KR20020079075A - 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 이를 이용한 저유전성절연막 및 그 제조방법 - Google Patents

폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 이를 이용한 저유전성절연막 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란과, 디메틸디메톡시실란으로 이루어진 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료 및 그 제조방법, 이 공중합체를 이용한 저유전성 절연막 및 그 제조방법을 제공하고 있으며, 본 발명에 의해 제공되는 절연막은 낮은 크랙속도 및 저유전상수를 가짐으로써, 차세대 반도체 산업에서 요구하는 특성을 갖추고 있다는 장점이 있다.

Description

폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 이를 이용한 저유전성 절연막 및 그 제조방법{poly(methyldilsesquioxane)copolymers, low-dielectric films therefrom and preparation method thereof}
본 발명은 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 그 제조방법 및 이를 이용한 저유전성 코팅막의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업에서는, 반도체 소자의 크기가 점점 작아지고 소자의 집적도가 증가되면서, 저항 x 충전용량(R X C)의 혼합 영향과 금속 도선들 사이의 상호간섭현상으로 인한 신호전달의 지연되어 매우 심각한 문제로 대두되어 있다. 미국 반도체 산업계의 예상에 따르면, 2002년경에 집적회로의 금속 도선간의 거리가 0.10 ㎛이하로 작아지게 되면, 다층 연결회로에서의 신호지연이 전체소자의 시제 운영시간을 좌우하게 될 것이라고 한다.
이러한 상황에서 금속 도선의 저항을 줄이기 위하여, 기존의 알루미늄보다 더 좋은 전도도를 가지는 구리로 재료의 종류를 대체하려는 시도와 함께 금속 도선 사이에 코팅되는 전기 절연막에 대하여 보다 유전율이 낮은 것을 개발하려는 노력이 진행 중에 있다.
이 중 저유전성 절연막과 관련하여 보면, 종래에는 금속 배선사이의 절연막으로서 유전율 4.0 정도를 가지는 실리콘 산화막(SiO2)이 사용되어 왔으나, 앞서 설명한 바와 같이, 도선 간의 거리가 계속 감소하고 있는 추세를 감안할 때, 이 정도 유전율을 가지는 절연막은 그 기능상 한계에 이를 것으로 보여진다.
이에 저유전율 물질을 개발하기 위한 다양한 시도가 이루어졌으며, 폴리실세스퀴옥산(polysilsesquioxane), 폴리이미드(polyimide), 비정질 PTFE(amorphouspoly(tetrafluoroethylene))등이 그러한 예이다.
이중 (RSiO3/2)n의 실험식을 가지는 폴리실세스퀴옥산(R=수소 또는 유기작용기)들은 실리콘 고분자가 처음 사용화되던 시기부터 고온에서의 전기절연체로서 많이 연구되어 왔다. 이 중, 폴리실세스퀴옥산 중 하나인 폴리메틸실세스퀴옥산(PMSSQ)는 낮은 유전율(k=2.7-2.9), 낮은 흡습율, 높은 열안정성 등의 성질로 인하여 차세대 저유전 물질로서 주목받고 있다.
그러나, 기존의 상용화된 폴리메틸실세스퀴옥산들은 상기한 많은 장점에도 불구하고, 몇가지 문제점을 가지고 있다.
예를 들어, 기존의 폴리메틸실세스퀴옥산은 경화 후 박막이 쉽게 부서지는 경향이 있는 바, 낮은 크랙 전파속도를 가지도록 개선될 것이 요구된다. 그 외, 반도체 공정에서는 화학적 기계적 평탄화 작업(chemical mechanical planarization : CMP)과 같은 격렬한 공정에 저유전 박막이 노출되므로, 반도체 분야에 적용가능하도록 하기 위해서는 보다 더 높은 경도와 탄성율이 요구된다.
본 발명자들은 기존의 폴리메틸실세스퀴옥산이 가지고 있는 저유전물질로서의 이용가능성을 높이기 위하여, 이 물질이 가지고 있는 취약점을 개선할 수 있는 방법을 연구하였다.
즉, 경화 후 크랙이 발생하는 원인은 경화시 열팽창계수가 다른 실리콘 웨이퍼와 저유전박막 간에 장력(tensile stress)이 생성되기 때문인 것인 바, 본 발명의 목적은 경화전의 물질의 작용기를 감소시킴으로써 경화시의 경화밀도를 줄여 생성되는 장력의 크기를 감소시키는 동시에 유연성을 첨가시킴으로써, 저유전 특질을 가지면서도 기존의 폴리메틸실세스퀴옥산이 가졌던 경화시 크랙이 발생하는 단점을 해소할 수 있는 수단을 마련하는데 있다.
도 1은 코모노머 함유량과 분자량과의 관계를 도시한 그래프
도 2는 DMDMS 공중합체의 29Si-NMR 스펙트럼
도 3은 경화온도의 함수로서 DMDMS 공중합체의 stroage moduli를 보인 그래프
도 4는 경화온도의 함수로서 DMDMS 공중합체의 loss tangent factor 그래프
도 5는 경화온도의 함수로서, 용매 없는 조건에서 제조된 DMDMS 10mol% 공중합체의 stroage moduli 및 loss tangent factor의 그래프
도 6은 물에서의 DMDMS 의 크랙 속도를 보인 그래프
도 7은 DMDMS 공중합체의 경도 그래프
도 8은 DMDMS 공중합체의 탄성 모듈
도 9는 1 MHz에서 DMDMS의 박막의 유전상수를 보인 표
도 10은 1 MHz에서 기공형성제를 처리한 DMDMS의 박막의 유전상수를 보인 표
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란과, 디메틸디메톡시실란으로 이루어진 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료를 제공한다.
또한, 상기 공중합체에서 상기 디메틸디메톡시실란의 비율이 10-30mol%인 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료를 더욱 제공한다.
또한, 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란이 용해된 MIBK 또는 THF 용매에 R1 = 0.02-0.04, R2 = 1.0-10.0이 되도록 HCl 용액 및 증류수를 주입한 다음, 디메틸디메톡시실란을 적가하고 약 50-70℃로 유지한 후, 용매 및 HCl 촉매를 제거함으로써 상기한 저유전성 절연재료를 제조하는 방법을 더욱 제공한다. {단, R1 은 HCl의 몰수(mol number)/총 실란 화합물의 몰 수이고, R2는 H20 몰수/총 실란 화합물의 몰수이다}
또한, 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란에 R1 = 0.01-0.03, R2 = 1.0-10.0 이 되도록 HCl 용액 및 증류수를 주입한 다음, 디메틸디메톡시실란을 적가하고 0℃ 이하로 유지한 후, 용매 및 HCl 촉매를 제거하는 것을 포함하는,상기한 저유전성 절연재료를 제조하는 방법을 더욱 제공한다. {단, R1 은 HCl의 몰수(mol number)/총 실란 화합물의 몰 수이고, R2는 HCl 몰수/총 실란 화합물의 몰수이다}
또한, 상기한 절연재료에 기공형성제를 혼합한 후 기판에 회전코팅하여 소정 두께의 박막을 만들고, 상기 박막을 열처리한 다음, 질소 또는 진공에서 서서히 온도를 상승시켜 탈수축합반응을 함으로써 나노기공을 형성시키는 것을 특징으로 하는 저유전성 절연막의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 저유전성 절연막을 더욱 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 공중합체의 원료가 되는 단량체는 MTMS (methyltrimethoxysilane) 및 DMDMS(dimethyldimethoxysilane)로서, 이들 재료들은 모두 Lancaster Synthesis Ltd.로부터 구입가능하다. 또한, MTMS는 MTES(methyltriethoxysilane)로 대체하거나 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 공중합체를 제조하는 중합방법으로는 용액을 사용한 방법 또는 용액을 사용하지 않는 방법이 사용될 수 있다.
우선 용매를 사용하는 방법을 설명한다. 용매로서는 MIBK 또는 THF가 일반적으로 선택된다. 이들 중에서 선택된 용매하에 약 50- 70℃ 정도에서 MTMS 및/또는 MTES 단량체를 용해시킨다. 그 다음, HCl 및 증류수를 적절히 첨가함으로써, HCl 몰 수/총 실란 화합물 몰 수(이하, R1) 및 H2O 몰 수/총 실란 화합물 몰 수(이하, R2)가 각각 0.02-0.04 및 1.0-10.0의 범위가 되도록 조절한 후, 상기 단량체 용액에 DMDMS를 10-30mol%의 범위내로 실온에서 적가한다. 이 때, 상기 단량체의 적가는 서서히 이루어지도록 하고, 용액 온도가 약 50-70℃가 되도록 반응을 유지시킨다.
이 경우, R1 및 R2의 의의를 살펴보면, R1은 HCl의 양, 즉 중합개시반응의 촉매의 양으로서, 분자량을 조절하기 위한 인자이다. 반도체 절연막 제조공정에 적합한, 두께가 일정하고 결함이 없는 박막을 형성하기 위해서는 박막재료가 되는 공중합체의 질량평균분자량이 GPC 상에서(폴리스틸렌 표준을 기준으로) 10,000 이상이 되어야 하는 바, 상기 R1의 범위는 이러한 관점에서 결정된 것이다.
또한, R2는 역시 분자량의 조절인자로서 작용할 뿐 아니라, 그 외 남아있는 작용 말단기의 양(즉, -OH 작용기)을 조절하는 인자로 작용한다. 생성 공중합체에 남아 있는 -OH 작용기의 양은 최종 박막에 있어서 매우 중요한 역할을 한다. 즉, -OH 작용기는 박막 형성시 첨가되는 기공형성제가 잘 혼합되도록 하는 작용 및 스핀 코팅 후 열처리에 의한 탈수축합반응시 전체 필름을 가교화하는 작용을 한다.
이 때, 기공형성제는 상기 탈수축합반응에 참여하지 못하므로 따로 밀려나면서 자기들끼리 수 나노메타 크기의 상분리를 유도한다. 그런데, 박막 재료인 공중합체와 기공 형성제간의 상호작용이 좋지 않게 되는 경우에는 상분리가 크게 일어나면서 수십 나노메타에서 수 마이크론에 이르는 커다란 기공을 형성하여 반도체 소자에서 요구되는 저유전성을 갖지 못하게 된다. 이는, 기공의 크기가 너무 크게 되면, 기계적 물성이 떨어지고, 기공들 간의 접합에 의해 소위 채널 형태의 개방기공(open pore)가 형성되어 두 전극 사이를 절연시키지 못하고 접촉시키는 문제가 일어난다.
R1 및 R2 수치를 상기한 범위로 결정한 것은 상기한 점을 고려한 것으로서, 이로서 생성된 공중합체의 박막형성단계에서 발생될 수 있는 결함을 미리 방지할 수 있게 된다.
최종 생성되는 공중합체는 이후에 용매에 녹여 스핀코팅에 의해 박막을 만들기 위한 것으로서, 분자량의 조절은 생성 공중합체의 용해도와 이후 생성되는 박막의 상태에 영향을 미치게 되고, 작용 말단기의 양은 기공형성제와의 혼합정도 및 상호작용을 결정하는 요인이 된다.
상기 혼합용액에서는 가수분해 반응 및 축합반응이 일어나고, 이로서, 디메틸디메톡시실란을 코모노머로 하는 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체가 생성되게된다.
공중합체 생성이 완료되면, 과량의 용매를 첨가하여 녹지 않는 소량의 겔 성분을 필터제거한 후, 수세하여 HCl 촉매를 제거하고, 진공하에 용매를 제거함으로써 공중합체가 얻어지게 된다. 얻어진 공중합체는 저온(0-4℃)에서 고체 또는 용액상태이며, 특히 용액 상태에서 더욱 우수한 보존 안정성을 가진다.
한편, 용매를 사용하지 않는 중합방법은 상기 방법과 거의 유사하나, 다만 중합반응 온도를 약 0℃이하의 저온으로 선택하는 점에서 차이가 있다. 용매를 사용하지 않는 중합법의 경우, 얻어지는 공중합체가 보다 많은 -OH 작용기를 가지는 되어 과량의 기공 형성제와 훨씬 잘 혼합될 수 있고, 결국 유전상수를 더 낮출 수있는 공중합체가 얻어지게 된다. 온도를 0℃ 이상으로 할 경우 반응이 너무 빠르게 진행되어 녹지 않는 가교(gel) 고분자가 만들어지게 되고, R1값이 위의 범위 값보다 커지게 되면 촉매의 양이 너무 많아지게 되어 재현성 있게 분자량을 조절하기가 힘들어지게 된다. R2의 경우는 값이 작을수록 남아있는 -OH의 양이 적어지고 값이 클수록 -OH의 양이 많아지게 된다.
상기한 두가지 방법에 의해 제조된 공중합체를 이용한 다공성 박막 제조공정을 설명하면 다음과 같다.
미리 표면처리한 Si-웨이퍼에 준비된 농도의 공중합체 용액을 필터(예:0.2㎛ 필터)로 거르면서 바로 떨어뜨린 후, 스핀-코터의 회전수(rpm)을 변화시켜 원하는 두께의 박막을 만든다. 준비된 박막을 90-220℃ 공기 중에서 열처리하여 남아 있는 용매를 날린 후, 질소나 진공에서 서서히 온도를 상승시켜 2차 탈수 축합반응을 시키고, 온도를 380-450℃로 상승시켜 나노메타 크기로 상분리된 기공형성제들이 열분해 시킴으로써, 그 자리에 기공을 형성시키는 것이다. 이 때, 상기 열처리 과정은 반드시 진공이나 질소 대기하에서 이루어져야 한다. 그렇지 않고 산소 존재하에서 가열되면 Si-C 결합이 산화되면서 완전히 SiO2상태의 다공성 실리카가 만들어져 기계적 물성이 나빠지게 되기 때문이다.
실시예 1
1. 용액를 사용하여 MTMS+DMDMS 공중합체를 제조한 예
질소대기의 글로브 상자(globe box) 속에서 100 mL 2-neck RBF(round bottomflask)에, 10.0 mL의 MIBK용매와, MTMS 단량체(DMDMS 10 mol% 공중합체의 경우 6.866 g, 0.050 mol; DMDMS 20 mol% 공중합체의 경우 6.102 g, 0.045 mol; DMDMS 30 mol% 공중합체의 경우 5.338 g, 0.039 mol)를 각각 넣고, 적하 깔때기(dropping funnel)에 DMDMS 단량체를 MTMS에 비해 10-30 mol%가 되도록(DMDMS 10 mol% 공중합체의 경우 0.673 g, 0.0055 mol; DMDMS 20 mol% 공중합체의 경우 1.346 g, 0.0120 mol; DMDMS 30 mol% 공중합체의 경우 2.018 g, 0.0168 mol) 준비한 다음, 글로브 상자 밖으로 꺼내어 질소분위기에서 반응 준비를 한다.
정해진 R1= 0.03, R2= 2.7에 따라 0.2M HCl 용액과 증류수 양을 함께 준비한 다음 실온에서 MTMS 단량체 용액에 적가한다. 그 다음 DMDMS 단량체를 30분에 걸쳐 천천히 적가해 주면서 온도를 60℃로 유지하여 반응을 진행시킨다. 6시간동안 반응시킨 후 과량을 MIBK 용매를 첨가하고, 녹지 않는 소량의 gel 성분을 필터하여 제거한다. 그 다음 HCl 촉매를 제거하기 위해 분별 깔대기(separatory funnel)에서 촉매가 완전히 제거될 때까지 과량의 물로 씻어준다. 회전 증발기(Rotary evaporator)에서 용매의 대부분을 제거한 후 진공하에서 모든 용매를 완전히 제거하여 product를 얻는다. 이때 얻어지는 산물의 양은 축합반응이 진행되는 정도에 따라 질량이 변화되기 때문에 정확한 수율을 정하기가 곤란하지만, 얻어지는 양은 완전히 축합이 일어났다고 가정하여 계산된 질량보다 약간 (약 5-10%) 더 무거운 것으로 보아 사용된 단량체들이 모두 공중합체로 얻어졌다고 판단된다.
이 방법을 통해 분자량을 변화시키면서 공중합체를 얻을 수 있는데, DMDMS단량체의 양이 늘어날 수록 생성물의 상태가 소프트하게 된다. 즉, 10mol% 공중합체의 경우 고형(solid)이고 20mol%는 반 고형(semi-solid), 30mol% 의 경우 점성(viscous liquid) 상태를 띤다.
실제 공정조건에 적합한 두께가 일정하고 결함이 보이지 않는 박막을 형성하기 위해서는 얻어지는 공중합체의 질량평균 분자량이 GPC 상에서(polystyrene standard를 기준으로 비교) 10,000 이상이 되어야 한다는 실험적인 결과에 따라 분자량이 이 정도의 값을 가지도록 R1과 R2값을 변화시켜 R1= 0.03, R2= 2.7인 반응조건을 최적조건으로 설정하였고, 또한 공중합 단량체양의 영향을 알아보기 위해 공중합 단량체의 양을 10 mol%부터 30 mol%까지 변화시켰다. 같은 조건에서 공중합 단량체양에 따른 분자량의 영향을 도 1에 나타내었다.
또한29Si-NMR 실험을 통하여 20 ppm 에서 나타나는 (CH3)2Si 기를 확인하여 반응에 사용된 DMDMS 공중합 단량체의 양이 늘어날수록 반응 후 얻어진 공중합체 물질에 포함된 DMDMS 공중합 단량체 부분이 늘어나는 것을 확인할 수 있었다.
2. 용액를 사용하지 않는 MTMS와 DMDMS 공중합체 제조
생성되는 공중합체 내에 존재하는 극성의 -OH 작용기의 양을 증가시켜 보다 많은 양의 기공형성제와 혼합이 잘 되도록 하기 위하여, 용매 없이 R1과 R2(R1: 0.01-0.03 , R2: 1.0 -10.0)를 변화시키고, 공중합 단량체 양을 변화시키며 0℃에서 가수분해반응과 축합반응을 진행시켰다.
3, 생성 공중합체의 2차 경화온도범위의 측정
합성된 각 물질은 회전코팅 후 430℃까지 열 처리 하게 되는데, 이 과정 중에 다시 2차 경화가 일어나 열처리 후 박막의 물성이 열처리 전 물질의 미세구조의 차이에 따라 달라지게 된다. 또한 나노기공이 생성되는 데 있어서 2차 경화 온도 범위가 매우 중요하게 작용한다. 따라서 공중합 단량체의 양이 변화함에 따라 물질의 열적 거동이 달라지게 되고 또한 박막으로 만들어 경화시키고 난 후의 기계적 물성도 달라지게 될 것이다. 이를 체계적으로 알아보기 위해 Dynamic Mechanical Analyzer (DMA) 실험을 통해 각 각 공중합체의 유리전이 온도를 알아보고 2차 경화 온도 범위를 분석해보았다. DMDMS 공중합체의 경우 단일중합체와 마찬가지로 모두 200℃ 정도에서부터 시작되는 것이 관찰되었다(도 3).
물질들의 분자량은 대략 20,000 정도로 나타나지만 공중합 단량체의 양이 늘어날수록 고분자내 선형 부분이 늘어남에 따라 유리전이온도(Glass transition temperature, Tg)는 감소하게 됨이 DMA 실험에서 관찰되었다. (도 4) 즉, Tg값이 DMDMS 10 mol% 공중합체는 90℃. DMDMS 20 mol% 공중합체는 45℃, 그리고 DMDMS의 양이 가장 많이 포함된 DMDMS 30 mol% 공중합체는 20℃로 측정되었다.
나노기공을 형성시키기 위한 기공형성제(porogen)로 사용한 폴리카프로락톤 계열의 물질은 통상적으로 말단기에 하이드록실기를 포함하고 있어 공중합체가 하이드록실기를 많이 가지고 있어야 고르게 분포되게 되고 결과적으로 작은 크기의 기공을 형성시킬 수 있다. 또한 나노기공을 잘 형성하기 위해서는 공중합체와 함께열처리 시 2차경화가 기공형성물질이 분해되기 전에 충분히 진행되어 박막전체의 구조가 경화되어야 한다.
따라서 DMA를 통해 용매 없이 합성된 DMDMS 10 mol% 공중합체의 특성을 살펴보면, 도 5 에서 보는 바와 같이 45℃의 Tg를 가지고 경화온도 범위는 용매를 사용하여 합성한 경우(200℃)보다 훨씬 낮은 약 100-120℃에서 2차 경화가 시작되어 결과적으로 작은 크기의 기공을 형성하므로 열처리 후에도 필름의 표면이 투명하고 유전상수가 낮추게 될 것으로 판단되었다.
4. 2차경화된 공중합체의 박막의 크랙전파속도 측정
앞에서 언급한 바와 같이 저유전물질로 쓰이기 위해서는 낮은 유전상수 이외에도 반도체공정에 견딜 수 있는 강도, 탄성율, 그리고 낮은 크랙전파속도가 요구된다. 실제 반도체 공정에서는 공정단계 중 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching : RIE), 화학적 기계적 평탄화(Chemical Mechanical Planarization : CMP) 등의 단계에서 저유전 박막이 날카로운 팁 등에 의해 손상을 받을 수 있고 또한 수분과 접촉하는 단계가 많기 때문에 박막이 실제 공정에 적용되려면 물 속에서 크랙전파속도가 약 10-11ms-1을 만족시켜야 한다고 알려져 있다. 이러한 이유로 물 속에서 인위적으로 크랙을 개시시켜서 그 전파 속도를 점검해서 약 10-11m/s 이하의 속도가 관찰되어야 실제 사용이 가능하다고 판단한다.
크랙실험은 한가지 sample에 대하여 최소 4가지 이상의 두께로 박막을 준비한 후, 마이크로빅터(Microvickers)라는 기계를 이용하여 일정한 힘으로 충격을 주어 하나의 박막 당 최소 6개 이상의 크랙을 개시시킨다. 그후 이 크랙이 공기와 물 속에서 진행되어 나가는 속도를 관찰하고 이 값들의 평균을 구한다. 그리고 이를 최소 2번 이상 반복하여 각각의 평균값을 다시 평균 내어 값을 얻는다.
이러한 방법에 따라서 합성된 각각의 DMDMS 공중합체 박막을 열처리 후 크랙전파속도를 측정 비교하였다. 크랙전파속도는 박막의 두께와 습도에 비례하여 증가하므로 두께가 다른 박막에 마이크로빅커를 이용하여 크랙을 개시시키고 이를 물 속에서 관찰하여 보았다. 단일중합체의 경우 물 속에서의 크랙전파속도를 기존의 문헌값과 비교하였다.(도 6)
본 실험에 의하면, 기존의 상용화된 PMSSQ의 경우에 박막 두께 800 nm에서 크랙전파속도가 약 10-8ms-1로 문헌에 보고되어 있는 반면, 새롭게 합성된 DMDMS 공중합체의 경우에는 1,000 ~ 1,100 nm에서 이보다 훨씬 낮은 크랙전파속도 값을 만족시키고 있다. 이로써, 본 발명에 의해 합성된 공중합체 박막의 경우, 동일한 두께를 가지는 기존의 PMSSQ 단일중합체 박막과 비교할 때 훨씬 낮은 크랙속도를 가지는 것이 확인할 수 있고, 이 값은 반도체 공정에서 요구되는 1,000 nm 두께에서 10-11ms-1이하의 수중 크랙전파속도를 충분히 만족시키는 것으로 아주 획기적으로 향상된 물성이 확인되었다.
5. 2차경화된 공중합체의 경도 및 탄성율 측정
CMP 등과 같은 격렬한 공정에 견딜 수 있는지의 여부를 알아보기 위해 나노인덴터(Nanoindentor)로 물질의 경도(Hardness)와 탄성율 (Elastic Modulus)를 측정해 보았다. (도 7, 8) 그 결과 기존의 상용화된 PMSSQ 단일중합체(H; ∼0.6 GPa, E; ∼1.2 GPa)와 비교할 때, 경도와 탄성율 측면에서 성능이 뒤떨어지지 않고 약간의 향상된 값을 가지는 것이 확인되었다.
6. 전기적 특성 분석시험
마지막으로 제일 중요한 성질인 DMDMS 공중합체 자체의 박막들과 기공형성제를 첨가하여 나노기공을 형성시킨 공중합체 박막들의 유전상수에 대하여 조사하였다. 본 발명에서 제조된 DMDMS 공중합체를 MIBK에 20 wt% 가 되도록 녹인 전구체 용액을 제조한 후 2500 rpm 에서 30초 동안 스핀 코팅하여 박막을 제조하였으며 박막의 두께는 Ellipsometer로 측정한 결과 대략 400 ?? 500 nm 이었다. 430℃까지 열처리하여 경화된 DMDMS 공중합체 박막의 전기적 특성을 조사하기 위하여 박막상하에 알루미늄 전극을 진공 증착하였다. 알루미늄 전극은 지름 5 mm, 압력이 10-5torr 이하, 증발속도는 0.5 nm/sec 이하의 조건에서 증착하여 100 nm 내외의 균일한 두께의 전극을 얻었다.
DMDMS 박막의 전기적인 특성조사는 MIM (Metal-Insulator-Metal) 및 MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) 구조로 Impedance Analyzer (HP4194A) 을 이용하여 유전상수를 측정하였으며 MIS의 경우에는 C-V (Capacitance-Voltage) 곡선의 최대 capacitance값으로부터 유전상수를 계산하였다(도 9).
이 결과를 살펴보면 기존의 PMSSQ 단일중합체의 2.7 ~ 2.9 에 비해 낮아진 것을 볼 수 있으며 이는 공중합 단량체에 CH3- 작용기가 하나 더 포함됨에 따라 가교결합을 하지 않은 결합이 더 늘어나고 이에 따라 전체 밀도가 감소한 것으로 판단된다.
용매를 사용하지 않고 합성된 DMDMS 10 mol% 공중합체의 경우는 충분히 많은 양의 -OH 작용기를 가지고 있어서, 10-30 vol%의 기공형성제를 함께 넣어준 후 박막을 만들고 열처리하여 나노기공을 포함하는 박막을 생성시킬 수 있었다. 이 경우 기공형성제를 30 vol% 섞었을 때까지 박막 표면에 어떤 결함도 관찰되지 않았으며 두께와 기공의 형성은 엘립소메트리(Ellipsometry : 독일 Gartner사 제품, 모델명 L2W16C830)로 정밀하게 측정되었다. 도 10에 정리된 것과 같이 섞어준 기공형성제의 양이 증가할수록 기공율이 증가하는 것을 볼 수 있었고 예상한대로 나노 기공의 함유량에 따라 박막의 유전율이 감소하여 최소 1.98의 값을 측정하였다.
이제까지 설명한 바와 같이, 본 발명은 공중합 단량체로서 DMDMS를 사용한 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체를 제공하고 있는 바, 이 공중합체를 이용한 절연막은 낮은 크랙전파속도 및 저유전상수를 가짐으로써, 차세대 반도체 산업에서 요구에 대응하는 특성을 가지는 장점이 있다.

Claims (6)

  1. 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란과, 디메틸디메톡시실란으로 이루어진 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공중합체에서 상기 디메틸디메톡시실란의 비율이 10-30mol%인 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료.
  3. 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란이 용해된 MIBK 또는 THF 용매에 R1{HCl의 몰수(mol number)/총 실란 화합물의 몰 수} = 0.02-0.04, R2{H20 몰수/총 실란 화합물의 몰수} = 1.0-10.0이 되도록 HCl 용액 및 증류수를 주입한 다음, 디메틸디메톡시실란을 적가하고 약 50-70℃로 유지한 후, 용매 및 HCl 촉매를 제거하는 것을 포함하는, 제1항 또는 제2항의 저유전성 절연재료를 제조하는 방법.
  4. 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란에 R1{HCl의 몰수(mol number)/총 실란 화합물의 몰 수} = 0.01-0.03, R2{H20 몰수/총 실란 화합물의 몰수} = 1.0-10.0 이 되도록 HCl 용액 및 증류수를 주입한 다음, 디메틸디메톡시실란을 적가하고 0℃ 이하로 유지한 후, 용매 및 HCl 촉매를 제거하는 것을 포함하는, 제1항 또는 제2항의 저유전성 절연재료를 제조하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항의 절연재료에 기공형성제를 혼합한 후 기판에 회전코팅하여 소정 두께의 박막을 만들고, 상기 박막을 열처리한 다음, 질소 또는 진공에서 서서히 온도를 상승시켜 탈수축합반응을 함으로써 나노기공을 형성시키는 것을 특징으로 하는 저유전성 절연막의 제조방법.
  6. 제5항의 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 저유전성 절연막.
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