JP2002515657A - 金属を用いた基板の被覆方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 プリント回路基盤の製造において、特に、伝導性ポリマー層を設け、次いで金属被覆を行うことにより顕微鏡でしか見えない穴及び微細な形状を有するプリント回路基盤の製造において、ポリマー表面を有する基板を金属を用いて被覆するための方法であって、伝導性ポリマー層が金属被覆段階の前に、好ましくは亜鉛含有コロイダルパラジウム溶液によってドープ処理され、電気伝導性ポリマーがポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェンであり、且つ金属被覆の前に銅（ＩＩ）塩溶液との接触が行われる方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、プリント回路基盤(printed circuit boards)の製造において、特に
、伝導性ポリマー層を設け、次いで金属被覆(metallization)を行うことにより
顕微鏡でしか見えない(microscopic)穴及び微細な形状を有するプリント回路基
盤の製造において、ポリマー表面を有する基板を金属を用いて被覆するための方
法であって、伝導性ポリマー層が金属被覆段階の前に、好ましくは亜鉛含有コロ
イダルパラジウム溶液によってドープ処理される方法に関する。特に、顕微鏡で
しか見えない穴及び微細な形状を有するプリント回路基盤は、いわゆるメッキ(b
uild-up)技術によって製造される。一般に、この技術において両表面上に仕上げ
処理を施された回路は、芯として用いられ、そして従来技術により、例えば、写
真平版技術又はレーザーによって顕微鏡でしか見えない穴が作られたポリマーに
より被覆され、いわゆるブラインドバイアス(blind vias)のような前記顕微鏡で
しか見えない穴によって、ほぼ伝導体の水準に達する。

【０００２】 次いで、DE A 195 02 988記載の従来技術によって、ポリマーの表面パターニ
ング(surface patterning)、Pdの種付け(seeding)、及び銅の無電解析出による
回路全体(complete circuit)の表面金属被覆が行われる。“化学的な”銅層は、
任意に電気分解によって(electrolytically)補強される。

【０００３】 追加の操作段階において、適当な伝導体の経路(runs)を有する伝導体パターン
が形成される。この工程を何度か繰り返すことによって、より多くの層を有する
多層を形成することができる。それ故、この方法は、逐次メッキ(sequential bu
ild up)と呼ばれる。

【０００４】 真性(intrinsically)伝導性ポリマーに基づくプリント回路基盤におけるバイ
アホール(via holes)の形成（即ち、穴あき壁(bore walls)の金属被覆）のため
の方法は、DE 38 06 884に記載されている。基板は酸化溶液中で前処理され、す
すぎ洗いされ、その後ピロール、フラン、チオフェン、及び／又はそれらの誘導
体の水溶液中に浸漬され、そして酸性溶液中で後処理が行われる。この方法にお
いて、真性伝導性ポリマー膜が、非伝導性表面（ポリマー、ガラス等）上に選択
的に形成され、その後直流電気によって(galvanically)金属が被覆される。

【０００５】 穴あき壁の金属被覆において、プリント回路基盤の厚さに相当する距離を埋め
なければならない(bridged)。一般に、４ｍｍを超える距離が金属で被覆されな
ければならないことはごく稀であろう。真性伝導性ポリマーの伝導度は、数分以
内に金属被覆を完成するのに一般には十分であろう。前記ポリマー上での銅の横
方向成長(lateral growth)は、ポリマーの種類によって０．１〜２．５ｍｍ／分
の間で変化するであろう。そのような成長値ならば、０．２ｍ²までの−任意に
その値を超える−表面を有するプリント回路基盤全体の表面金属被覆を行うこと
は不可能であり、又は層厚の分布が非常に小さい場合に長時間かけた後にだけ達
成することができる。そのようなプリント回路基盤は、技術的要求に全く適合し
ない。従って、そのような真性伝導性ポリマーの伝導度を明らかに増加させるこ
と及び前記ポリマー膜上での横方向の金属成長を著しく増加させることが必要と
されるであろう。

【０００６】 DE 195 02 988に、上記課題を解決する方法が記載されている。DE 38 06 884
に記載の方法によれば、電気伝導性ポリマーを含有する基板ポリマーが最初に設
けられる。直流電気による金属被覆の前に、金属イオン含有水溶液中で、好まし
くは錫含有コロイダルパラジウム溶液中で処理される。この段階において、真性
伝導性ポリマーは、追加でドープ処理される。これにより、伝導度の向上、中で
も横方向成長を増加させることができる。例えば、ポリ−３，４−エチレンジオ
キシチオフェンの場合、５ｍｍ／分までの金属成長値を実現することができる。
しかし、これらの値もまた、表面金属被覆のためにはまだ不十分である。基板ポ
リマーへの伝導性ポリマーの接着は、不十分である。即ち、伝導性ポリマー膜は
、基板ポリマーへ強固に接着するように設けなければならない。このために、少
なくとも５Ｎ／ｃｍ、好ましくは１０Ｎ／ｃｍの接着強度値が必要とされるであ
ろう。

【０００７】 従って、本発明の目的は、伝導性ポリマー膜のポリマー基板への十分な接着を
提供すること、そして中でも銅の横方向成長を更に増加させることである。

【０００８】 前記目的は、金属被覆前に銅（ＩＩ）塩溶液と接触させることによって達成さ
れる。好ましくは、基板表面は電気伝導性ポリマー層を設ける前に少なくとも１
回下記の段階に付される。 ａ）水性濾過液、有機溶剤、又はアルカリ溶剤による膨潤； ｂ）アルカリ過マンガン酸塩溶液による処理；及び ｃ）還元剤による処理

【０００９】 このために、基板表面にまずパターンを付ける。これは、段階ａ）において膨
潤剤、適当な溶剤の混合物による処理によって、及び水酸化ナトリウム又はカリ
ウム溶液によって行われる。次いで、この方法で前処理された基板ポリマーの表
面に、アルカリ過マンガン酸塩水溶液中で更にパターンを付ける。この段階にお
いて、接触しているポリマーの接着性を向上させるために、表面全体にできるだ
け均一に点在させた数μｍ以下の直径を有するできるだけ沢山のくぼみを形成し
なければならない。このような膨潤剤及びアルカリ過マンガン酸塩溶液は、例え
ばいわゆる多層非粘性法(multilayer desmear process)からのものが知られてい
るが、これらの段階によって、伝導性ポリマー層の接着強度を著しく向上させる
ことができることは知られていない。

【００１０】 適当な表面パターニングを達成するために、基板ポリマーに応じて膨潤及び過
マンガン酸塩処理工程を数回行うことが有用である。この工程の最終段階が、過
マンガン酸塩処理の残留物、いわゆる二酸化マンガンを還元し、これにより表面
を再度残留物のない状態にする還元工程である場合もある。特に、Ｈ₂Ｏ₂が還元
剤として特に有効であることが判明した。

【００１１】 本発明の方法を実施する場合、任意に若しくは更に好ましくはアルカリ水酸化
物が添加された溶剤又は溶剤混合物を用いて基板ポリマーの膨潤が行われる。そ
の後、アルカリ過マンガン酸塩溶液による処理が続いて行われる。これらの処理
の結果、基板ポリマーに均一な凹凸付け(roughening)及びパターニングが行われ
、かつその後設けられるべき伝導性ポリマー層の良好な接着が保証される。

【００１２】 ポリマー基板に化学的処理の前に機械的前処理が施される場合に特に良好な接
着強度値が得られることが判明した。このブラッシング(brushing)のためには、
サンドブラスト(sandblasting)が、又は好ましくは軽石粉による処理もまた適し
ており、後者の方法は、“軽石ブラッシング(pumice brushing)”又は“軽石ブ
ラスト(pumice blasting)”として知られている。この方法によって接着強度を
約３０〜４０％更に増加させることができる。

【００１３】 伝導性ポリマー層の形成は、原則としてDE 38 06 884に記載されているように
行われる。

【００１４】 本発明により前処理された表面及びパターニングされたものは、酸化浴、好ま
しくは、１〜１４、好ましくは約５〜８の範囲内のｐＨを有する過マンガン酸カ
リウム溶液中で初めに前処理される。形成されるべきポリマー膜の接着力を向上
させるために、酸化段階の前に、DE-A-42 05 190中の説明に記載のいわゆるコン
ディショナー(conditioner)中への浸漬が行われることもある。

【００１５】 その後、すすぎ洗いを行い、そして３，４−エチレンジオキシチオフェンのモ
ノマー溶液中へ基板を浸漬する。次いで、モノマーで被覆された基板を挿入前に
すすぎ洗いをせずに酸溶液中へ挿入し、酸溶液中で酸化重合によって伝導性膜が
形成される。酸化剤として過マンガン酸カリウムを用いる場合は、第一段階にお
いて、ポリマーで満たされており(polymer-impregnated)、かつ上記酸化溶液中
で酸化剤として作用する二酸化マンガン層が、基板ポリマーとＫＭｎＯ₄との反
応生成物として形成される。

【００１６】 酸としては、硫酸、燐酸又はスルホン酸が好ましくは使用される。特に好まし
いものは、例えばポリ燐酸又は高分子スルホン酸である。ポリスチレンスルホン
酸又はその塩類が、本発明の特に好ましい態様において使用される。

【００１７】 使用するパラメーター、中でも使用される酸及び使用されるモノマー化合物に
より、このように形成された伝導性ポリマー層の電気抵抗は、一般には約５〜５
００ｋΩである。ここで、抵抗はプリント回路基盤中の穴(bore)を通して測定さ
れる。この測定において、板厚ｄ＝１．６ｍｍであり、穴の直径は１．０ｍｍで
ある。

【００１８】 ３，４−エチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を使用する
場合に最も低い抵抗値が得られる。

【００１９】 銅の横方向成長は、より大きな表面の金属被覆に重大な影響を及ぼす。３，４
−エチレンジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸を使用する場合、３
．０ｍｍ／分までの最適値が得られる。しかし、これは表面析出には十分ではな
い。そのため、本発明の方法によれば、銅の横方向成長を向上させるために、DE
A 195 02 998に記載の錫含有コロイダルパラジウム溶液を用いたドープ処理を
含む後処理が初めに行われる。

【００２０】 この目的のために、伝導性ポリマーで被覆された基板は、そのような金属含有
溶液中へ浸漬される。前記溶液は、コロイド安定剤として錫（ＩＩ）塩類を用い
るコロイダルパラジウム溶液である。長年に渡り、そのようなパラジウム“触媒
”はプラスチック基板の化学的金属被覆において活性化溶液として使用されてき
た。しかし、本発明により使用される溶液は、通常よりも、即ち約５０ｍｇ／リ
ットル〜数ｇ／リットルよりもパラジウム濃度が高くても良い。

【００２１】 この後処理によって、伝導性ポリマー膜は金属、即ちＰｄ及びＳｎ²⁺によって
被覆される。すすぎ洗い工程に続いて、この方法で被覆された板を、任意に錯化
剤、安定剤及びｐＨ調整剤を含有する銅（ＩＩ）塩溶液に浸漬する。この工程中
に、イオン交換によって伝導性ポリマー膜上に銅の析出が生じるようである。こ
の結果、電気抵抗が低下するだけでなく銅の横方向成長が向上される。本発明の
伝導性ポリマー、金属ドープ処理及び銅（ＩＩ）塩溶液との接触の組み合わせに
よって、銅の横方向成長は２．５ｍｍ／分から４０ｍｍ／分以上まで増加される
。これにより、その後の電解金属被覆、例えば、基板の表面上に均一に金属を分
散させ十分に短い時間内により広い表面にも銅メッキを施すこと、及び良好な接
着が可能になる。

【００２２】 恐らく、金属を更に混合することにより、金属被覆中の初期形成(formation o
f germs)が明らかに早く進行するので、横方向成長がより早く行える。

【００２３】 本発明の方法は好ましくは以下の通りである； １．膨潤 Ｔ：４０−８５℃ ｔ：０．５−１５分 すすぎ洗い ２．アルカリＫＭｎＯ₄ Ｔ：６０−９５℃ ｔ：１−３０分 すすぎ洗い ３．還元 Ｔ：２０−４５℃ ｔ：０．２−５分 すすぎ洗い 本方法は必要であれば任意に数回、全工程を又は部分的に繰り返すこともでき
る。

【００２４】 ４．コンディショナー Ｔ：２０−６０℃ ｔ：０．１−５分 すすぎ洗い ５．ＫＭｎＯ₄（ｐＨ１−１４） Ｔ：５０−９５℃ ｔ：０．３−１０分 ６．すすぎ洗い すすぎ洗いは、任意に、水、硫酸（ｐＨ１−５）、水、弱アルカリ溶液（ｐＨ
７−９）、そして再度水を使用するシーケンス(sequence)で行うことができる。

【００２５】 ７．モノマー Ｔ：１０−４０℃ ｔ：０．３−７分 ８．酸 Ｔ：１０−４０℃ ｔ：０．３−１０分 ９．金属溶液I Ｔ:２０−７０℃ ｔ：０．２−１０分 （錫含有コロイダルパラジウム溶液） すすぎ洗い １０．金属溶液II Ｔ:２０−８０℃ ｔ：０．２−１０分 （銅（ＩＩ）塩溶液） すすぎ洗い １１．任意の乾燥又はアニーリング(annealing) １２．ピッキング(picking) Ｔ:２０−３０℃ ｔ：０．１−５分 （５−１０％酸） 任意のすすぎ洗い １３．電解金属被覆 一般には、金属被覆は設備の設計（水平であるか又は垂直であるか）に応じて
、所望の金属層が確実に析出されるまでずっと、約０．５〜１０Ａ／ｄｍ²の電
流密度で行われる。 すすぎ洗い １４．乾燥 １５．アニーリング このように処理されたポリマー基板は、大きなシート状構造（例えば、４０５
×５３５ｍｍの寸法を有するプリント回路基盤）上に均一な、接着強度の高い金
属被覆を有する。

【００２６】 段階７と８を任意に組み合わせることもできる。その操作は好ましくは水平に
行われる。

【００２７】 この方法は、以下の実施例において更に詳細に説明される。

【００２８】

【実施例】 全実験は、金属被覆が施された２種類の異なるポリマー基板を用いて行われた
。しかし、本発明の方法は、これらのポリマー基板には限定されない。 ポリマーＡ：エポキシポリマー（標準のＦＲ−４ベース材料） ポリマーＢ：エポキシポリマー（プロベレック（Probelec）（登録商標） ＸＢ
７０８１、光誘電体(photodielectric)）；プロベレック(登録商標)は、チバ・
スペシャリティー・ケミカルズ社(Ciba Speciality Chemicals Inc.)の登録商標
である。）

【００２９】 使用される基板の寸法を、実験の目的によって変化させた。 銅の横方向成長：３５×１００ｍｍ 接着強度：３５×１００ｍｍ 金属ドープ処理：０．５ｄｍ²の表面 と規定した。

【００３０】 Ｉ．ポリマー基板のパターニング 基板の各部分をわずかに攪拌しながら後述の浸漬工程において処理した。次の
操作段階もまた、浸漬工程において行われた。特記すべきことは、本発明の方法
は、垂直又は水平連続系のいずれにおいても同様に首尾よく行うことができると
いうことである。直流電気による金属被覆にも同様に適用する。一般に、処理時
間は流速(flooding parameters)によって明らかに短縮される。

【００３１】 更に、本発明の方法は、製造を好ましくは連続系において行うべきである。本
方法は、原則として浸漬又は連続系の設計には依存しないので、浸漬工程のみを
以下に記載する。

【００３２】 操作段階、濃度、温度、時間等及び下記の化学成分は、本発明を限定するもの
ではなく、単に好ましい態様を示すものである。

【００３３】ポリマーＡの前処理 １．膨潤 Ｔ：５５℃ ｔ＝１０分 （３３０ｍｌ／リットルＮ−メチルピロリドン及び１２ｇ／リットルＮａＯＨ水
溶液） ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ３．酸化 Ｔ：８０℃ ｔ＝１２分 （６５ｇ／リットルＫＭｎＯ₄及び４０ｇ／リットルＮａＯＨ水溶液） ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ３×１分毎 ５．還元 Ｔ：室温 ｔ：１分 （５０ｍｌ／リットルＨ₂Ｏ₂、３５％及び５０ｍｌ／リットルＨ₂ＳＯ₄水溶液） ６．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ７．乾燥

【００３４】ポリマーＢの前処理 １．膨潤 Ｔ：８０℃ ｔ＝１分 エンプレート(Enplate)ＭＬＢ ２０１０^* （NaOH添加混合溶媒） ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ:室温 ｔ＝５分 ３．酸化 Ｔ:８０℃ ｔ＝５分 （６０ｇ／リットルＫＭｎＯ₄及び４５ｇ／リットルＮａＯＨ水溶液） ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ｔ＝５分 ５．ポリマーＡに関する項目５に記載の還元 ６．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 好ましい態様では、段階３〜６を、段階３においてｔを８分に延長して繰り返
す。その後、乾燥操作を行う。 所望により本方法を数回繰り返すこともできる。

【００３５】 前処理工程の後、ポリマー基板は小さな表面のくぼみ（直径約１〜３μｍ）を
有する均一なパターンを有する。この方法でパターンを付された表面は、その後
設けられるべき伝導性ポリマーに対する良好な接着面を提供する。

【００３６】 ＩＩ．伝導性ポリマーによる被覆 伝導性ポリマー層としては、最も良い結果が得られるのでポリ−３，４−エチ
レンジオキシチオフェン（ポリＥＤＴ）が選択される。 全部で４種類の異なる工程シーケンスが試験された。

【００３７】シーケンス１ １．コンディショナー Ｔ：４０℃ ｔ＝１分 ブラソリットＶ(Blasolit V)^** （DE A 42-05 190に記載） ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ３．酸化 Ｔ：８０℃ ｔ＝２分 （７０ｇ／リットルＫＭｎＯ₄水溶液、希酸によりｐHを約７に調整する。） ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ３×１分毎 ５．モノマー溶液 Ｔ：室温 ｔ＝１分 ＤＭＳＥ、ＣＡＴ V−１０^** （約１．５ＥＤＴ含有） ６．酸 Ｔ：室温 ｔ＝１分 ６．１ ２０ｇ／リットルのポリスチレンスルホン酸水溶液 又は、 ６．２ １５０ｇ／リットルＨ₂ＳＯ₄含有水溶液 ７．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ８．乾燥^* エンソン−ＯＭＩ社(Enthone-OMI Inc.)の製品^** 独ブラスベルグエンソン−ＯＭＩ(Blasberg Enthone-OMI)の製品

【００３８】シーケンス２ 段階１〜４は、シーケンス１と同様である。しかし、伝導性ポリマー膜は単一
段階で作成される。 ５．重合溶液 Ｔ：室温 ｔ＝３分 （０．１２％ＥＤＴ、０．１５％乳化剤（例えばアリールポリグリコールエー
テル）及び０．４％ポリスチレンスルホン酸水溶液） ６．水中でのすすぎ洗い ７．乾燥

【００３９】シーケンス３ １．溶剤コンディショナー Ｔ：５５℃ ｔ＝８分 コンディソルブＨＰ(Condisolve HP)^** （DE A 42 05 190に記載） ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ３．酸化 Ｔ：７５℃ ｔ＝３分 （６０ｇ／リットルＫＭｎＯ₄及び４０ｇ／リットルＮａＯＨ水溶液。ＫＭｎ
Ｏ₄含有量は約１０〜２０ｇ／リットルに維持される。） ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ３×１分毎 ５．重合溶液 Ｔ：室温 ｔ＝３分 ５．１ シーケンス２に記載の重合溶液 ５．２ ０．３％ＥＤＴ、０．４％乳化剤及び６ｇ／リットル
ポリ燐酸水溶液 ６．水中でのすすぎ洗い ７．乾燥

【００４０】シーケンス４ １．溶剤コンディショナー Ｔ：５５℃ ｔ＝８分 コンディソルブＨＰ^** ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ３．酸化 Ｔ：８０℃ ｔ＝１０分 （シーケンス３の３を参照） 以降の段階に関してはシーケンス３を参照のこと。

【００４１】 ＩＩＩ．金属含有溶液による伝導性ポリマー層の後処理バリアント(variant)１（DE 195 02 988記載） １．８％HCｌ水溶液 Ｔ:室温 ｔ＝２分 ２．金属含有溶液Ｉ Ｔ：室温 ｔ＝５分 １ｇ／リットルパラジウム、２０ｇ／リットル塩化錫（ＩＩ）、及び８％Ｈ
Ｃｌ含有コロイダルＰｄ溶液 ３．８％ＨＣｌ水溶液 Ｔ：室温 ｔ＝２分 ４．水中でのすすぎ洗い ５．乾燥

【００４２】バリアント２ １．金属含有溶液Ｉ Ｔ：４５℃ ｔ＝４分 ＡＢＣ８８８Ｍ^*** （約３００ｍｇ／リットルＰｄ含有コロイダルＰｄ溶液；コロイド安定剤：塩
化錫（ＩＩ）） ２．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ３．促進(accelerating) Ｔ：４５℃ ｔ＝１分 ＡＢＳ５８０Ｓ^*** ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ５．乾燥

【００４３】バリアント３ １．金属含有溶液I Ｔ：４５℃ ｔ＝４分 ＡＢＣ８８８Ｍ^*** （上記参照） ２．すすぎ洗い ３．金属含有溶液II Ｔ:６３℃ ｔ＝５分 （５ｇ／リットルＣｕＳＯ₄×５Ｈ₂Ｏ、５０ｇ／リットルＮａ₂ＣＯ₃、５０ｇ
／リットルＮａＯＨ、３０ｇ／リットル酒石酸カリウムナトリウム水溶液） ４．水中でのすすぎ洗い Ｔ：室温 ２×１分毎 ５．乾燥

【００４４】 記載の濃度、時間、温度、及び化学成分は本発明の方法の範囲を限定するもの
ではなく、単に本方法の好ましい態様を示すものである。^*** イスラエルのＡＰＴ、アドバンスド・プレーティング・テクノロジーズ(Ad
vanced Plating Technologies)の製品

【００４５】 ＩＶ．本発明により処理されたポリマー基板の金属被覆 このような基板の銅メッキは非常に重要であるので、金属被覆法として電解銅
メッキのみを以下に説明する。

【００４６】 銅メッキ電解液として、市販の銅工程のいずれをも使用することができる。Ｃ
ＵＰＲＯＳＴＡＲ ＬＰ−１^**マット銅電解液が特に適していることが判明した
ので、例として前記電解液について言及する。

【００４７】 基板は初めに３０〜６０秒間硫酸水溶液中で（約５〜１０容量％）酸洗いされ
(pickled)、次いでＣＵＰＲＯＳＴＡＲ ＬＰ−１銅電解液中で銅メッキされる。電解液組成 銅 ２０ｇ／リットル Ｈ₂ＳＯ₄ ２００ｇ／リットル ＮａＣｌ １００ｍｇ／リットル 添加剤ＬＰ−１^** ４ｍｌ／リットル 電流密度 ２Ａ／ｄｍ² 銅メッキ時間は実施例毎に異なっていた。

【００４８】 通常の直接電流析出(direct current deposition)を用いたかパルスリバース
析出(pulse reverse deposition)を用いたかに関わらず、結果は良好であった。
後者の場合は、１００ｍＳの陰極パルス循環及び１ｍＳの陽極パルス循環が適用
され、一般には、より高い陽極電流密度値（２〜３：１の因子）が適用された。

【００４９】 各実施例（実施例１〜２６）の結果及び条件を下記の表に示す。金属イオン、
特に錫含有コロイダルパラジウム溶液によるドープ処理の結果、横方向成長が明
らかに増加することが明確に確認できる。これらの条件下では、より広い表面で
さえ、短時間で金属被覆することができる。 本発明の前処理により得られ得る接着強度値もまた良好である。

【００５０】 実施例２７／２８ 軽石粉処理による化学的なパターニングを除いて実施例２２〜２５の試験シー
ケンスを繰り返す。 処理速度：３．５／分 残留時間：約１５秒 物質：２／ＯＮ（フォゲル・ウント・プレナー社(Vogel und Prenner Company
)の製品） これらの条件下で、約１０Ｎ／ｃｍの接着強度値が得られる。

【００５１】

【表１】

【００５２】 DIN 53 494に従って剥離強度の測定を行った。 基板：３．５×１０ｃｍ 層厚：４０μｍ±４μｍ 試験片：幅１０ｍｍ、延伸距離５０ｍｍ(drawn to a distance of 50mm) 剥離速度：７５ｍｍ／分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＵ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＥＥ，ＧＤ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＰ，ＫＲ，ＬＣ，Ｌ Ｋ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＶ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＲＯ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ (72)発明者 スタイニウス オルトルド ドイツ連邦国、ヴッペルタル Ｄ−42279、 ロイベンガング ６ Ｆターム(参考） 4K024 AA14 AA17 AA21 BB05 CA06 CA10 CB01 CB02 CB04 CB06 CB08 CB09 CB12 CB13 CB15 5E343 AA02 AA11 AA36 AA38 BB24 BB71 CC22 CC23 CC32 CC43 CC46 CC48 CC73 CC76 CC80 DD34 DD43 EE02 EE32 EE37 ER01 GG02

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プリント回路基盤の製造における、特に伝導性ポリマー層を設け
   、次いで金属被覆を行うことにより顕微鏡でしか見えない穴及び微細な形状を有
   するプリント回路基盤の製造におけるポリマー表面を有する基板の被覆方法であ
   って、電気伝導性ポリマー層が金属被覆段階の前に好ましくは亜鉛含有コロイダ
   ルパラジウム溶液によってドープ処理される方法であり、電気伝導性ポリマーが
   ３，４−エチレンジオキシチオフェンであり、且つ金属被覆の前に銅（ＩＩ）塩
   溶液との接触が行われることを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 基板表面が、電気伝導性ポリマー層を設ける前に少なくとも１回
   、以下の段階に付されることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ａ）水性濾過液、有機溶剤、又はアルカリ溶剤による膨潤； ｂ）アルカリ過マンガン酸塩溶液による処理；及び ｃ）還元剤による処理
3. 【請求項３】 基板表面が、段階ａ）の前に、ブラッシング、サンドブラスト、
   軽石ブラッシング、又は軽石ブラストによって機械的に凹凸付けがされることを
   特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 【請求項４】 前記方法が水平に行われることを特徴とする請求項１〜３のいず
   れか１項に記載の方法。