DE3013319C2 - Verfahren zum Herstellen von Silicium und dessen Verwendung in Solarzellen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Silicium und dessen Verwendung in SolarzellenInfo
- Publication number
- DE3013319C2 DE3013319C2 DE3013319A DE3013319A DE3013319C2 DE 3013319 C2 DE3013319 C2 DE 3013319C2 DE 3013319 A DE3013319 A DE 3013319A DE 3013319 A DE3013319 A DE 3013319A DE 3013319 C2 DE3013319 C2 DE 3013319C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- carbon
- ppm
- sugar
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
35
Die Erfindung richtet sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Silicium, insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung von Silicium mit einem Reinheits-
grad, so daß es für die Verwendung in Solarzellen geeignet ist, wobei es dabei als aktives Material in
Fotozellen verwendet wird zur direkten Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie.
Silicium, das für die Verwendung in Fotozellen brauchbar ist, muß eine relativ hohe Reinheit haben, um
eine wirkungsvolle Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie zu ermöglichen. Von wesentlicher
Bedeutung für Silicium mit einem Reinheitsgrad, der es für die Verwendung in Solarzellen geeignet macht, ist es, so
daß der Gehalt von Elementen der Gruppe III und der Gruppe V des periodischen Systems der Elemente
außerordentlich niedrig ist, insbesondere der Gehalt an Dor und Phosphor.
Silicium, das als Material für Halbleiter verwendet
wird, hat eine sehr hohe Reinheit, aber die Herstellung von Silicium mit einem Reinheitsgrad, wie es für
Halbleiter erforderlich ist, verursacht hohe Kosten.
Diese sind so hoch, daß es unwirtschaftlich, ja einfach zu teuer ist, derartiges Silicium für Solarzellen zu
verwenden.
Es bestand deshalb ein Interesse nach einem einfachen Verfahren zur Herstellung von Silicium mit
einem Reinheitsgrad, der eine Verwendung in Solarzellen ermöglicht und bei dem es sich um einen relativ
günstigen Schmelzprozeß handelt, vergleichbar zur Herstellung von Silicium mit üblichem metallurgischem
Reinheitsgrad. Bei diesem SchnHzverfahren wird
Siliciumdioxid (SiOj) durch ein kohlenstoffhaltiges
Reduktionsmittel in einem Hochtemperaturschmelzofen, wie einem Direktlichtbogenreaktor oder jedem
anderen elektrischen Schmelzofen oder Plasmabogenofen, reduziert
Aus DE-PS 20 55 564 ist ein Verfahren zur Gewinnung von metallischem Silicium durch Reduktion von
Siliciumdioxid mit einem kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittel in einem elektrischen Ofen bekannt, bei dem
teüchenförmigea Reduktionsmittel und teilchenförmiges SiOa verwendet werden.
Aber das durch diese Verfahren gewonnene Silicium weist noch einen hohen Anteil an Verunreinigungen auf
und enthält etwa nur 98% Silicium. Diese Verunreinigungen sind Metalle, wie Aluminium, Chrom, Eisen,
Titan Vanadium und Zirkon und andere, ebenso wie Bor und Phosphor. Die meisten der metallischen Verunreinigungen im Silicium mit metallurgischem Reinheitsgrad
können durch Reinigungsprozesse nach <km Schmelzen
beseitigt werden. Es ist jedoch kein Verfahren bekannt zur Reduzierung des Gehaltes an Phosphor und Bor
unter wirtschaftlich tragbaren Bedingungen, bei dem der Gehalt dieser vorstehenden Verunreinigungen so
weit verringert wird, daß die Effektivität der Solarzelle bei der Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische
Energie davon nicht mehr wesentlich beeinflußt wird. Obwohl der Bor- und Phosphorgehalt bei der
Herstellung von Halbleitersilicium erniedrigt wird, ist dieses Verfahren viel zu teuer, um es wirtschaftlich zur
Herstellung von Silicium für Solarzellen einzusetzen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestand darin, ein Verfahren zur Umwandlung von Siliciumdioxid in Silicium aufzuzeigen, das die Herstellung mit
dem erforderlichen Reinheitsgrad unter wirtschaftlichen Bedingungen erlaubt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
ein Verfahren zum Herstellen von Silicium mit einem Borgehalt niedriger als 7 ppm und einem Phosphorgehalt niedriger als 5 ppm durch Reduzieren von
Siliciumdioxid mit einem agglomerierten kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittel in einem Hochtemperaturschmelzofen, Abziehen von geschmolzenem Silicium
aus dem Schmelzofen, in einer Richtung fortschreitendem schrittweisem Verfestigen und Isolieren der
Verunreinigungen in dem Teil, der am längsten in geschmolzenem Zustand ist.
Das Kennzeichnende des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß das als Ausgangsmaterial
verwendete Siliciumdioxid einen Borgehalt von weniger als 10 ppm und einen Phosphorgehalt von weniger als
20 ppm aufweist und daß man als kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel aktivierten Kohlenstoff oder Ruß in
Form von Tabletten verwendet, dessen Borgehalt weniger als 10 ppm und dessen Phosphorgehalt weniger
als 10 ppm beträgt und wobei die Tabletten als hochgereinigtes Bindemittel Stärke, Zucker, Polyvinylalkohol, Cellulose und/oder Mischungen davon enthalten.
Eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens und die Verwendung des erfindungsgemäß hergestellten
Siliciums sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Bei dem erfindungsgemäßen Schmelzprozeß wird analog bekannten Verfahren Siliciumdioxid durch ein
kohlenstoffhaltiges Reduziermittel m einem Hochtemperaturschmelzofen reduziert, beispielsweise in einem
direkten Lichtbogenreaktor oder anderen Typen von elektrischen Schmelzöfen oder einem Plasmabogenschmelzofen. Das durch ein solches Reduktionsverfah-
3 4
ren hergestellte Silicium weist einen relativ hohen Grad reinigte Bindemittel, wie Zucker, Stärke, Polyvinylalko-
an Verunreinigungen auf und hat beispielsweise nur eine hol oder Cellulose, beispielsweise Hydroxipropylcellulo-
und Zirkon und andere, ebenso Bor und Phosphor. Die 5 Gehalt an Bor und Phosphor aufweist, so daß er den
meisten der metallischen Verunreinigungen im Silicium Bor- und Phosphorgehalt des erzeugten Siliciums nicht
mit metallurgischem Reinheitsgrad können durch an das erhöht.
werden. Es war jedoch kein Verfahren bekannt, das es Ausbeute steigern. Ausbeute steigernd wirkt ebenfalls
wirtschaftlich erlaubt, den Gehalt an Bor und Phosphor io der Zusatz eines oder mehrerer der nachfolgend
so weit zu erniedrigen, daß ein für die Verwendung in aufgezählten Produkte: Siliciumdioxidsand, Siliciumdi-
tiges Reduktionsmittel reagiert in hohem Ausmaß mit von Siliciumdioxid mit kohlenstoffhaltigen Reduktions-
an Bor und Phosphor, daß es für die Verwendung in 20 Bei einem solchen Verfahren treten die folgenden
ist ein anderes kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel, das .^ ^q +C-^SiO+CO
in einem direkten Lichtbogenreaktor verwendet wird. JJ siO + 2C^SiC+CO
wird mit einer relativ hohen Ausbeute Silicium erhalten, 25 J ' .^ * ,,.^, _^ ^g. , qq
aber ebenso wie bei der Verwendung einer Mischung * '
von Holzschnitzeln, Kohle und Koks wird bei Ein Direktlichtbogenreaktor weist eine obere Zone
Verwendung von ungereinigter Holzkohle ein Silicium mit relativ niedriger Temperatur und eine untere Zone
erhalten, das relativ hohe Anteile an Bor und Phosphor mit einer relativ hohen Temperatur auf. Siliciumdioxid
aufweist 30 und kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel werden in das
Ein anderes geeignetes kohlenstoffhaltiges Reduk- obere Ende des Direktlichtbogenreaktors eingebracht
tionsmittel ist PetroWmkoks, aber dieses kohlenstoff- und geschmolzenes metallisches Silicium wird vom
haltige Reduktionsmittel ist ein schlechtes Reduktions- Boden des Reaktors abgezogen. Das SiO, das gemäß
mittel für Siliciumdioxid und die Ausbeute an Silicium ist Reaktionsgleichungen (1) und (3) entsteht, ist gasförmig,
sehr niedrig. 35 Das nach Reaktionsgleichungen (1) und (3) entstehen-Zusammenfassend ist also festzustellen, daß die bisher de gasförmige SiO steigt nach oben durch das gefüllte
für die Reduktion von Siliciumdioxid in einem direkten Bett und kommt in Berührung mit dem kohlenstoffhalti-Lichtbogenreaktor verwendeten kohlenstoffhaltigen gen Reduktionsmittel, so daß sich SiC bildet. Das in der
Reduktionsmittel ein Silicium mit sehr hohen Bor- und oberen Zone (bei niedriger Temperatur) im Schmelz-Phosphorgehalten ergeben oder daß die Reduktionsmit- -to ofen entstehende SiC bewegt sich navh unten und
tel ein relativ geringes Reaktionsvermögen mit reagiert mit SiO im unteren Hochtemperaturbereich des
Siliciumdioxid haben, so daß eine geringe Ausbeute an Schmelzofens unter Bildung von geschmolzenem
Silicium entsteht Deshalb ist eine praktische Verwen- Silicium.
dung aus wirtschaftlichen Gründen nicht möglich. Faktoren, die die Bildung von reaktivem Siliciumcar-
umdioxid in einem direkten Lichtbogenreaktor mit Wenn der Kohlenstoff in Tablettenform eine relativ
einem agglomerierten kohlenstoffhaltigen Reduktions- niedrige Dichte hat, liegt eine größere Oberfläche von
fs tel es sich um Aktivkohle oder Ruß handelt, die mit Bildung von Siliciumcarbid reagieren kann.
\ Beide, Aktivkohle und Ruß, sind mit ausreichend Moffoberfläche entsteht ein größerer Anteil von
;| niedrigen Bor- und Phosphorgehalten kommerziell Siliciumcarbid und letztlich eine höhere Ausbeute an
j| erhältlich, so daß das damit erzeugte metallische Silicium. Der Anteil an Kohlenstoffoberfläche, der
ψ Silicium einen akzeptablen niedrigen Gehalt an Bor und geeignet ist, mit gasförmigem SiO zu reagieren, steigt
Ι· Phosphor aufweist Weiterhin sind beide, Aktivkohle 55 mit fallender Dichte der Kohlenstofftabletten an.
,if und Ruß, ausreichend reaktiv gegenüber Siliciumdioxid Wenn Zucker als Bindemittel für die Tabletten des
und ergeben eine relativ hohe Ausbeute an metalli- kohlenstoffhaltigen Reaktionsmittels benutzt wird,
j-| als die Ausbeute in bekannten konventionellen Verfah- ein Öffnen der Tabletten unter Vergrößerung der
* ren zur Hersteilung von Silicium mit metallurgischem 60 Oberfläche und Steigern der Reaktion mit SiO unter
h Reinheitsgrad. Bildung von Siliciumcarbid (SiC).
Aktivkohle ict erhältlich als extrudierte Tabletten Die in den Direktlichtbogenreaktor eingeführte
oder in Pulverform, während Ruß üblicherweise in Charge kann bestehen aus Würfelzucker oder Zucker-Pulverform erhältlich ist. Die kohlenstoffhaltigen Pulver brocken, gemischt (aber nicht Teil davon) mit Tabletten
müssen granuliert oder brikettiert werden zur Verwen- 65 oder Briketts des kohlenstoffhaltigen Reduktionsmitdung im erfindungsgemäßen Verfahren. Üblicherweise tels. Diese Zuckerbrocken oder Würfel expandieren
werden Kohlenstoffpulver granuliert zu Tabletten mit während des Erwärmungsprozesses und steigern die zur
einem Durchmesser von etwa 12.5 mm, wobei hoclige- Reaktion mit SiO befähigte Kohlenstoffoberfläche.
Die beim cnirtdungsgemäßen. Verfahren erreichte
Ausbeute an Silicium ist wesentlich höher als 50 Gew.-%, üblicherweise mindestens etwa 70% oder
mehr (beispielsweise 80 bis 95 Gew,-°/b). Die Aushruti·
bezieht sich auf den Gehalt von Si im SiG*2, welches tu ä
Silicium umgewandelt wird.
Da« geschmolzene Silicium wird aus dcfli O^fktbogenreaktor
abgezogen und dann einem in einer Richtung verlaufenden Verfestigungsverfahren unter
Verwendung bekannter konventioneller Einrichtungen unterworfen. Das durch Abziehen aus dem Direktbogcnrediiür
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren gewonnene Silicium hat einen niedrigen Borgehalt von
etwa 8 ppm, gerechnet als Gewichtsanteil im Maximum und einen erwünschten Phosphorgehalt von etwa
15 ppm, bezogen auf das Gev/icht im Maximum. Nach dem in einer Richtung einseitig ausgerichteten Verfestigungsverfahren
wird ein Silicium erhalten, das einen für Solarzellen geeigneten Reinheitsgrad hat, dessen
Borgehalt nicht größer als 7 ppm und dessen Phosphorgehalt nicht größer als 5 ppm, jeweils bezogen auf das
Gewicht, beträgt Im Vergleich dazu weist Silicium mit metallurgischem Reinheitsgrad einen ?or- und einen
Phosphorgehalt von etwa 40 ppm und 80 ppm auf. Die anderen Merkmale und Vorteile, die das erfindungsgemäße
Verfahren aufweist, ergeben sich für den Fachmann aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung.
Ein Direktlichtbogenreaktor ist ein elektrischer Schmelzofen, der üblicherweise für metallurgische
Verfahren und dergleichen verwendet wird. Das Innere des Schmelzofens hat die Form eines senkrecht
stehenden Zylinders und eine Kohlenstoffelektrode erstreckt sich vom Kopf nach abwärts durch den
Schmelzofen. Die zu schmelzende Charge besteht im wesentlichen aus Siliciumdioxid und kohlenstoffhaltigem
Reduktionsmittel und wird in den Direktbogenreaktor am Kopf eingeführt und metallisches Silicium wird
aus dem Schmelzofen durch eine Abstichsöffnung am Boden abgezogen. Die Konstruktion des Direktbogen- to
reakto 3 ist im wesentlichen bekannt und stellt keinen Teil der Erfindung dar. Trotzdem sollen das Innere des
Schmelzofens und die Kohlenstoffelektrode aus solchen Materialien bestehen, die keine wesentlichen Verunreinigungen
enthalten, insbesondere Bor oder Phosphor, « die in das Silicium übergehen könnten. Das für den
Schmelzofen verwendete Siliciumdioxid ist üblicherweise Quarz oder Quarzit, ein festes körniges Gestein,
bestehend aus Quarz Es kann aber auch Siiiciumdioxidpulver
verwendet werden. Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Verwendung von
Pulver wird später noch im Detail beschrieben. Siliciumdioxid ist kommerziell erhältlich und muß
Borgehalte aufweisen, die nicht größer als 10 ppm und Phosphorgehalte, die nicht größer als 20 ppm, bezogen
auf das Gewicht, sind.
Das zu verwendende kohlenstoffhaltige Reduktionsmittel kann entweder Aktivkohle oder Ruß sein. Jedes
dieser Reduktionsmittel ist kommerziell erhältlich in relati« reiner Form mit Borgehalten, die nicht größer als
10 ppm und mit Phosphorgehalten, die nicht größer 10 ppm, jeweils bezogen auf das Gewicht, sind.
Aktivkohle kann hergestellt werden aus Kohlenstoffpulver
von Petrolkoks, das aktiviert wurde mit einer Wasser-Gas-Reaktion in einer oxidierenden Atmosphäre
bei erhöhten Temperaturen. Alternativ kann auch das aus Petrolkoks stammende Kohlenstoffpulver di^rch
Behandlung mit Säuren und anschließendes Kalzinieren aktiviert werden. Das Herstellungsverfahren von
Aktivkohle ist nicht Teil der Erfindung und übliche kommerziell erhältliche .\ktivHohleii fc.i;v.en erfindungsgemäß
dann verwendet werden, wenn sit; eir.en
;-f|ativ niedrigen Bor- und Phosphorgehalt aufweisen,
wie es bereits beschrieben wurde.
Eine Form des kommerziell erhältliche·", !utöes kann
hergestellt werden durch thermische Zersetzung von Erdgas oder öl. Wie im Falle von Aktivkohle spielt das
Herstellungsverfahren von Ruß keine Rolle und ist nicht Teil der Erfindung. Jeder kommerziell erhältliche
Kohlenstoffruß kann für das erhndungsgeniäßs Verfahren
verwendet werden, sofern er den bereits beschriebenen niedrigen Bor- und Phosphorgehait aufweist.
Aktivkohle ist kommerziell erhältlich in Form extrudierter Tabletten, während Ruß üblicherweise als
Pulver im Handel ist und deshalb vor dem Einbringen in den Direktbogenreaktor tablettiert werden sollte, um
als Teil der zu schmelzenden Charge einsetzbar zu sein. Ein pulverförmiges kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel
läßt sich tablettieren zur gewünschten Größe unter Verwendung eines hochreinen Bindemittels, beispielsweise
Zucker, Stärke, Polyvinylalkohol und verschiedene Cellulose, wie beispielsweise Hydroxipropylceilulose.
Das Herstellen und die Größe der Tabletten werden anschließend beschrieben. Ein hochreiner Binder ist ein
solcher, der nur wenig unerwünschte Verunreinigung, wie beispielsweise Bor oder Phosphor, aufweist. Ihr
Gehalt ist so niedrig, daß der vom Bindemittel auf Silicium übertragbare Anteil während der Umsetzung
im Lichtbogenreaktor so niedrig ist, daß er im wesentlichen nicht den erwünschten Gehalt an Bor und
Phosphor im geschmolzenen Silicium erhöht (8 ppm Bor und 15 ppm Phosphor).
Die verschiedenen Ruße oder Aktivkohlepulver
haben unterschiedliche Korngrößen, diese sind aber ohne Bedeutung, wenn die Pulver tablettiert oder
brikettiert werden, um für das erfindungsgemäße Verfahren einsetzbar zu sein.
Ein anderer Bestandteil der den Tabletten des kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittels zugesetzt werden
kann, ist ein Siliciumdioxid in Form von SiO2-Sand,
SiO2-MehI oder kolloidalem S1O2. Das begünstigt die
Bildung von SiC, wie vorstehend bereits erläutert. Siliciumdioxid-Mehl ist eine feine gemahlene Form von
Sand.
Zucker und Stärkebinder in den Tabletten können während der Schmelzopcration ausbrennen und wenn
dies auftritt, verlieren die Tabletten ihren Zusammenhalt. Die Anwesenheit von kolloidalem Siliciumoxid
oder Siliciumdioxid im Mehl trägt dazu bei, die Tabletten zusammenzuhalten.
Würfelzucker oder Stückzucker kann den Tabletten zugemischt werden. Diese Würfel oder Brocken von
Zucker sind nicht Teil der Taoletten, aber befinden sich außen an den Tabletten und beim Erwärmen steigt die
Oberfläche des Kohlenstoffs im Festbett an.
Neben Bor und Phosphor sind weitere Verunreinigungen vorhanden, entweder im Siliciumdioxid otter irr!
Kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittel, aber diese werden bis auf einen unwesentlichen Restgehalt während
der nach einer Richtung fortschreitenden Verfestigung beseitigt. Dieses Verfahren schließt sich an das
Abziehen aus Hem DLektbogenreaktor an. Zu diesen
anderen V^iiciretnigungen gehören Aluminium, Kalzium,
Chro!T\ Kupfe-, Eisen, Mangan, MolyDU.in, Ni-vkvl,
Titan, Vanadium und Zirkon. Relativ grobe Anteile dieser Verunreinigungen im Silicium aus dem Lichtbo-
genreaktor, haben einen entgegengesetzten Effekt auf die Siliciumausbeute, wenn dieses schrittweise in einer
Richtung fortschreitend verfestigt *ird. Dabei soll das Gesamtniveau an Verunreinigung des Siliciums im
Lichtbogenreaktor so gesteuert werden, daß nicht mehr als etwa 400 ppm im flüssigen Silicium enthalten sind,
um eine ausreichende Ausbeute an reinem Silicium zu erreichen. Dies wird dadurch möglich, daß man
Siliciumdioxid und kohlenstoffhaltige Reduktionsmittel
Das Kohlenstoffreduktionsmittel war Kohlenstoffruß granuliert mit 10 Gew.-% kolloidalem SiOj und 8.8
Gew.-% modifizierter Maisstärke als Binder. Das Schmelzverfahren wurde während 31 Stunden aufrechterhalten.
Der mittlere Kohlenstoffgehalt, der dem Ofen zugeführten Mischung betrug 85% der stöchiometrischen
Menge an S1O2 in der Mischung. Insgesamt
in relativ reiner Form verwendet, so daß die im 10 wurden 28 kg Silicium abgezogen und der Energiever
Lichtbogenreaktor auf das Silicium übergehenden Verunreinigungen innerhalb der Gewichtsgrenze von
400 ppm bleiben.
Bezüglich Bor und Phosphor ist festzuhalten, daß etwa 80% des Phosphor und etwa 35% des Bor aus dem
Silicium während des Schme'zprozesses in dem Direktbogenreaktor entfernt werden. Sehr kleine
Mengen an Bor oder Phosphor werden während des nach einer Richtung fortschreitenden Verfestigungsverfahrpns pnlfprnt wpjl cip rplatiu hnhp FntmWrhiingsko-
effizienten aufweisen. Um ein für Solarzellen verwendbares Silicium nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
zu erhalten mit einem maximalen Borgehalt von 7 ppm und einem maximalen Phosphorgehalt von 5 ppm,
jeweils bezogen auf das Gewicht, dürfen die Bor- und 25 wurden 56 kg Silicium erhalten, wobei der mittlere
Phosphorgehalte des im Lichtbogen geschmolzenen Energieverbrauch 33,9 kWh/kg Si betrug.
Siliciums nicht höher sein als etwa 8 ppm für Bor und
etwa 15 ppm für Phosphor.
Siliciums nicht höher sein als etwa 8 ppm für Bor und
etwa 15 ppm für Phosphor.
Die Erfindung wird nun anhand einer Reihe von Beispielen beschrieben. Für das Verfahren wurde in
jedem Beispiel ein 200-kVA
verwendet, mit einer Kohlenstoffelektrode von
15.24 cm Durchmesser. In jedem Beispiel wird der
Kohlenstoffgehalt angegeben als Prozent der stöchiometrischen Menge von Kohlenstoff, die erforderlich ist. 35
den entsprechenden Anteil an Siliciumdioxid, der dem
Reaktor zugeführt wird, zu reduzieren. Zur Optimierung Kohlenstoffn.iP als Reduktionsmittel wurde granuliert
15.24 cm Durchmesser. In jedem Beispiel wird der
Kohlenstoffgehalt angegeben als Prozent der stöchiometrischen Menge von Kohlenstoff, die erforderlich ist. 35
den entsprechenden Anteil an Siliciumdioxid, der dem
Reaktor zugeführt wird, zu reduzieren. Zur Optimierung Kohlenstoffn.iP als Reduktionsmittel wurde granuliert
der Reaktionsbedingungen des Direktbogenreaktors mit 10 Gew.-% modifizierter Maisstärke und 10
kann es unter Umständen notwendig sein, den Gew.-% SiO2-Mehl. Das Schmelzverfahren wurde für
Kohlenstoffgehalt von Zeit zu Zeit zu verändern. Der *o 24 Stunden durchgeführt mit einem mittleren Kohlen
brauch für die Herstellung des Siliciums betrug im Mittel 36,4 kWh/kg Silicium.
Das Kohlenstoffreduktionsmittel war Kohlenstoffruß, granuliert in zwei Ansätzen. Der erste Ansatz zum
Granulieren wurde hergestellt unter Verwendung von 10 Gew.-% Stärke und der zweite Ansatz wurde
hergestellt unter Verwendung von 10 Gew.-% Stärke iinr) 10 CiPw-1Vn knllnidalpm .SiO>. Dip Zi: reduzierende
Mischung wurde hergestellt durch Mischung von je 50% jedes Ansätze.-. Das Schmelzverfahren wurde während
36 Stunden aufrechterhalten und der mittlere Kohlenstoffgehalt im Ansatzbett betrug 92%. Insgesamt
Kohlenstoff .'ß als Reduktionsmittel wurde granuliert
30 mit 10 Gew.-% modifizierter Maisstärke. Die Schmelz-Direktbogenreaktor
operation wurde während 27 Stunden ausgeführt mit einem mittleren Kohlenstoffgehalt vor 98,4%. Insgesamt
wurden 15 kg Silicium erhalten bei einem mittleren Energieverbrauch von 78 kWh/kg Si.
Kohlenstoffgehalt wird deshalb als ein Mittelwert angegeben, der während einer längeren Schmelzperiode
des Beispiels eingehalten wurde. Der in den Beispielen beschriebene Kohlenstoffgehalt berücksichtigt
nur den Kohlenstoff, der als kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel zugeführt wird. Ein kleiner Anteil des
Kohlenstoffs, der an der Siliciumdioxid-Reduktionsreaktion teilnimmt stammt von der
Kohlenstoffelektrode, für die deshalb vorzugsweise ein
stoffgehalt von 100%. Insgesamt wurden 31 kg Silicium
erschmolzen mit einem mittleren Energieverbrauch von 43 kWh/kg Si.
Kohlenstoffruß würde ..:->
Reduktionsmittel mit 30 Gew.-% Zucker granulier; Während der SOstündigen
Schmelzdauer betrug der mittleie Kohlenstoffgehalt 97%. Es wurden insg^wnt 128 kg Silicium erschmolzen,
gereinigtes Graphit verwendet wird. Bis zu einem 50 Der mittlere Energieverbrauch betrug 27 kWh/kg Si.
gewissen Maß kann die Elektrode einige der zuvor R ■ · ι t
gewissen Maß kann die Elektrode einige der zuvor R ■ · ι t
beschriebenen unerwünschten Verunreinigungen ent- '
halten, sie sind aber nur in so geringen Mengen Als Kohlenstoffreduktionsmittel wurde Aktivkohle
vorhanden, und der Obergang im Lichtbogenreaktor auf mit Würfelzucker verwendet Das aktivierte kohlendas
Silicium ist so gering, daß die tolerierbaren 55 stoffhaltige Material stammte aus Erdöl und war zu
Grenzwerte an Bor und Phosphor nicht überschritten 4 mm Tabletten extrudiert und mittels Säure gewaschen,
werden. Die Beispiele I bis 5 und 8 zeigen die Die aktivierten Kohienstofftabletten wurden mit Wür-Verwendung
von Rußpulver, das mit einem hochreinen felzucker gemischt und eine solche Menge verwendet,
Binder, wie Stärke, Stärke und kolloidalem Siliciumdi- daß 15 Gew.-% Gesamtkohlenstoffgehalt in der Charge
oxid, Stärke und SKVMehl, und Zucker granuliert ist &o enthalten waren. Der Schmelzofen wurde für 60
Kolloidales Siliciumdioxid oder SiOrMehl wurde Stunden betrieben mit einem mittleren Kohlenstoffgezusammen
mit dem Binder verwendet um die Bildung
von SiC zu begünstigen. Die Beispiele 6 und 7 zeigen
entweder die Verwendung von Aktivkohle, die mit
Zucker granuliert ist oder von Aktivkohle, gemischt mit 65
Würfelzucker zur Erhöhung der Porösität und Erniedrigung der Dichte des Festbettes. In allen Beispielen
wurde das Siliciumdioxid in Form von Quarz eingesetzt
von SiC zu begünstigen. Die Beispiele 6 und 7 zeigen
entweder die Verwendung von Aktivkohle, die mit
Zucker granuliert ist oder von Aktivkohle, gemischt mit 65
Würfelzucker zur Erhöhung der Porösität und Erniedrigung der Dichte des Festbettes. In allen Beispielen
wurde das Siliciumdioxid in Form von Quarz eingesetzt
halt von 93%. Es wurden 100 kg Silicium erschmolzen bei einem mittleren Energieverbrauch von 33 kWh/
kg Si.
Die Verwendung von Würfelzucker als Teil des Ausgangsmaterials der Füllung ergibt zusätzliche
Kohlenstoffoberfläche, an der SiO-Gas reagieren kann unter Bildung von Siliciumcarbid
Als Reduktionsmittel wurde mit Zucker granulierte Aktivkohle verwendet. Die Aktivkohle war aus Holz
hergestellt jnd lag als sehr feines Pulver vor (Korngröße 0,053 mm). Das Pulver war mit 25 Gew.-%
Zucker granuliert. Das Schmelzen wurde während 23 Stunden ausgeführt mit einem mittleren Kohlenstoffgehalt
von 100%. Die Ausbeute betrug 33 kg Silicium bei eitlem mittleren Energieverbrauch von 28 kWh/kg Si.
Als Reduktionsmittel diente Kohlenstoffruß, der aus
Erdgas gewonnen war und mit 25 Gew.-% Zucker granuliert wurde. Die Schmelzzeit betrug 58,4 Stunden
mit einem mittleren Kohlenstoffgehalt von 99%. Insgesamt wurden 128 kg Silicium erschmolzen, wobei
der mittlere Energieverbrauch 25,7 kWh/kg Si betrug. Fine elektrische Fotozelle mit Silicium arbeitet aus der
Sii'hl r|pr I Jmwanrlliing von Snnnpnpnpruip in plpktrische
Energie dann optimal, wenn der Widerstand in einem Bereich von etwa 0.1 bis etwa 0,3 Ohm · cm liegt.
Unter 0,1 Ohm ■ cm sinkt die effektive Wirksamkeit stärker ab, als oberhalb 0,3 Ohm · cm. Zwischen 0,1 und
0,3 Ohm · cm findet ein geringer Anstieg statt. Mit den zuvor beschriebenen Bor- und Phosphorgehalten des
Siliciums mit Solarzelleneinheitsgrad kann die erwünschte Effektivität der Energieumwandlung erreicht
werden.
Die Dichte der verschiedenen Kohlenstoffreduktionsmittel
ist in Tabelle I wiedergegeben. Zu Vergleichszwecken sind auch die Dichten von Holzkohle,
Holzschnitzel und Zucker ebenso angegeben, wie die Dichten der für die Herstellung metallurgischen
Siliciums verwendeten kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittel, wie Kohle. Koks und Holzschnitzelmischungen.
Das kohlenstoffhaltige Reduktionsmittel mit der niedrigsten Dichte ist ans Holz hergestellte Aktivkohle,
granuliert mit Zucker.
Die Aktivkohle — die Zuckergranulate — wiesen nicht nur eine Dichte niedriger als 443 g/l auf, die
erwünscht ist. sondern der abbrennende Zucker dehnt sich aus und erzeugt lockere geöffnete Granulatkörner,
so daß die Oberfläche der Kömf prhöht wird und zur
Bildung von Siliciumcarbid aus SiO eine entsprechend größere Reaktionsfläche zur Verfügung steht. Mit
Zucker granulierter Ruß weist die gleichen vorteilhaften Eigenschaften auf.
Kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel
Dichte
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit SiO2 und Stärke
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit SiO2 - Mehl und Stärke Kohlenstoff-Ruß granuliert mit Stärke
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 30% Zucker Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 25% Zucker Aktivkohle-Granulat mit Zucker
Mit Säure gewaschene Aktivkohle mit 20% Zucker Kohle, Koks und Holzstücke
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 30% Zucker Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 25% Zucker Aktivkohle-Granulat mit Zucker
Mit Säure gewaschene Aktivkohle mit 20% Zucker Kohle, Koks und Holzstücke
Zucker
Holzkohle
Hotzschnitzel
No. 1, 2 | 590 g/l |
No. 4 | 578 g/l |
No. 3 | 535 g/l |
No. 5 | 504 g/l |
No. 8 | 562 g/l |
No. 7 | 443 g/l |
No. 6 | 520 g/l |
handels | 645 g/l |
übliche | |
Mischung | |
- | 497 g/l |
- | 302 g/l |
— | 189 g/l |
Die Siliciumherstellungsgeschwindigkeit bei Verwendung unterschiedlicher Binder ist in Tabelle II
zusammengestellt. SiO2-Mehl oder kolloidales Siliciumdioxid ergeben im Falle des Zusammengranulierens mit
Ruß und einem geeigneten Binder relativ hohe Ausbeuten an Silicium. Es wird angenommen, daß dies
eine Folge des innigen Kontaktes zwischen Rußpulver und Siliciumdioxid im Granulat ist, wodurch die
Umwandlung von Kohlenstoff in Siliciumcarbid (SiC) erhöht wird.
Kohlenstoffruß granuliert mit Zucker gibt die größte Herstellungsgeschwindigkeit des Siliciums mit dem
niedrigsten Energieverbrauch. Die Herstellungsge- ^hwindigk^it von Silicium unter Verwendung von
KohlensiOiiiu,:. an ■ -|:<"t mit erstens Stärke und
zweitens SiOrMehl oder kolloidalen· J-"cufndioxid war
sehr viel höher im Vergleich zu der bei Verwendung von Kohlenstoffruß, granuliert allein mit Stärke. Aktivkohle,
entweder granuliert mit Zucker oder gemischt mit Würfelzucker als Teil der Ofenfüllung ergibt eine hohe
Geschwindigkeit der Süiciumhersteüung mit niedrigem
Energieverbrauch. Die höhere Bildungsgeschwindigkeit von Silicium ist eine Folge einer höheren Umsetzung
von SiO zu SiC infolge steigender Kohlenstoffoberfläche. Im Falle der Verwendung von Aktivkohle sind hohe
Siliciumschmelzgeschwindigkeiten eine Folge der Aktivkohlekörner im Kohlenstoff. Die aktivierte Kohle hat
Mikro- oder Makroporen, die die Ausbeute an mit Kohlenstoff umgesetztem SiO erhöhen, so daß daraus
eine verstärkte Bildung von SiC resultiert.
Die durch Analyse im Silicium festgestellten Verunreinigungen
aus dem Direktbogenreaktor unter Verwendung verschiedener kohlenstoffhaltiger Reduktionsmittel
sind in Tabelle III zusammengestellt Silicium, das unter Verwendung von Aktivkohle oder
Ruß hergestellt war, ist sehr viel reiner als Silicium, das hergestellt wird entweder unter Verwendung von
erstens Kohle, Koks und Holzstückchen oder zweitens Holzkohle.
Die Ausbeute an Silicium aus den verschiedenen Beispielen ist in Tabelle IV zusammengestellt Die
Ausbeute ist wiedergegeben als Prozent Silicium des im Reaktor umgesetzten Quarz und schwankt zwischen 79
und 95%, verglichen mit einer typischen Ausbeute
11 12
zwischen 75 und 80% bei der Herstellung von Silicium tor. Bei den Beispielen, bei denen Zucker zusammen mil
mit metallurgischem Reinheitsgrad unter Verwendung Aktivkohle oder Kohlenstoffruß verwendet wurde, lag
eines konventionellen Verfahrens im Direktbogenreak- die Ausbeute im !fere'-ch zwischen 92% und 95%.
Bei- Kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel Ausbeute
spiel Gew.-%
1 KohlenstofT-Ruß granuliert mit kolloidalem SiO2 und Stärke 89,1
2 KohlenstofT-Ruß granuliert mit kolloidalem SiO2 und Stärke 84,2
3 KohlenstofT-Ruß granuliert mit Stärke 79
4 KohlenstofT-Ruß granuliert mit SiO2-MeW und Stärke 81,2
5 KohlenstofT-Ruß granuliert mit 30% Zucker 92,6
6 mit Säure gewaschene Aktivkohle aus Erdöl granuliert
mit 20% Würfelzucker
mit 20% Würfelzucker
7 aus Holz gewonnene Aktivkohle granuliert 95,2
mit 25% Zucker
mit 25% Zucker
8 KohlenstofT-Ruß granuliert mit 25% Zucker 94
Die Ausbeute wurde berechnet durch Messen von (a) verwendet werden oder r'urch Brechen von Quarz
dem Anteil an gewonnenem und abgezogenem Silicium hergestellt sein. Der SiO2-Sand soll einen Korndurch-
und (b) der Menge von Silicium im SiO2-Rauch, der messer haben, der einen Siebdurchgang von 80% bei
gesammelt wird in einem Abscheider, der zusammen mit 0,075 mm Maschenweite vor dem Granulieren aufweist
dem Direktlichtbogenreaktor verwendet wurde, nach 35 oder beispielsweise einen Siebdurchgang von 80% bei
der folgenden Formel: Siebmaschenweite 0.38 mm vor dem Brikettieren.
C ·> Sandpartikel bis zu Durchmessern von 0,635 cm können
Ausbeute (Gew.-%) = x 100 mit den geeigneten genannten Bindern brikettiert
(a) + (D) werden. Die Binder für dieses Granulat oder die Briketts
40 aus SiO2 und Kohlenstoff sind die gleichen, die zuvor
Wenn das der Schmelzofenmischung zugesetzte beschrieben wurden für das Granulieren oder Brikettie-
Siliciumdioxid Quarz oder Quarzit ist, liegt das SiO2 in ren des Kohlenstoffs. Beispiele sind Stärke, Zucker.
Form von Teilchen vor, deren Größe mit dem kolloidales SiO2 und SiO2-MeIiI.
Durchmesser des Ofens schwankt. Bei Verwendung Die Größe des Granulats hängt von der Größe des
eines 20OkVA Schmelzofens in Laboratoriumsgröße, 45 Schmelzofens ab. Es ist ohne Einfluß, ob die Teilchen aus
der für die Beispiele benutzt wurde, kann die SiOj und Kohlenstoff oder im wesentlichen nur aus
Teilchengröße im Bereich von 2,5 bis 5,1 cm liegen. Bei Kohlenstoff bestehen. Für einen kleinen Lab^rschmelz-
einem 6000 kVA Schmelzofen (die kleinste kommerziel- ofen mit 200 kVA beträgt der typische Granulatdurch-
Ie Größe) kann der Teilchendurchmesser größer sein im messer 1,27 cm. Für einen industriellen Ofen mit
Bereich von 10,2 bis 15,25 cm. Diese Teilchen werden in 50 lOOOOkVA kann der Granulatdurchmesser beispiels-
den Ofen eingebracht als Teil einer Mischung, η;» weise 2,5 bis 5,1 cm betragen.
zusätzlich Granulattableüen oJer Briketts c"-s kohlen- Obwohl das erfindungsgemäße Verfahren in den
stoffhaltigen Reduktionsmittels enthält. Beispielen unter Verwendung eines Direktbogenreak-
Bei einer anderen Ausführungsform des erfindungs- tors beschrieben wurde, können auch andere Hochtem-
gemäßen Verfahrens kann der SiO2-ArUeU der Füllmi- 55 peraturschmelzöfen für das erfindungsgemäße Verfah-
schung als SiOrSand granuliert oder in Brikettform ren benutzt werden. Es ist nicht auf die Verwendung
zusammen mit dem kohlenstoffhaltigen Reduktionsmit- eines Direktbogenreaktors beschränkt. Bei den anderen
tel in annäherungsweise stöchiometrischen Verhältnis- Hochtemperaturschmelzöfen kann es sich um andere
sen verwendet werden. Bcicpielsweise annähernd ein Arten von elektrischen Bogenschmelzöfen handeln,
Mol S1O2 zu zwei Molen kohlenstoffhaltigem Keduk 60 ebenso wie um Plsiuiabogenschmelzöfen. Das Kriteri-
tionsmitteL Bei dieser Ausführungsforrn des erfindungs- um für einen zufriev. sr.sielienden Schmelzofen für >~·:&
gemäßen Verfahrens werden im wesentlichen das erfindungsgemäße Verfahren liegt darin, daß der Ofen
gesamte S1O2 und das gesamte kohlenstoffhaltige Temperaturen erreichen muß, die hoch genug sind, um
Reduktionsmittel physikalisch zu Partikeln miteinander Siliciumdioxid umzusetzen. Außerdem dürfen bei diesen
kombiniert, um durch den engen Kontakt die Reaktivi- 65 hohen Temperaturen keine zusätzlichen Verunreinigun-
tat zwischen SiO2 und Kohlenstoff zu verbessern. Diese gen pus dem Schmelzofen in das Silicium übergehen und
Partikel können entweder Granulate oder Briketts sein. dort den Gehalt an Verunreinigungen auf ein uner-
SiOrSand kann als natürlich vorkommendes Produkt wünschtes Niveau erhöhen.
30 1331 13 |
9 | 14 | Kohle, Holz- Ruß- Ruß- Koks, kohle Stärke- Stärke- Holz- Granulat kolloid. Stückchen (Bei- SiO2- spiel 3) Granulat (Bei spiele 1-2) |
Ruß- Stärke- SiO2- Mehl Granulat (Bei spiel 4) |
Ruß- Z-icker- Granulat (Bei spiele 5-8) |
Energie verbrauch kWh/kg |
1 | Erdöl- Aktiv- kohle- Granulat gemischt mit WUr- fel/iicksr (Bci- sniol 6) |
|
Tabelle It | 3400 110 320 280 | 80 | 100 70 | 35 | 150 | ||||
Verfahren | Kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel | 35 57 6 11 | 13 | 9 6,7 | 34 | 4 | |||
Beispiel No. 1 |
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit kolloidalem SiO7 und modifizierter Maisstärke |
480 MU 80 300 | 40 | w 50 | 78 | 60 | |||
Beispiel No. 2 |
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit Stärke und kolloidalem SiO2 |
Si-Herstellungs- sesch.vinuigkeil kg/h |
290 <10 <10 <1ύ | <10 | <I0<10 | 43 | Reduktionsmittel, Ver- | <10 | |
Beispiel No. 3 |
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit modifizierter Maisstärke | 1,7 | 70 16 < 5 < 5 | < 5 | <5< 5 | 27 | von Holz stammende Aktiv kohle, granul. in. Zuckt," (Beispiel 7) |
< 5 | |
Beispiel No. 4 |
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit SiO2-MeW und modifizierter Maisstärke |
2,1 | 7100 5450 2700 470 | 50 | 50 80 | 33 | 320 | 460 | |
Beispiel No. 5 |
Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 30% Zucker | 0,93 | 180 400 <10 IG | <10 | 28 | I | <10 | ||
Beispiel No. 6 |
1,8 | <10 <10 <10 | <10 | <10<10 | 25/ | <10 | <10 | ||
Beispiel No. 7 |
2,85 | 80 100 50 <10 | <10 | <10 | 10 | ||||
Beispiel No. 8 |
mit Säure gewaschene, aus Erdöl stammende granulierte Aktivkohle, gemischt mit Würfelzucker |
1,82 | 40 140 10 11 | 10 | 3 0,45 | 35 | 45 | 9 | |
Üblicher metallur gischer Reinheits grad von Si-Metall |
vor. Holz stammende Aktivkohle, granuliert mit 25% Zucker |
2,0 | 330 55 40 40 | 20 | <10<10 | 14 000 | .10 | ||
- | Kohlenstoff-Ruß granuliert mit 25% Zucker | 2,49 | 170 <10 <10 C1Q | <10 | <10<10 | 150 | |||
Tabelle III | Kohle, Koks und Holzstückchen | 1,7 | 20 <10 <10 <10 | <10 | <10<10 | <10 | <10 | ||
Holzkohle | 1,97 | 50 | |||||||
34 | |||||||||
Analyse des Siliciums aus dem Lichtbogenreckor unter Verwendung unterschiedlicher ] i'nreinigungen in Gewichts-ppm |
50 | ||||||||
Verun reini gung |
<10 | ||||||||
Al | <10 | ||||||||
B | |||||||||
Ca | |||||||||
Cr | |||||||||
Cu | |||||||||
Fe | |||||||||
Mn | |||||||||
Mo | |||||||||
Ni | |||||||||
P | |||||||||
Ti | |||||||||
V | |||||||||
Zr | |||||||||
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen von Silicium mit einem Borgehalt niedriger als 7 ppm und einem
Phosphorgehalt niedriger als 5 ppm durch Reduzieren von Siliciumdioxid mit einem agglomerierten
kohlenstoffhaltigen Reduktionsmittel in einem Hochtemperaturschmelzofen, Abziehen von geschmolzenem Silicium aus dem Schmelzofen, in
einer Richtung fortschreitendem schrittweisen Verfestigen und Isolieren der Verunreinigungen in dem
Teil, der am längsten in geschmolzenem Zustand ist, dadurch gekennzeichnet, daß das als
Ausgangsmaterial verwendete Siliciumdioxid einen Borgehalt von weniger als 10 ppm und einen
Phosphorgehalt von weniger als 20 ppm aufweist und daß man als kohlenstoffhaltiges Reduktionsmittel aktivierten Kohlenstoff oder Ruß in Form von
Tabletten verwendet, dessen Borgehalt weniger 10 ppm und dessen Phosphorgehalt weniger als
10 ppm beträgt und wobei die Tabletten als
hochgereinigtes Bindemittel Stärke, Zucker, Polyvinylalkohol, Cellulose und/oder Mischungen davon
enthalten.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Tabletten des kohlenstoffhaltigen
Reduktionsmittels verwendet, die mindestens Siliciumdioxid-Sand, Siliciumdioxid-Mehl und/oder kolloidales Siliciumdioxid enthalten.
3. Verwendung des nach den Ansprüchen 1 oder 2 hergestellten Siliciums in Solarzellen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/028,947 US4247528A (en) | 1979-04-11 | 1979-04-11 | Method for producing solar-cell-grade silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3013319A1 DE3013319A1 (de) | 1980-10-16 |
DE3013319C2 true DE3013319C2 (de) | 1982-11-25 |
Family
ID=21846397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3013319A Expired DE3013319C2 (de) | 1979-04-11 | 1980-04-05 | Verfahren zum Herstellen von Silicium und dessen Verwendung in Solarzellen |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4247528A (de) |
JP (1) | JPS55136116A (de) |
AU (1) | AU523622B2 (de) |
BE (1) | BE879715A (de) |
CA (1) | CA1136382A (de) |
DE (1) | DE3013319C2 (de) |
FR (1) | FR2453827A1 (de) |
GB (1) | GB2046232B (de) |
NL (1) | NL7907282A (de) |
NO (1) | NO155532B (de) |
SE (1) | SE438667B (de) |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2945141C2 (de) * | 1979-11-08 | 1983-10-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand |
DE3032720C2 (de) * | 1980-08-30 | 1982-12-16 | International Minerals & Chemical Luxembourg S.A., 2010 Luxembourg | Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Quarz und Kohlenstoff im Elektroofen |
DE3123009A1 (de) * | 1981-06-10 | 1982-12-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer solarzellen verwendbarem silizium |
DE3128979C2 (de) * | 1981-07-22 | 1986-10-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Solarzellen verwendbarem Silizium |
DE3206766A1 (de) * | 1982-02-25 | 1983-09-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer solarzellen verwendbarem silizium |
DE3210141A1 (de) * | 1982-03-19 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer insbesondere solarzellen verwendbarem silicium |
DE3215981A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
DE3246121A1 (de) * | 1982-12-13 | 1984-06-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von borfreiem siliziumdioxid |
US4486226A (en) * | 1983-11-30 | 1984-12-04 | Allied Corporation | Multistage process for preparing ferroboron |
US4643833A (en) * | 1984-05-04 | 1987-02-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace |
IT1176955B (it) * | 1984-10-12 | 1987-08-26 | Samin Abrasivi Spa | Procedimento di produzione di silicio metallico adatto per essere impiegato nell'industria fotovoltaica |
US4981668A (en) * | 1986-04-29 | 1991-01-01 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide as a raw material for silicon production |
DE3732073A1 (de) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen |
DE3804069A1 (de) * | 1988-02-10 | 1989-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von solarsilizium |
WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
NO321276B1 (no) * | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
NO333319B1 (no) * | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
US7569716B2 (en) * | 2004-04-08 | 2009-08-04 | Dow Corning Corporation | Method of selecting silicon having improved performance |
US7638108B2 (en) * | 2004-04-13 | 2009-12-29 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products |
US7588745B2 (en) * | 2004-04-13 | 2009-09-15 | Si Options, Llc | Silicon-containing products |
US8470279B2 (en) * | 2004-04-13 | 2013-06-25 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products and method of manufacture |
NO322246B1 (no) * | 2004-12-27 | 2006-09-04 | Elkem Solar As | Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots |
CN101243014B (zh) | 2005-08-19 | 2011-09-07 | 住友化学株式会社 | 硅的制备方法 |
DE102005061690A1 (de) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Solmic Gmbh | Verfahren zur Herstellung solartauglichen Siliziums |
MX2008011655A (es) * | 2006-03-15 | 2009-01-14 | Resc Invest Llc | Metodo para hacer silicio para celdas solares y otras aplicaciones. |
JP2007332022A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Young Sang Cho | 多結晶シリコンインゴット製造装置 |
KR20100022516A (ko) * | 2007-06-08 | 2010-03-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 금속 규소의 응고 방법 |
US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
US8968467B2 (en) * | 2007-06-27 | 2015-03-03 | Silicor Materials Inc. | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
CN101790591A (zh) * | 2007-08-07 | 2010-07-28 | 陶氏康宁公司 | 碳热还原金属氧化物生产金属和合金的方法 |
US8026086B2 (en) * | 2007-12-03 | 2011-09-27 | Ontario Inc. | Methods for co-production of ethanol and silica from equisetum |
ITMI20081085A1 (it) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | N E D Silicon S P A | Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza. |
DE102008041334A1 (de) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Silizium durch Umsetzung von Siliziumoxid und Siliziumcarbid gegebenenfalls in Gegenwart einer zweiten Kohlenstoffquelle |
US20110262336A1 (en) | 2008-09-30 | 2011-10-27 | Hartwig Rauleder | Production of solar-grade silicon from silicon dioxide |
DE102008042498A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
EA201100571A1 (ru) * | 2008-09-30 | 2011-10-31 | Эвоник Дегусса Гмбх | Получение кремния для солнечных батарей из диоксида кремния |
TW201033123A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Radiant Technology Co Ltd | Method for manufacturing a silicon material with high purity |
EP2322474A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
EP2322476A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Neues Verfahren zur Herstellung von Silicium |
US20110120365A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-05-26 | Hui She | Process for removal of contaminants from a melt of non-ferrous metals and apparatus for growing high purity silicon crystals |
DE102010001094A1 (de) | 2010-01-21 | 2011-07-28 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Entkohlung einer Siliciumschmelze |
DE102010001093A1 (de) | 2010-01-21 | 2011-07-28 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Grobentkohlung einer Siliciumschmelze |
KR20130063501A (ko) | 2010-05-20 | 2013-06-14 | 다우 코닝 코포레이션 | 알루미늄-규소 합금을 생성하기 위한 방법 및 시스템 |
CN102161487B (zh) * | 2011-03-09 | 2014-04-23 | 云南云天化国际化工股份有限公司 | 一种用磷肥副产硅胶生产纯硅的方法 |
EP4219659A3 (de) | 2011-04-15 | 2023-10-11 | Carbon Technology Holdings, LLC | Verfahren zur herstellung kohlenstoffreicher biogener reagenzien |
DE102012202590A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinen Halbmetallen |
DE102012202586A1 (de) | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silizium über carbothermische Reduktion von Siliciumoxid mit Kohlenstoff in einem Schmelzofen |
NO336720B1 (no) * | 2013-09-09 | 2015-10-26 | Elkem Solar As | Fremgangsmåte for forbedring av effektiviteten av solceller. |
CN106229363B (zh) * | 2016-07-28 | 2017-10-03 | 孙健春 | 一种含有黑磷层的太阳能电池及黑磷层的制备方法 |
MX2020013421A (es) * | 2018-06-14 | 2021-03-29 | Carbon Tech Holdings Llc | Composiciones de dióxido de silicio de carbono poroso biogénico, métodos de elaboracion y uso de estas. |
EP4324947A3 (de) | 2020-09-25 | 2024-07-17 | Carbon Technology Holdings, LLC | Bioreduktion von metallerzen in einer biomassepyrolyse |
MX2023012638A (es) | 2021-04-27 | 2024-01-12 | Carbon Tech Holdings Llc | Composiciones de biocarbón con carbono fijado optimizado y procesos para producir las mismas. |
WO2023283289A1 (en) | 2021-07-09 | 2023-01-12 | Carbon Technology Holdings, LLC | Processes for producing biocarbon pellets with high fixed-carbon content and optimized reactivity, and biocarbon pellets obtained therefrom |
CA3237226A1 (en) | 2021-11-12 | 2023-05-19 | Carbon Technology Holdings, LLC | Biocarbon compositions with optimized compositional parameters, and processes for producing the same |
CN115893422B (zh) * | 2022-12-02 | 2024-07-30 | 昆明理工大学 | 一种粉煤喷吹冶炼硅石制备工业硅的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL130371C (de) * | 1958-12-16 | 1900-01-01 | ||
FR1530655A (fr) * | 1967-05-19 | 1968-06-28 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Fabrication du silicium et de ses alliages par carbothermie |
JPS4937686A (de) * | 1972-08-08 | 1974-04-08 | ||
JPS5114962A (ja) * | 1974-07-27 | 1976-02-05 | Mitsubishi Monsanto Chem | Netsukasoseijushishiitoyori seikeihinoseizosuru hoho |
JPS5157629A (ja) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | Nippon Denko | Kangenzai |
-
1979
- 1979-04-11 US US06/028,947 patent/US4247528A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-09-14 CA CA000335625A patent/CA1136382A/en not_active Expired
- 1979-09-18 SE SE7907715A patent/SE438667B/sv unknown
- 1979-09-19 AU AU50958/79A patent/AU523622B2/en not_active Ceased
- 1979-10-01 NL NL7907282A patent/NL7907282A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-10-04 GB GB7934501A patent/GB2046232B/en not_active Expired
- 1979-10-08 JP JP12980679A patent/JPS55136116A/ja active Pending
- 1979-10-11 NO NO793270A patent/NO155532B/no unknown
- 1979-10-26 FR FR7926624A patent/FR2453827A1/fr active Granted
- 1979-10-30 BE BE0/197880A patent/BE879715A/fr not_active IP Right Cessation
-
1980
- 1980-04-05 DE DE3013319A patent/DE3013319C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4247528A (en) | 1981-01-27 |
DE3013319A1 (de) | 1980-10-16 |
GB2046232A (en) | 1980-11-12 |
NO155532B (no) | 1987-01-05 |
NL7907282A (nl) | 1980-10-14 |
AU5095879A (en) | 1980-10-16 |
BE879715A (fr) | 1980-04-30 |
CA1136382A (en) | 1982-11-30 |
FR2453827B1 (de) | 1984-08-24 |
AU523622B2 (en) | 1982-08-05 |
SE438667B (sv) | 1985-04-29 |
JPS55136116A (en) | 1980-10-23 |
NO793270L (no) | 1980-10-14 |
FR2453827A1 (fr) | 1980-11-07 |
GB2046232B (en) | 1982-12-15 |
SE7907715L (sv) | 1980-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3013319C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silicium und dessen Verwendung in Solarzellen | |
EP0956173B1 (de) | Metallpulver-granulat, verfahren zu seiner herstellung sowie dessen verwendung | |
DE112016005717T5 (de) | System zum Schmelzen von Aluminium und zum Recyceln von schwarzer Krätze und Verfahren zum Schmelzen von Aluminium und zum Recyceln von schwarzer Krätze | |
EP2016203B1 (de) | Thermisches verfahren zur abtrennung von schwermetallen aus asche in agglomerierter form | |
DE2722866B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von hauptsächlich aus ß -Kristall bestehendem Siliziumkarbid | |
DE2324513C2 (de) | Starrer, gebrannter Filter, zur Filtration von geschmolzenem Aluminium | |
DE19654154A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan | |
DE2541141B2 (de) | Verfahren zur herstellung von magnesiumaluminatspinellen | |
EP2438203B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines agglomerats aus metalloxidhaltigem feingut zur verwendung als hochofeneinsatzstoff | |
WO2000037719A1 (de) | Agglomeration von siliciumpulvern | |
DE3508173C2 (de) | ||
DE2833909C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aktivem Borcarbid enthaltendem Siliziumcarbidpulver | |
DE2247497A1 (de) | Verfahren zur gewinnung von kupfer, nickel, kobalt und molybdaen aus tiefseemanganknollen | |
EP0131848A2 (de) | Verfahren zum Ausschleusen von Fremdstoffen aus dem Materialkreislauf bei der elektrothermischen Herstellung von gelbem Phosphor | |
DE60316133T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines heizelements vom molybdänsilizid-typ | |
DE1767503B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Phosphorsäure | |
DE3908715A1 (de) | Verfahren zur herstellung von pulverfoermigen hochschmelzenden anorganischen verbindungen und metallischen mischkoerpern | |
EP3847131B1 (de) | Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators | |
DE3442370C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid | |
WO2000061319A1 (de) | Basisches abdeckmittel für schmelzbadoberflächen sowie verfahren zu seiner herstellung | |
DE4229901C2 (de) | Herstellung von granuliertem Strontiumcarbonat mit strontiumhaltigem Bindemittel | |
DE69607576T2 (de) | Verfahren zum Brennen oder Kalzinieren geformter Kohlenstoffkörper in einem Ofen und Einbettungsmaterial zur Verwendung in demselben | |
WO2014095221A1 (de) | Verfahren zur aufbereitung von silizium-haltigem feinkörnigen material bei der herstellung von chlorsilanen | |
EP3947278B1 (de) | Verfahren zur herstellung von siliciummetall-haltigen agglomeraten | |
EP3962860B1 (de) | Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |