RU2003127947A - Обновление изделий из тугоплавких металлов - Google Patents

Обновление изделий из тугоплавких металлов Download PDF

Info

Publication number
RU2003127947A
RU2003127947A RU2003127947/02A RU2003127947A RU2003127947A RU 2003127947 A RU2003127947 A RU 2003127947A RU 2003127947/02 A RU2003127947/02 A RU 2003127947/02A RU 2003127947 A RU2003127947 A RU 2003127947A RU 2003127947 A RU2003127947 A RU 2003127947A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
tantalum
plate
updating
sputtering target
refractory metal
Prior art date
Application number
RU2003127947/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2304633C2 (ru
Inventor
Пол ЭЙМОН (US)
Пол ЭЙМОН
Прабхат КУМАР (US)
Прабхат Кумар
Питер Р. ДЖЕПСОН (US)
Питер Р. ДЖЕПСОН
Хеннинг УЛЕНХУТ (US)
Хеннинг УЛЕНХУТ
Ховард В. ГОЛДБЕРГ (US)
Ховард В. ГОЛДБЕРГ
Original Assignee
Х.Ц ШТАРК, Инк (US)
Х.Ц ШТАРК, Инк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Х.Ц ШТАРК, Инк (US), Х.Ц ШТАРК, Инк filed Critical Х.Ц ШТАРК, Инк (US)
Publication of RU2003127947A publication Critical patent/RU2003127947A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2304633C2 publication Critical patent/RU2304633C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491Manufacturing of targets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B22F2007/068Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts repairing articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25Process efficiency

Claims (24)

1. Обновленная танталовая мишень для распыления, включающая
использованную танталовую мишень для распыления, содержащую танталовую пластину для распыления и пластину-подложку, в которой использовавшаяся для распыления поверхность указанной танталовой пластины для распыления содержит один или большее количество израсходованных участков поверхности, и
массу связанных частиц металла на каждом указанном одном или большем количестве израсходованных участков поверхности, где указанная масса связанных частиц металла частично или полностью заполняет каждый указанный один или большее количество израсходованных участков поверхности,
причем указанная использованная танталовая мишень для распыления обновляется без отделения указанной пластины-подложки от указанной танталовой пластины для распыления.
2. Обновленная танталовая мишень для распыления по п.1, в которой указанная масса связанных частиц металла обладает микроструктурой, в основном сходной с микроструктурой указанной танталовой пластины для распыления.
3. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления, включающий стадии
предоставления израсходованной танталовой мишени для распыления, содержащей танталовую пластину для распыления и пластину-подложку, в которой использовавшаяся для распыления поверхность указанной танталовой пластины для распыления содержит один или большее количество израсходованных участков поверхности,
предоставления порошка тугоплавкого металла, обладающего микроструктурой, в основном сходной с микроструктурой танталовой пластины для распыления,
заполнения одного или большего количества израсходованных участков поверхности указанным порошком тугоплавкого металла с образованием заполненных участков, и
кратковременного локального воздействия обладающего высокой мощностью пучка энергии излучения на указанные заполненные участки для связывания частиц указанного порошка тугоплавкого металла друг с другом и с указанными одним или большим количеством израсходованных участков поверхности с образованием массы связанных частиц металла,
в котором указанная использованная танталовая мишень для распыления обновляется без отделения указанной пластины-подложки от указанной танталовой пластины для распыления.
4. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, дополнительно включающий стадию удаления избытка указанной массы связанных частиц металла, предназначенную для выравнивания указанной танталовой пластины для распыления.
5. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором указанный пучок энергии представляет собой лазерный пучок.
6. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором указанный пучок энергии представляет собой электронный пучок.
7. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором стадия связывания представляет собой плазменное осаждение.
8. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором указанный пучок энергии воздействует в вакууме.
9. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором указанный пучок энергии воздействует в среде инертного газа.
10. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.3, в котором указанный порошок тугоплавкого металла находится в виде полученной из порошка фольги, при котором указанная полученная из порошка фольга укладывается по отдельности на указанные один или большее количество израсходованных участков поверхности и связывается с пластиной для распыления, причем указанные стадии заполнения и связывания повторяются, пока указанные израсходованные участки поверхности частично или полностью не заполнятся.
11. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.4, в котором стадия удаления избытка указанной массы связанных частиц металла для выравнивания пластины для распыления представляет собой механическую обработку.
12. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.4, в котором стадия удаления избытка указанной массы связанных частиц металла для выравнивания пластины для распыления представляет собой шлифование наждачной бумагой.
13. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.4, в котором стадия удаления избытка указанной массы связанных частиц металла для выравнивания пластины для распыления представляет собой травление с абразивной обработкой.
14. Способ обновления израсходованной танталовой мишени для распыления по п.4, в котором стадия удаления избытка указанной массы связанных частиц металла для выравнивания пластины для распыления представляет собой термообработку с распылением.
15. Обновленная мишень для распыления, содержащая массу связанных частиц металла, заполняющих каждый один или большее количество израсходованных участков поверхности израсходованной мишени для распыления, в которой частицы связаны друг с другом и с участком (участками) поверхности, полученная в соответствии со способом по п.3.
16. Способ обновления изготовленной из тугоплавкого металла мишени для распыления, содержащей один или большее количество израсходованных участков поверхности, включающий стадии
заполнения одного или большего количества израсходованных участков поверхности порошком металла, причем порошок металла обладает таким же составом, как и изготовленная из тугоплавкого металла мишень для распыления, с образованием заполненных участков,
кратковременного локального воздействия обладающего высокой мощностью пучка энергии излучения в вакууме или атмосфере инертного газа на заполненные участки для связывания частиц порошка тугоплавкого металла друг с другом и с указанными одним или большим количеством израсходованных участков поверхности, и
выравнивания мишени для распыления для удаления выступающих участком связанных частиц порошка.
17. Способ по п.16, в котором мишень для распыления выбирают из группы, включающей тантал, ниобий и их сплавы.
18. Способ по п.16, в котором пучок энергии выбирают из группы, включающей лазерный пучок и электронный пучок.
19. Способ по п.16, в котором стадию выравнивания выбирают из группы, включающей механическую обработку, шлифование наждачной бумагой, травление с абразивной обработкой и термообработку с распылением.
20. Обновленная мишень для распыления, обладающая совершенно плотным покрытием, заполняющим каждый один или большее количество израсходованных участков поверхности израсходованной мишени для распыления, причем совершенно плотное покрытие связано с участком (участками) поверхности в соответствии со способом по п.16.
21. Способ обновления изготовленного из тугоплавкого металла изделия, содержащего один или большее количество локальных израсходованных участков поверхности, включающий стадии
избирательного нанесения порошка тугоплавкого металла для полного или частичного заполнения каждого указанного одного или большего количества израсходованных участков поверхности изготовленного из тугоплавкого металла изделия с образованием заполненных участков, и
кратковременного локального воздействия обладающего высокой мощностью пучка энергии излучения на указанные заполненные участки для связывания частиц порошка тугоплавкого металла друг с другом и с указанными одним или большим количеством израсходованных участков поверхности.
22. Способ по п.21, использующийся для слоистого материала, состоящего из тугоплавкого металла и нетугоплавкого металла.
23. Способ по п.21, в котором пучок энергии излучения представляет собой лазерный пучок.
24. Способ по п.21, в котором пучок энергии излучения представляет собой электронный пучок.
RU2003127947/02A 2001-02-14 2002-02-14 Обновление изделий из тугоплавких металлов RU2304633C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26874201P 2001-02-14 2001-02-14
US60/268,742 2001-02-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003127947A true RU2003127947A (ru) 2005-04-10
RU2304633C2 RU2304633C2 (ru) 2007-08-20

Family

ID=23024267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003127947/02A RU2304633C2 (ru) 2001-02-14 2002-02-14 Обновление изделий из тугоплавких металлов

Country Status (25)

Country Link
US (1) US20020112955A1 (ru)
EP (1) EP1362132B1 (ru)
JP (1) JP2004523653A (ru)
CN (1) CN1221684C (ru)
AT (1) ATE325906T1 (ru)
AU (1) AU2002250075B2 (ru)
BG (1) BG64959B1 (ru)
BR (1) BR0207202A (ru)
CA (1) CA2437713A1 (ru)
CZ (1) CZ20032186A3 (ru)
DE (1) DE60211309T2 (ru)
DK (1) DK1362132T3 (ru)
ES (1) ES2261656T3 (ru)
HK (1) HK1062902A1 (ru)
HU (1) HUP0400730A2 (ru)
IS (1) IS6911A (ru)
MX (1) MXPA03007293A (ru)
NO (1) NO20033567D0 (ru)
NZ (1) NZ527503A (ru)
PL (1) PL363521A1 (ru)
PT (1) PT1362132E (ru)
RU (1) RU2304633C2 (ru)
SK (1) SK10062003A3 (ru)
WO (1) WO2002064287A2 (ru)
ZA (1) ZA200306259B (ru)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002333640A1 (en) * 2001-09-17 2003-04-01 Heraeus, Inc. Refurbishing spent sputtering targets
WO2003062491A2 (en) * 2002-01-24 2003-07-31 H. C. Starck Inc. Refractrory metal and alloy refining by laser forming and melting
US20040016635A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Ford Robert B. Monolithic sputtering target assembly
US20040065546A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Michaluk Christopher A. Method to recover spent components of a sputter target
US7504008B2 (en) * 2004-03-12 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Refurbishment of sputtering targets
US20060021870A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Profile detection and refurbishment of deposition targets
US20060081459A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-20 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of target erosion
RU2418886C2 (ru) * 2005-05-05 2011-05-20 Х.К. Штарк Гмбх Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок
RU2434073C9 (ru) 2005-05-05 2012-12-27 Х.К. Штарк Гмбх Способ покрытия поверхности субстрата и продукт с нанесенным покрытием
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
JPWO2007052743A1 (ja) * 2005-11-07 2009-04-30 株式会社東芝 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
DE102005055255A1 (de) * 2005-11-19 2007-05-31 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines Targets
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US20080078268A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
US20080145688A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US8197894B2 (en) * 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
US8968536B2 (en) 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US20110211676A1 (en) * 2007-08-08 2011-09-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and apparatus for applying material to a surface of an anode of an x-ray source, anode and x-ray source
US8699667B2 (en) * 2007-10-02 2014-04-15 General Electric Company Apparatus for x-ray generation and method of making same
US7901552B2 (en) 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US8043655B2 (en) * 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes
FR2953747B1 (fr) * 2009-12-14 2012-03-23 Snecma Procede de reparation d'une aube en titane par rechargement laser et compression hip moderee
DE102010004241A1 (de) * 2010-01-08 2011-07-14 H.C. Starck GmbH, 38642 Verfahren zur Herstellung von Funktionsschichten auf der Oberfläche von Werkstücken, eine so hergestellte Funktionsschicht und ein Werkstück
WO2013049274A2 (en) 2011-09-29 2013-04-04 H.C. Starck, Inc. Large-area sputtering targets and methods of manufacturing large-area sputtering targets
JP6532219B2 (ja) * 2013-11-25 2019-06-19 株式会社フルヤ金属 スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット
AT14301U1 (de) * 2014-07-09 2015-07-15 Plansee Se Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
CN104439239B (zh) * 2014-11-06 2017-05-03 金堆城钼业股份有限公司 一种重复利用中频感应烧结炉钨钼废发热体的方法
DE102015008921A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Evobeam GmbH Verfahren zur additiven Herstellung von Bauteilen
US10844475B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-24 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method for manufacturing sputtering target
CN105618753A (zh) * 2016-03-03 2016-06-01 中研智能装备有限公司 一种轧辊等离子3d打印再制造设备及再制造方法
DE102016121951A1 (de) * 2016-11-15 2018-05-17 Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh Vorrichtung zur additiven Herstellung dreidimensionaler Objekte
JP6650141B1 (ja) * 2019-01-10 2020-02-19 株式会社ティー・オール 使用済み成膜用ターゲットの充填式再生方法
JP2022523357A (ja) * 2019-02-22 2022-04-22 エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン 物理的気相成長(pvd)用ターゲットの製造方法
CN110523987B (zh) * 2019-09-27 2021-02-05 华中科技大学 一种用于致密材料制备的激光烧结同步压制增材制造系统
CN111940745B (zh) * 2019-12-30 2024-01-19 宁夏东方钽业股份有限公司 大松装冶金级钽粉的制造方法
CN112522698B (zh) * 2020-11-26 2023-04-25 江苏科技大学 一种超声振动辅助激光熔覆钨钽铌合金装置及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0834594B1 (en) * 1995-05-18 2004-11-10 Asahi Glass Company Ltd. Process for producing sputtering target
DE19626732B4 (de) * 1996-07-03 2009-01-29 W.C. Heraeus Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Recyclen von Sputtertargets
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
DE19925330A1 (de) * 1999-06-02 2000-12-07 Leybold Materials Gmbh Verfahren zur Herstellung oder zum Recyceln von Sputtertargets

Also Published As

Publication number Publication date
HUP0400730A2 (en) 2004-08-30
IS6911A (is) 2003-08-13
CN1221684C (zh) 2005-10-05
NO20033567L (no) 2003-08-12
ES2261656T3 (es) 2006-11-16
JP2004523653A (ja) 2004-08-05
ATE325906T1 (de) 2006-06-15
ZA200306259B (en) 2004-08-13
WO2002064287A3 (en) 2002-10-10
BG64959B1 (bg) 2006-10-31
CN1491294A (zh) 2004-04-21
AU2002250075B2 (en) 2007-03-29
PL363521A1 (en) 2004-11-29
WO2002064287A2 (en) 2002-08-22
DE60211309T2 (de) 2007-05-24
CZ20032186A3 (cs) 2004-02-18
CA2437713A1 (en) 2002-08-22
EP1362132A4 (en) 2004-07-28
EP1362132A2 (en) 2003-11-19
BG108059A (en) 2005-04-30
PT1362132E (pt) 2006-09-29
DE60211309D1 (de) 2006-06-14
SK10062003A3 (sk) 2004-03-02
NZ527503A (en) 2004-07-30
RU2304633C2 (ru) 2007-08-20
NO20033567D0 (no) 2003-08-12
DK1362132T3 (da) 2006-09-11
BR0207202A (pt) 2004-01-27
US20020112955A1 (en) 2002-08-22
EP1362132B1 (en) 2006-05-10
MXPA03007293A (es) 2005-09-08
HK1062902A1 (en) 2004-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2003127947A (ru) Обновление изделий из тугоплавких металлов
AU2002250075A1 (en) Rejuvenation of refractory metal products
US7794554B2 (en) Rejuvenation of refractory metal products
JP4672834B2 (ja) スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法
JP7198211B2 (ja) スパッタターゲット、及びスパッタターゲットの製造方法
KR101249153B1 (ko) 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법
EP0623415A1 (en) Method of making cathode targets comprising silicon
CN103492608B (zh) 经扩散结合的溅射靶组件及制造方法
US6428904B2 (en) X-ray target
US5013274A (en) Process for restoring locally damaged parts, particularly anticathodes
JPS6284976A (ja) 研削砥石用回転式形直しもしくは目直し工具の製造方法
US20020053512A1 (en) Ion beam deposition targets having an interlocking interface and a replaceable insert
RU2167742C2 (ru) Способ армирования металлических изделий твердосплавным слоем
CN102758183A (zh) 镀膜件及其制备方法
JP2003142000A (ja) 陽極ターゲットの再生処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080215