体应用的光谱、响应时间和其他要求选择的诸如氧硫化钆(GOS)或钨酸镉(CdWO4)的常规闪烁器材料制造闪烁器200。也可以省略闪烁器200，尤其是在采用检测器模块22检测光辐射或波长对应于光检测器阵列202的光谱响应的辐射的应用中。也可以考虑光谱辐射检测器，其产生表示一个以上的能量谱的输出。
还可以组装检测器模块22以形成一个或多个检测器子组件，进而对所述检测器子组件进行组装以形成一般为弓形的检测器阵列。现在来看图8A和8B，检测器子组件800包括多个检测器模块221、222……22n、电路板802和支架804。电路板802包括无材料区域8061、8062……806n和连接器808。将检测器模块22的连接器209焊接或以其他方式连接到电路板802的第一侧。电路板802承载着将检测器模块22连接到连接器808的导电迹线812。在检测器模块22产生能够成为菊花链的数字输出的情况下，所示的迹线812的构造尤为有利。
有利地由金属或其他导热材料制成的支架804从电路板802的第二侧附着。支架804包括突起810，其穿过无材料区域以与各个检测器模块22的盖203热接触，更具体而言，与导热性更强的盖部分热接触。接着采用支架804安装作为在CT扫描仪或其他预期应用中采用的较大的、一般为弓形的检测器阵列的一部分的子组件800。
上述布局的具体优点在于，可以使各个检测器模块22相对于彼此对准，并且在焊接操作之前与电路板802对准。根据这样的布局，各个检测器22的容差是相对不重要的，并且电路板802用作多个子组件800的定位基准。
在图9A、9B和9C中示出了检测器子组件900的可选构造。采用螺钉904或其他适当的紧固件将检测器模块22固定到支架902上。接着将各个检测器模块22的连接器209焊接到电路板904a、904b。
在图10A和10B中示出了另一检测器子组件构造。如图所示，检测器子组件1000包括多个检测器模块221、222……22n以及第一电路板1002和第二电路板1004。将检测器模块22的连接器209焊接或以其他方式连接到第一电路板1002。可以将一个或多个热沉放置在检测器模块22和第一电路板1002之间，并使其与盖203热连通。通过挠性电路和其他适当的连接提供电路板1002、1004之间的电连接1006。通过适当的设置，例如托架808、粘附连接等提供电路板1002、1004之间的机械连接。还可以将第二电路板1004实施为挠性电路，从而避免对连接1006的需求。
参考图11，接着组装预期的多个检测器子组件，例如子组件9001、9002、9003、9004、9005，以形成具有预期角度的一般为弓形的检测器阵列。
当然，在阅读并理解了前述说明的情况下，本领域技术人员将会想到修改和变化。这意味着，应当将本发明视为包括所有此类落在所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变化。

Claims (36)

1、一种辐射检测器，包括：
闪烁器(200)；
光检测器阵列(202)，包括：
包括多个与所述闪烁器进行光通信的光检测器元件的半导体基板(208)；
形成在所述半导体基板的与所述闪烁器相反的一侧上的金属化部件(210)；
承载在所述光检测器阵列的与所述闪烁器相反的一侧上的信号处理电子部件(205)；
其中所述金属化部件包括电连接到所述光检测器元件的第一多个接触(214)以及与所述第一多个接触和所述信号处理电子部件电连通的第二多个接触(216、217、219)。
2、根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述金属化部件包括第一和第二金属化层(2101、2102)。
3、根据权利要求2所述的辐射检测器，其中将所述第一多个接触设置在所述第一层中，将所述第二多个接触设置在所述第二层中。
4、根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述信号处理电子部件包括集成电路(206)。
5、根据权利要求4所述的辐射检测器，其中将所述集成电路凸块接合到所述第二多个接触。
6、根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述金属化部件包括形成所述第一多个接触和所述第二多个接触之间的导电路径的至少一部分的导电电路迹线(221)。
7、根据权利要求1所述的辐射检测器，还包括适于提供在所述辐射检测器外面的电连接的电连接器(209)，其中所述金属化部件形成所述信号处理电子部件和所述连接器之间的导电路径的至少一部分。
8、根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述光检测器元件包括背部照射光电二极管。
9、根据权利要求1所述的辐射检测器，包括具有由相对绝热的材料制成的第一部分(203a、704)和由相对导热的材料制成的第二部分(203b、702)的盖，其中所述信号处理电子部件包括集成电路(206)，并且其中所述第二部分提供所述集成电路和所述辐射检测器的外部之间的导热路径。
10、根据权利要求9所述的辐射检测器，其中所述第一部分包括注塑聚合物。
11、根据权利要求1所述的辐射检测器，其中将所述多个光检测器元件设置成限定了有界平面的阵列，并且其中将所述信号处理电子部件设置在所述有界平面内。
12、一种辐射检测器，包括：
具有辐射接收面(207)并且包括辐射敏感检测器元件的二维阵列的半导体基板(208)，所述辐射敏感检测器元件对由所述辐射接收面接收的辐射进行检测；
形成在所述半导体基板的与所述辐射接收面相反的一侧上的金属化部件(210)，其中所述金属化部件包括第一接触(214)和第二接触(216、217、219)，所述第一接触电连接到光检测器元件的阵列，并且将所述金属化部件配置为在所述第一和第二接触之间对电信号进行路由。
13、根据权利要求12所述的辐射检测器，其中所述辐射敏感检测器元件的阵列具有第一物理布局，其中所述辐射检测器适于与具有不同于所述第一物理布局的第二物理布局的信号处理电子部件一起使用，并且其中所述第二接触与所述第二物理布局相符。
14、根据权利要求13所述的辐射检测器，其中辐射检测器适于与引线接合到所述第二接触的信号处理电子部件一起使用。
15、根据权利要求12所述的辐射检测器，其中所述金属化部件包括提供所述第一和第二接触之间的导电路径的至少一部分的电导体(221)。
16、根据权利要求15所述的辐射检测器，其中所述金属化部件包括第一(2101)和第二(2102)金属化层。
17、根据权利要求12所述的辐射检测器，其中所述金属化部件包括适于连接到电连接器的接触。
18、根据权利要求17所述的辐射检测器，还包括电连接器(209)和电路板(802)，其中将所述电连接器连接到适于连接到所述电连接器的接触以及连接到所述电路板，以便在其间提供电连接。
19、根据权利要求12所述的辐射检测器，其中所述光检测器是CMOS光检测器。
20、根据权利要求12所述的辐射检测器，包括连接到所述第二接触的信号处理电子部件(205)。
21、根据权利要求20所述的辐射检测器，其中所述信号处理电子部件包括凸块接合到或者引线接合到所述第二接触的集成电路(206)。
22、根据权利要求21所述的辐射检测器，包括操作地连接到所述信号处理电子部件并且电连接到所述金属化部件的电连接器(209)。
23、根据权利要求22所述辐射检测器，包括与所述辐射接收面进行光通信的闪烁器。
24、根据权利要求20所述的辐射检测器，包括设置在所述辐射检测器的与所述辐射接收面相反的一侧上的盖，其中所述盖包括由第一相对绝热的材料制成的第一部分(203a、704)和由相对导热的材料制成的第二部分(203b、702)，并且其中所述第二部分与所述信号处理电子部件热连通。
25、在包括检查区域(14)和支撑处于所述检查区域中的对象的对象支架(16)的设备中，将多个辐射检测器模块(22)设置成二维阵列，其中，所述检测器模块包括：
光电检测器阵列(202)，其包括：
具有面对所述检查区域的辐射接收面(207)并且包括辐射敏感检测器的阵列的半导体基板(208)；
采用半导体制造技术形成在所述半导体基板的与所述辐射接收面相反的一侧上的至少第一电信号路由层(2101、2102、2103)；
由所述光检测器阵列承载的信号处理电子部件(205)；
其中将所述至少第一信号路由层物理设置在所述半导体基板和所述信号处理电子部件之间，并且其中将所述至少第一电信号路由层电连接到信号处理电子部件。
26、根据权利要求25所述的设备，包括第二电信号路由层(2102)。
27、根据权利要求26所述的设备，其中采用金属化技术形成所述第一和第二路由层。
28、根据权利要求26所述的设备，其中所述信号处理电子部件包括ASIC。
29、根据权利要求28所述的设备，其中将所述ASIC凸块接合到所述光检测器阵列。
30、根据权利要求25所述的设备，其中将所述检测器模块设置成平铺阵列。
31、根据权利要求25所述的设备，其中将所述辐射检测器模块设置成弓形2D阵列。
32、根据权利要求25所述的设备，其中所述检测器模块包括设置在所述辐射接收面和所述检查区域之间的闪烁器。
33、根据权利要求25所述的设备，其中所述检测器模块包括由所述光检测器阵列承载的并且与所述信号处理电子部件电连通的电连接器，并且其中所述至少第一路由层形成所述信号处理电子部件和所述电连接器之间的导电路径的至少一部分。
34、根据权利要求33所述的设备，包括电路板和导热构件，其中将各个检测器模块的连接器电连接到所述电路板，并且其中将所述导热构件热连接到检测器模块的与所述辐射接收面相反的一侧。
35、根据权利要求34所述的设备，其中所述电路板包括无材料区域，并且所述导热构件的一部分穿过所述无材料区域突出。
36、根据权利要求34所述的设备，其中所述光检测器模块包括设置在所述模块的与所述辐射接收面相反的一侧上的盖，并且其中通过机械紧固件将所述导热构件固定到所述盖上。
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