NL189634C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.

Info

Publication number
NL189634C
NL189634C NLAANVRAGE8600983,A NL8600983A NL189634C NL 189634 C NL189634 C NL 189634C NL 8600983 A NL8600983 A NL 8600983A NL 189634 C NL189634 C NL 189634C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor substrate
semiconductor
substrate
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE8600983,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL189634B (nl
NL8600983A (nl
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL8600983A publication Critical patent/NL8600983A/nl
Publication of NL189634B publication Critical patent/NL189634B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL189634C publication Critical patent/NL189634C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/061—Manufacture or treatment using SOI processes together with lateral isolation, e.g. combinations of SOI and shallow trench isolations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/014—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/17—Isolation regions comprising dielectric materials formed using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations
NLAANVRAGE8600983,A 1985-04-19 1986-04-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat. NL189634C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8260985 1985-04-19
JP60082609A JPH0618234B2 (ja) 1985-04-19 1985-04-19 半導体基板の接合方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8600983A NL8600983A (nl) 1986-11-17
NL189634B NL189634B (nl) 1993-01-04
NL189634C true NL189634C (nl) 1993-06-01

Family

ID=13779215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE8600983,A NL189634C (nl) 1985-04-19 1986-04-18 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4978379A (enExample)
JP (1) JPH0618234B2 (enExample)
KR (1) KR900005890B1 (enExample)
CA (1) CA1244968A (enExample)
DE (1) DE3613215A1 (enExample)
NL (1) NL189634C (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2685819B2 (ja) * 1988-03-31 1997-12-03 株式会社東芝 誘電体分離半導体基板とその製造方法
JPH07142571A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Ube Ind Ltd 複合半導体基板及びその製造方法
US5639325A (en) * 1995-02-01 1997-06-17 The Whitaker Corporation Process for producing a glass-coated article
JPH08264636A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Ube Ind Ltd 複合半導体基板
JPH08264637A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Ube Ind Ltd 複合半導体基板
JPH08264643A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Ube Ind Ltd 複合半導体基板
WO1997010184A1 (en) * 1995-09-12 1997-03-20 Corning Incorporated Boule oscillation patterns for producing fused silica glass
JP3979666B2 (ja) * 1995-09-12 2007-09-19 コーニング インコーポレイテッド 溶融シリカガラスの製造に於ける、炉、その使用方法及び炉によって製造された光学製品
EP0850201B1 (en) * 1995-09-12 2003-07-16 Corning Incorporated Containment vessel for producing fused silica glass
JPH10275752A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Ube Ind Ltd 張合わせウエハ−及びその製造方法、基板
RU2197768C2 (ru) * 1999-10-29 2003-01-27 Громов Владимир Иванович Способ изготовления полупроводниковой структуры
KR100499134B1 (ko) * 2002-10-28 2005-07-04 삼성전자주식회사 압축 접합 방법
DE102007035788A1 (de) * 2007-07-31 2009-02-05 Robert Bosch Gmbh Waferfügeverfahren, Waferverbund sowie Chip
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2272342A (en) * 1934-08-27 1942-02-10 Corning Glass Works Method of making a transparent article of silica
US2239551A (en) * 1939-04-22 1941-04-22 Corning Glass Works Method of making sealing glasses and seals for quartz lamps
US3768991A (en) * 1972-06-14 1973-10-30 Diacon Method for sealing an enclosure for an electronic component
US3909332A (en) * 1973-06-04 1975-09-30 Gen Electric Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures
DE2738614A1 (de) * 1976-09-01 1978-03-02 Hitachi Ltd Verfahren zum herstellen von halbleitersubstraten fuer integrierte halbleiterschaltkreise
JPS5330477A (en) * 1976-09-02 1978-03-22 Agency Of Ind Science & Technol Preparation of liquid drop
JPS5357978A (en) * 1976-11-05 1978-05-25 Hitachi Ltd Production of dielectric insulated and isolated substrate
US4294602A (en) * 1979-08-09 1981-10-13 The Boeing Company Electro-optically assisted bonding
GB2060252B (en) * 1979-09-17 1984-02-22 Nippon Telegraph & Telephone Mutually isolated complementary semiconductor elements
US4363647A (en) * 1981-05-14 1982-12-14 Corning Glass Works Method of making fused silica-containing material
JPS5844723A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の製造方法
US4501060A (en) * 1983-01-24 1985-02-26 At&T Bell Laboratories Dielectrically isolated semiconductor devices
DD214836A1 (de) * 1983-04-26 1984-10-24 Werk Fernsehelektronik Veb Verfahren zum verbinden und hermetisieren von substraten mittels glaslot

Also Published As

Publication number Publication date
NL189634B (nl) 1993-01-04
KR860008607A (ko) 1986-11-17
CA1244968A (en) 1988-11-15
NL8600983A (nl) 1986-11-17
US4978379A (en) 1990-12-18
DE3613215A1 (de) 1986-10-23
JPH0618234B2 (ja) 1994-03-09
KR900005890B1 (ko) 1990-08-13
JPS61242033A (ja) 1986-10-28
DE3613215C2 (enExample) 1989-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL188550C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL193801B (nl) Inrichting voor het verwarmen van een cirkelvormig substraat.
NL188511C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een nokkenas.
NL189380C (nl) Halfgeleiderelement en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL194114B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een prothesedeel.
NL192252B (nl) Inrichting voor het positioneren van gereedschappen.
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL189634C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL193393B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL190388C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting.
NL193808B (nl) Metalliseringspatroon voor een halfgeleiderinrichting, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL193722B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL192232B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een magnetoresistief element.
NL188953C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode.
NL187169C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een oppervlak.
NL188923C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL193793B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van spaanplaten.
NL194524B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor.
NL191222C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een BiCMOS-schakeling.
NL194710B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL190591B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting welke een element-isolerend gebied op een halfgeleidersubstraat omvat.
NL192053B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een afdichtelement.
NL189317C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van staafvormig materiaal.

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20060418