NL1026573C2 - Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement. - Google Patents

Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement. Download PDF

Info

Publication number
NL1026573C2
NL1026573C2 NL1026573A NL1026573A NL1026573C2 NL 1026573 C2 NL1026573 C2 NL 1026573C2 NL 1026573 A NL1026573 A NL 1026573A NL 1026573 A NL1026573 A NL 1026573A NL 1026573 C2 NL1026573 C2 NL 1026573C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
curing
semiconductor element
photo
resin
thermosetting resin
Prior art date
Application number
NL1026573A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1026573A1 (nl
Inventor
Yasukazu Nakata
Masateru Yamakage
Naoki Hasegawa
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of NL1026573A1 publication Critical patent/NL1026573A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1026573C2 publication Critical patent/NL1026573C2/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83859—Localised curing of parts of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83951—Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement
Achtergrond van de uitvinding 1. het gebied van de uitvinding 5 De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement en een bouwelement. Meer in het bijzonder heeft de onderhavige uitvinding betrekking op een werkwijze voor het efficiënt produceren van een halfgeleider-bouwelement, 10 die een hoge weerstand heeft met betrekking tot hitte en vochtigheid en een hoge betrouwbaarheid bezit in overeenstemming met de flip-chip-verbindingswijze, en een halfgeleider-bouwelement vervaardigd volgens de werkwijze.
15 2. beschrijving van de relevante techniek
Electronische producten met inzet van halfgeleider-bouwelementen zoals bijvoorbeeld IC en en LSI worden altijd benodigd om lichter en kleiner van afmeting te kunnen 20 worden en om een betere prestatie te leveren in alle bereiken, inclusief consumentenapparaten en industriële instrumenten. Derhalve worden halfgeleider-bouwelementen, zoals geproduceerd in overeenstemming met de flip-chip-verbindingswerkwijze waarbij blootgelegde, niet afgedekte 25 chips onmiddelijk worden gemonteerd, worden de belangrijkste producten om halfgeleider-bouwelementen te vervangen zoals die worden geproduceerd bij het verbinden van halfgeleider-elementen met aan de leidingen verbonden draden, gevolgd door het afdichten van de zo verkregen 1026573' 2 producten met behulp van epoxieharsen of keramische materialen.
Figuur 1 toont een doorsnede van een voorbeeld van een halfgeleider-bouwelement met een halfgeleider-element 5 bevestigd volgens de flip-chip-verbindingswerkwijze. Een electrode 2 op een schakelbord 1 toont een electrode 4 van een halfgeleider-element 3 via een stootrand 5 op het halfgeleider-element 3. Het halfgeleider-element 3 wordt verbonden met het schakelbord 1 door middel van een 10 anisotroop geleidend thermohardend kleefmiddel 6, zodat de stootrand 5 en de electrode 2, die naar elkaar toe gericht zijn, electrisch worden verbonden en de electrische isolatie tussen de overbodige electroden wordt bereikt. Het anisotroop geleidende thermohardende kleefmiddel 6 breidt 15 zich uit in het perifere gedeelte van het halfgeleiderelement en vormt een strook 7, in het engels benoemd met „fillet" en ook wel aanduidbaar als strip of band. Het binnendringen van zuurstof en water in de binnenste bereiken van het thermohardend anisotroop geleidende 20 kleefmiddel wordt verhinderd, wat is toe te schrijven aan de strook 7 zoals gevormd in het perifere gedeelte van het halfgeleider-element 3. Zodoende is het halfgeleiderelement beschermd en het vermogen zoals bijvoorbeeld de schokbestendigheid van het halfgeleider-bouwelement wordt 25 verbeterd als gevolg van de toename in het bereik van de verbinding tussen het halfgeleider-element en het schakelbord.
Om het halfgeleider-element en het schakelbord met elkaar te verbinden en om de vorming van de strook in de 30 perifere gedeelte van het halfgeleider-element mogelijk te maken, wordt een vloeibaar thermosetting kleefmiddel geplaatst op het schakelbord in de vorm van druppels in een hoeveelheid, die overeenkomt met de gecombineerde 1 026573' 3 hoeveelheden van het underfill direct onder het halfgeleider-element en de strook gevormd in het perifere gedeelte van het halfgeleider-element, wordt het halfgeleider-element geplaatst op het schakelbord op de 5 voorgeschreven positie, een druk wordt toegepast op het halfgeleider-bouwelement zodanig, dat het warmtevervormbare kleefmiddel wordt uitgeduwd in een hoeveelheid voor de vorming van de strip en het warmtevervormende kleefmiddel wordt verduurzaamd door het verhitten van het halfgeleider-10 element. Het warmtevormende kleefmiddel in het underfill-bereik kan worden geconserveerd binnen tien seconden sinds de warmte wordt getransporteerd door het halfgeleiderelement. Hoe dan ook, er is tijd nodig voor het verduurzamen van het warmtevervormende kleefmiddel in het 15 bereik van de strip, aangezien de warmte niet onmiddelijk wordt geleid naar dit gedeelte. Dit veroorzaakt een probleem zodanig, dat de productiviteit bij het vervaardigen van het halfgeleider-bouwelement niet wordt verbeterd.
20 Foto-verhardende, warmtevervormende harsen, die kunnen worden verduurzaamd bij enigerlei hitte of licht, worden ontwikkeld als harsen voor het produceren van halfgeleider-bouwelementen. Wanneer deze harsen worden gebruikt, kan de hars in het gedeelte direct gelegen onder het halfgeleider-25 element worden verduurzaamd door het verhitten, en de niet geconserveerde hars in het bereik van de strook kan daarna worden verduurzaamd door middel van bestraling met licht. Desondanks hebben hiertoe ontwikkelde harsen als nadeel, dat de reactietemperatuur wordt verhoogd tot 300 °C, dat er 30 een mogelijkheid bestaat, dat de reactie op grond van de hoge reactiviteit reeds begint in de injectiespuit, en dat de mogelijkheid bestaat, dat corrosievorming van de 1026573“ 4 schakeling plaats vindt vanwege het feit, dat de catalysator sterk zuurhoudend is.
Samenvatting van de uitvinding 5
De onderhavige uitvinding stelt zich ten doel te voorzien in een werkwijze voor het efficiënt produceren van een halfgeleider-bouwelement met een voortreffelijke warmte- en vochtbestendigheid en betrouwbaarheid met 10 betrekking tot de flip-chip-verbindingstechniek en een halfgeleider-bouwelement vervaardigd volgens deze werkwij ze.
Als resultaat van intensieve studies door de uitvinders in kwestie om de hierboven genoemde problemen op te lossen, 15 werd gevonden, dat het halfgeleider-bouwelement met een uitstekende weerstand met betrekking tot warmte en vochtigheid en betrouwbaarheid efficiënt kan worden vervaardigd volgens het flip-chip-verbindings-procedé in een korte tijd, wanneer een halfgeleiderelement werd 20 verbonden met een schakelbord met een thermosetting hars en daarna een strook wordt gevormd door het gebruik van een foto-uithardend hars in de perifere gedeelten van het verbonden halfgeleider-element. De onderhavige uitvinding wordt voltooid op basis van deze kennis.
25 De onderhavige uitvinding omvat: (1) een werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement, omvattend een werkwijze waarbij een halfgeleiderelement volgens een flip-chip- verbindingswijze wordt bevestigd, het halfgeleider-30 element wordt verbonden met een schakelbord met behulp van een thermohardende hars, en waarbij perifere delen van het verbonden halfgeleider-element met een foto-conserverende hars worden bedekt en een strook wordt 1026573' 5 gevormd door middel van het foto-conserveren van de foto-uithardende hars; en (2) een halfgeleider-bouwelement omvattend een halfgeleider-element, dat is bevestigd op een 5 schakelbord volgens een flip-chip-verbindingswijze, waarin het halfgeleider-element wordt verbonden met het schakelbord door middel van een thermohardende hars op gedeelten direct onder het halfgeleiderelement, en een strook wordt gevormd met een foto-10 conserverende hars op perifere gedeelten van het halfgeleider-element.
korte beschrijving van de tekeningen 15
Figuur 1 toont een zijaanzicht in doorsnede van een voorbeeld van het halfgeleider-bouwelement.
Figuur 2 toont een diagram, dat een uitvoeringsvorm van de 20 werkwijze voor de productie van een halfgeleider- bouwelement volgens de onderhavige uitvinding beschrijft.
Figuur 3 toont een diagram, dat een uitvoeringsvorm van de 25 werkwijze voor de productie van een halfgeleider- bouwelement volgens de onderhavige uitvinding beschrij ft.
De getallen in de figuren hebben de betekenis zoals in 30 de volgende lijst beschreven: 1 een schakelbord 2 electrode 1026573- 6 3 halfgeleider-element 4 electrode 5 stootrand 6 een anisotrope, geleidende kleefstof 5 7 een strip 8 een thermohardende hars 9 een foto-verduurzaanibare hars beschrijving van de voorkeur genietende uitvoeringvormen 10
De werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement, omvattend een werkwijze waarbij een halfgeleider-element volgens een flip-chip-verbindingswijze wordt bevestigd, het halfgeleiderelement wordt verbonden 15 met een schakelbord met behulp van een thermohardende hars, en waarbij perifere delen van het verbonden halfgeleiderelement met een foto-conserverende hars worden bedekt en een strook wordt gevormd door middel van het foto-uitharden van de foto-uithardende hars.
20 Bij het bevestigen van een halfgeleider-element volgens de flip-chip-verbindingswerkwijze wordt een niet afgedekt halfgeleider-element gebruikt, dat niet verpakt is, bijvoorbeeld een niet afgedekte (in het engels benoemd met „bare") chip, en elektroden aan de functionele zijde 25 van het halfgeleider-element worden verbonden met electroden op het schakelbord. Volgens de flip-chip-verbindingswerkwijze kan het gebied, dat bezet wordt voor de bevestiging en de hoogte van de bevestiging, worden verminderd en het verkregen instrument kan kleiner en 30 dunner worden gemaakt. Bovendien kan de lengte van de verbinding tussen de uiteinden van de electroden korter gemaakt worden in vergelijking tot de draadverbindings- 1026573“ 7 werkwijze, en het verlies in de hoge frequentiesignalen kan worden verminderd.
Bij de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding is de werkwijze voor het verbinden van het halfgeleider-5 element met het schakelbord niet beperkt tot de inzet met thermohardende hars. Voorbeelden van de werkwijze omvatten het proces, waarin een anisotroop, geleidende kleefstofpasta (ACP) wordt gebruikt, de werkwijze waarin anisotrope, geleidende kleefstoffilm (ACF) wordt gebruikt, 10 de werkwijze waarin een niet geleidende kleefstofpasta (NCP) wordt gebruikt, het proces waarin een niet geleidende kleefstoffilm (NCF) wordt gebruikt, de werkwijze volgens de epoxi-ingekapselde soldeerverbinding (ESC), de gecontroleerde collapse-chip-verbindingswerkwijze (C4) en 15 de ultrasone flip-chip-verbindingswerkwijze.
De anisotrope, geleidende kleefstofpasta is een kleefmiddel in de vloeibare vorm of in pastavorm met daarin aanwezig geleidende deeltjes die gedispergeerd zijn in een thermohardende hars. De anisotrope, geleidende 20 kleefstofpasta wordt geplaatst op het schakelbord („circuit board") in de vorm van druppels of toegepast om het schakelbord te coaten, en de thermohardende hars wordt uitgehard, wanneer het halfgeleiderelement wordt geperst en verhit door een kop van een flip-chip-verbindingsapparaat. 25 Dus de verbinding tussen het schakelbord en het halfgeleiderelement, de electrische verbinding tussen de naar elkaar toe gerichte electroden en de electrische isolatie tussen naburige electrodes worden simultaan verkregen. In het kader van werkwijze volgens de 30 onderhavige uitvinding wordt de voorkeur gegeven aan het feit, dat de hoeveelheid van de anisotrope, geleidende kleefstofpasta, zoals geplaatst op het schakelbord in de vorm van druppels of toegepast om het schakelbord te 1 fl^RST'ï- 8 coaten, wordt aangepast zodanig, dat het gedeelte direct onder het halfgeleider element volledig is gevuld met de thermohardende hars en de thermohardende hars zich niet uitbreidt tot in de aan de buitenkant gelegen gedeelten van 5 het halfgeleider-element.
De anisotrope, geleidende kleefstoffilm is een film gevormd door een thermohardende hars, omvattend geleidende deeltjes en over het algemeen, worden beide zijden gelamineerd met een afdekfilm en een releasefilm. De 10 anisotrope, geleidende kleefstoffilm wordt gesneden tot voorgegeven afmeting en geplaatst op het schakelbord nadat de afdekfilm wordt verwijderd, en het halfgeleiderelement wordt geplaatst boven op de film nadat de releasefilm wordt verwijderd. De thermohardende hars wordt uitgehard, wanneer 15 het halfgeleiderelement wordt geperst en verhit door een kop van een flip-chip-verbindingsapparaat en de verbinding tussen het schakelbord en het halfgeleider-element, de electrische verbinding tussen de electroden, die naar elkaar toe gericht zijn en de electrische isolatie tussen 20 naburige electroden simultaan worden bereikt. In het kader van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding geniet het de voorkeur, dat de vorm en de afmeting van de anisotrope, geleidende kleefstoffilm worden aangepast aan dezelfde als diegene van het halfgeleider-element zodat het 25 gedeelte direct onder het halfgeleider-element volledig is gevuld met de thermohardende hars en de thermoharde hars zich niet uitstrekt tot in de aan de buitenzijde gelegen gedeelten van het halfgeleiderelement.
Voorbeelden van de geleidende deeltjes deel uitmakend 30 van de anisotroop geleidende kleefstofpasta of de anisotrope, geleidende kleefstoffilm omvatten deeltjes van metaal zoals bijvoorbeeld nikkel, zilver en goud, deeltjes van hars, bedekt met deze metalen, glasdeeltjes en 1026573" 9 keramische deeltjes. Voorbeelden van de thermohardende hars ter vorming van de anisotroop geleidende kleefstofpasta of de anisotrope, geleidende kleefstoffilm omvatten epoxie-harsen, polyimide harsen en urethaan-acrylaatharsen.
5 Bij de werkwijze met gebruikmaking van de niet- geleidende kleefstofpasta of de niet-geleidende kleefstoffilm worden het halfgeleiderelement en het schakelbord met elkaar verbonden via de niet-geleidende kleefstofpasta of de niet-geleidende kleefstoffilm. De 10 pasta of de film wordt geperst tussen het halfgeleiderelement en het schakelbord, en er wordt een conditie verkregen, dat electrische stroom kan vloeien tussen de corresponderende electroden („bumps" / stootranden) maar niet kan vloeien tussen onnodige electroden. Daarna wordt 15 de thermohardende hars gehard in de niet-geleidende kleefstofpasta of de niet-geleidende kleefstoffilm. Bij de werkwijze met gebruikmaking van de niet-geleidende kleefstofpasta of de niet-geleidende kleefstoffilm geniet het de voorkeur, dat het gedeelte direct onder het 20 halfgeleider-element volledig is gevuld met de thermohardende hars en de thermohardende hars niet doordringt in de aan buitenzijde gelegen gedeelten van het halfgeleiderelement.
In de ESC-werkwijze wordt het schakelbord gecoat met 25 de thermohardende hars. De metalen verbinding wordt gevormd tussen bumps van de gouden draad, gevormd tot vormgeving van de electroden aan de funcionele zijde van het halfgeleider-element en gesoldeerde precoatings, gevormd op de electroden van het schakelbord, en de thermohardende 30 hars wordt uitgehard.
In de werkwijze volgens C4, worden stootranden van een hoogsmeltend soldeersel gevormd op de electroden aan de functionele zijde van het halfgeleiderelement en 1026573- 10 stootranden van een cocrystallinen soldeersel gevormd aan de electroden op het schakelbord worden samen verbonden met behulp van een smeltprocedé. Dan is het gedeelte direct onder het halfgeleider-element gevuld met een 5 thermohardende underfill-(onderliggende vulling)-hars, en de hars wordt uitgehard.
In de ultrasone werkwijze met flip-chip-verbinding, worden stootranden van een gouddraad, die gevormd zijn op de electrode aan de functionele zijde van het halfgeleider-10 element in contact gebracht met de goud-electrode op het schakelbord, en de metalen worden met elkaar verbonden door inzet van een ultrasone trillingen in de richting evenwijdig aan het aanzicht van het schakelbord onder druk. Dan wordt het gedeelte direct onder het halfgeleider-15 element gevuld met een thermohardende underfill-hars, en de hars wordt uitgehard.
In de ESC-werkwijze, de werkwijze C4 en de werkwijze met de ultrasone flip-chip-verbinding kan, alhoewel de metaalbinding wordt gevormd tussen de electroden, het 20 halfgeleiderelement worden beschouwd om te worden verbonden met het schakelbord met behulp van de thermohardende hars in deze werkwijze, omdat het gedeelte direct onder het halfgeleiderelement wordt gevuld met de uitgeharde thermohardende hars. In deze werkwijzen geniet het de 25 voorkeur, dat het gedeelte direct onder het halfgeleiderelement wordt gevuld met de thermohardende hars en de thermohardende hars zich niet uitbreidt tot in de aan de buitenzijde gelegen delen van het halfgeleider-element.
Bij de werkwijze van de onderhavige uitvinding wordt, 30 nadat het halfgeleiderelement wordt verbonden aan het schakelbord met behulp van de thermohardende hars, een foto-verhardbare hars aangebracht op de perifere gedeelten van het halfgeleider-element en uitgehard door middel van 1026573" 11 bestraling met licht, en een strook wordt gevormd. De foto-uithardbare hars omvat een polymeriseerbaar prepolymeer en een photopolymerisatie-initiator als zijnde de wezenlijke componenten, daar waar nodig, reactieve oplosmiddelen, 5 crosslinking monomeren, crosslinking prepolymeren en andere harsen. In het kader van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding kunnen alle fotoverhardende harsen van het radicale polymerisatie-type en fotohardende harsen van het cationische polymerisatie-type worden gebruikt.
10 Voorbeelden van de photopolymerisatie-initiator voor de radicale polymerisatie omvatten benzoin, benzoin ethyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 1-hydro-xycyclohexyl ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2-amino-15 anthraquinone, 2-ethylthioxanthone en benzyl dimethyl ketal. Voorbeelden van de polymeriseerbare prepolymeer voor de radicale polymerisatie omvatten ook urethane (meth)acrylates, polyester (meth)acrylates, polyether (meth)acrylates, epoxy (meth)acrylates en poly(meth)acrylic 20 esters met de koolstof-koolstof-dubbele binding aan de zijdelingse ketens.
Voorbeelden van de fotopolymerisatie-initiator voor de cationische polymerisatie omvatten ook componenten met combinaties van onium ions zoals bijvoorbeeld aromatic 25 sulfonium ions, aromatic oxosulfonium ions, aromatic diazonium ions en aromatic iodonium ions en anionen zoals tetrafluoroboraat anion, hexafluorophosphaat anion, hexafluoroantimonaat anion en hexafluoroarsenaat anion. Specifieke voorbeelden van de bovengenoemde componenten 30 omvatten ook p-methoxybenzenediazonium hexafluorophosphaat, diphenyliodonium hexafluorophosphaat en triphenylsulfonium hexafluoroantimonaat. Voorbeelden van de polymeriseerbare prepolymeer voor de cationische polymerisatie omvatten ook 102Θ573" 12 polyether glycidyls, polyester glycidyls, cyclic aliphatic epoxie-harsen, heterocyclic epoxie-harsen, epoxie-harsen van het novolak-type, epoxie-harsen van het bisphenol A type, epoxie-harsen van het bisphenol AD type, 5 poly(meth)acrylic esters met glycidyl groep aan de zijdelingse ketens.
Voorbeelden van het reactieve oplosmiddel / diluent omvatten ook cyclohexyl (meth)acrylaat, 2-ethylhexyl (meth)acrylaat, lauryl (meth)acrylaat, strearyl 10 (meth)acrylaat, N-hydroxyethyl (meth)acrylamide, N- vinylacetamide en componenten verkregen door hydrogenatie van de kern van bisphenol A diglycidyl ether. Voorbeelden van de crosslinking monomeer omvatten ook 1,4-butanediol di(meth)acrylaat,noepentyl glycol di(meth)acrylaat en 15 pentaerythritol tri(meth)acrylaat. Voorbeelden van de crosslinking prepolymeer omvatten ook polyethyleen glycol di(meth)acrylaat, polypropyleen glycol di(meth)acrylaat en novolak polyglycidyl ether. Voorbeelden van de andere hars omvatten ook polyurethanen, polyesters, polyamides, 20 polyimides, polycarbonaten, phenol harsen, urea-harsen and melamine harsen.
In het kader van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding blijft de werkwijze voor het bedekken van de perifere gedeelten van het halfgeleider-element met foto-25 uithardende hars daartoe niet bijzonder beperkt. Bijvoorbeeld kan de foto-uithardende hars, voor het geval, dat het halfgeleider-element een kleine afmeting heeft, worden toegepast op uniforme wijze aan de vier zijden van het halfgeleider-element door het voorzien van de vloeibare 30 foto-uithardende hars bij een punt aan een zijde van het halfgeleider-element met behulp van een verdeler / automaat of iets dergelijks. Wanneer het halfgeleider-element een grote afmeting heeft, kan de vloeibare foto-uithardende 1026573' 13 hars worden toegevoerd aan de vier zijden van het halfgeleider-element terwijl de verdeler / automaat of iets dergelijks wordt bewogen. In het kader van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding kan de strook, die 5 gevormd wordt met behulp van de foto-uithardende hars alleen, worden gevormd in de perifere delen van het halfgeleider-element, omdat het gedeelte direct onder het halfgeleider-element volledig wordt gevuld met de verduurzaamde, thermo-hardende hars en de thermo-hardende 10 hars niet reikt tot in de aan de buitenzijde gelegende gedeelten van het halfgeleider-element.
In het kader van de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding is de werkwijze voor het verduurzamen van de foto-uithardende hars niet beperkt bij toepassing tot de 15 perifere gedeelten van het halfgeleider-element. De foto- uithardende hars kan bijvoorbeeld worden geconserveerd c.q. uitgehard door middel van bestraling van de toegepaste foto-uithardende hars met behulp van licht door het gebruik van een gebundelde lichtbron zoals bijvoorbeeld een 20 schijnwerper. De golflengte van het licht voor de bestraling kan op geschikte wijze worden geselecteerd in overeenstemming met het type foto-polymerisatie-initiator deel uitmakend van de foto-uithardende hars. Voorbeelden van het licht houden eveneens zichtbaar licht in, met een 25 golflengte in het bereik van 400 tot 700 nm, ultraviolet licht met een golflengte in het bereik van 300 tot 450 nm en ultraviolet licht met een golflengte in het bereik van 240 tot 400 nm, bij voorkeur 250 nm. Het geniet de voorkeur, dat de intensiteit van het licht voor de 30 bestraling een bereik bezit van 1000 tot 6000 mW/cm2 en speciaal bij voorkeur in het bereik van 3000 tot 4000 mW/cm2. Wanneer de intensiteit van het licht voor de bestraling kleiner is dan 1000 mW/cm2, bestaat er de 1026573" 14 mogelijkheid, dat het verduurzamen van de foto-uithardende hars moeilijk wordt in een korte tijd. De foto-uithardende hars wordt snel uitgehard bij een intensiteit van het licht voor de bestraling bij een waarde van 6000 mW/cm2 of 5 kleiner en, over het algemeen, is een lichtintensiteit boven 6000 mW/cm2 niet nodig.
Volgens de werkwijze van de onderhavige uitvinding is de tijd, die benodigd wordt voor het uitharden van de thermo-hardende hars voor het verbinden van het 10 halfgeleider-element met het schakelbord door verhitting ongeveer hetzelfde als de tijd, die nodig is voor het foto-conserveren van de foto-uithardende hars, toegepast bij de perifere gedeelten van het halfgeleider-element. Derhalve worden de fase van toepassing van de thermo-hardende hars, 15 de fase van het verduurzamen van de thermo-hardende hars door verhitting, de fase van de toepassing van de foto-uithardende hars en de fase van het foto-verduurzamen van de foto-verduurzaambare hars in de volgorde in de productielijn van het half-geleiderelement geplaatst, en 20 het half-geleider bouwelement kan worden geproduceerd door het verplaatsen van onafgewerkte producten langs de productielijn terwijl de handelingen in de fase van warmte-uitharding en in de fase van foto-uitharding worden gesynchroniseerd. Omdat apparaten voor de fase van 25 toepassing van het foto-uithardende hars en de fase van foto-uitharding van het foto-uithardende hars klein zijn en gemakkelijk kunnen worden toegevoegd aan conventionele productielijnen, kan het halfgeleider-bouwelement worden geproduceerd volgens de werkwijze van de onderhavige 30 uitvinding zonder grote veranderingen in de productielijn, die tot dan toe werd gebruikt.
Figuur 2 en figuur 3 tonen diagrammen, die een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de productie van 1026573- 15 een halfgeleider-bouwelement volgens de uitvinding beschrijven. Zoals getoond in figuur 2 wordt een schakelbord („circiut board") 1 gecoat met een thermo-hardende hars 8. Een halfgeleider-element 3 wordt geplaatst 5 op een positie op de gecoate, thermo-hardende hars 8, onmiskenbaar op een wijze zodanig, dat de elektrische stroom kan verlopen tussen een elektrode 2 op het schakelbord 1 en een elektrode 4 op het halfgeleiderelement 3 via een stootrand („bump") 5. In deze 10 omstandigheid, wordt het halfgeleider-element onder druk gezet door de kop van een flip-chip-bevestigingsapparaat. De thermo-hardende hars wordt verduurzaamd, en het halfgeleider-element wordt verbonden met het schakelbord. De hoeveelheid thermo-hardende hars wordt zodanig 15 ingesteld, dat het gedeelte direct onder het halfgeleiderelement precies wordt opgevuld met de thermo-hardende hars en de thermo-hardende hars niet in de aan de buitenzijde gelegen gedeelten van het halfgeleider-element reikt. Zoals getoond in figuur 3 wordt dan een foto-uithardende hars 9 20 toegepast bij de perifere gedeelten van het halfgeleiderelement 3 en dan uitgehard met behulp van bestraling met licht, waarbij een strook {„fillet") wordt gevormd. Als gevolg van de zodanig gevormde strook in het halfgeleiderelement wordt een infiltratie van zuurstof en water in de 25 thermo-hardende hars vermeden, en op deze wijze het halfgeleider-bouwelement beschermd. Het bereik van de verbinding tussen het halfgeleider-element en het schakelbord wordt vergroot, en de sterkte, zoals de schokweerstand van het halfgeleider-bouwelement wordt 30 vergroot.
Het halfgeleider-bouwelement volgens de onderhavige uitvinding is een halfgeleider-bouwelement omvattend een halfgeleider-element, dat is bevestigd aan een schakelbord 1026573' 16 volgens de flip-chip-verbindingswerkwijze, waarin het halfgeleider-element wordt verbonden met het schakelbord door middel van een thermo-hardende hars op delen direct onder het halfgeleider-element, en een strook / strip wordt 5 gevormd met behulp van een foto-uithardende hars op perifere gedeelten van het halfgeleider-element. In conventionele halfgeleider-bouwelementen (semiconductor device"), geprepareerd volgens de flip-chip- verbindingswerkwijze, wordt een thermo-uithardende hars 10 voor het verbinden van een halfgeleider-element aan een schakelbord in een grote hoeveelheid gebruikt, en een strook / strip wordt gevormd met de thermo-hardende hars, die uitgedreven wordt uit het gedeelte direct onder het halfgeleider-element. In een halfgeleider-bouwelement, dat 15 geprepareerd werd volgens de flip-chip- verbindingswerkwijze, wordt hoofdzakelijk een anisotropische, geleidende kleefstofpasta of een anisotroop geleidende film bestaande uit kleefmiddel gebruikt als thermo-hardende hars. Door het gebruik van een 20 anisotropisch, geleidend materiaal als de thermo-hardende hars kunnen de elektrische verbindingen van elektroden, die naar elkaar toe zijn gericht en de elektrische isolatie tussen naburige elektroden simultaan worden verkregen. Voor het materiaal ter vorming van de strook is het echter niet 25 nodig, dat het materiaal een anisotropisch, geleidend materiaal is, maar het is van belang, dat de verbindingssterkte tussen het halfgeleider-element en het schakelbord wordt vergroot en infiltratie van zuurstof of water aan de aan de binnenzijde gelegen gedeelten van het 30 halfgeleider-bouwelement wordt tegengegaan, zodat de hittebestendigheid en vochtbestendigheid van het halfgeleider-bouwelement wordt vergroot en de betrouwbaarheid van het halfgeleider-bouwelement wordt 1026573- 17 verbeterd. Wanneer de hars, die de strook / strip vormt, dezelfde is als de thermo-hardende hars, die direct geplaatst is onder het halfgeleider-element, is het niet altijd eenvoudig een hars te kiezen, die de meest geschikte 5 eigenschappen heeft voor de strook. In het halfgeleider-bouwelement volgens de onderhavige uitvinding kunnen de thermo-hardende hars voor het verbinden van het halfgeleider-element met het schakelbord en de foto-hardende hars voor de vorming van de strook onafhankelijk 10 van elkaar worden uitgekozen. Derhalve kan de hars, die het meest geschikt is voor het adequaat voldoen aan de eigenschappen, die nodig zijn voor de strook worden geselecteerd voor de vorming van de strook, en het halfgeleider-bouwelement met een uitzonderlijke 15 betrouwbaarheid kan worden verkregen.
Om de voordelen van de onderhavige uitvinding volgens de werkwijze van de onderhavige uitvinding samen te vatten, kan het halfgeleider-bouwelement met de uitzonderlijke hittebestendigheid en vochtbestendigheid en betrouwbaarheid 20 efficiënt worden geproduceerd volgens de flip-chip- verbindingswerkwijze. Het halfgeleider-bouwelement volgens de onderhavige uitvinding vertoont een uitzonderlijke hitte- en vochtbestendigheid.
25
Voorbeelden
De onderhavige uitvinding zal nader worden beschreven met betrekking tot de hierna genoemde voorbeelden. Maar de 30 onderhavige uitvinding is niet beperkt tot deze voorbeelden.
1026573- 18
Voorbeeld 1
Door het gebruik van een substraat geprepareerd door middel van het lamineren van een koperen folie met een 5 dikte van 35 ym op een polyethyleen terephthalaat-film met een breedte van 16 mm, een lengte van 45 mm, een dikte van 50 pm door middel van een urethaanvormige kleefstof met een dikte van 10 pm, een spoelschakeling met een lijnbreedte van 200 pm en 10 opgewikkelde windingen werd voorbereid. Op 10 de op deze wijze voorbereide schakeling werd een IC voor een non-contact automatische identificatie [geproduceerd door PHILIPS SEMICONDUCTORS I-code; de afmeting: 1.5 mm x 1.5 mm] bevestigd met een flip-chip-bevestigingsapparaat [geproduceerd door KYUSHU MATSUSHITA ELECTRIC Co., Ltd.; 15 FB30T-M] bij gebruikmaking van een anisotroop, geleidende kleefstofpasta [geproduceerd door KYOCERA Chemical Corporation; TAP0402E] als zijnde de kleefstof. De hoeveelheid anisotropische, geleidende kleefpasta, toegepast voor de schakeling werd gecontroleerd op basis 20 van het oppervlak, dat 0,4 mm2 bedroeg. De temperatuur waarbij de anisotropische, geleidende kleefstofpasta werd verhit, werd ingesteld op 220°C in een positie onder de chip. De druk zoals toegepast op de IC-chip werd ingesteld op 2N. De bevestiging werd warmtebehandeld onder druk 25 gedurende 7 seconden.
Aan de zij-aanzichten van de bevestigde IC werd 0,1 g van een acrylhoudende kleefstof van het UV-conserverende type [geproduceerd door NORLAND PRODUCTS, Inc.; NOA88] toegevoegd als druppels. De zijkanten van het IC werden 30 gecoat met de acrylhoudende kleefstof van het UV-verduurzamende type, en een strook werd gevormd. De acrylhoudende kleefstof van het UV-conserverende type werd gehard door bestraling met licht gedurende 7 seconden bij 1020573- 19 het gebruik van een UV-spotlight [HAMAMATSU PHOTONICS K. K; LC 6], en een transponderschakeling werd voltooid.
Nadat werd bevestigd, dat 20 transponderschakelingen in de vlakke vorm („sheet form"), voorbereid zoals 5 hierboven geschreven, normaal functioneren bij het gebruik van een kit voor evaluatie van I-Code [geproduceerd door PHILIPS SEMICONDUCTORS; SLEV400], werden de schakelingen geplaatst in een kleine omgevingstester [geproduceerd door ESPEC CORP.; SH-241] en onder een hete en vochtige conditie 10 van 60°C en 90% RH (relatieve luchtvochtigheid) gedurende 1000 uren gehouden. Nadat de schakelingen onder de hete en vochtige condities aansluitend gedurende 24 uur op kamertemperatuur werden gehouden, werd onderzocht of de schakelingen normaal functioneerden, en er werd gevonden 15 dat geen van de 2 0 schakelingen defecte functies vertoonden.
Voorbeeld 2 20 Transponderschakelingen werden geprepareerd volgens dezelfde procedures dan die zoals beschreven in voorbeeld 1 uitgezonderd het feit, dat de strip / strook werd gevormd door het gebruik van een epoxy-baserende kleefstof van het UV-conserverende type [geproduceerd door NORLAND PRODUCTS, 25 Inc.; NEA123L] .
Nadat werd bevestigd, dat 20 transponder-schakelingen van de vlakke vorm, voorbereid zoals hierboven beschreven normaal funcioneerden volgens dezelfde procedure dan de beschreven procedures in voorbeeld 1, werden de 30 schakelingen geplaatst in een kleine omgevingstester en onder een hete en vochtige conditie gehouden bij 60°C en 90% RH gedurende 1000 uren. Nadat de schakelingen zoals behandeld onder de hete en vochtige conditie werden 1028573“ 20 verwijderd en gedurende 24 uur werden gehouden op kamertemperatuur, werd onderzocht of de schakelingen normaal functioneerden, en er werd gevonden dat geen van de 20 schakelingen foute of gebrekkige functies vertoonden.
5
Vergelijkend voorbeeld 1
In overeenstemming met dezelfde procedures zoals 10 behandeld in voorbeeld 1, waar een spoelschakeling van een koperen folie werd gevormd op de polyethyleen terephthalaat-film, werd de IC voor non-contact automatische indentificatie bevestigd op de voorbereide schakeling met behulp van het flip-chip-bevestigings- 15 apparaat door gebruik van de an-isotrope, geleidende kleefstofpasta als kleefmiddel, en werd een transponderschakeling geprepareerd.
Twintig transponders van de vlakke vorm, geprepareerd zoals hierboven beschreven, werden gebruikt voor de 20 evaluatie zonder de vorming van een strook met het kleefmiddel van het UV-uithardende type. Nadat was vastgesteld, dat de transponderschakelingen normaal functioneerden, werden de schakelingen geplaatst in een kleine omgevingstester en onder hete en vochtige condities 25 van 60°C en 90% RH gedurende 1000 uren gehouden. Nadat de onder de hete en vochtige conditie behandelde schakelingen verwijderd werden en werden geplaatst bij kamertemperatuuur gedurende 24 uren, werd onderzocht of de schakelingen normaal functioneerden. Er werd gevonden, dat 18 van de 20 30 schakelingen gebrekkige functies toonden.
t026573- 21
Vergelijkend voorbeeld 2
Een transponderschakeling werd geprepareerd in overeenstemming met dezelfde procedures als degene, die 5 behandeld werden in voorbeeld 1 met uitzondering van het feit, dat een strook werd gevormd door het gebruik van 0,1 g van een epoxy-gebaseerd, thermo-hardend kleefmiddel [geproduceerd door THREE Bond; 2217H] in plaats van het kleefmiddel van het UV-uithardend type, gevolgd door het 10 verwarmen in een oven bij 220°C gedurend 25 seconden. De polythyleen terephthalaat-film van het substraat kromp en de vlakheid van de schakeling werd ernstig beschadigd.
In overeenstemming met dezelfde procedures zoals doorgevoerd in voorbeeld 1, nadat werd vastgesteld dat 20 15 transponderschakelingen van de vlakke vorm, geprepareerd als hierboven beschreven, normaal funcioneerden, werden de schakelingen geplaatst in een kleine omgevingstester en bij een hete en vochtige conditie van 60°C en 90% RH gedurende 1000 uren gehouden. Nadat de onder deze hete en vochtige 20 omstandigheden behandelde schakelingen werden verwijderd en bij een kamertemperatuur gedurende 24 uur verbleven, werd onderzocht of de schakelingen normaal functioneerden. Er werd gevonden, dat geen enkele van de 20 schakelingen gebrekkige functies vertoonden.
25
Vergelijkend voorbeeld 3
Een transponderschakeling werd geprepareerd 30 overeenkomstig dezelfde procedures zoals die beschreven werden in voorbeeld 1 met uitzondering van het feit, dat een strook werd gevormd door het gebruik van 0,1 gram van een epoxy-gebaseerde, thermo-hardende kleefstof 1026573- 22 [geproduceerd door THREE Bond; 2223] in plaats van het kleefmiddel van het UV-uithardende type, gevolgd door een verhitting in een oven bij 150°C gedurende 25 seconden.
In overeenstemming met dezelfde procedures als 5 hierboven in voorbeeld 1, en nadat was vastgesteld, dat 20 transponder-schakelingen van de vlakke vorm, voorbereid zoals hierboven beschreven, normaal functioneerden, werden de schakelingen geplaatst in een kleine omgevingstester en bij een warme en vochtige conditie van 60 °C en 90% RH 10 gehouden gedurende 1000 uren. Nadat de bij deze warme en vochtige conditie behandelde schakelingen werden verwijderd en gedurende 24 uur op kamertemperatuur werden geplaatst, werd onderzocht of de schakelingen normaal functioneerden. Er werd vastgesteld, dat 15 van de 20 schakelingen 15 gebrekkige functies vertoonden.
Het resultaat van de voorbeelden 1 en 2 en de vergelijkende voorbeelden 1 t/m 3 zijn gepresenteerd in tabel 1.
1028573" 23 tabel 1
Kleefmiddel Conditie voor Aantal gebre- opmerking voor de het uitharden ken na behan- strookvorming deling onder hete en vochtige conditie
Voorbeeld 1 Acrylvormig Bestraling met 0 kleefmiddel UV-gedurende 7 van het UV- seconden verhardende type
Voorbeeld 2 Epoxie- Bestraling met 0 gebaseerd UV gedurende 7 kleefmiddel seconden van UV-ver-hardend type
Vergelijkend geen - 18 - voorbeeld 1
Vergelijkend Epoxy- Verwarmen bij 0 Krimp van voorbeeld 2 gebaseerd 220°C substraat, thermo-hardend gedurende 25 slechte kleefmiddel seconden kwaliteit
Vergelijkend Epoxy- Verwarmen bij 15
voorbeeld 3 gebaseerd 150eC
thermo-hardend gedurende 25 kleefmiddel seconden
In de voorbeelden 1 en 2 waarin de strook werd gevormd 5 met het acrylvormige kleefmiddel van het UV-hardende type of het epoxy-gebaseerde kleefmiddel van het UV-uithardende type, werd het kleefmiddel verhard door bestraling met het ultraviolette licht gedurende 7 seconden en de strook / strip werd gevormd waarbij deze een voortreffelijke hitte-10 en vochtbestendigheid vertoonde. Het tijdsbestek van verhitting onder de druk voor het uitharden van de an-isotroop geleidende kleefstofpasta voor het verbinden van 1026573- 24 het halfgeleider-element aan het schakelbord bedroeg eveneens 7 seconden. Derhalve, wanneer de fase van toepassing van de kleefstof van het UV-hardende type en de fase van uitharding van de UV-uithardbare kleefstof werden 5 doorgevoerd na de fase van toepassing van de anisotroop geleidende kleefstofpasta en de fase van de uitharding van de kleefstofpasta in de productielijn van het halfgeleider-bouwelement kunnen de uithardingstijd van de an-isotroop geleidende kleefmiddelpasta en de uithardingstijd van het 10 kleefmiddel van het UV-uithardende type worden gesynchroniseerd, en het verbinden van het halfgeleiderelement met de anisotrope, geleidende kleefstofpasta en de vorming van de strook met het kleefmiddel van het UV-uithardende type kan simultaan worden verkregen zonder 15 afname in de productiviteit van het halfgeleider-bouwelement.
In het bouwelement van het vergelijkend voorbeeld 1, waarin geen strook werd gevormd, was de hitte- en vochtbestendigheid gering. Zoals getoond in de 20 vergelijkbare voorbeelden 2 en 3, waren 25 seconden nodig voor het uitharden door verhitting wanneer de epoxy-gebaseerde thermo-hardende kleefstof werd gebruikt, en een afname in de productiviteit werd onvermijdelijk. Het halfgeleider-bouwelement volgens het vergelijkend voorbeeld 25 2, dat was geprepareerd met behulp van een verhitting bij 220°C toonde een slechte kwaliteit, die te wijten was aan het krimpen van het substraat ondanks het feit, dat de hitte- en vochtbestendigheid voortreffelijk was. Het halfgeleider-bouwelement volgens vergelijkend voorbeeld 3, 30 dat was geprepareerd bij een verwarming op 150°C toonde een geringe weerstand ten aanzien van hitte en vocht alhoewel de appearance geen gebreken vertoonde.
1026573"

Claims (10)

1. Werkwijze voor de productie van een halfgeleiderbouwelement, omvattend een werkwijze waarbij een halfgeleiderelement volgens een flip-chip-verbindingswijze wordt bevestigd, het halfgeleiderelement 5 wordt verbonden met een schakelbord met behulp van een thermohardende hars, en waarbij perifere delen van het verbonden halfgeleider-element met een foto-uithardende hars worden gecoat en een strook wordt gevormd door middel van het foto-conserveren van de foto-uithardende hars. 10
2. Werkwijze voor de productie van een halfgeleiderbouwelement volgens conclusie 1, welke omvat het aanbrengen van een thermohardende hars op een 15 oppervlak van een schakelbord direct onder een halfgeleiderelement, in een dusdanige hoeveelheid, dat het gedeelte direct onder het halfgeleiderelement volledig met de thermohardende hars wordt opgevuld en de thermohardende hars zich niet tot de gedeelten buiten het 20 halfgeleiderelement uitstrekt, het verbinden van het halfgeleiderelement met het schakelbord door het halfgeleiderelement in de thermohardende hars te drukken, het harden van de thermohardende hars door deze te 25 verhitten gedurende een tijdsduur welke benodigd wordt voor het uitharden van de thermohardende hars om het halfgeleiderelement met het schakelbord te verbinden, 1 02 6 5 73 het aanbrengen van een foto-uithardende hars op de perifere delen van het verbonden halfgeleiderelement om deze perifere delen te coaten, en het bestralen van de foto-uithardende hars met licht 5 gedurende een tijdsduur, welke benodigd wordt voor het uitharden van de foto-uithardende hars, zodat een strook wordt gevormd, waarbij de thermohardende hars een anisotropisch geleidende kleefpasta of een anisotropische geleidende kleeffilm is. 10
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarin de tijd die benodigd wordt voor het uitharden van de thermohardende hars om het halfgeleider-element met het schakelbord te 15 verbinden ongeveer dezelfde is als de tijd voor het uitharden van de foto-uithardende hars om een strook te vormen.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, waarin de tijd benodigd voor het uitharden van de thermohardende hars en de tijd benodigd voor het uitharden van de foto-uithardende hars 10 sekonden of minder bedraagt. 25
5. Werkwijze volgens conclusie's 2 tot 4, waarin de anisotropisch geleidende kleefstofpasta of de anisotropisch geleidende kleefstoffilm een thermohardende hars bevat, die uitgekozen wordt uit de groep welke bestaat uit 30 epoxieharsen, polyimidharsen en urethaan-acrylaat-harsen, en geleidende deeltjes uitgekozen uit de groep bestaande uit deeltjes van nikkel, zilver en goud, en deeltjes van hars, bedekt met deze metalen.
6. Werkwijze volgens conclusie's 1 tot 5, waarin de foto-uithardende hars een polymeriseerbar prepolymeer voor de radicale polymerisatie omvat, uitgekozen uit de groep bestaande uit urethaan (meth)acrylaten, polyester 5 (meth)acrylaten, polyether (meth)acrylaten, epoxie (meth)acrylaten en poly(meth)acryl esters met de koolstof-koolstof dubbele binding in de zij ketens.
7. Werkwijze volgens conclusie's 1 tot 5, waarin de foto- uithardende hars een polymeriseerbaar prepolymeer voor de cationische polymerisatie omvat, uitgekozen uit de groep bestaande uit polyether glycidyl, polyester glycidyl, cyclische aliphatische epoxieharsen, heterocyclische 15 epoxie harsen, epoxieharsen van het novolak type, epoxieharsen van het bisphenol A type, epoxieharsen van het bisphenol AD type, poly(meth)acrylesters met een glycidylgroep in de zij keten. 20
8. Werkwijze volgens conclusie's 1 tot 5, waarin het halfgeleiderbouwelement wordt geproduceerd door het verplaatsen van onafgewerkte producten langs een productielijn, waarbij in die productielijn de fase van 25 het aanbrengen van de thermohardende hars, de fase van het harden van de thermohardende hars door verhitting, de fase van het aanbrengen van de foto-hardende hars en de fase van het foto-harden van de foto-hardende hars in die volgorde in de productielijn zijn voorzien, en waarbij de 30 handelingen in de fase van de warmte-uitharding en in de fase van de foto-uitharding worden gesynchroniseerd.
9. Halfgeleiderbouwelement, omvattend een halfgeleiderelement, dat is bevestigd op een schakelbord volgens een flip-chip-verbindingswijze, waarin het halfgeleiderelement wordt verbonden met het schakelbord 5 door middel van een thermohardende hars op gedeelten direct onder het halfgeleider-element, en een strook wordt gevormd met een foto-uithardende hars op perifere gedeelten van het halfgeleider-element. 10
10. Halfgeleiderbouwelement, geproduceerd volgens de werkwijze volgens conclusie's 1 tot 8. 10265 73
NL1026573A 2003-07-08 2004-07-05 Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement. NL1026573C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003271844 2003-07-08
JP2003271844A JP2005033053A (ja) 2003-07-08 2003-07-08 半導体装置の製造方法及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1026573A1 NL1026573A1 (nl) 2005-01-11
NL1026573C2 true NL1026573C2 (nl) 2007-08-24

Family

ID=33562679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1026573A NL1026573C2 (nl) 2003-07-08 2004-07-05 Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6927099B2 (nl)
JP (1) JP2005033053A (nl)
KR (1) KR20050006037A (nl)
DE (1) DE102004029232A1 (nl)
NL (1) NL1026573C2 (nl)
SG (1) SG118287A1 (nl)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064239A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP4671775B2 (ja) * 2004-06-25 2011-04-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4636850B2 (ja) * 2004-10-29 2011-02-23 富士通株式会社 電子部品の実装方法
JP2007194271A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Olympus Imaging Corp 撮像素子の実装構造
JP4902229B2 (ja) * 2006-03-07 2012-03-21 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 実装方法
JP5644286B2 (ja) * 2010-09-07 2014-12-24 オムロン株式会社 電子部品の表面実装方法及び電子部品が実装された基板
US9278584B2 (en) * 2011-10-31 2016-03-08 Innovative Technologies, Llc All-weather tire
KR101274674B1 (ko) * 2011-11-02 2013-06-17 에스케이하이이엔지 주식회사 자외선 또는 극초단파를 이용한 반도체 디바이스 접합 장치 및 그 방법
TWI596985B (zh) * 2015-07-22 2017-08-21 億光電子工業股份有限公司 發光裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020090162A1 (en) * 2001-01-11 2002-07-11 Toyoki Asada Electronic device and optical transmission module
EP1387398A2 (de) * 2002-07-18 2004-02-04 DELO Industrieklebstoffe GmbH & Co. KG Verfahren und Klebstoff zur Flip-Chip-Kontaktierung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864178A (en) * 1995-01-12 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with improved encapsulating resin
JP2924830B2 (ja) * 1996-11-15 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH10340927A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
US6225704B1 (en) * 1999-02-12 2001-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Flip-chip type semiconductor device
US6589802B1 (en) * 1999-12-24 2003-07-08 Hitachi, Ltd. Packaging structure and method of packaging electronic parts
JP2001308145A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Fujitsu Ltd 半導体チップの実装方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020090162A1 (en) * 2001-01-11 2002-07-11 Toyoki Asada Electronic device and optical transmission module
EP1387398A2 (de) * 2002-07-18 2004-02-04 DELO Industrieklebstoffe GmbH & Co. KG Verfahren und Klebstoff zur Flip-Chip-Kontaktierung

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004029232A1 (de) 2005-05-25
US6927099B2 (en) 2005-08-09
SG118287A1 (en) 2006-01-27
JP2005033053A (ja) 2005-02-03
NL1026573A1 (nl) 2005-01-11
US20050009241A1 (en) 2005-01-13
KR20050006037A (ko) 2005-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5018826B2 (ja) 電子デバイスおよびその製造方法
CN1926675B (zh) 各向异性导电连接方法及各向异性导电粘合膜
NL1026573C2 (nl) Werkwijze voor de productie van een halfgeleider-bouwelement alsmede halfgeleider-bouwelement.
WO2004077527A2 (en) Area-array device assembly with pre-applied underfill layers on printed wiring board
JP2003500832A (ja) 高密度電子パッケージ及びその製造方法
KR100858979B1 (ko) 스마트 라벨 인렛 웹 제조를 위한 방법 및 장치
JP4203031B2 (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP3030201B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US6365435B1 (en) Method for producing a flip chip package
JP2011134747A (ja) 配線用電子部品及びその製造方法
US7141452B2 (en) Methods of reducing bleed-out of underfill and adhesive materials
JP2985640B2 (ja) 電極接続体及びその製造方法
KR102439365B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법
CN102176452B (zh) 高密度系统级芯片封装结构
JP6409281B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
CN100447971C (zh) 半导体装置的安装方法、半导体装置及其安装结构
CN108346640B (zh) 半导体结构及其制作方法
JP2002134559A (ja) 電子部品の実装方法及び電子部品実装体
JPH09246423A (ja) 半導体装置
CN101000899A (zh) 晶片封装结构
JP2004253529A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN106995584B (zh) 电容膜组成物和电容膜及该电容膜之制备和封装方法
JP6260312B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
WO2004110119A1 (en) A method for forming a joint
JP6233069B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20070410

PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20100201