JP2004523653A - 耐火性金属の再生 - Google Patents
耐火性金属の再生 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004523653A JP2004523653A JP2002564069A JP2002564069A JP2004523653A JP 2004523653 A JP2004523653 A JP 2004523653A JP 2002564069 A JP2002564069 A JP 2002564069A JP 2002564069 A JP2002564069 A JP 2002564069A JP 2004523653 A JP2004523653 A JP 2004523653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- powder
- tantalum sputtering
- plate
- refractory metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims 10
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
- B22F2007/068—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts repairing articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Furnace Housings, Linings, Walls, And Ceilings (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Arc-Extinguishing Devices That Are Switches (AREA)
Abstract
Description
【0001】
関連出願に対するクロス・レフェレンス
該出願は2001年2月14日に提出された、名称“スパッタリングターゲットの再生”である暫定特許番号60/268714の優先権を主張し、かつこれは引用することにより本願発明に包含される。
【0002】
発明の技術分野および背景
本発明の課題は耐火性金属製品のリサイクル費用を下げることであり、特に、設けられたバッキングプレート構造体を有するスパッタリングターゲットの再生に関する。
【0003】
例えば、集積回路(IC)の製造およびその他の電気、磁気および光学製品の製造に使用される、高温材料、例えばタンタルおよびその他の耐火性金属(Ta、Nb、Ti、Mo、Zr、金属および合金;水素化物、窒化物およびその他のこれらの化合物)からなるスパッタリングターゲットは、通常スパッタリングの工程の間不均一な方法で侵食され、これはターゲットの操作面側上のレーストラック様トレンチに導く。サブストレートの汚染またはターゲットの後方の冷却液の破局的ブレークスルーを予防するために、一般にターゲットは耐火性スパッター金属が貫通する前にサービスウェルから取り出され、スパッター金属の僅かな部分のみが消費された後に新しいターゲットに対する必要性を受け入れる。スパッターターゲットの主要量の部分が単にスクラップの値段で売却されるか、または困難を伴ってリサイクルされ、かつこれとは別にターゲットのバッキングプレートは取り外すことが必要であり、これをリサイクルのために新しいスパッタープレートに再び結合することができる。
【0004】
本発明の重要な課題はそのような従来のリサイクルの実地を以下に記載するようなスパッタリングターゲット再生により代えることである。
【0005】
本発明の課題は使用済みのスパッタリングターゲットをサービスに戻す費用および速度を改善することである。
【0006】
本発明の更なる課題は、少なくともターゲットのバランス(balance of the target)に関して同程度に良好に充填帯域のマイクロ構造を製造することである。
【0007】
発明の総括
本発明は圧縮した粉末金属で消費した表面領域を充填することにより使用した耐火性金属製品の表面を再生するための方法に関する。例えば、レーストラックトレンチまたはその他の侵食帯域は、アルゴン原子の多くの不均一なボンバードメントの後にスパッタリングターゲットの表面に生じる。消費した表面はスパッター金属の配置または蒸着および焼結のためのレーザーまたはEB加熱による焼結結合、または蒸着と組み合わせたプラズマ放電により再生される。これらの方法の使用は十分に密なコーティングを生じる。これは銅からタンタルをデカップリングし、タンタルプレートの侵食帯域をタンタル粉末で充填し、HIP(熱間静水圧プレス法)結合し、再び組み立てる必要を回避する。レーザーまたはEBスキャン焼結または蒸着と組み合わせたプラズマ放電の場合にはターゲットはターゲットからバッキングプレートを分離することなく再生することができる。再生の種々の形はターゲットのバランスと類似のマイクロ構造を有する充填された侵食帯域を生じる。
【0008】
本発明は、不均一な侵食、エッチング、チッピング、またはその他の金属損失を被っている耐火性金属製品(非耐火性金属キャリヤー上に設けられているか、または設けられていない)に一般に適用することができる。そのような耐火性金属製品はスパッターターゲットとは別に、プレート、ロッド、シリンダー、ブロックまたはその他の形であってよい。この方法は、例えばX線ディスクまたはターゲット(カーボンバッキング上のモリブデンプレート)にも適用することができる。
【0009】
耐火性金属製品(例えばタンタルターゲット)の再生は、製品の僅かな部分のみが消費された後に製品全体をリサイクルする必要をなくした。そのような再生は全ターゲットをリサイクルするより経済的であり得る。結合したバッキングプレート(例えば銅)の分離は、もしあったにしても、必要とされない。この再生は、必要な回数、繰り返して実施することができる。
【0010】
他の課題、特徴および利点は、以下に図面と組み合わせて行う有利な実施態様の詳細な記載から明らかになる:
図面の説明
図1は代表的なターゲットおよびバッキングプレートの断面図を示す;
図2は通常の侵食帯域を含む平面図を示す;
図3は再生法のブロック・フローチャートである;
図4は本発明の実施のための真空または不活性ガス室の組立の概略を示す。
【0011】
有利な実施態様の詳細な記載
図1および2においては、銅(Cu)バッキングプレート14に結合するタンタル(Ta)スパッタープレート12が本発明の再生法を図示するために示されている。スパッターターゲットはバッキングプレートに加えて、付加的に複雑なもの、例えば結合した水冷コイル16または大きな冷却液貯蔵器の一部であるかおよび/または複合フランジおよび機械的および電気的取り付け構造体を有していてもよい。18はスパッタリング使用から生じたスパッタープレート12のターゲット表面20上の侵食帯域または消費領域を形成する典型的なレーストラックを示す。
【0012】
本発明の有利な実施態様の実施のフローチャートを図3に示す。真空帯域22および不活性ガス帯域24は使用したTa−Cuターゲット26アッセンブリーのために設置されている。図2に示されているスパッタープレート12の侵食帯域18または消費領域はスパッター金属の粉末で充填される。この粉末は、レーザーまたは電子ビームラスタースキャンニングによりスパッタープレート12に結合または焼結され30、粉末表面は溶融するが、完全な粒子は溶融せずまたは粒子の成長のための核として働く全体の粒子は溶融しない。この溶融は粉末蒸着の間または蒸着の後にレイヤ・オン・レイヤで(layer-on-layer)実施することができる。粉末から誘導されたホイルを予め製造し、トレンチの中に敷くこともできる。全ての場合において充填物は自己結合のためにおよびターゲットへの付着のために焼結し、機械加工、サンダー仕上げ、またはその他の摩耗エッチングおよび/またはバーンイン・スパッタリング法により平坦にされる31。
【0013】
次に、本発明をいかに実施することができるかの、いくつかの例の1つを記載する。
【0014】
図4に示すように、スパッタリングターゲット10は真空室32に設置することができ、この室は慣用のポンプ34およびバルブ38を有するガスバックフィル(gas back-fill)装置36を利用して、真空にされた大気圧、純粋な不活性ガス(アルゴン)雰囲気である。複式ノズル42からなる粉末供給装置40は複数の−100〜325メッシュのTa粉末の高粘度流を侵食帯域18または消費領域中に装入することができる。粉末供給装置40が侵食帯域18に沿ってスキャンすることができるか、またはターゲットが固定した粉末供給装置に対して可動であってもよい。15〜20KW(有利には20〜25)レーザービーム44はレーザー45および慣用のスキャン光学部品46、48により形成され、この光学部品は室32中で完全に、または室32の外側を、ビーム通過のための窓を用いて部分的に侵食帯域18をラスタースキャンファンションで追跡することができ、粉末が落下した際に、粉末粒子表面を溶融し、粒子が粒子に結合することおよび侵食帯域の底部に連続的にかつ繰り返し、侵食帯域18の周囲を、それが充填されるまで結合する。粉末塊計算値および/または光学モニターは完了の決定および充填物質のカットオフのために使用することができる。
【0015】
このような方法のために使用することのできる装置の1つの形は、AeroMet Corp. のLasform brand direct metal deposition systemであり、例えばAbbott等による“Laser Forming Titanium Components”in the May 1998 issue of Advanced Metals & ProcessおよびArcella等による、“Producing Titanium Aerospace Components From Powder Using Laser Forming,”Journal of Metals(May 2000), pp. 28-30に記載されている。
【0016】
レーザーは充填後加熱を提供することができ、焼結を完全にする。分離したターゲットヒーターはターゲットを前加熱するためにまた再生の間の付加的な加熱を提供する。
【0017】
再生の種々の形がターゲットのバランスに類似のマイクロ構造で充填された侵食帯域または消費領域を製造する。例えば、充填された侵食帯域のサンプルは電子ビームラスタースキャンニング法に関して分析される。硬さは通常の方法で圧延およびアニールされたタンタルプレートに関して典型的であった。充填された侵食帯域は実質的に多孔性および混入物を有さない。降伏強度および極限降伏強度はASTMの要求にあっている。
【0018】
本発明の他の実施態様においては、プラズマ蒸着の十分に知られていない方法を粉末配置およびフュージング工程の組合せに使用することができる。
【0019】
これ以外の実施態様、改善、詳細および使用は、前記の開示の文書および精神と密接に結びついたものであり、特許法に従って構成された以下のクレームによってのみ制限され、同等の教義を含む、本願発明の範囲内のものであることは当業者には明らかなことである。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】代表的なターゲットおよびバッキングプレートの断面図を示す図;
【図2】本発明のターゲットの通常の侵食帯域を含む平面図
【図3】本発明の再生法のブロック・フローチャートの図
【図4】本発明の実施のための真空または不活性ガス室の概略図
Claims (24)
- タンタルスパッタリングプレートおよびバッキングプレートを有し、このタンタルスパッタリングプレートのターゲット表面が1つ以上の消費された表面領域部を有する、使用したタンタルスパッタリングターゲット、および
消費された表面領域部1つ以上のそれぞれの中の結合した金属粒子の塊、ここで結合した金属粒子の塊が消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれを部分的にまたは完全に充填している、からなる再生されたタンタルスパッタリングターゲットであって、
この際、この使用されたタンタルスパッタリングターゲットはタンタルスパッタリングプレートからバッキングプレートを分離することなく再生されている、再生されたタンタルスパッタリングターゲット。 - 結合した金属粒子の塊が、タンタルスパッタリングプレートと実質的に類似したマイクロ構造を有している、請求項1記載の再生されたタンタルスパッタリングターゲット。
- 消費されたタンタルスパッタリングターゲットを再生するための方法において、
タンタルスパッタリングプレートおよびバッキングプレートを有し、このタンタルスパッタリングプレートのターゲット表面が1つ以上の消費された表面領域部を有する、使用したタンタルスパッタリングターゲットを供給する工程;
タンタルスパッタリングプレートに実質的に類似のマイクロ構造を有する耐火性金属の粉末を供給する工程;
消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれを耐火性金属の粉末で充填し、充填した部分を形成する工程;および
高い輻射エネルギービームを、充填した部分に局所的に、短期間適用し、耐火性金属の粉末の粉末粒子を、相互に、かつ消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれに結合し、結合した金属粒子の塊を形成する工程からなり、
この際、この使用されたタンタルスパッタリングターゲットはタンタルスパッタリングプレートからバッキングプレートを分離することなく再生される、消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。 - 結合した金属粒子の塊の過剰を除去し、タンタルスパッタリングプレートを平坦にする工程を更に有する、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- エネルギービームがレーザービームである、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- エネルギービームが電子ビームである、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 結合工程がプラズマ蒸着である、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- エネルギービームを真空環境中で適用する、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- エネルギービームを不活性ガス環境中で適用する、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 耐火性金属の粉末が粉末から誘導されたホイルの形であり、この粉末から誘導されたホイルを消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれの中に個別に置き、スパッタープレートに結合し、その際この充填工程および結合工程を消費された表面領域部が部分的にまたは完全に充填されるまで繰り返す、請求項3記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 結合した金属粒子の塊の過剰を除去してスパッタープレートを平坦にする工程が機械加工である、請求項4記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 結合した金属粒子の塊の過剰を除去してスパッタープレートを平坦にする工程がサンダー仕上げである、請求項4記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 結合した金属粒子の塊の過剰を除去してスパッタープレートを平坦にする工程が摩耗エッチングである、請求項4記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 結合した金属粒子の塊の過剰を除去してスパッタープレートを平坦にする工程がバーン・インスパッタリングである、請求項4記載の消費されたタンタルスパッタリングターゲットの再生法。
- 請求項3の方法により製造された、使用したスパッタリングターゲットの消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれを、相互に、かつ表面領域に結合した粒子で充填する結合した金属粒子の塊を有する再生されたスパッタリングターゲット。
- 1つ以上の消費された表面領域部を有する耐火性金属スパッタリングターゲットを再生する方法において、
耐火性金属スパッタリングターゲットと同じ組成である粉末金属で、消費された表面領域部1つ以上のそれぞれを充填して、充填した部分を形成する工程;
高い輻射エネルギービームを、真空または不活性ガス雰囲気中で局所的に、充填した部分に短期間適用し、耐火性金属の粉末の粉末粒子を、相互に、かつ消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれに結合する工程;および
結合した粉末粒子の高い部分を除去し、スパッタリングターゲットを平坦にする工程からなる、消費された表面領域部を1つ以上有する耐火性金属スパッタリングターゲットの再生法。 - スパッタリングターゲットがタンタルおよびニオブおよびこれらの合金からなる群から選択される、請求項16記載の再生法。
- エネルギービームがレーザービームおよび電子ビームからなる群から選択される、請求項16記載の再生法。
- 平坦化工程を機械加工、サンダー仕上げ、摩耗エッチングおよびバーン・インスパッタリングからなる群から選択する、請求項16記載の再生法。
- 請求項16の方法による、使用されたスパッタリングターゲットの消費された表面領域部1つ以上のそれぞれを、表面領域に結合する十分に密なコーティングで充填する、十分に密なコーティングを有する再生されたスパッタリングターゲット。
- 局所的に消費された表面領域部1つ以上を有する耐火性金属製品を再生する方法において、
耐火性金属の粉末を選択的に供給し、耐火性金属製品の消費された表面領域部1つ以上のそれぞれを部分的にまたは完全充填し、充填した部分を形成する工程;および
高い輻射エネルギービームを局所的に、充填した部分に短期間適用し、耐火性金属の粉末の粉末粒子を、相互に、かつ消費された表面領域部の1つ以上のそれぞれに結合する工程からなる、耐火性金属製品の再生法。 - 非耐火性金属に耐火性金属をラミネートするために適用する、請求項21記載の再生法。
- 輻射エネルギービームがレーザービームである、請求項21記載の再生法。
- 輻射エネルギービームが電子ビームである、請求項21記載の再生法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26874201P | 2001-02-14 | 2001-02-14 | |
PCT/US2002/004306 WO2002064287A2 (en) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | Rejuvenation of refractory metal products |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004523653A true JP2004523653A (ja) | 2004-08-05 |
JP2004523653A5 JP2004523653A5 (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=23024267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002564069A Pending JP2004523653A (ja) | 2001-02-14 | 2002-02-14 | 耐火性金属の再生 |
Country Status (25)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020112955A1 (ja) |
EP (1) | EP1362132B1 (ja) |
JP (1) | JP2004523653A (ja) |
CN (1) | CN1221684C (ja) |
AT (1) | ATE325906T1 (ja) |
AU (1) | AU2002250075B2 (ja) |
BG (1) | BG64959B1 (ja) |
BR (1) | BR0207202A (ja) |
CA (1) | CA2437713A1 (ja) |
CZ (1) | CZ20032186A3 (ja) |
DE (1) | DE60211309T2 (ja) |
DK (1) | DK1362132T3 (ja) |
ES (1) | ES2261656T3 (ja) |
HK (1) | HK1062902A1 (ja) |
HU (1) | HUP0400730A2 (ja) |
IS (1) | IS6911A (ja) |
MX (1) | MXPA03007293A (ja) |
NO (1) | NO20033567D0 (ja) |
NZ (1) | NZ527503A (ja) |
PL (1) | PL363521A1 (ja) |
PT (1) | PT1362132E (ja) |
RU (1) | RU2304633C2 (ja) |
SK (1) | SK10062003A3 (ja) |
WO (1) | WO2002064287A2 (ja) |
ZA (1) | ZA200306259B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013224495A (ja) * | 2007-05-04 | 2013-10-31 | Hc Starck Inc | 均一ランダム結晶配向の、微細粒でバンディングのない耐火金属スパッタリングターゲット、そのような膜の製造方法、およびそれから作製される薄膜ベースのデバイスおよび製品 |
JP2015120974A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-07-02 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット |
US9095932B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-08-04 | H.C. Starck Inc. | Methods of joining metallic protective layers |
US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
WO2017115648A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2020111774A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 株式会社ティー・オール | 使用済み成膜用ターゲットの充填式再生方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1608141A (zh) * | 2001-09-17 | 2005-04-20 | 黑罗伊斯有限公司 | 废弃溅射靶的修复 |
EP2278045A1 (en) * | 2002-01-24 | 2011-01-26 | H.C. Starck Inc. | methods for rejuvenating tantalum sputtering targets and rejuvenated tantalum sputtering targets |
US20040016635A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
US20040065546A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Michaluk Christopher A. | Method to recover spent components of a sputter target |
US7504008B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
US20060021870A1 (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Profile detection and refurbishment of deposition targets |
US20060081459A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ monitoring of target erosion |
EP1880036A2 (en) * | 2005-05-05 | 2008-01-23 | H.C. Starck GmbH | Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes |
MX2007013600A (es) | 2005-05-05 | 2008-01-24 | Starck H C Gmbh | Metodo para revestir una superficie de bustrato y producto revestido. |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
DE102005055255A1 (de) * | 2005-11-19 | 2007-05-31 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Targets |
US8647484B2 (en) | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US20080078268A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
US8968536B2 (en) | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US20110211676A1 (en) * | 2007-08-08 | 2011-09-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for applying material to a surface of an anode of an x-ray source, anode and x-ray source |
US8699667B2 (en) | 2007-10-02 | 2014-04-15 | General Electric Company | Apparatus for x-ray generation and method of making same |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
US8043655B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-10-25 | H.C. Starck, Inc. | Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes |
FR2953747B1 (fr) * | 2009-12-14 | 2012-03-23 | Snecma | Procede de reparation d'une aube en titane par rechargement laser et compression hip moderee |
DE102010004241A1 (de) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | H.C. Starck GmbH, 38642 | Verfahren zur Herstellung von Funktionsschichten auf der Oberfläche von Werkstücken, eine so hergestellte Funktionsschicht und ein Werkstück |
AT14301U1 (de) * | 2014-07-09 | 2015-07-15 | Plansee Se | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils |
CN104439239B (zh) * | 2014-11-06 | 2017-05-03 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种重复利用中频感应烧结炉钨钼废发热体的方法 |
DE102015008921A1 (de) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Evobeam GmbH | Verfahren zur additiven Herstellung von Bauteilen |
CN105618753A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-01 | 中研智能装备有限公司 | 一种轧辊等离子3d打印再制造设备及再制造方法 |
DE102016121951A1 (de) * | 2016-11-15 | 2018-05-17 | Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh | Vorrichtung zur additiven Herstellung dreidimensionaler Objekte |
KR20210130178A (ko) * | 2019-02-22 | 2021-10-29 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 | 물리 기상 증착용 타겟의 제조 방법 |
CN110523987B (zh) * | 2019-09-27 | 2021-02-05 | 华中科技大学 | 一种用于致密材料制备的激光烧结同步压制增材制造系统 |
CN111940745B (zh) * | 2019-12-30 | 2024-01-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 大松装冶金级钽粉的制造方法 |
CN112522698B (zh) * | 2020-11-26 | 2023-04-25 | 江苏科技大学 | 一种超声振动辅助激光熔覆钨钽铌合金装置及方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6248291B1 (en) * | 1995-05-18 | 2001-06-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for producing sputtering targets |
DE19626732B4 (de) * | 1996-07-03 | 2009-01-29 | W.C. Heraeus Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen und Recyclen von Sputtertargets |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
DE19925330A1 (de) * | 1999-06-02 | 2000-12-07 | Leybold Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung oder zum Recyceln von Sputtertargets |
-
2002
- 2002-02-14 AT AT02718966T patent/ATE325906T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-02-14 WO PCT/US2002/004306 patent/WO2002064287A2/en active IP Right Grant
- 2002-02-14 AU AU2002250075A patent/AU2002250075B2/en not_active Ceased
- 2002-02-14 DK DK02718966T patent/DK1362132T3/da active
- 2002-02-14 BR BR0207202-5A patent/BR0207202A/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-02-14 MX MXPA03007293A patent/MXPA03007293A/es active IP Right Grant
- 2002-02-14 US US10/075,709 patent/US20020112955A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-14 PT PT02718966T patent/PT1362132E/pt unknown
- 2002-02-14 JP JP2002564069A patent/JP2004523653A/ja active Pending
- 2002-02-14 RU RU2003127947/02A patent/RU2304633C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-02-14 SK SK1006-2003A patent/SK10062003A3/sk not_active Application Discontinuation
- 2002-02-14 CZ CZ20032186A patent/CZ20032186A3/cs unknown
- 2002-02-14 CA CA002437713A patent/CA2437713A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-14 ES ES02718966T patent/ES2261656T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-14 HU HU0400730A patent/HUP0400730A2/hu unknown
- 2002-02-14 CN CNB028048210A patent/CN1221684C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-14 EP EP02718966A patent/EP1362132B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-14 DE DE60211309T patent/DE60211309T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-14 NZ NZ527503A patent/NZ527503A/en unknown
- 2002-02-14 PL PL02363521A patent/PL363521A1/xx not_active Application Discontinuation
-
2003
- 2003-08-04 BG BG108059A patent/BG64959B1/bg unknown
- 2003-08-12 NO NO20033567A patent/NO20033567D0/no not_active Application Discontinuation
- 2003-08-13 ZA ZA200306259A patent/ZA200306259B/en unknown
- 2003-08-13 IS IS6911A patent/IS6911A/is unknown
-
2004
- 2004-08-05 HK HK04105823A patent/HK1062902A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9095932B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-08-04 | H.C. Starck Inc. | Methods of joining metallic protective layers |
US9783882B2 (en) | 2007-05-04 | 2017-10-10 | H.C. Starck Inc. | Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom |
JP2014129599A (ja) * | 2007-05-04 | 2014-07-10 | Hc Starck Inc | 均一ランダム結晶配向の、微細粒でバンディングのない耐火金属スパッタリングターゲット、そのような膜の製造方法、およびそれから作製される薄膜ベースのデバイスおよび製品 |
JP2013224495A (ja) * | 2007-05-04 | 2013-10-31 | Hc Starck Inc | 均一ランダム結晶配向の、微細粒でバンディングのない耐火金属スパッタリングターゲット、そのような膜の製造方法、およびそれから作製される薄膜ベースのデバイスおよび製品 |
US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
US9120183B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-01 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets |
US9293306B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-03-22 | H.C. Starck, Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
US9412568B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-08-09 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
JP2015120974A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-07-02 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット |
WO2017115648A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JPWO2017115648A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-12-28 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2020007642A (ja) * | 2015-12-28 | 2020-01-16 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US10844475B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-11-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method for manufacturing sputtering target |
JP2020111774A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 株式会社ティー・オール | 使用済み成膜用ターゲットの充填式再生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60211309D1 (de) | 2006-06-14 |
PT1362132E (pt) | 2006-09-29 |
CN1491294A (zh) | 2004-04-21 |
US20020112955A1 (en) | 2002-08-22 |
PL363521A1 (en) | 2004-11-29 |
BG64959B1 (bg) | 2006-10-31 |
MXPA03007293A (es) | 2005-09-08 |
NO20033567L (no) | 2003-08-12 |
AU2002250075B2 (en) | 2007-03-29 |
RU2304633C2 (ru) | 2007-08-20 |
WO2002064287A3 (en) | 2002-10-10 |
HK1062902A1 (en) | 2004-12-03 |
EP1362132B1 (en) | 2006-05-10 |
EP1362132A4 (en) | 2004-07-28 |
HUP0400730A2 (en) | 2004-08-30 |
NZ527503A (en) | 2004-07-30 |
BG108059A (en) | 2005-04-30 |
EP1362132A2 (en) | 2003-11-19 |
WO2002064287A2 (en) | 2002-08-22 |
DK1362132T3 (da) | 2006-09-11 |
NO20033567D0 (no) | 2003-08-12 |
CN1221684C (zh) | 2005-10-05 |
DE60211309T2 (de) | 2007-05-24 |
ZA200306259B (en) | 2004-08-13 |
ATE325906T1 (de) | 2006-06-15 |
CZ20032186A3 (cs) | 2004-02-18 |
ES2261656T3 (es) | 2006-11-16 |
BR0207202A (pt) | 2004-01-27 |
RU2003127947A (ru) | 2005-04-10 |
CA2437713A1 (en) | 2002-08-22 |
SK10062003A3 (sk) | 2004-03-02 |
IS6911A (is) | 2003-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004523653A (ja) | 耐火性金属の再生 | |
AU2002250075A1 (en) | Rejuvenation of refractory metal products | |
TWI337205B (en) | Method for rejuvenating a tantalum sputtering target | |
US7794554B2 (en) | Rejuvenation of refractory metal products | |
US5863398A (en) | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same | |
RU2261288C2 (ru) | Полая катодная мишень и способы ее изготовления | |
US6619537B1 (en) | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers | |
US5397050A (en) | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby | |
KR101370189B1 (ko) | 몰리브덴 티타늄 스퍼터링 플레이트 및 타겟의 제조 방법 | |
EP3632591B1 (en) | Additive manufacturing method for producing a component and support structures | |
US20100178525A1 (en) | Method for making composite sputtering targets and the tartets made in accordance with the method | |
WO2009117043A1 (en) | A method for making composite sputtering targets and the targets made in accordance with the method | |
AU2003216081A1 (en) | Refractrory metal and alloy refining by laser forming and melting |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080410 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080417 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080509 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080603 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090309 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090415 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090508 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |