RO119837B1 - Procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi - Google Patents

Procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi Download PDF

Info

Publication number
RO119837B1
RO119837B1 ROA200001122A RO200001122A RO119837B1 RO 119837 B1 RO119837 B1 RO 119837B1 RO A200001122 A ROA200001122 A RO A200001122A RO 200001122 A RO200001122 A RO 200001122A RO 119837 B1 RO119837 B1 RO 119837B1
Authority
RO
Romania
Prior art keywords
solution
metallization
polymer
conductive polymer
substrate
Prior art date
Application number
ROA200001122A
Other languages
English (en)
Inventor
Jurgen Hupe
Sabine Fix
Ortrud Steinius
Original Assignee
Blasberg Oberflachentechnik Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Blasberg Oberflachentechnik Gmbh filed Critical Blasberg Oberflachentechnik Gmbh
Publication of RO119837B1 publication Critical patent/RO119837B1/ro

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2013—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by mechanical pretreatment, e.g. grinding, sanding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/26—Roughening, e.g. by etching using organic liquids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la un procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi, având suprafeţe constituite din polimeri şi utilizate pentru fabricarea unor plăci cu circuite imprimate, de preferat la fabricarea unor plăci cu circuite imprimate, având orificii microscopice şi forme geometrice fine, prin aplicarea unui strat de polimer conducător de electricitate, urmată de metalizare, în care stratul de polimer conducător de electricitate este lăcuit, preferabil înainte de faza de metalizare, cu o soluţie coloidală de paladiu conţinând staniu, constând în aceea că polimerul conducător de electricitate este 3,4-etilendioxitiofenul şi, înainte de metalizare, se realizează o contactare cu o soluţie a unei sări de cupru. ŕ

Description

Invenția se referă la un procedeu pentru acoperirea cu metale a unor substraturi având suprafețe din polimeri, în scopul fabricării unor plăci cu circuite imprimate, în special la fabricarea unor plăci cu circuite imprimate având orificii microscopice și forme geometrice fine, prin aplicarea unui strat de polimer conducător de electricitate și a unei metalizări ulterioare, în care stratul de polimer conducător de electricitate este lăcuit, preferabil înainte de faza de metalizare, cu o soluție coloidală de paladiu conținând staniu. Plăcile cu circuite imprimate, având orificii microscopice și o geometrie fină, sunt produse în special prin așanumita tehnologie de încărcare graduală.
în general, în această tehnică se folosesc ca un miez, circuite terminate pe ambele părți și se acoperă cu polimeri în care sunt făcute orificii microscopice, de exemplu prin fotolitografie sau prin laser, orificiile microscopice menționate ducând la următorul nivel al conductorului prin așa-numitele trasee fără vizibilitate.
Ulterior, se realizează o modelare de suprafață a polimerului, o inițiere cu Pd și o metalizare de suprafață a întregului circuit, prin depunere neelectrică de cupru conform stadiului tehnicii, descrise în DE A 19502988. Opțional, stratul chimic de cupru se consolidează electrolitic.
în faze operaționale adiționale se formează modelul conductorului având trasee adecvate ale conductorului.
Prin repetarea de mai multe ori a acestei proceduri pot fi preparate multistraturi având un număr mai mare de straturi. Prin urmare, acest procedeu este conceput ca o depunere secvențială.
Din DE 38 06 884, a devenit cunoscut un procedeu pentru formarea de trasee prin orificii (adică metalizarea pereților găurii), pe baza unor polimeri intrinsec conducători de electricitate.
Substratul se pretratează într-o soluție oxidantă, se spală și ulterior se impregnează într-o soluție apoasă de monomer de pirol, furan, tiofen, și/sau derivați ai acestora și se realizează un post-tratament în soluții acide.
în acest procedeu se formează selectiv pe suprafețe electric neconducătoare (polimer, sticlă etc.) un film de polimer intrinsec conducător care ulterior se metalizează galvanic.
La metalizarea pereților găurilor, distanțele corespunzând grosimii plăcilor cu circuite imprimate trebuie să fie unite prin poduri.
în general, vor trebui metalizate numai rareori, distanțe care depășesc 4 mm.
Conductivitatea polimerilor intrinsec conducători va fi în general suficientă pentru o metalizare completă în câteva minute. Dezvoltarea laterală a cuprului pe polimerii menționați va varia între 0,1 și 2,5 mm/min, depinzând de tipul de polimer.
Presupunând astfel de valori de dezvoltare, o metalizare de suprafață a unor plăci complete cu circuite imprimate având suprafețe de până la 0,2 m2 și opțional depășind această valoare - nu se poate realiza de loc sau numai după o perioadă lungă de timp, cu o distribuție foarte mică a grosimii stratului. Astfel de plăci cu circuite imprimate nu satisfac cerințele tehnice. Prin urmare, va fi necesar să se crească în mod clar conductivitatea unor astfel de polimeri intrinsec conducători și să se crească în mod considerabil dezvoltarea laterală a metalului pe filmele de polimeri menționate.
în DE 19502 988, se descrie un procedeu pentru soluționarea problemelor de mai sus.
Conform procedeului descris în DE 38 06 884, inițial se aplică pe polimerul substrat un polimer conducător de electricitate.
RO 119837 Β1 înainte de metalizarea galvanică, se realizează un tratament într-o soluție apoasă 1 conținând ioni metalici, preferabil o soluție coloidală de paladiu conținând staniu.
în această fază se lăcuiește adițional polimerul intrinsec conducător. Astfel, se pot 3 realiza valori îmbunătățite ale conductivității și, mai mult decât atât, o dezvoltare laterală crescută. 5 în cazul folosirii, de exemplu, a poli-3,4-etilendioxitiofenei se pot realiza valori pentru dezvoltarea de metal de până la 5 mm/min. 7 în orice caz, aceste valori sunt totuși nesatisfăcătoare pentru o metalizare de suprafață. Aderența polimerului conducător la polimerul substrat este insuficientă. Anume, 9 filmul de polimer conducător trebuie să fie prevăzut astfel, încât să adere puternic la polimerul substrat. 11
Deci, vor fi necesare oricum valori ale puterii de aderare de cel puțin 5N/cm, preferabil de 10N/cm. 13
Prin urmare, obiectivele prezentei invenții sunt de a asigura o aderență suficientă a filmului de polimer conducător la substratul de polimer și, în primul rând, acela de a crește 15 în continuare dezvoltarea laterală a cuprului.
Procedeul conform invenției înlătură dezavantajele menționate, prin aceea că 17 polimerul conducător de electricitate este 3,4-etilendioxitiofen și înainte de metalizare se realizează o contactare cu o soluție a unei sări de cupru (II). 19
Preferabil, suprafețele substratului sunt supuse la următoarele faze cel puțin o dată înainte de aplicarea stratului de polimer electroconductor:21
a) condiționare cu leșii apoase, solvenți organici sau solvenți alcalini;
b) tratare cu o soluție alcalină de permanganat;23
c) tratare cu un agent reducător.
Deci, suprafața substratului este modelată inițial. Aceasta se realizează în faza a),25 prin tratamentul cu un agent de condiționare, cu un amestec de solvenți potriviți și cu o soluție de hidroxid de sodiu sau de potasiu.27
Ulterior, suprafața polimerului din substrat, pre-tratată în acest mod, este modelată în continuare într-o soluție de permanganat alcalin.29 în aceasta fază, pentru a îmbunătăți aderența polimerului conducător, urmează să fie formate cât mai multe cavități posibil, ele fiind distribuite peste toată suprafața cât mai 31 uniform posibil și având diametre de câțiva pm sau chiar mai mici.
Astfel de agenți de condiționare și soluții de permanganați alcalini se cunosc din, de 33 exemplu, așa-numitul procedeu de curățire multistrat.
Nu s-a cunoscut faptul că puterea de aderare a stratului de polimer conducător poate 35 fi îmbunătățită considerabil prin aceste faze.
Depinzând de polimerul substrat, este avantajos să se realizeze de mai multe ori 37 condiționarea și procesul tratării cu permanganat, cu scopul de a realiza o modelare corespunzătoare a suprafeței. 39 în orice caz, ultima fază a procedeului este un proces de reducere în care reziduurile tratamentului cu permanganat, anume dioxidul de mangan, sunt reduse și, de aici, suprafața 41 devine din nou fără reziduuri. în special H2O2 s-a dovedit a fi un agent reducător deosebit de eficient. 43
Când se execută procedeul din invenție, condiționarea polimerului substrat se realizează utilizând un solvent sau un amestec de solvenți la care se adaugă, opțional sau 45 chiar preferabil, un hidroxid alcalin.
RO 119837 Β1
Ulterior, are loc tratamentul cu o soluție de permanganat alcalin. Aceste măsuri au ca rezultat o asperizare și formare uniformă a polimerului substrat și asigură o bună aderență a stratului de polimer conducător care urmează a fi aplicat după aceea.
A reieșit că se pot obține valori deosebit de bune ale puterii de aderare, dacă substraturile de polimer sunt supuse la un pre-tratament mecanic înainte de tratamentul chimic.
Pentru aceasta, este potrivită perierea, sablarea cu nisip, sau este potrivit de asemenea, un tratament cu praf de piatră ponce, procedeul din urmă fiind cunoscut ca ponce periere sau ponce sablare.
Prin acest procedeu, puterea de aderare poate fi crescută în continuare cu circa 30 până la 40%.
în principiu, formarea stratului de polimer conducător are loc după cum se arată în DE 38 06 884.
Suprafața care este pre-tratată conform invenției și care se modelează, se pretratează inițial într-o baie de oxidare, preferabil o soluție de permanganat de potasiu cu un pH în domeniul de la 1 până la 14, preferabil de la circa 5 până la 8. Pentru a îmbunătăți aderența filmului de polimer care urmează să se formeze, faza de oxidare poate fi precedată de o impregnare într-un așa-numit condiționer, conform descrierii din DE-A-4205190.
Ulterior se realizează o spălare și substratul este impregnat într-o soluție de monomerde 3,4-etilendioxitiofen. După aceea, se introduce substratul acoperit cu monomer într-o soluție acidă, fără spălare înainte de introducere, formarea filmelor de polimer conducător având loc în soluția acidă printr-o polimerizare oxidativă.
în cazul folosirii permanganatului de potasiu ca oxidant, se formează în prima fază, ca produs de reacție dintre polimerul substrat și KMnO4, un strat de dioxid de mangan, în care stratul de dioxid de mangan menționat este impregnat cu polimer și acționează ca un oxidant în soluția acidă descrisă mai sus.
Ca acizi, se folosesc preferabil acizii sulfuric, fosforic sau sulfonic; sunt preferați în special, de exemplu, acizii polifosforici sau acizii polimersulfonici.
într-o realizare a invenției preferată în mod special, se folosesc acidul polistirensulfonic sau săruri ale sale.
Rezistenta electrică a astfel formatului strat de polimer conducător, este în general de la circa 5 până la 500 kQ, depinzând de parametrii de lucru și mai întâi de toate, de acidul folosit și de compusul de monomer folosit.
Aici, rezistența se măsoară printr-o gaură aplicată într-o placă cu circuite imprimate, în această măsurătoare, placa are o grosime d = 1,6 mm și diametrul orificiului este de 1,0 mm.
Cele mai mici valori ale rezistenței se obțin atunci când se utilizează 3,4etilendioxitiofen și acid polistirensulfonic.
Dezvoltarea laterală a cuprului are o influență crucială asupra metalizării suprafețelor mai mari.
Când se utilizează 3,4-etilendioxitiofen și acid polistirensulfonic, se obțin valori optime de până la 3,0 mm/min,ceea ce nu este suficient pentru depunerile de suprafață.
Astfel, conform procedeului din invenție, inițial se realizează un post-tratament conform DE-A-19502988, cuprinzând o lăcuire folosind o soluție coloidală de paladiu conținând staniu, cu scopul de a îmbunătăți dezvoltarea laterală a cuprului.
Pentru acest scop, se impregnează substratul acoperit cu polimerul conducător, întro astfel de soluție conținând metale.
Soluția menționată este o soluție coloidală rte paladiu utilizând ca stabilizatori coloidali săruri de staniu (II).
RO 119837 Β1
Timp de mulți ani s-au folosit astfel de catalizatori de paladiu pentru metalizarea 1 substraturilor din mase plastice, ca soluții de activare.
în orice caz, soluțiile folosite conform invenției, pot conține concentrații de paladiu 3 mai mari decât norma, și anume, în loc de circa 50 mg/l, se ajunge până la mai multe g/l. 5
Prin acest post-tratament, filmul de polimer conducător este acoperit cu metalul, anume Pd și Sn2+. 7
După un proces de spălare, placa acoperită în acest mod, se impregnează într-o soluție de sare de cupru (II) conținând opțional un agent de complexare, un stabilizator și 9 agenți de corectare a pH-ului.
în timpul acestui procedeu, depunerea de cupru pe filmul de polimer conducător, se 11 pare că are loc printr-un schimb ionic.
Acesta are ca rezultat nu numai o reducere a rezistenței electrice, dar, de asemenea, 13 și o îmbunătățire a dezvoltării laterale a cuprului.
Datorită combinării în invenție dintre polimerul conducător, lăcuirea cu metal și 15 contactul cu o soluție de sare de cupru (II), dezvoltarea laterală a cuprului crește de la 2,5 mm/min până la 40 mm. min și mai mult; aceasta face posibilă după aceea o metalizare 17 electrolitică, de exemplu, o placare cu cupru a unor suprafețe mai mari într-un timp suficient de scurt, cu o distribuție uniformă a metalului pe suprafața substratului și o bună aderență. 19 Este posibil ca, datorită încorporării suplimentare de metal, formarea germenilor din timpul metalizării să continue în mod clar mai repede și prin urmare, să se realizeze o 21 dezvoltare laterală mai rapidă.
Fazele procedeului din invenție sunt, preferabil, următoarele : 23
1 .Condiționare Spălare T: 40 - 850*C t: 0,5-15 min 25
2. KMnO4 alcalin T: 60 - 950’C t: 1 - 30 min 27
Spălare
29
3. Reducere T: 20 - 450‘C t: 0,2 - 5 min
Spălare 31
Opțional, acest procedeu poate fi repetat - dacă este necesar de mai multe ori - 33
complet sau numai parțial.
35
4. Condiționare T: 20 - 600’C t: 0,1-5 min
Spălare 37
5. KMnO4 (pH 1-14) T: 50 - 950“C t: 0,3-10 min
Spălare 39
Opțional, se poate utiliza o secvență de spălare cu folosire de apă, o soluție de acid 41 sulfuric (pH 1 până la 5 ), apă, o soluție slab alcalină (pH 7 până la 9) și din nou apă.
43
7. Monomer T:10-400°C t: 0,3 - 7 min
8. Acid T:10-400°C t: 0,3-10 min 45
9. Soluție de metal I
(soluție coloidală de 47
paladiu conținând staniu) T: 20 - 700’C t: 0,2 -10 min
Spălare 49
RO 119837 Β1
10.Soluție de metal II (soluție de sare de cupru (II))
Spălare
11.Opțional uscare sau recoacere
12. Decapare (acid 5-10%)
Opțional spălare
13. Metalizare electrolitică
T: 20 - 800°C t: 0,2-10 min
T:20-300‘C t: 0,1-5 min în general, metalizarea se realizează cu densități ale curentului de circa 0,5 până la 10 A/dm2 depinzând de conceptul instalației ( orizontală sau verticală ), pe timpul unei perioade care să asigure depunerea stratului de metal dorit.
Spălare
14. Uscare
15. Recoacere
Substratul de polimer astfel tratat, are o metalizare uniformă, cu o putere de aderare ridicată pe o structură amplă, asemănătoare unei foi (de exemplu o placă cu circuite imprimate având dimensiuni de 405 x 535 mm).
Opțional, fazele 7 și 8 pot fi combinate într-o singură faza. Preferabil, operația are loc orizontal.
Procedeul va fi înfățișat în continuare prin exemplele care urmează.
Exemple:
Toate experimentările au fost efectuate utilizând două substraturi diferite de polimeri pe care s-a realizat metalizarea.
în orice caz, procedeul din invenție nu se limitează la aceste substraturi de polimeri.
Polimerul A: epoxipolimer (material pe baza standardului FR-4)
Polimerul B: epoxipolimer (fotodielectric, Probelec® XB7081); Probelec® este o marcă comercială înregistrată (de Ciba Speciality Chemicals Inc.)
Dimensiunile substraturilor folosite, au variat în conformitate cu obiectivul experimentului. Determinări pentru:
dezvoltarea laterală a cuprului: 35 x 100 mm puterea de aderare 35x100 mm lăcuirea cu metal: o suprafață de 0,5 dm2
I. Modelarea substraturilor din polimeri
Fiecare din secțiunile de substrat a fost tratată în procesul de impregnare descris în continuare, cu o ușoară agitare.
Fazele operaționale care urmează, au fost de asemenea realizate în procesele de impregnare.
Trebuie să se menționeze în mod expres că procedeul din invenție poate fi realizat cu același succes în sisteme continue verticale sau orizontale. Același lucru este valabil, de asemenea, pentru metalizarea galvanică.
în general, timpul necesar procedeului, se reduce în mod clar, în funcție de parametrii de inundare.
Mai mult, în producție,este de preferat ca procedeul din invenție să se execute în sisteme continue.
Deoarece procedeul este în principiu independent de conceptul de impregnare sau al sistemului continuu, în continuare se vor descrie numai procedeele de impregnare.
RO 119837 Β1
Fazele operaționale, concentrațiile, temperaturile, timpii etc. și componentele chimice 1 descrise mai jos nu limitează invenția, ci reprezintă doar alcătuiri preferate.
Pre-tratamentul polimerului A 3
1. Condiționare T: 550C t = 10 min
(Soluție apoasă de 330 ml/l 5
și N-metilpirolidonă și 12 g/l NaOH)
2. Spălare în apă T: R 2x1 min fiecare 7
3. Oxidare T: 800°C t = 12 min
(Soluție apoasa de 65 g/l KMnO4 9
și 40 g/l NaOH)
4. Spălare în apă T: RT 3x1 min 11
fiecare
5. Reducere T: RT t = 1 min 13
(Soluție apoasă de 50 ml/l H2O2,
35% și 50 ml/l H2SO4) 15
6. Spălare în apă T: RT 2x1 min
7. Uscare 17
Pre-tratament pentru polimerul B
1. Condiționare T : 80°C t = 1 min 19
Enplate MLB 2010*
(Amestec de solvenți cu 21
Adăugare de NaOH)
2. Spălare în apă T: RT T = 5 min 23
3. Oxidare T: 80’C t = 5 min
(Soluție apoasă de 60 g/l KMnO4 25
Și 45 g/l NaOH)
4. Spălare în apă T:RT t = 5 min 27
5. Reducere
așa cum s-a descris la polimerul 29
A, poziția 5.
6. Spălare în apă T:RT 2x1 min 31
într-o alcătuire preferată, fazele 3 până la 6, sunt repetate cu o creștere a timpului 33 în faza 3, la t = 8 min.
După aceea, se realizează o operație de uscare. 35
Dacă este necesar, procedeul poate fi repetat de mai multe ori.
După procedura de pre-tratament, substraturile de polimeri au un model uniform cu 37 o multitudine de cavități cu suprafața mică (diametre de circa 1 până la 3 pm).
Suprafața modelată în acest mod, prezintă o bună suprafață de aderare pentru poli- 39 merul conducător care urmează sa fie aplicat ulterior.
//. Acoperire cu un polimer conducător41
Ca strat de polimer conducător s-a ales poli-3,4-etilendioxitiofenul (poli EDT), deoarece cu acesta s-au obținut cele mai bune rezultate.43
Au fost testate în total 4 secvențe diferite ale procedeului
Secvența 145
1. Condiționare T: 40°C t = 1 min
(Conform DE A 42-05 190) 47
Blasolit V**
RO 119837 Β1
2. Spălare în apă
T: RT
3. Oxidare
T: 80°C
2x1 min fiecare t = 2 min (Soluție apoasă de 70 g/l KMnO4; pH-ul se reglează la circa 7 cu acid diluat)
4. Spălare în apă
5. Soluție de monomer
DMSE, CAT V-10** (Conține circa 1,5 EDT)
6. Acid
6.1. Soluție apoasă de 20 g/l De acid polistirensulfonic Ca alternativă:
6.2. Soluție apoasă cu 150 g/l H2SO4
7. Spălare în apă
T:RT T: RT
T:RT
T:RT
3x1 min t = 1 min t = 1 min x 1 min fiecare
8. Uscare * Un produs Enthone-OMI Inc.
** UN produs Blasberg Enthone-OMI, Germania
Secvența 2
Fazele 1 până la 4 corespund cu cele din secvența 1. conducător se formează într-o singură fază.
5. Soluție de polimerizare T.RT (soluție apoasă de 0,12 %
EDT, 0,15 % emulsifiant (de exemplu arii poliglicol eter) și 0,4 % acid polistirensulfonic)
6. Spălare în apă
7. Uscare
Secvența 3 în orice caz filmul de polimer t = 3 min
1. Agent de condiționare T:55°C
(conform DE A 42 05 190)
2. Spălare în apă T: RT
3. Oxidare T:75°C
t = 8 min
2x1 min fiecare t = 3 min (Soluție apoasă de 60 g/l KMnO4 și 40 g/l NaOH. Conținutul de KMnO4 se menține la circa 10-20 g/l).
4. Spălare în apă T.RT
5. Soluție de polimerizare T.RT
5.1. Soluție de polimerizare așa __cum s-a descris în secvența 2 x 1 min fiecare t = 3 min
RO 119837 Β1
5.2. Soluție apoasă de 0,3% EDT, 0,4 % emulsifiant, și 6 g/l acid polifosforic
6. Spălare cu apă
7. Uscare
Secvența 4
1. Agent de condiționare Condisolve HP**
2. Spălare cu apă
3. Oxidare (Vezi secvența 3,3.)
Pentru fazele următoare ale secvenței vezi secvența 3
3
5
T: 55°C t = 8 min 7
T:RT 2 x 1 min fiecare 9
T:80°C t = 10 min ///. Post-tratamentul stratului de polimer conducător cu soluții conținând metale
Varianta 1 (conform DE 195 02 988) 17
1. HCI, soluție apoasă 8% T:RT t = 2 min 19
2. Soluția 1 conținând metal T:RT t = 5 min
Soluție coloidală de paladiu conținând 1 g/l paladiu, 20 g/l 21
clorură de staniu (II), și 8% Hcl 23
3. HCI, soluție apoasă 8% 4. Spălare cu apă T:RT t = 2 min 25
5. Uscare 27
Varianta 2 29
1. Soluția 1 conținând metal T:45°C t = 4 min
ABC 888 M*** 31
(soluție coloidală de paladiu conținând circa 300 mg/l Pd; stabilizator coloidal; clorură 33
de staniu (II) 2. Spălare cu apă T:RT 2 x 1 min 35
fiecare 37
3. Accelerare T:45°C t = 1 min
4. Spălare în apă T:RT 2x1 min 39
5. Uscare 41
Varianta 3 43
1. Soluția 1 conținând metal T:45°C t = 4 min
ABC 888 M*** 45
(vezi mai sus)
2. Spălare 47
RO 119837 Β1
T: 63°C
3. Soluția II conținând metal (Soluție apoasă de g/l CuSO4 x 5H2O, g/l Na2CO3, g/l NaOH, g/l tartrat de sodiu și potasiu
4. Spălare cu apă T.RT
5. Uscare t = 5 min
2x1 min fiecare
Concentrațiile descrise, timpii, temperaturile și componenții chimici nu limitează scopul procedeului din invenție, ci reprezintă doar alcătuiri preferate ale procedeului.
“* Un produs al APT, Advanced Plating Technologies, Israel
IV. Metalizarea substraturilor de polimeri tratate conform invenției
Deoarece acoperirea cu cupru a unor astfel de substraturi are o importanță deosebită, în continuare se va descrie, ca procedeu de metalizare, numai acoperirea electrolitică cu cupru.
Poate fi folosit orice procedeu de cuprare cu electroliți pentru acoperire cu cupru disponibil în comerț.
Deoarece un electrolit pentru cupru numit CUPROSTAR LP-1**, s-a dovedit a fi deosebit de potrivit, pentru exemplificare se va face referire la electrolitul menționat.
Substraturile sunt inițial decapate într-o soluție apoasă de acid sulfuric (circa 5 până la 10% în volume), timp de 30 până la 60 s și apoi acoperite cu cupru, în electrolitul de cuprare CUPROSTAR LP-1.
Compoziția electrolitului
Cupru 20 g/l
H?SO4 200 g/l
NaCI 100 mg/l
Aditiv LP-1** 4 ml/l
Densitate curent: 2 A/dm2
Timpul de acoperire cu cupru a fost diferit în exemplele respective. Rezultatele au fost bune, indiferent dacă s-a folosit o depunere normală cu curent direct sau o depunere cu pulsații inverse. în situația din urmă s-a reglat un ciclu de pulsații la catod, de 100 mS și anod de 1 mS, și în general s-au reglat valori mai mari ale densității curentului anodic (factori de 2 până la 3 : 1).
în tabelul de mai jos sunt arătate rezultatele și condițiile din exemplele respective (exemplele 1 până la 26).
Se poate observa cu claritate că lăcuirea cu ioni de metal, în special cu soluții coloidale de paladiu conținând staniu are ca rezultat o creștere clară a dezvoltării laterale, în aceste condiții, pot fi metalizate într-un timp scurt chiar și suprafețe mai mari.
Valorile obtenabile pentru puterea de aderare cu pre-tratamentul din invenție sunt, de asemenea, acceptabile.
CO in b- CD 5— CO UD r- CD T- CO UD
V- ·*“ V- T— CM CM (NJ
co l·co σ>
O QÎ
RO 119837 Β1
•<0 LL O O CC <O *p <o CO (0
m <?o X“ r- »<u LL o“ r— Vt .... |
αο 1 cm b- 1 •O co 8
<5 o o
<o Oi CM o
l-w 1 < u? Τ' i 1 <N
a a o o o
«ο O <0 _ u> σ> t'iZ \ .......i 0> s* O ΓΙ' <0 <O CM Τ'” T”'
o O o o o o
« «> ΊΓ” K Τ'- CM t V* CM 8 cr> 8 CO
tn m ca CD co ca ta OQ 00
V* ei o co co
’2 <C ΐ: *2 »w KT5 « β
cn .fe xu o c c$ KT5 »ra 05 §
LL LL 'CI *c c IL LL •C •c
as v$ <V <X5
> > > > >
v— v—
e? ie £e se s *2 •o ie CI
Τ'·· R- co <o co β.
cs β β β- β β- β. β- β C
L_ L C; c c L L c.
<u Φ X §? Φ % I
0 Q o 6 o δ <3 o ZA
Φ <o 3 $ $ M <z> Φ V) V?
CD no Ω3 m ai m ω
.£5 « . *w *2 1— _
<P Φ Φ <l> <D Φ Φ
1- F F F »gj F F έ
l_L _Γ^ ..ȚX LL :____l
O O O O O o O
O. O. CL 0- X CL CL
CO CD O ¢4 <O a> <0
V CM Cl Cl Cl Cl CI CI
CD
RO 119837 Β1
Exemplele 27 / 28. Se repetă secvența de test din exemplele 22 și 25, cu excepția 1 faptului că modelarea chimică este precedată de un tratament cu praf de piatră ponce.
Viteză materiale 3,5 m/min 3
Timp de staționare circa 15 s
Substanța: 2 /ON 5 (un produs Vogel und Prenner Company) în aceste condiții se realizează valori ale puterii de aderare de circa 10 N/cm.7
Măsurarea rezistentei la cojire a fost efectuată conform DIN 53 494.
Substratul 3,5x10 cm9
Grosime strat 40 pm ± 4 pm
Fâșie de test 10 mm lățime, trasă la o distanță de 50 mm11
Viteza de cojire 75 mm / min.

Claims (4)

1. Procedeu pentru acoperirea cu metale a unor substraturi având suprafețe constituite din polimeri și utilizate pentru fabricarea unor plăci cu circuite imprimate, de preferat la 17 fabricarea unor plăci cu circuite imprimate având orificii microscopice și forme geometrice fine, prin aplicarea unui strat de polimer conducător de electricitate urmată de metalizare, 19 în care stratul de polimer conducător de electricitate este lăcuit, preferabil înainte de faza de metalizare, cu o soluție coloidală de paladiu conținând staniu, caracterizat prin aceea că 21 polimerul conducător de electricitate este 3,4-etilendioxitiofen și înainte de metalizare se realizează o contactare cu o soluție a unei sări de cupru (II). 23
2. Procedeu conform revendicării 1, caracterizat prin aceea că suprafețele substra- tului sunt supuse la următoarele faze, cel puțin o dată înainte de aplicarea stratului de poli- 25 mer conducător de electricitate:
a) condiționare cu leșii apoase, solvenți organici sau solvenți alcalini;27
b) tratare cu o soluție de permanganat alcalin;
c) tratare cu un agent reducător.29
3. Procedeu conform revendicărilor 1 sau 2, caracterizat prin aceea că suprafețele substratului sunt asperizate mecanic înainte de faza a) prin periere, sablare cu nisip, periere 31 cu piatră ponce sau sablare cu piatră ponce.
4. Procedeu conform oricăreia din revendicările 1 până la 3, caracterizat prin aceea33 că aceasta se realizează orizontal.
ROA200001122A 1998-05-16 1999-05-14 Procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi RO119837B1 (ro)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19822075A DE19822075C2 (de) 1998-05-16 1998-05-16 Verfahren zur metallischen Beschichtung von Substraten
PCT/EP1999/003322 WO1999060189A2 (de) 1998-05-16 1999-05-14 Verfahren zur metallischen beschichtung von substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RO119837B1 true RO119837B1 (ro) 2005-04-29

Family

ID=7868037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ROA200001122A RO119837B1 (ro) 1998-05-16 1999-05-14 Procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi

Country Status (22)

Country Link
US (1) US6589593B1 (ro)
EP (1) EP1088121B1 (ro)
JP (1) JP4044286B2 (ro)
KR (1) KR100541893B1 (ro)
CN (1) CN1299548C (ro)
AT (1) ATE213510T1 (ro)
AU (1) AU4261899A (ro)
CA (1) CA2331757A1 (ro)
DE (2) DE19822075C2 (ro)
HK (1) HK1035385A1 (ro)
HU (1) HUP0102325A3 (ro)
IL (1) IL139422A (ro)
IS (1) IS5704A (ro)
NO (1) NO20005778L (ro)
PL (1) PL345093A1 (ro)
RO (1) RO119837B1 (ro)
RU (1) RU2214075C2 (ro)
SK (1) SK16922000A3 (ro)
TR (1) TR200003369T2 (ro)
WO (1) WO1999060189A2 (ro)
YU (1) YU71000A (ro)
ZA (1) ZA200006623B (ro)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007435A1 (de) * 2000-02-18 2001-08-23 Enthone Omi Deutschland Gmbh Verfahren zum Galvanisieren eines mit einem elektrisch leitenden Polymer beschichteten Werkstücks
DE50008242D1 (de) * 2000-09-26 2004-11-18 Enthone Omi Deutschland Gmbh Verfahren zur selektiven Metallisierung dielektrischer Materialien
DK1332238T3 (da) 2000-10-09 2009-07-20 Hueck Folien Gmbh Metalliseret film, fremgangsmåde til fremstilling heraf samt anvendelse heraf
KR20020079075A (ko) * 2001-04-13 2002-10-19 이진규 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 이를 이용한 저유전성절연막 및 그 제조방법
US20060009029A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Agency For Science, Technology And Research Wafer level through-hole plugging using mechanical forming technique
DE102004042111A1 (de) * 2004-08-30 2006-03-09 Ovd Kinegram Ag Mehrschichtiger Körper mit unterschiedlich mikrostrukturierten Bereichen mit elektrisch leitfähiger Beschichtung
US20070237977A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Spac Thin Metal Film System To Include Flexible Substrate And Method Of Making Same
EP1870491B1 (de) * 2006-06-22 2015-05-27 Enthone, Inc. Verbessertes Verfahren zur Direktmetallisierung von elektrisch nicht leitfähigen Substratoberflächen, insbesondere Polyimidoberflächen
US7649439B2 (en) * 2006-08-18 2010-01-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Flexible thin metal film thermal sensing system
US8198976B2 (en) * 2006-08-18 2012-06-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Flexible thin metal film thermal sensing system
US8366901B2 (en) * 2006-09-07 2013-02-05 Enthone Inc. Deposition of conductive polymer and metallization of non-conductive substrates
FR2934609B1 (fr) * 2008-07-30 2011-07-22 Jet Metal Technologies Procede non eletrolytique de metallisation en ligne de substrats par projection avec traitement de surface prealable et dispositif pour la mise en oeuvre du procede.
JP5491022B2 (ja) * 2008-12-10 2014-05-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法および基板処理装置の表示方法
WO2012023992A1 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Rhodia Operations Films containing electrically conductive polymers
ES2662039T3 (es) * 2010-10-29 2018-04-05 Macdermid Enthone Inc. Composición y método para la deposición de polímeros conductores en sustratos dieléctricos
CN104349585B (zh) * 2013-08-01 2018-05-15 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 电路板及其制作方法
US10920321B2 (en) 2014-05-30 2021-02-16 Uab Rekin International Chrome-free adhesion pre-treatment for plastics
CN105887054B (zh) * 2016-06-13 2019-01-18 华南理工大学 一种高导电生物质/纳米金属柔性复合膜及其制备方法
CN110029382B (zh) * 2019-05-22 2021-09-24 电子科技大学 一种用于直接电镀的表面处理工艺及其相关直接电镀工艺

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847114A (en) * 1984-01-26 1989-07-11 Learonal, Inc. Preparation of printed circuit boards by selective metallization
DE3806884C1 (en) * 1988-03-03 1989-09-21 Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it
US5183692A (en) * 1991-07-01 1993-02-02 Motorola, Inc. Polyimide coating having electroless metal plate
US5268088A (en) * 1991-12-12 1993-12-07 Eric F. Harnden Simplified method for direct electroplating of acrylic or epoxy containing dielectric substrates
DE4202337A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-05 Bayer Ag Verfahren zur durchkontaktierung von zweilagigen leiterplatten und multilayern
US5427841A (en) * 1993-03-09 1995-06-27 U.S. Philips Corporation Laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer and method of manufacturing such a structure
DE4326079A1 (de) * 1993-07-30 1995-02-02 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Behandlung von Kunststoffoberflächen und Anquell-Lösung
DE19502988B4 (de) * 1995-01-31 2004-03-18 Blasberg Oberflächentechnik GmbH Verfahren zur galvanischen Beschichtung von Polymeroberflächen
WO1999019883A1 (en) * 1997-10-15 1999-04-22 The Dow Chemical Company Electronically-conductive polymers

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999060189A2 (de) 1999-11-25
SK16922000A3 (sk) 2001-07-10
EP1088121A2 (de) 2001-04-04
TR200003369T2 (tr) 2001-07-23
KR20010025021A (ko) 2001-03-26
KR100541893B1 (ko) 2006-01-10
DE19822075C2 (de) 2002-03-21
IL139422A0 (en) 2001-11-25
IS5704A (is) 2000-11-02
JP4044286B2 (ja) 2008-02-06
YU71000A (sh) 2003-02-28
HK1035385A1 (en) 2001-11-23
CN1309881A (zh) 2001-08-22
JP2002515657A (ja) 2002-05-28
CN1299548C (zh) 2007-02-07
IL139422A (en) 2004-01-04
DE19822075A1 (de) 1999-11-18
WO1999060189A3 (de) 2000-04-06
NO20005778D0 (no) 2000-11-15
CA2331757A1 (en) 1999-11-25
ZA200006623B (en) 2001-05-30
DE59900882D1 (de) 2002-03-28
HUP0102325A2 (hu) 2001-10-28
HUP0102325A3 (en) 2002-02-28
RU2214075C2 (ru) 2003-10-10
US6589593B1 (en) 2003-07-08
NO20005778L (no) 2000-11-27
ATE213510T1 (de) 2002-03-15
EP1088121B1 (de) 2002-02-20
PL345093A1 (en) 2001-12-03
AU4261899A (en) 1999-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RO119837B1 (ro) Procedeu pentru acoperirea cu metale, a unor substraturi
JP2675841B2 (ja) 電気めっき方法
CN110528034B (zh) 一种塑胶制品表面局部镀方法
CA2210883A1 (en) Method of selective or partial electrolytic plating of surfaces of substrates comprising non-conductive material
JP6798025B2 (ja) クロムフリープラスチックめっきエッチング
JPH06330378A (ja) 非導電性材料表面に電気めっき層を直接形成する方法
JP2746748B2 (ja) 不導体の直接金属めっき法
JPS6257120B2 (ro)
US6790334B2 (en) Combined adhesion promotion and direct metallization process
CN108601235A (zh) 绝缘基材表面电镀金属的方法
JP4789361B2 (ja) 誘電体表面上に導電層を製造する方法
KR20230121872A (ko) 플라스틱 기판의 하나 이상의 표면을 에칭하는 방법
JP2000178752A (ja) 無電解メッキ用パラジウム触媒除去剤
JP3117216B2 (ja) 酸化薄層の選択的形成手段
CN104204294A (zh) 促进介电衬底与金属层之间粘着度的方法
SU293312A1 (ru) Способ изготовления печатных плат
JP2003231991A (ja) 電解めっき用前処理液、めっき方法及びプリント配線板の製造方法
CZ20004225A3 (cs) Způsob pokovování substrátů
JPS61163693A (ja) プリント配線板の製造方法
JPH0250196B2 (ro)
JP2010199326A (ja) 樹脂回路基板の製造方法
PL189155B1 (pl) Sposób bezpośredniej metalizacji dielektryków, zwłaszcza ścianek otworów obwodów drukowanych
JPH1112786A (ja) 導電化処理液
RO113260B1 (ro) Soluție pentru conductibilizarea suprafețelor dielectrice