RU2005131994A - Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом - Google Patents
Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005131994A RU2005131994A RU2005131994/02A RU2005131994A RU2005131994A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A RU 2005131994/02 A RU2005131994/02 A RU 2005131994/02A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A RU 2005131994 A RU2005131994 A RU 2005131994A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- content
- measured
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
- C04B35/83—Carbon fibres in a carbon matrix
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B1/00—Comparing elements, i.e. elements for effecting comparison directly or indirectly between a desired value and existing or anticipated values
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Food Preservation Except Freezing, Refrigeration, And Drying (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
Claims (12)
1. Способ контроля или моделирования процесса уплотнения по меньшей мере одного пористого субстрата пиролитическим углеродом путем химической инфильтрации газовой фазой, в соответствии с которым помещают в печь партию из одного или более субстратов, подлежащих уплотнению, нагревают указанный субстрат, подают в печь реакционный газ, содержащий по меньшей мере один углеводород, являющийся источником углерода, устанавливают в печи давление, при котором реакционный газ способен диффундировать в поры нагретого субстрата с образованием в них осадка пиролитического углерода, и выпускают из печи отработанный газ через выпускную трубу, соединенную с выходным отверстием печи, отличающийся тем, что измеряют в отработанном газе содержание по меньшей мере одного соединения, выбранного из аллена, пропина и бензола, и в зависимости от полученного содержания контролируют процесс путем установки по меньшей мере одного параметра, выбранного из скорости потока реакционного газа, подаваемого в печь, скорости потока по меньшей мере одного компонента газа, подаваемого в печь, времени прохождения газа через печь, температуры, до которой нагревают субстрат, и давления внутри печи.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что меньшей мере один параметр устанавливают таким образом, чтобы измеряемое содержание газа поддерживалось по существу постоянным.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание измеряют в трубе, идущей параллельно выводящей трубе.
4. Способ по п.1 или 3, отличающийся тем, что содержание измеряют методом газовой хроматографии.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль осуществляют путем регулирования скорости потока реакционного газа или скорости потока компонентов реакционного газа в зависимости от измеренного содержания аллена и/или пропина.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль осуществляют путем регулирования температуры, до которой нагревают субстрат, в зависимости от измеренного содержания бензола.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ содержит по меньшей мере один компонент, выбранный из алканов, алкинов и алкенов.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ содержит компонент, выбранный из пропана, бутана и этана, разбавленных метаном.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбранный параметр устанавливают в предопределенном диапазоне значений.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что окончание процесса уплотнения определяют по тому, что становится невозможным контролировать изменение измеряемого содержания газов путем регулирования выбранного параметра.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменение по меньшей мере одного установленного параметра сохраняют и получают модель, которая воспроизводима в последующих процессах уплотнения партии того же типа.
12. Способ по п.10 или 11, отличающийся тем, что продолжительность процесса уплотнения также сохраняют.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0305194 | 2003-04-28 | ||
FR0305194A FR2854168B1 (fr) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | Commande ou modelisation de procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux par du carbone |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005131994A true RU2005131994A (ru) | 2006-06-10 |
RU2347009C2 RU2347009C2 (ru) | 2009-02-20 |
Family
ID=33104451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005131994/02A RU2347009C2 (ru) | 2003-04-28 | 2004-04-27 | Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7727591B2 (ru) |
EP (1) | EP1620577B1 (ru) |
JP (1) | JP4546459B2 (ru) |
KR (1) | KR101179769B1 (ru) |
CN (1) | CN1777692B (ru) |
AT (1) | ATE521729T1 (ru) |
BR (1) | BRPI0409674A (ru) |
CA (1) | CA2523927C (ru) |
FR (1) | FR2854168B1 (ru) |
IL (1) | IL171439A (ru) |
MX (1) | MXPA05011570A (ru) |
RU (1) | RU2347009C2 (ru) |
TW (1) | TWI352132B (ru) |
UA (1) | UA89025C2 (ru) |
WO (1) | WO2004097065A2 (ru) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8057855B1 (en) * | 2005-05-31 | 2011-11-15 | Goodrich Corporation | Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method |
US7691443B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-04-06 | Goodrich Corporation | Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method |
US20070184179A1 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-09 | Akshay Waghray | Methods and apparatus to monitor a process of depositing a constituent of a multi-constituent gas during production of a composite brake disc |
US7959973B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-06-14 | Honeywell International Inc. | Pressure swing CVI/CVD |
US8383197B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-02-26 | Honeywell International Inc. | Titanium carbide or tungsten carbide with combustion synthesis to block porosity in C-C brake discs for antioxidation protection |
US20110033623A1 (en) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Honeywell International Inc. | Method of preventing carbon friction material anti oxidation system migration by utilizing carbon vapor deposition |
US8956683B2 (en) * | 2011-06-16 | 2015-02-17 | Zimmer, Inc. | Chemical vapor infiltration apparatus and process |
RU2505620C1 (ru) * | 2012-05-17 | 2014-01-27 | Виктор Николаевич Кондратьев | Способ получения пироуглерода с трехмерно-ориентированной структурой на углеродном изделии |
US11326255B2 (en) * | 2013-02-07 | 2022-05-10 | Uchicago Argonne, Llc | ALD reactor for coating porous substrates |
EP3183377A4 (en) * | 2014-08-18 | 2018-04-04 | Dynetics, Inc. | Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors |
US10167555B2 (en) | 2014-08-18 | 2019-01-01 | Dynetics, Inc. | Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors |
US11499230B2 (en) | 2014-08-18 | 2022-11-15 | Dynetics, Inc. | Method and apparatus for fabricating fibers and microstructures from disparate molar mass precursors |
US10648075B2 (en) * | 2015-03-23 | 2020-05-12 | Goodrich Corporation | Systems and methods for chemical vapor infiltration and densification of porous substrates |
US10982319B2 (en) | 2015-08-21 | 2021-04-20 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
US10131985B2 (en) | 2016-03-21 | 2018-11-20 | Goodrich Corporation | System and method for enhancing a diffusion limited CVI/CVD process |
KR102570397B1 (ko) | 2016-05-11 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
RU2667403C2 (ru) * | 2016-08-31 | 2018-09-19 | Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" (АО "УНИИКМ") | Углерод-углеродный композиционный материал и способ изготовления из него изделий |
RU2658858C2 (ru) * | 2016-08-31 | 2018-06-25 | Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" (АО "УНИИКМ") | Углерод-углеродный композиционный материал и способ изготовления из него изделий |
CN112446156B (zh) * | 2017-12-06 | 2022-09-23 | 重庆大唐国际石柱发电有限责任公司 | 基于炉膛飞灰停留时间的电站锅炉飞灰含碳量的测量方法 |
RU2678288C1 (ru) * | 2018-01-10 | 2019-01-24 | Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" | Волокнистый материал объемной структуры из дискретных фрагментированных углеродных волокон, способ его изготовления и устройство для осуществления способа |
CN108414836B (zh) * | 2018-04-27 | 2024-01-26 | 河南理工大学 | 氮气驱替煤层气用复电阻测量系统及方法 |
FR3090011B1 (fr) * | 2018-12-14 | 2021-01-01 | Safran Ceram | Procédé d’infiltration ou de dépôt chimique en phase vapeur |
CN111123745B (zh) * | 2019-12-05 | 2021-06-22 | 苏州华星光电技术有限公司 | 一种制程设备的控制方法及装置 |
US11111578B1 (en) | 2020-02-13 | 2021-09-07 | Uchicago Argonne, Llc | Atomic layer deposition of fluoride thin films |
US11901169B2 (en) | 2022-02-14 | 2024-02-13 | Uchicago Argonne, Llc | Barrier coatings |
CN114935614B (zh) * | 2022-05-24 | 2024-02-23 | 安徽理工大学 | 一种分析煤体复燃特性的模拟实验装置及实验方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996015285A1 (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-23 | The B.F. Goodrich Company | Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product |
FR2732677B1 (fr) * | 1995-04-07 | 1997-06-27 | Europ Propulsion | Procede d'infiltration chimique en phase vapeur avec parametres d'infiltration variables |
US6210745B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-04-03 | National Semiconductor Corporation | Method of quality control for chemical vapor deposition |
-
2003
- 2003-04-28 FR FR0305194A patent/FR2854168B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-04-27 BR BRPI0409674-6A patent/BRPI0409674A/pt not_active Application Discontinuation
- 2004-04-27 EP EP04742576A patent/EP1620577B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 WO PCT/FR2004/001009 patent/WO2004097065A2/fr active Application Filing
- 2004-04-27 CN CN2004800104698A patent/CN1777692B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 JP JP2006505811A patent/JP4546459B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 MX MXPA05011570A patent/MXPA05011570A/es active IP Right Grant
- 2004-04-27 CA CA2523927A patent/CA2523927C/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-27 RU RU2005131994/02A patent/RU2347009C2/ru active
- 2004-04-27 UA UAA200509813A patent/UA89025C2/ru unknown
- 2004-04-27 KR KR1020057020428A patent/KR101179769B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-27 US US10/549,444 patent/US7727591B2/en active Active
- 2004-04-27 AT AT04742576T patent/ATE521729T1/de active
- 2004-04-28 TW TW093111921A patent/TWI352132B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-16 IL IL171439A patent/IL171439A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
UA89025C2 (ru) | 2009-12-25 |
TW200506089A (en) | 2005-02-16 |
KR101179769B1 (ko) | 2012-09-04 |
CA2523927C (en) | 2012-09-18 |
IL171439A (en) | 2009-07-20 |
RU2347009C2 (ru) | 2009-02-20 |
US7727591B2 (en) | 2010-06-01 |
MXPA05011570A (es) | 2005-12-15 |
TWI352132B (en) | 2011-11-11 |
FR2854168A1 (fr) | 2004-10-29 |
CN1777692A (zh) | 2006-05-24 |
KR20060010764A (ko) | 2006-02-02 |
JP2006524624A (ja) | 2006-11-02 |
US20060263525A1 (en) | 2006-11-23 |
EP1620577A2 (fr) | 2006-02-01 |
WO2004097065A3 (fr) | 2004-12-16 |
FR2854168B1 (fr) | 2007-02-09 |
WO2004097065A2 (fr) | 2004-11-11 |
ATE521729T1 (de) | 2011-09-15 |
BRPI0409674A (pt) | 2006-04-18 |
CA2523927A1 (en) | 2004-11-11 |
JP4546459B2 (ja) | 2010-09-15 |
CN1777692B (zh) | 2012-09-05 |
EP1620577B1 (fr) | 2011-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2005131994A (ru) | Способ контроля или моделирования процесса химической инфильтрации газовой фазой для уплотнения пористых субстратов углеродом | |
Hüttinger | CVD in hot wall reactors—The interaction between homogeneous gas‐phase and heterogeneous surface reactions | |
Feron et al. | On kinetic and microstructural transitions in the CVD of pyrocarbon from propane | |
JP5259415B2 (ja) | 雰囲気炉における金属製品の表面処理 | |
DE60215048D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur verdichtung poröser substrate mittels chemischer dampfinfiltration | |
DE69432175D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur verbrennungs cvd von filmen und beschichtungen | |
JPH09506583A (ja) | 多孔質基板の高密度化方法 | |
MXPA06010611A (es) | Recubrimiento de una capa polimerica utilizando plasma pulsado de baja energia en una camara de plasma de volumen grande. | |
Becker et al. | Chemistry and kinetics of chemical vapor deposition of pyrocarbon—V influence of reactor volume/deposition surface area ratio | |
ATE396244T1 (de) | Verfahren zur umwandlung von nebelführung zu annularen entweichungen in thermischen krackverfahren | |
RU97118472A (ru) | Способ химической инфильтрации из паровой фазы с переменными параметрами инфильтрации | |
CA2471266A1 (en) | Method for monitoring the course of a process using a reactive gas containing one or several hydrocarbons | |
Thomas et al. | Kinetic parameters for the high-temperature oxidation of in-situ combustion coke | |
KR20140012901A (ko) | 촉매 작용 보조된 저온 cvd를 사용한 균일막 증착 방법 | |
JP2005307233A (ja) | 成膜装置及び成膜方法及びプロセスガスの供給方法 | |
ATE433345T1 (de) | Vorrichtung zur herstellung von synthesegas | |
DK2066827T3 (da) | Fremgangsmåde og apparat til udfældelse af et ikke-metallisk, keramisk lag ved sprøjtning af kold gas | |
TW200513545A (en) | Method and device for depositing single component or multicomponent layers and series of layers using non-continuous injection of liquid and dissolved starting material by a multi-channel injection unit | |
WO1995008387A1 (en) | Method and device for the controlled forming and feeding of a gaseous atmosphere having at least two components, and application in plants of thermal or carburizing treatment | |
JP2015523461A (ja) | 濃度の不確実性の補償 | |
KR101735628B1 (ko) | 에너지 절약형 가스침탄장치 | |
CN202171475U (zh) | 石油井下环境模拟实验装置 | |
DE602008003835D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur infiltration einer struktur eines porösen materials durch chemische gasphasenabscheidung | |
CN205188435U (zh) | 一种化学气相沉积装置 | |
Engelsma et al. | Characteristics of a hot-wire thermal decomposition modulator for correlation gas chromatography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20130610 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner |