LU84501A1 - Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solartellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren - Google Patents
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Description
i.
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen
Berlin und München VPA 82 P j 3 A 3 DE
J
i 5 Verfahren zum Herstellen hochreiner Ausgangsmaterialien für die Fertigung von Silizium für Solarzellen nach dem carbothermischen Reduktionsverfahren._
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren 10 zum Herstellen hochreiner Ausgangsmaterialien für die Fertigung von Silizium für Solarzellen nach dem carbothermischen Reduktionsverfahren, bei dem als Ausgangsmaterialien Quarzsand, der durch einen Glasschmelz-/Aus-laugprozeß in hochreines SiÜ2 übergeführt worden ist, 15 und zur Reduktion fein verteilter Kohlenstoff verwendet werden.
Bei der großtechnischen Herstellung von Silizium (metalurgical grade) wird natürlich-^vorkommender Quarz 20 mit Kohlenstoff (Petrolkoks, Koks, Kohle, Holzkohle) im Lichtbogenofen reduziert. Da bei diesem Prozeß verunreinigte Ausgangssubstanzen (SiC^, Kohlenstoff) eingesetzt werden, besitzt das hergestellte Silizium nur eine Reinheit von ungefähr 98 % und ist damit für die Her-25 Stellung von Solarzellen ungeeignet. Solarsilizium läßt sich mit diesem Verfahren nur dann erzeugen, wenn auch die Ausgangssubstanzen eine sehr hohe Reinheit und die erforderliche Reaktivität besitzen. Für den breiten Einsatz von Solarzellen müssen darüber hinaus die Ausgangs-30 Substanzen kostengünstig und mit gleichbleibender Qualität hergestellt werden.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der europäischen Patentanmeldung 0029157 zu entnehmen. Bei 35 diesem Verfahren wird aus verunreinigtem Quarzsand,
Boroxid und Soda ein Natrium-Borosilikatglas erschmolzen
Edt 1 Plr/28.4.1982 « i ï
“ 2 " VPA 82 P 1 3 4 3 DE
und dieses Glas in einen Glaskörper mit großer Oberfläche (Fasern, Bänder, Folien) übergeführt- Durch einen anschließenden Temperprozeß wird in dem Glaskörper eine 5 Phasentrennung herbeigeführt, bei der neben einer
SiO^-reichen Phase eine Na~0-B_0,-reiche Phase entsteht, in welcher sich die störenden Verunreinigungen ansammeln. Durch eine anschließende Säurebehandlung wird die Na20”B2Ü^-reiche Phase mitsamt der Verunreinigungen 10 aus dem Glaskörper ausgelaugt, so daß nur hochreines SÎÛ2 zurückbleibt, welches dann der Kohlenstoff-Reduktion im Lichtbogen zugeführt werden kann. Bei dem so hergestellten SiÜ2 kann der Gehalt an Übergangsmetallionen bis in den ppm-Bereich und darunter abgesenkt wer-15 den.
Die Verminderung des Borgehaltes, welcher stark dotierend in Silizium wirkt, läßt sich dadurch herbeiführen, daß gemäß der Patentanmeldung P 31 23 009.1 das 20 Phasentrennungsauslaugverfahren so durchgeführt wird, daß kein Bor vor oder während des Prozesses in die Glasschmelze gelangt- Es werden bei der Überführung in die Glasphase ein Gemisch aus Aluminiumoxid und Carbonaten und/oder Oxiden der Elemente der Alkali- und Erdalkali-25 metallgruppe zugesetzt und eine homogene Glasschmelze bei 1300°C bis 1500°C hergestellt, die in die Glasfaser übergeführt und ohne Temperung dem Phasentrennungsauslaugverfahren unterworfen wird. Das auf diese Weise erhaltene feinpulverige S1O2 besitzt einen für die 30 Fertigung von Solarzellen ausreichenden Reinheitsgrad (Borgehalt kleiner 1 ppm; Übergangsmetalle kleiner 10 ppm).
Neben hochreinem S1O2 wird für den Reduktionsprozeß auch 35 hochreiner Kohlenstoff benötigt. Kohlenstoff mit den erforderlichen Eigenschaften ist zur Zeit kommerziell nicht erhältlich. Die für die Herstellung von metalur-gical grade-Silizium verwendeten Materialien besitzen im # Ί t
- 3 - vpa 82 P 1 3 4 3 DE
allgemeinen einen Aschegehalt von 0,1 bis 1 %, sind also für die Herstellung von Solarsilizium ungeeignet. Einen wesentlich niedrigeren Verunreinigungspegel besitzt 5 Graphit, der durch eine Hochtemperaturbehandlung (größer 2000°C) mit fluorierten Kohlenwasserstoffen gereinigt wurde. Dieses Material ist jedoch wegen der hohen Kosten und seiner geringen Reaktivität für den Reduktionsprozeß ungeeignet.
10
Aufgabe der Erfindung ist es, sowohl SiO^ als auch Kohlenstoff in ausreichender Reinheit für das carbothermische Reduktionsverfahren in möglichst einfacher und kostengünstiger Weise herzustellen.
15
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs ge-nannen Art gelöst, welches erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß der Kohlenstoff vor dem Reduktionsprozeß einem Reinigungsverfahren in der Weise 20 unterworfen wird, daß er mit einem Binder in eine Granulatform übergeführt wird, daß das Kohlenstoffgranulat einer Extraktion in einer heißen anorganischen Säurelösung unterzogen wird und daß abschließend das hochgereinigte Kohlenstoffgranulat direkt zur Reduktion 25 von aus hochreinem SiO^ mittels eines Binders hergestellten Granulats verwendet wird. Dabei liegt es im Rahmen der Erfindung, daß als Granulat Pillen oder Tabletten aus Kohlenstoff und/oder aus SiO^ verwendet werden.
50
Zwar ist aus der DE-OS 30 13 319 bekannt, für den Reduktionsprozeß von SiÜ2 zur Herstellung von für Solar-‘ ’ zellen geeignetem Silizium bei Hochtemperaturschmelzver fahren aktivierten Kohlenstoff oder Ruß in Form von 35 Tabletten zu verwenden, die ein hochgereinigtes Bindemittel wie Stärke, Zucke,r oder Zellulose und Quarzsand enthalten, doch liegt der nach der Reduktion erreichte Reinheitsgrad des Silizium für den Borgehalt *
- 4 - vpa 82 P 1 3 43 DE
kleiner 7 ppm und für den Phosphorgehalt kleiner 5 ppm. Um den Reinheitsgrad noch zu verbessern, und Silizium in Solarzellenqualität herzustellen, wird deshalb im An-5 Schluß an den Reduktionsprozeß bei dem bekannten Verfahren noch ein Schmelzprozeß angeschlossen, in welchem die Verunreinigungeidurch zonenweises Ausschmelzen abgetrennt werden. Dieser zusätzliche Prozeßschritt erübrigt sich beim Verfahren nach der Lehre der Erfindung durch 10 den Auslaugprozeß.
Bei diesem Extraktionsprozeß werden die störenden Verunreinigungen wie z. B. Calzium, Aluminium und die Übergangsmetalle entfernt, so daß hochreines Kohlenstoff-15 granulat erhalten wird, das eine hohe Reaktivität im Reduktionsprozeß aufweist. Nach dem Trocknen kann das Granulat im Lichtbogenofen sofort eingesetzt werden. Mit diesem Verfahren kann Kohlenstoff folgender Reinheit erhalten werden: Übergangsmetalle (Fe, Ni), Al, Mg, Ca<< 20 10 ppm, Bor und Phosphor < 1 ppm.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, daß in Abänderung des Verfahrens nach Anspruch 1 der Kohlenstoff im Gemisch mit dem aus Quarz-25 sand und glasbildenden Zuschlägen gebildeten, vorzugsweise in die Faserform übergeführten und zerkleinerten Glaskörper mittels eines Binders in die Granulatform gebracht und in einer heißen anorganischen Säurelösung, vorzugsweise Salzsäure, extrahiert wird. Dabei werden 30 als Zuschläge Alkali- und Erdalkalioxide, wie Na^, CaO, Al^Ο^, und/oder MgO verwendet. Die z. B. ca. 10 bis 100 pm dicken Fasern werden zerkleinert, mit der erforderlichen Menge an fein verteiltem Kohlenstoff, z. B.
2 Mol Kohlenstoff zu 1 Mol SiO^, und einem geeigneten 35 Binder, z. B. einem hochreinen Phenolharz, gemischt und in Pillen bzw. Tabletten übergeführt. Anschließend werden diese Pillen mit einer heißen anorganischen Säure, z. B. Salzsäure, ausgelaugt, wobei sämtliche « (
- 5 - vpa 82 P 13^3 DE
Verunreinigungen aus der Glasmatrix und dem Kohlenstoff entfernt werden. Die hochreinen SiO^/Kohlenstoff-Pillen oder -Tabletten können nach dem Trocknen direkt im . 5 Lichtbogen zu Silizium reduziert werden. Falls erforder lich/ können zur Korrektur des stöchiometrischen SiO^/Kohlenstoff-Verhältnisses Pillen oder Tabletten aus reinem SiO^ und reinem Kohlenstoff zugegeben werden.
10 Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird zum Extrahieren eine 3n - 6n heiße Salzsäure von mindestens 90°C verwendet.
Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß als 15 Binder hochreine Substanzen, die bei Temperaturen im Bereich von 6Q0°C mit SiO^ und/oder Kohlenstoff noch mechanisch stabil sind, verwendet werden. Die chemische Zusammensetzung des Binders sowie seine Konzentration in der Pille oder Tablette muß so gewählt werden, daß ihre 20 Form durch den Auslaugprozeß nicht zerstört wird, und im Lichtbogen eine ausreichende Festigkeit noch vorhanden ist, damit kein vorzeitiger Zerfall einsetzt und die Pillen bzw. Tabletten als Staub mit den Reaktionsgasen (CO, CO2) aus dem Ofen getragen werden.
25
Bei der Herstellung der Granulatform (Kornvergrößerung) werden deshalb gemäß der Lehre der Erfindung bevorzugt Phenolharze, aber auch Stärke oder Natriumsilikat verwendet. Der Anteil des Binders im Granulat wird dabei 30 auf 5 bis 15 % eingestellt. Der Durchmesser des
Granulats beträgt > 6 mm, vorzugsweise 6 bis 25 mm. Als Ausgangsmaterial für den hochreinen Kohlenstoff wird Ruß, Aktivkohle oder auch gemahlene Holzkohle eingesetzt.
12 Patentansprüche 55 «
Claims (12)
- 6. vpa 82 P 1 3 4 3 DE <
- 1. Verfahren zum Herstellen hochreiner Ausgangs- - 5 materialien für die Fertigung von Silizium für Solar zellen nach dem carbothermischen Reduktionsverfähren, bei dem als Ausgangsmaterialien Quarzsand, der durch einen Glasschmelz-/Auslaugprozeß in hochreines SiQ^ übergeführt worden ist, und zur Reduktion feinverteilter 10 Kohlenstoff verwendet werden, dadurch gekennzeichnet , daß der Kohlenstoff vor dem Reduktionsprozeß einem Reinigungsverfahren in der » Weise unterworfen wird, daß er mit einem Binder in eine Granulatform übergeführt wird, daß das Kohlenstoff-15 granulat einer Extraktion in einer heißen anorganischen Säurelösung unterzogen wird und daß abschließend das hochgereinigte Kohlenstoffgranulat direkt zur Reduktion von aus hochreinem S1O2 mittels eines Binders hergestellten Granulats verwendet wird. 20
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als Granulat Pillen oder Tabletten von Kohlenstoff und SiO^ verwendet werden. 25 j. 3· Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet , daß in Abänderung des Verfahrens nach Anspruch 1 der Kohlenstoff im Gemisch mit dem aus Quarzsand und glasbildenden Zuschlägen ge-30 bildeten, vorzugsweise in die Faserform übergeführten und zerkleinerten Glaskörper mittels eines Binders in die Granulatform gebracht und in vorzugsweise heißer Salzsäure extrahiert wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß als Zuschläge Alkali- und Erdalkali-Oxide, wie k^ü, CaO, oder MgO verwendet werden. ♦ t « 7. vpa 82 P 13 4 3 DE
- 5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß eine 3n bis 6n Salzsäure von mindestens 90°C verwendet wird. 5
- 6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5/ dadurch gekennzeichnet , daß das Mol-Verhältnis Kohlenstoff zu SiC>2 auf 2 : 1 eingestellt wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß zur Korrektur des stöchiometrischen Si02/Kohlenstoff-Verhältnisses Pillen oder Tabletten aus reinem Si02 und/oder reinem Kohlenstoff beigegeben werden. 15
- 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Binder hochreine Substanzen, die bei Temperaturen im Bereich von 600°C mit SiO^ und/oder Kohlenstoff noch mechanisch stabil 20 sind, verwendet werden.
- 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß Phenolharze, Sucrose oder Natriumsilikate verwendet werden. 25
- 10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß der Anteil des Binders auf 5 bis15 % eingestellt wird.
- 11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet , daß als Ausgangsmaterial für den Kohlenstoff Ruß, Aktivkohle oder gemahlene Holzkohle verwendet wird.
- 12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß der Durchmesser des Granulats auf > 6 mm, vorzugsweise auf 6 bis 25 mm, eingestellt wird. ♦
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| US7354045B2 (en) | 2002-10-29 | 2008-04-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Oil ring |
| KR101450346B1 (ko) * | 2006-03-15 | 2014-10-14 | 알이에스씨 인베스트먼츠 엘엘씨 | 태양 전지 및 다른 용도를 위한 규소 제조 방법 |
| US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
| US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
| ITMI20081085A1 (it) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | N E D Silicon S P A | Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza. |
| WO2010017364A2 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Mayaterials, Inc. | Low cost routes to high purity silicon and derivatives thereof |
| EA201100572A1 (ru) | 2008-09-30 | 2011-10-31 | Эвоник Дегусса Гмбх | Получение кремния для солнечных батарей из диоксида кремния |
| DE102008042498A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| EP2322474A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| CN106672976A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-05-17 | 石兵兵 | 一种低硼多晶硅及其制备方法 |
| CN108147414B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-12-01 | 宁夏大学 | 一种纳米级硅颗粒的制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE538783C (de) * | 1927-04-30 | 1931-11-16 | Daniel Gardner | Herstellung von Kohlenstoff von hoher Reinheit |
| DE553235C (de) * | 1929-11-08 | 1932-06-23 | Carbonfix Sarl Soc | Herstellung reiner, praktisch aschefreier Kohle |
| DE1946458A1 (de) * | 1968-09-17 | 1970-04-23 | Minerais Sa Des | Verfahren zur Verkokung von Pech und zur Erzeugung von stueckigem Kohlenstoff grosser analytischer Reinheit |
| US4083940A (en) * | 1976-02-23 | 1978-04-11 | Aluminum Company Of America | Coal purification and electrode formation |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| DE2945141C2 (de) * | 1979-11-08 | 1983-10-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand |
-
1982
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