JPH05287582A - 非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法 - Google Patents
非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法Info
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- JPH05287582A JPH05287582A JP9263792A JP9263792A JPH05287582A JP H05287582 A JPH05287582 A JP H05287582A JP 9263792 A JP9263792 A JP 9263792A JP 9263792 A JP9263792 A JP 9263792A JP H05287582 A JPH05287582 A JP H05287582A
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非導電性材料に導電性を付与するに際し、無
電解銅メッキ工程を必要とすることなく、電気銅メッキ
工程のみによって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理
工程の簡略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などに
より、生産性の向上を図ることを主な目的とする。 【構成】 非導電性材料を下記の工程で処理することを
特徴とする非導電性材料のメッキ方法： （１）非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液に
より処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させ
る工程、（２）上記（１）工程からの非導電性材料を酸
化重合により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマー
の酸性溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用に
より非導電性材料の表面に導電性ポリマー被膜を形成さ
せる工程、（３）上記（２）工程からの材料に電気銅メ
ッキ層を直接形成させる工程。
電解銅メッキ工程を必要とすることなく、電気銅メッキ
工程のみによって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理
工程の簡略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などに
より、生産性の向上を図ることを主な目的とする。 【構成】 非導電性材料を下記の工程で処理することを
特徴とする非導電性材料のメッキ方法： （１）非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液に
より処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させ
る工程、（２）上記（１）工程からの非導電性材料を酸
化重合により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマー
の酸性溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用に
より非導電性材料の表面に導電性ポリマー被膜を形成さ
せる工程、（３）上記（２）工程からの材料に電気銅メ
ッキ層を直接形成させる工程。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非導電性材料表面に直
接電気銅メッキ層を形成させる方法に関し、さらに詳し
くはプリント配線板のスルーホールに直接電気銅メッキ
層を形成させる方法に関する。
接電気銅メッキ層を形成させる方法に関し、さらに詳し
くはプリント配線板のスルーホールに直接電気銅メッキ
層を形成させる方法に関する。
【０００２】本明細書において、“％”とあるのは、
“重量％”を意味するものとする。
“重量％”を意味するものとする。
【０００３】
【従来技術とその問題点】プリント配線板に対してスル
ーホールメッキを行なう方法としては、主としてサブト
ラクティブ法が採用されている。この方法では、絶縁性
基材からなる表面材および内面に銅箔を接着した基板を
穴明けし、穴内部の絶縁性部分に薄い無電解銅メッキを
析出させることにより絶縁性部分を導通化した後、電気
銅メッキにより厚い銅皮膜を形成して、銅箔間の導通を
確保し、電気回路を作成する。
ーホールメッキを行なう方法としては、主としてサブト
ラクティブ法が採用されている。この方法では、絶縁性
基材からなる表面材および内面に銅箔を接着した基板を
穴明けし、穴内部の絶縁性部分に薄い無電解銅メッキを
析出させることにより絶縁性部分を導通化した後、電気
銅メッキにより厚い銅皮膜を形成して、銅箔間の導通を
確保し、電気回路を作成する。
【０００４】この方法は、すでに技術的に確立された信
頼性の高い方法であり、約２０年使用され続けてきた実
績を有している。しかしながら、この方法は、絶縁性部
分の導通化を図るために、複雑な前処理工程を必要とす
る無電解メッキ工程を必須とする。この無電解メッキ工
程で使用するメッキ液は、自己分解性が強くいので、厳
密な浴管理を必要とし、また銅を析出させる還元剤とし
て毒性の高いホルマリンを使用する必要があり、さらに
極く薄い銅皮膜を得るにも長時間を要するなどの種々の
欠点を有している。
頼性の高い方法であり、約２０年使用され続けてきた実
績を有している。しかしながら、この方法は、絶縁性部
分の導通化を図るために、複雑な前処理工程を必要とす
る無電解メッキ工程を必須とする。この無電解メッキ工
程で使用するメッキ液は、自己分解性が強くいので、厳
密な浴管理を必要とし、また銅を析出させる還元剤とし
て毒性の高いホルマリンを使用する必要があり、さらに
極く薄い銅皮膜を得るにも長時間を要するなどの種々の
欠点を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、従
来法における大きな技術的制約となっていた無電解銅メ
ッキ工程を必要とすることなく、電気銅メッキ工程のみ
によって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡
略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生
産性の向上を図ることを主な目的とする。
来法における大きな技術的制約となっていた無電解銅メ
ッキ工程を必要とすることなく、電気銅メッキ工程のみ
によって絶縁性部分の導通化を可能とし、処理工程の簡
略化、処理時間の短縮、作業環境の改善などにより、生
産性の向上を図ることを主な目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の工程
を組合わせて採用する場合には、上記の目的を達成し得
ることを見出した。また、この特定工程の組合せは、一
般の非導電性材料に直接電気銅メッキ層を形成させる場
合にも、有用であることを見出した。
技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の工程
を組合わせて採用する場合には、上記の目的を達成し得
ることを見出した。また、この特定工程の組合せは、一
般の非導電性材料に直接電気銅メッキ層を形成させる場
合にも、有用であることを見出した。
【０００７】即ち、本発明は、下記の方法を提供するも
のである； １ 非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴と
する非導電性材料のメッキ方法： （１）非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液に
より処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させ
る工程、（２）上記（１）工程からの非導電性材料を酸
化重合により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマー
の酸性溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用に
より非導電性材料の表面に導電性ポリマー被膜を形成さ
せる工程、（３）上記（２）工程からの材料に電気銅メ
ッキ層を直接形成させる工程。
のである； １ 非導電性材料を下記の工程で処理することを特徴と
する非導電性材料のメッキ方法： （１）非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液に
より処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させ
る工程、（２）上記（１）工程からの非導電性材料を酸
化重合により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマー
の酸性溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用に
より非導電性材料の表面に導電性ポリマー被膜を形成さ
せる工程、（３）上記（２）工程からの材料に電気銅メ
ッキ層を直接形成させる工程。
【０００８】２ 上記項１に記載のメッキ方法におい
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、ア
ニリン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導
体の少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つ
ホウフッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の
少なくとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッ
キ方法。
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、ア
ニリン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導
体の少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つ
ホウフッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の
少なくとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッ
キ方法。
【０００９】３ 上記項２に記載のメッキ方法におい
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さ
らにカーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫
化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少な
くとも１種の微粉末を含有するメッキ方法。
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さ
らにカーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫
化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少な
くとも１種の微粉末を含有するメッキ方法。
【００１０】４ 両面プリント配線板或いは多層プリン
ト配線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリ
ント配線板のスルーホールメッキ方法： （１）穴開けして洗浄したプリント配線板をアルカリ性
過マンガン酸塩溶液により処理し、スルーホール内壁の
非導電性部分にマンガン酸化物層を形成させる工程、
（２）上記（１）工程からのプリント配線板を酸化重合
により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマーの酸性
溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用によりス
ルーホール内壁の非導電性部分表面に導電性ポリマー被
膜を形成させる工程、（３）上記（２）工程からのプリ
ント配線板のスルーホール内壁の非導電性部分表面に電
気銅メッキ層を直接形成させる工程。
ト配線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリ
ント配線板のスルーホールメッキ方法： （１）穴開けして洗浄したプリント配線板をアルカリ性
過マンガン酸塩溶液により処理し、スルーホール内壁の
非導電性部分にマンガン酸化物層を形成させる工程、
（２）上記（１）工程からのプリント配線板を酸化重合
により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマーの酸性
溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用によりス
ルーホール内壁の非導電性部分表面に導電性ポリマー被
膜を形成させる工程、（３）上記（２）工程からのプリ
ント配線板のスルーホール内壁の非導電性部分表面に電
気銅メッキ層を直接形成させる工程。
【００１１】５ 上記項４に記載のメッキ方法におい
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、ア
ニリン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導
体の少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つ
ホウフッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の
少なくとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッ
キ方法。
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、ア
ニリン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導
体の少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つ
ホウフッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の
少なくとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッ
キ方法。
【００１２】６ 上記項５に記載のメッキ方法におい
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さ
らにカーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫
化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少な
くとも１種の微粉末を含有するメッキ方法。
て、（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さ
らにカーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫
化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少な
くとも１種の微粉末を含有するメッキ方法。
【００１３】本発明方法は、一般の非導電性材料表面、
両面プリント配線基板および多層プリント配線基板のス
ルーホールの絶縁性部分などに直接電気銅メッキ層を形
成させることができる。但し、以下においては、両面プ
リント配線基板或いは多層プリント配線基板のスルーホ
ール絶縁性部分への直接電気銅メッキ層の形成を例とし
て、各工程毎に順次説明を行なう。
両面プリント配線基板および多層プリント配線基板のス
ルーホールの絶縁性部分などに直接電気銅メッキ層を形
成させることができる。但し、以下においては、両面プ
リント配線基板或いは多層プリント配線基板のスルーホ
ール絶縁性部分への直接電気銅メッキ層の形成を例とし
て、各工程毎に順次説明を行なう。
【００１４】膨潤 本発明方法においては、まず、穴開けし、洗浄したプリ
ント配線基板（以下供試材という）を常法に従って膨潤
処理する。膨潤処理条件は、特に限定されるものではな
いが、その一例を挙げれば、下記の通りである。
ント配線基板（以下供試材という）を常法に従って膨潤
処理する。膨潤処理条件は、特に限定されるものではな
いが、その一例を挙げれば、下記の通りである。
【００１５】 グリコールエーテル系溶剤 50〜900ml/l 、より好ましくは100 〜300ml/l 水酸化ナトリウム 1 〜50g/l 、より好ましくは5 〜30g/l 界面活性剤 適量 処理温度 20〜80℃、より好ましくは40〜70℃ 処理時間 1 〜10分、より好ましくは2 〜7 分過マンガン酸塩溶液処理 次いで、供試材を常法に従って過マンガン酸塩溶液によ
るエッチング処理に供する。エッチング処理条件も、特
に限定されるものではないが、その一例を挙げれば、下
記の通りである。
るエッチング処理に供する。エッチング処理条件も、特
に限定されるものではないが、その一例を挙げれば、下
記の通りである。
【００１６】 ＫＭｎＯ4 またはＮａＭｎＯ4 20〜100g/l、より好ましくは40〜60g/l ＫＯＨまたはＮａＯＨ 5 〜50g/l 、より好ましくは30〜40g/l 界面活性剤 適量 処理温度 50〜95℃、より好ましくは70〜90℃ 処理時間 1 〜15分、より好ましくは2 〜8 分 従来法では、膨潤処理され、過マンガン酸塩溶液による
エッチング処理を受けた供試材は、引続き中和処理され
て、形成されたマンガン酸化物層を除去されるが、本発
明においては、引続く有機モノマー溶液浸漬後にマンガ
ン酸化物層の酸化剤としての作用を利用して、有機モノ
マーの酸化重合を促進させるので、そのまま残存させ
る。
エッチング処理を受けた供試材は、引続き中和処理され
て、形成されたマンガン酸化物層を除去されるが、本発
明においては、引続く有機モノマー溶液浸漬後にマンガ
ン酸化物層の酸化剤としての作用を利用して、有機モノ
マーの酸化重合を促進させるので、そのまま残存させ
る。
【００１７】有機モノマー溶液浸漬 次いで、供試材を有機モノマーの酸性溶液に浸漬する。
有機モノマーとしては、アニリン、ピロール、チオフェ
ン、フランおよびこれらの誘導体（硫酸アニリン、ｏ−
アニリンスルホン酸、ｍ−アミノフェノール、ｍ−アミ
ノ安息香酸、Ｎ−メチルピロール、３−メチルチオフェ
ンなど）などが例示され、これらの１種または２種以上
を使用する。また、溶液の溶媒としては、水、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール
などのアルコール類が挙げられ、これらの１種または２
種以上を使用する。この酸性溶液中の有機モノマーの濃
度は、１〜９ｇ／ｌ程度とする。モノマー濃度が高すぎ
る場合には、モノマーの加水分解が促進され、モノマー
の分解による損失が増大するのみならず、多量に生成し
た加水分解物の蓄積により、液の寿命が短くなる。一
方、モノマー濃度が低すぎる場合には、導電性ポリマー
の生成が不十分となり、電気銅めっきの析出性が低下す
る。さらに、この酸性溶液は、ホウフッ酸、過塩素酸、
硫酸および芳香族スルホン酸の少なくとも１種を含み且
つｐＨ４以下であるを必須とする。この様な酸性溶液中
では、前工程において供試材のスルーホールの銅箔部分
に僅かに形成されたマンガン酸化物層が、短時間内に溶
解除去されるので、供試材のスルーホール内の非導電性
部分にのみ選択的にポリマー層が形成される。ポリマー
層の厚さは、特に限定されるものではないが、０．５〜
２μｍ程度とすることが好ましい。ポリマー層の厚さの
調整は、マンガン酸化物層の厚さとモノマー濃度を調整
することにより、行なうことができる。この様にして形
成されたポリマー層は、高度の導電性と適度の表面粗度
とを有しているので、密着性に優れた電気銅めっき層の
形成が可能となる。
有機モノマーとしては、アニリン、ピロール、チオフェ
ン、フランおよびこれらの誘導体（硫酸アニリン、ｏ−
アニリンスルホン酸、ｍ−アミノフェノール、ｍ−アミ
ノ安息香酸、Ｎ−メチルピロール、３−メチルチオフェ
ンなど）などが例示され、これらの１種または２種以上
を使用する。また、溶液の溶媒としては、水、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール
などのアルコール類が挙げられ、これらの１種または２
種以上を使用する。この酸性溶液中の有機モノマーの濃
度は、１〜９ｇ／ｌ程度とする。モノマー濃度が高すぎ
る場合には、モノマーの加水分解が促進され、モノマー
の分解による損失が増大するのみならず、多量に生成し
た加水分解物の蓄積により、液の寿命が短くなる。一
方、モノマー濃度が低すぎる場合には、導電性ポリマー
の生成が不十分となり、電気銅めっきの析出性が低下す
る。さらに、この酸性溶液は、ホウフッ酸、過塩素酸、
硫酸および芳香族スルホン酸の少なくとも１種を含み且
つｐＨ４以下であるを必須とする。この様な酸性溶液中
では、前工程において供試材のスルーホールの銅箔部分
に僅かに形成されたマンガン酸化物層が、短時間内に溶
解除去されるので、供試材のスルーホール内の非導電性
部分にのみ選択的にポリマー層が形成される。ポリマー
層の厚さは、特に限定されるものではないが、０．５〜
２μｍ程度とすることが好ましい。ポリマー層の厚さの
調整は、マンガン酸化物層の厚さとモノマー濃度を調整
することにより、行なうことができる。この様にして形
成されたポリマー層は、高度の導電性と適度の表面粗度
とを有しているので、密着性に優れた電気銅めっき層の
形成が可能となる。
【００１８】本発明においては、ポリマー層の導電性を
改善するために、カーボン、パラジウム−スズコロイ
ド、硫化銅、硫化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導
電性物質の少なくとも１種の微粉末を有機モノマーの酸
性溶液に含有させておくことが出来る。これらの導電性
物質は、良好な分散性を得るために、０．１〜１μｍ程
度の粒度とし、かつ濃度１〜１０ｇ／ｌ程度とすること
が好ましい。これらの導電性物質を併用する場合には、
導電性物質を分散した１種のコンポジットポリマー層が
形成される。酸化重合により形成されたポリマー層は、
電気めっき時の還元により、導電性が低下して電気銅め
っきが良好に行ない難い場合があるが、コンポジットポ
リマー層の場合には、導電性の低下が抑制され、より信
頼性の高いスルーホールめっきが得られる。
改善するために、カーボン、パラジウム−スズコロイ
ド、硫化銅、硫化ニッケルおよびＩＴＯから選ばれた導
電性物質の少なくとも１種の微粉末を有機モノマーの酸
性溶液に含有させておくことが出来る。これらの導電性
物質は、良好な分散性を得るために、０．１〜１μｍ程
度の粒度とし、かつ濃度１〜１０ｇ／ｌ程度とすること
が好ましい。これらの導電性物質を併用する場合には、
導電性物質を分散した１種のコンポジットポリマー層が
形成される。酸化重合により形成されたポリマー層は、
電気めっき時の還元により、導電性が低下して電気銅め
っきが良好に行ない難い場合があるが、コンポジットポ
リマー層の場合には、導電性の低下が抑制され、より信
頼性の高いスルーホールめっきが得られる。
【００１９】活性化処理 次いで、必要ならば、供試材を常法に従って活性化処理
に供する。活性化処理液およびその条件は、特に限定さ
れるものではないが、その具体例を挙げれば、下記の通
りである。 硫酸（98%) 10〜150ml/l 、より好ましくは50〜100ml/l 処理温度 10〜30℃、より好ましくは15〜25℃ 処理時間 0.1 〜3 分、より好ましくは0.5 〜1 分 この活性化処理を行なう場合には、供試材のスルーホー
ルの銅箔部分がより良好に活性化され、引続く工程で形
成される電気めっき層との密着性がより高められる。
に供する。活性化処理液およびその条件は、特に限定さ
れるものではないが、その具体例を挙げれば、下記の通
りである。 硫酸（98%) 10〜150ml/l 、より好ましくは50〜100ml/l 処理温度 10〜30℃、より好ましくは15〜25℃ 処理時間 0.1 〜3 分、より好ましくは0.5 〜1 分 この活性化処理を行なう場合には、供試材のスルーホー
ルの銅箔部分がより良好に活性化され、引続く工程で形
成される電気めっき層との密着性がより高められる。
【００２０】電気メッキ処理 次いで、供試材を常法に従って電気銅メッキ処理に供す
る。電気銅メッキ処理浴および処理条件は、特に限定さ
れるものではないが、その具体例を挙げれば、下記の通
りである。
る。電気銅メッキ処理浴および処理条件は、特に限定さ
れるものではないが、その具体例を挙げれば、下記の通
りである。
【００２１】 硫酸銅メッキ浴 硫酸銅 40〜100g/l、より好ましくは60〜80g/l 硫酸 100 〜300g/l、より好ましくは150 〜250g/l 塩素イオン 30〜100mg/l 、より好ましくは40〜80mg/l 光沢剤 適量 処理温度 10〜40℃、より好ましくは15〜30℃ 陰極電流密度 0.5 〜10A/dm2 、より好ましくは1 〜5 A/dm2 ピロリン酸メッキ浴 ピロリン酸銅 50〜100g/l、より好ましくは60〜80g/l ピロリン酸カリウム 200 〜500g/l、より好ましくは250 〜400g/l アンモニア水（28%) 1 〜7ml/l 、より好ましくは2 〜4ml/l 光沢剤 適量 処理温度 40〜70℃、より好ましくは50〜60℃ 陰極電流密度 0.5 〜8A/dm 2 、より好ましくは1 〜5 A/dm2 本発明方法は、銅箔層を有しない一般の非導電性材料へ
の直接電気銅メッキ層の形成にも、適用できる。
の直接電気銅メッキ層の形成にも、適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、無電解銅メッキ工程を
経ることなく、非導電性材料表面に直接電気銅メッキ層
を形成することができる。従って、電気銅メッキ層の形
成に至るまでの時間が、無電解銅メッキ工程を必須とす
る従来法に比して、約１／３程度に短縮されるので、産
業上の利益は、極めて大きい。
経ることなく、非導電性材料表面に直接電気銅メッキ層
を形成することができる。従って、電気銅メッキ層の形
成に至るまでの時間が、無電解銅メッキ工程を必須とす
る従来法に比して、約１／３程度に短縮されるので、産
業上の利益は、極めて大きい。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。
ころをより一層明確にする。
【００２４】実施例１ 穴明けしたＦＲ−４基板を水溶性溶剤と界面活性剤を含
むアルカリ性溶液（膨潤液）中６０℃で５分間処理した
後、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌと硫酸１０ｍｌ／ｌ
とを含む水溶液（ソフトエッチング液）中２５℃で１分
間銅箔部分をエッチング洗浄し、水洗し、さらに過マン
ガン酸カリウム５０ｇ／ｌと水酸化ナトリウム２０ｇ／
ｌとを含む水溶液（過マンガン酸エッチング液）中８０
℃で８分間処理した。
むアルカリ性溶液（膨潤液）中６０℃で５分間処理した
後、過硫酸ナトリウム２００ｇ／ｌと硫酸１０ｍｌ／ｌ
とを含む水溶液（ソフトエッチング液）中２５℃で１分
間銅箔部分をエッチング洗浄し、水洗し、さらに過マン
ガン酸カリウム５０ｇ／ｌと水酸化ナトリウム２０ｇ／
ｌとを含む水溶液（過マンガン酸エッチング液）中８０
℃で８分間処理した。
【００２５】上記の様にして処理した基板を十分に水洗
した後、ピロール３ｇ／ｌと過塩素酸２５ｍｌ／ｌとを
含む水溶液に２０℃で３分間浸漬した。次いで、基板を
水洗し、硫酸５０ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒
間活性化した後、下記の硫酸銅メッキ浴を使用して、温
度２５℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に５
分間電気メッキを行なった。
した後、ピロール３ｇ／ｌと過塩素酸２５ｍｌ／ｌとを
含む水溶液に２０℃で３分間浸漬した。次いで、基板を
水洗し、硫酸５０ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒
間活性化した後、下記の硫酸銅メッキ浴を使用して、温
度２５℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に５
分間電気メッキを行なった。
【００２６】 硫酸銅 ８０ｇ／ｌ 硫酸 １８０ｇ／ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／ｌ プリント配線板用 硫酸銅光沢剤 ２．５ｍｌ／ｌ （商標“トップルチナ81-HL ”、奥野製薬工業（株）
製） メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁は、完全に銅
メッキ皮膜で覆われていた。
製） メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁は、完全に銅
メッキ皮膜で覆われていた。
【００２７】実施例２ 穴明けしたＦＲ−４基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール３ｇ／ｌ、過塩素酸２５ｍｌ／ｌおよび微粒子
カーボン（約０．２μｍ）１０ｇ／ｌを含む液中に２０
℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に１分間電
気メッキを行なった。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール３ｇ／ｌ、過塩素酸２５ｍｌ／ｌおよび微粒子
カーボン（約０．２μｍ）１０ｇ／ｌを含む液中に２０
℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に１分間電
気メッキを行なった。
【００２８】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
【００２９】実施例３ 穴明けしたＦＲ−４基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール５ｇ／ｌ、ホウフッ酸５ｍｌ／ｌおよび微粒子
カーボン（約０．２μｍ）１０ｇ／ｌを含む液中に２０
℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に３分間電
気メッキを行なった。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール５ｇ／ｌ、ホウフッ酸５ｍｌ／ｌおよび微粒子
カーボン（約０．２μｍ）１０ｇ／ｌを含む液中に２０
℃で３分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に３分間電
気メッキを行なった。
【００３０】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
【００３１】実施例４ 穴開けした６層多層基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール５ｇ／ｌ、パラトルエンスルホン酸２５ｍｌ／
ｌおよび硫化銅（約１μｍ）５ｇ／ｌを含む液中に１０
℃で５分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に１分間電
気メッキを行なった。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール５ｇ／ｌ、パラトルエンスルホン酸２５ｍｌ／
ｌおよび硫化銅（約１μｍ）５ｇ／ｌを含む液中に１０
℃で５分間浸漬した。次いで、基板を水洗し、硫酸５０
ｍｌ／ｌを含む活性液により約３０秒間活性化した後、
実施例１と同様の硫酸銅メッキ浴を使用して、温度２５
℃、陰極電流密度２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に１分間電
気メッキを行なった。
【００３２】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
【００３３】実施例５ 穴明けしたＦＲ−４基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール８ｇ／ｌ、エチレングリコール３０ｇ／ｌ、ス
ルホサリチル酸５０ｇ／ｌおよびパラジウム−スズコロ
イド５ｇ／ｌを含む液中に２０℃で２分間浸漬した。次
いで、基板を水洗し、硫酸５０ｍｌ／ｌを含む活性液に
より約３０秒間活性化した後、実施例１と同様の硫酸銅
メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度２．５
Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なった。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ピロール８ｇ／ｌ、エチレングリコール３０ｇ／ｌ、ス
ルホサリチル酸５０ｇ／ｌおよびパラジウム−スズコロ
イド５ｇ／ｌを含む液中に２０℃で２分間浸漬した。次
いで、基板を水洗し、硫酸５０ｍｌ／ｌを含む活性液に
より約３０秒間活性化した後、実施例１と同様の硫酸銅
メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度２．５
Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なった。
【００３４】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
【００３５】実施例６ 穴明けしたＦＲ−４基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
硫酸アニリン８ｇ／ｌ、硫酸１００ｍｌ／ｌおよびカー
ボン微粉末１０ｇ／ｌを含む液中に５℃で３分間浸漬し
た。次いで、基板を水洗した後、実施例１と同様の硫酸
銅メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度２．
５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なった。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
硫酸アニリン８ｇ／ｌ、硫酸１００ｍｌ／ｌおよびカー
ボン微粉末１０ｇ／ｌを含む液中に５℃で３分間浸漬し
た。次いで、基板を水洗した後、実施例１と同様の硫酸
銅メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度２．
５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なった。
【００３６】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
【００３７】実施例７ 穴明けしたＦＲ−４基板を実施例１と同様にして膨潤処
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ｍ−アミノフェノール８ｇ／ｌ、硫酸５０ｍｌ／ｌおよ
びＩＴＯ微粉末３ｇ／ｌを含む液中に５℃で３分間浸漬
した。次いで、基板を水洗した後、実施例１と同様の硫
酸銅メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度
２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なっ
た。
理し、過マンガン酸エッチングし、十分に水洗した後、
ｍ−アミノフェノール８ｇ／ｌ、硫酸５０ｍｌ／ｌおよ
びＩＴＯ微粉末３ｇ／ｌを含む液中に５℃で３分間浸漬
した。次いで、基板を水洗した後、実施例１と同様の硫
酸銅メッキ浴を使用して、温度２５℃、陰極電流密度
２．５Ａ／ｄｍ2 の条件下に２分間電気メッキを行なっ
た。
【００３８】メッキ完了後に、基板のスルーホール内壁
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
は、完全に銅メッキ皮膜で覆われていた。
Claims (6)
- 【請求項１】非導電性材料を下記の工程で処理すること
を特徴とする非導電性材料のメッキ方法： （１）非導電性材料をアルカリ性過マンガン酸塩溶液に
より処理し、その表面ににマンガン酸化物層を形成させ
る工程、（２）上記（１）工程からの非導電性材料を酸
化重合により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマー
の酸性溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用に
より非導電性材料の表面に導電性ポリマー被膜を形成さ
せる工程、（３）上記（２）工程からの材料に電気銅メ
ッキ層を直接形成させる工程。 - 【請求項２】請求項１に記載のメッキ方法において、
（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、アニリ
ン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導体の
少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つホウ
フッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の少な
くとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッキ方
法。 - 【請求項３】請求項２に記載のメッキ方法において、
（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さらに
カーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫化ニ
ッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少なくと
も１種の微粉末を含有するメッキ方法。 - 【請求項４】両面プリント配線板或いは多層プリント配
線板を下記の工程で処理することを特徴とするプリント
配線板のスルーホールメッキ方法： （１）穴開けして洗浄したプリント配線板をアルカリ性
過マンガン酸塩溶液により処理し、スルーホール内壁の
非導電性部分にマンガン酸化物層を形成させる工程、
（２）上記（１）工程からのプリント配線板を酸化重合
により導電性ポリマーを形成し得る有機モノマーの酸性
溶液に浸漬して、マンガン酸化物層の酸化作用によりス
ルーホール内壁の非導電性部分表面に導電性ポリマー被
膜を形成させる工程、（３）上記（２）工程からのプリ
ント配線板のスルーホール内壁の非導電性部分表面に電
気銅メッキ層を直接形成させる工程。 - 【請求項５】請求項４に記載のメッキ方法において、
（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、アニリ
ン、ピロール、チオフェン、フランおよびその誘導体の
少なくとも１種を１〜９ｇ／ｌの範囲で含み、且つホウ
フッ酸、過塩素酸、硫酸および芳香族スルホン酸の少な
くとも１種を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるメッキ方
法。 - 【請求項６】請求項５に記載のメッキ方法において、
（２）工程における有機モノマーの酸性溶液が、さらに
カーボン、パラジウム−スズコロイド、硫化銅、硫化ニ
ッケルおよびＩＴＯから選ばれた導電性物質の少なくと
も１種の微粉末を含有するメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9263792A JPH05287582A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9263792A JPH05287582A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05287582A true JPH05287582A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=14059967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9263792A Pending JPH05287582A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 非導電性材料表面に電気メッキ層を直接形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05287582A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0823164A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Ebara Densan:Kk | プリント基板のめっき方法 |
| JPH08204339A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Nec Toyama Ltd | 印刷配線板の製造方法 |
| JP2002151845A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | めっき前処理方法 |
| JP2007201508A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-08-09 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2007251189A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-09-27 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
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| JP2008190041A (ja) * | 2008-02-19 | 2008-08-21 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 金属化フィルムの製造方法 |
| US7416763B2 (en) | 2003-06-18 | 2008-08-26 | Cookson Electronics Co. | Process for forming metal layers |
| USRE40947E1 (en) | 1997-10-14 | 2009-10-27 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole |
| JP2010503226A (ja) * | 2006-09-07 | 2010-01-28 | エントン インコーポレイテッド | 導電性ポリマーの堆積および非導電性基板の金属配線 |
| KR101294229B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2013-08-07 | 와이엠티 주식회사 | 인쇄회로기판의 쓰루 홀 또는 비아 홀 내벽에 전도성폴리머층을 형성하는 방법 |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP9263792A patent/JPH05287582A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103874344A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | Ymt株式会社 | 在印刷电路板的通孔和过孔中沉积导电性聚合物层的方法 |
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