RU2005131994A - Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом - Google Patents

Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом Download PDF

Info

Publication number
RU2005131994A
RU2005131994A RU2005131994/02A RU2005131994A RU2005131994A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A RU 2005131994/02 A RU2005131994/02 A RU 2005131994/02A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
furnace
content
measured
substrate
Prior art date
Application number
RU2005131994/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2347009C2 (ru
Inventor
Эрик СИОН (FR)
Эрик СИОН
Поль-Мари МАРКЕР (FR)
Поль-Мари Маркер
Рене ФУРНЕ (FR)
Рене Фурне
Ги-Мари КОМ (FR)
Ги-Мари КОМ
Original Assignee
Мессье-Бугатти (Fr)
Мессье-Бугатти
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Мессье-Бугатти (Fr), Мессье-Бугатти filed Critical Мессье-Бугатти (Fr)
Publication of RU2005131994A publication Critical patent/RU2005131994A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2347009C2 publication Critical patent/RU2347009C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26Deposition of carbon only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • C04B35/83Carbon fibres in a carbon matrix
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B1/00Comparing elements, i.e. elements for effecting comparison directly or indirectly between a desired value and existing or anticipated values

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Food Preservation Except Freezing, Refrigeration, And Drying (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)

Claims (12)

1. Способ контроля или моделирования процесса уплотнения по меньшей мере одного пористого субстрата пиролитическим углеродом путем химической инфильтрации газовой фазой, в соответствии с которым помещают в печь партию из одного или более субстратов, подлежащих уплотнению, нагревают указанный субстрат, подают в печь реакционный газ, содержащий по меньшей мере один углеводород, являющийся источником углерода, устанавливают в печи давление, при котором реакционный газ способен диффундировать в поры нагретого субстрата с образованием в них осадка пиролитического углерода, и выпускают из печи отработанный газ через выпускную трубу, соединенную с выходным отверстием печи, отличающийся тем, что измеряют в отработанном газе содержание по меньшей мере одного соединения, выбранного из аллена, пропина и бензола, и в зависимости от полученного содержания контролируют процесс путем установки по меньшей мере одного параметра, выбранного из скорости потока реакционного газа, подаваемого в печь, скорости потока по меньшей мере одного компонента газа, подаваемого в печь, времени прохождения газа через печь, температуры, до которой нагревают субстрат, и давления внутри печи.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что меньшей мере один параметр устанавливают таким образом, чтобы измеряемое содержание газа поддерживалось по существу постоянным.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание измеряют в трубе, идущей параллельно выводящей трубе.
4. Способ по п.1 или 3, отличающийся тем, что содержание измеряют методом газовой хроматографии.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль осуществляют путем регулирования скорости потока реакционного газа или скорости потока компонентов реакционного газа в зависимости от измеренного содержания аллена и/или пропина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль осуществляют путем регулирования температуры, до которой нагревают субстрат, в зависимости от измеренного содержания бензола.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ содержит по меньшей мере один компонент, выбранный из алканов, алкинов и алкенов.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ содержит компонент, выбранный из пропана, бутана и этана, разбавленных метаном.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбранный параметр устанавливают в предопределенном диапазоне значений.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что окончание процесса уплотнения определяют по тому, что становится невозможным контролировать изменение измеряемого содержания газов путем регулирования выбранного параметра.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменение по меньшей мере одного установленного параметра сохраняют и получают модель, которая воспроизводима в последующих процессах уплотнения партии того же типа.
12. Способ по п.10 или 11, отличающийся тем, что продолжительность процесса уплотнения также сохраняют.
RU2005131994/02A 2003-04-28 2004-04-27 Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом RU2347009C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0305194 2003-04-28
FR0305194A FR2854168B1 (fr) 2003-04-28 2003-04-28 Commande ou modelisation de procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux par du carbone

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005131994A true RU2005131994A (ru) 2006-06-10
RU2347009C2 RU2347009C2 (ru) 2009-02-20

Family

ID=33104451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005131994/02A RU2347009C2 (ru) 2003-04-28 2004-04-27 Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом

Country Status (15)

Country Link
US (1) US7727591B2 (ru)
EP (1) EP1620577B1 (ru)
JP (1) JP4546459B2 (ru)
KR (1) KR101179769B1 (ru)
CN (1) CN1777692B (ru)
AT (1) ATE521729T1 (ru)
BR (1) BRPI0409674A (ru)
CA (1) CA2523927C (ru)
FR (1) FR2854168B1 (ru)
IL (1) IL171439A (ru)
MX (1) MXPA05011570A (ru)
RU (1) RU2347009C2 (ru)
TW (1) TWI352132B (ru)
UA (1) UA89025C2 (ru)
WO (1) WO2004097065A2 (ru)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057855B1 (en) * 2005-05-31 2011-11-15 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US7691443B2 (en) * 2005-05-31 2010-04-06 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US20070184179A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Akshay Waghray Methods and apparatus to monitor a process of depositing a constituent of a multi-constituent gas during production of a composite brake disc
US7959973B2 (en) * 2006-11-29 2011-06-14 Honeywell International Inc. Pressure swing CVI/CVD
US8383197B2 (en) * 2009-05-28 2013-02-26 Honeywell International Inc. Titanium carbide or tungsten carbide with combustion synthesis to block porosity in C-C brake discs for antioxidation protection
US20110033623A1 (en) * 2009-08-05 2011-02-10 Honeywell International Inc. Method of preventing carbon friction material anti oxidation system migration by utilizing carbon vapor deposition
US8956683B2 (en) * 2011-06-16 2015-02-17 Zimmer, Inc. Chemical vapor infiltration apparatus and process
RU2505620C1 (ru) * 2012-05-17 2014-01-27 Виктор Николаевич Кондратьев Способ получения пироуглерода с трехмерно-ориентированной структурой на углеродном изделии
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
EP3183377A4 (en) * 2014-08-18 2018-04-04 Dynetics, Inc. Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors
US10167555B2 (en) 2014-08-18 2019-01-01 Dynetics, Inc. Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors
US11499230B2 (en) 2014-08-18 2022-11-15 Dynetics, Inc. Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors
US10648075B2 (en) * 2015-03-23 2020-05-12 Goodrich Corporation Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates
US10982319B2 (en) 2015-08-21 2021-04-20 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
US10131985B2 (en) 2016-03-21 2018-11-20 Goodrich Corporation System and method for enhancing a diffusion limited CVI/CVD process
KR102570397B1 (ko) 2016-05-11 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
RU2667403C2 (ru) * 2016-08-31 2018-09-19 Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" (АО "УНИИКМ") Углерод-углеродный композиционный материал и способ изготовления из него изделий
RU2658858C2 (ru) * 2016-08-31 2018-06-25 Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" (АО "УНИИКМ") Углерод-углеродный композиционный материал и способ изготовления из него изделий
CN112446156B (zh) * 2017-12-06 2022-09-23 重庆大唐国际石柱发电有限责任公司 基于炉膛飞灰停留时间的电站锅炉飞灰含碳量的测量方法
RU2678288C1 (ru) * 2018-01-10 2019-01-24 Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" Волокнистый материал объемной структуры из дискретных фрагментированных углеродных волокон, способ его изготовления и устройство для осуществления способа
CN108414836B (zh) * 2018-04-27 2024-01-26 河南理工大学 氮气驱替煤层气用复电阻测量系统及方法
FR3090011B1 (fr) * 2018-12-14 2021-01-01 Safran Ceram Procédé d’infiltration ou de dépôt chimique en phase vapeur
CN111123745B (zh) * 2019-12-05 2021-06-22 苏州华星光电技术有限公司 一种制程设备的控制方法及装置
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings
CN114935614B (zh) * 2022-05-24 2024-02-23 安徽理工大学 一种分析煤体复燃特性的模拟实验装置及实验方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996015285A1 (en) * 1994-11-16 1996-05-23 The B.F. Goodrich Company Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product
FR2732677B1 (fr) * 1995-04-07 1997-06-27 Europ Propulsion Procede d'infiltration chimique en phase vapeur avec parametres d'infiltration variables
US6210745B1 (en) * 1999-07-08 2001-04-03 National Semiconductor Corporation Method of quality control for chemical vapor deposition

Also Published As

Publication number Publication date
UA89025C2 (ru) 2009-12-25
TW200506089A (en) 2005-02-16
KR101179769B1 (ko) 2012-09-04
CA2523927C (en) 2012-09-18
IL171439A (en) 2009-07-20
RU2347009C2 (ru) 2009-02-20
US7727591B2 (en) 2010-06-01
MXPA05011570A (es) 2005-12-15
TWI352132B (en) 2011-11-11
FR2854168A1 (fr) 2004-10-29
CN1777692A (zh) 2006-05-24
KR20060010764A (ko) 2006-02-02
JP2006524624A (ja) 2006-11-02
US20060263525A1 (en) 2006-11-23
EP1620577A2 (fr) 2006-02-01
WO2004097065A3 (fr) 2004-12-16
FR2854168B1 (fr) 2007-02-09
WO2004097065A2 (fr) 2004-11-11
ATE521729T1 (de) 2011-09-15
BRPI0409674A (pt) 2006-04-18
CA2523927A1 (en) 2004-11-11
JP4546459B2 (ja) 2010-09-15
CN1777692B (zh) 2012-09-05
EP1620577B1 (fr) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005131994A (ru) Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом
Hüttinger CVD in hot wall reactors—The interaction between homogeneous gas‐phase and heterogeneous surface reactions
Feron et al. On kinetic and microstructural transitions in the CVD of pyrocarbon from propane
JP5259415B2 (ja) 雰囲気炉における金属製品の表面処理
DE60215048D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur verdichtung poröser substrate mittels chemischer dampfinfiltration
DE69432175D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur verbrennungs cvd von filmen und beschichtungen
JPH09506583A (ja) 多孔質基板の高密度化方法
MXPA06010611A (es) Recubrimiento de una capa polimerica utilizando plasma pulsado de baja energia en una camara de plasma de volumen grande.
Becker et al. Chemistry and kinetics of chemical vapor deposition of pyrocarbon—V influence of reactor volume/deposition surface area ratio
ATE396244T1 (de) Verfahren zur umwandlung von nebelführung zu annularen entweichungen in thermischen krackverfahren
RU97118472A (ru) Способ химической инфильтрации из паровой фазы с переменными параметрами инфильтрации
CA2471266A1 (en) Method for monitoring the course of a process using a reactive gas containing one or several hydrocarbons
Thomas et al. Kinetic parameters for the high-temperature oxidation of in-situ combustion coke
KR20140012901A (ko) 촉매 작용 보조된 저온 cvd를 사용한 균일막 증착 방법
JP2005307233A (ja) 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法
ATE433345T1 (de) Vorrichtung zur herstellung von synthesegas
DK2066827T3 (da) Fremgangsmåde og apparat til udfældelse af et ikke-metallisk, keramisk lag ved sprøjtning af kold gas
TW200513545A (en) Method and device for depositing single component or multicomponent layers and series of layers using non-continuous injection of liquid and dissolved starting material by a multi-channel injection unit
WO1995008387A1 (en) Method and device for the controlled forming and feeding of a gaseous atmosphere having at least two components, and application in plants of thermal or carburizing treatment
JP2015523461A (ja) 濃度の不確実性の補償
KR101735628B1 (ko) 에너지 절약형 가스침탄장치
CN202171475U (zh) 石油井下环境模拟实验装置
DE602008003835D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur infiltration einer struktur eines porösen materials durch chemische gasphasenabscheidung
CN205188435U (zh) 一种化学气相沉积装置
Engelsma et al. Characteristics of a hot-wire thermal decomposition modulator for correlation gas chromatography

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20130610

PD4A Correction of name of patent owner