DE2945141C2 - Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus Quarzsand - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium aus QuarzsandInfo
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Description
a) der Anteil der Zuschläge so eingestellt wird, daß
eine Natrium-Borsilikat-Glasphase im Bereich von 1200 bis 14000C entsteht, deren SiO2-Ge-Üialt
55 bis 70 Gewichtsprozent, B2O3-Gehalt 15
bis 35 Gewichtsprozent und Na2O-Gehalt 5 bis
10 Gewichtsprozent beträgt,
b) die Glasphase vor dem im Bereich von 500 bis 7000C durchzuführenden Temperprozeß in eine
Faser-, Band- oder Folienstruktur in einer Dicke im Bereich von 20 bis 100 μπι (±5%) übergeführt
wird und
c) die die Verunreinigungen enthaltende Alkalimetalloxid-Boroxid-reiche
Phase in 90 bis 1000C heißer 3n-Salpetersäure herausgelöst
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß im Anschluß an die Salpetersäure-Behandlung ein Auslaugprozeß mit verdünnter Lauge
durchgeführt wird.
3. Verwendung des nach Anspruch 1 oder 2 hergestellten Siliziums als Grundmaterial für Solarzellen.
40
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem
Silizium durch Reduktion von SiO2 im Lichtbogen, bei dem zur Herstellung des SiO2 als Ausgangsmaterial
Quarzsand verwendet wird, der mittels Zuschläge aus Boroxid und Alkalimetalloxiden durch Schmelzen in die
Gasphase und diese durch Tempern in eine SiO2-reiche
Phase und in eine, die Verunreinigungen enthaltende, aus den entsprechenden Zuschlägen gebildete Phase
übergeführt wird und dann die die Verunreinigungen enthaltende Phase aus dem Glaskörper mit heißer Säure
entfernt wird.
Ein solches Verfahren ist für die Herstellung von Quarzglas für optische und technische Zwecke aus der
DD-PS 11 062 bekannt.
Der technische Anwendungsbereich des in der Halbleitertechnik bekannten Siliziums ist begrenzt
durch den' Reinheitsgrad seines Ausgangsmaterials. Bekanntlich wird das sogenannte technische Silizium
(98%) aus Quarzsand und Kohlenstoff im Lichtbogen hergestellt und enthält als Hauptverunreinigung Eisen,
Bor und Phosphor. Insbesondere die Elemente Bor und Phosphor wirken sich sehr störend aus, wenn aus dem
gewonnenen Silizium Halbleiterbauelemente hergestellt werden sollen, da diese Elemente den Leitfähigkeitscharakter
des Halbleitermaterials entscheidend beeinflussen.
Für die Herstellung von hochreinem Silizium für Halbleiterzwecke durch Reduktion von SiO2 im Lichtbogen
wird deshalb als Ausgangssubstanz Quarzsand mit einem geringen Verunreinigungspegel benötigt
Dieser Quarzsand mit der erforderlichen Reinheit ist weltweit jedoch nur in begrenztem Maße vorhanden
und deshalb sehr teuer. Verwendet man als Ausgangsmaterial bergmännisch abgebauten Quarzsand, so ist
durch das Lichtbogenverfahren der geforderte Reinheitsgrad nicht zu erzielen.
Aus der DE-OS 26 23 413 (= US-PS 40 97 584) ist ein Verfahren zur Herstellung von hochreinem Silizium für
Halbleiterzwecke zu entnehmen, bei dem nach der Reduktion des SiO2 mit Kohlenstoff im Lichtbogen das
mit den Verunreinigungen noch behaftete Silizium (98%) im geschmolzenen Zustand in Anwesenheit von
Wasser mit Wasserstoff oder einer Wasserstoff-enthaltenden Verbindung behandelt wird, wobei der Phosphor
überwiegend in Form von gebildetem Phosphorwasserstoff entweicht, während Bor als Boroxid in der auf dem
geschmolzenen Silizium befindlichen Schlacke zurückbleibt und so leicht abgetrennt werden kann. Dieses
Verfahren wird vorzugsweise in einem Konverter bei Unterdruck durchgeführt Das erhaltene Silizium weist
einen Verunreinigungspegel von kleiner 1 ppm an Bor und Phosphor auf.
Die Eriindung beschreibt einen anderen Weg zur Lösung der Aufgabe, hochreines Silizium aus Quarzsand
zu gewinnen und macht sich das aus der DD-PS 11 062 bekannte Verfahren der Reinigung von Quarzsand für
die Herstellung von für Halbleiterbauelemente direkt verwendbarem Silizium zunutze.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist gegenüber dem bekannten Verfahren durch folgende Verfahrensschritte
gekennzeichnet:
a) der Anteil der Zuschläge wird so eingestellt, daß eine Natrium-Borsilikat-Glasphase im Bereich von
1200 bis 1400°C entsteht, deren SiO2-Gehalt 55 bis
70 Gewichtsprozent, B2O3-Gehalt 15 bis 35 Gewichtsprozent
und Na2O-Gehalt 5 bis 10 Gewichtsprozent beträgt,
b) die Glasphase wird vor dem im Bereich von 500 bis 7000C durchzuführenden Temperprozeß in eine
Faser-, Band- oder Folienstruktur in einer Dicke im Bereich von 20 bis 100 μιη (± 5%) übergeführt, und
c) die die Verunreinigungen enthaltende Alkalimetalloxid-Boroxid-reiche
Phase wird in 90 bis 10O0C heißer 3n-Salpetersäure herausgelöst.
Wichtig bei dem Verfahren nach der Erfindung ist die Herstellung eines Glaskörpers sehr großer Oberfläche
und geringem, aber einheitlichem Durchmesser oder Dicke. Dies wird durch die Überführung der Glasphase
in die Faser-, Band- oder Folienstruktur sehr gut erreicht.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel werden als Zuschläge Boroxid und Soda in einer Schmelzwanne bei
einer Temperatur von 1200 bis 1400°C mit dem Quarzsand zu Natrium-Borosilikatglas erschmolzen und
nach einer Homogenisierungs- und Läuterungsphase aus am Boden der Schmelzwanne befindlichen Düsen
Fasern, Folien oder Bänder mit einer Geschwindigkeit von beispielsweise 700 m/sec abgezogen und vorteilhaft
auf große Ziehtrommeln aufgespult. Während des Faserziehvorganges wird die Glasschmelze laufend
ergänzt, damit der Pegel in der Schmelzwanne konstant bleibt. Die Technik des Erschmetzens großer Glaschargen
und die Durchführung des Faserziehprozesses bei hohen Abzugsgeschwindigkeiten sind bekannter Stand
der Technik.
Nach dem Ziehprozeß werden die Fasern oder Folien oder Bänder gegebenenfalls nach ihrer Zerteilung bei
einer Temperatur von 500 bis 700° C mindestens 5 Stunden getempert Beim Tempern kommt es zu einer
Phasentrennung im Glas, wobei sich die Verunreinigungen (Eisen, K upfer. Chrom und andere Übergangsmetalle)
in der alkalireichen (weichen) Phase ansammeln.
Die Glaszusammensetzung muß so gewählt werden, daß die beiden flüssigen Phasen unterschiedlicher
Zusammensetzung nicht als »isolierte Inseln« in der Glasmatrix vorliegen, sondern wie ein Kanalsystem
miteinander verbunden sind. Dies wird erreicht, wenn in einem Schmelztiegel aus Quarzglas oder Platin aus
Quarzsand, Boroxid und Natriumkarbonat (Soda) bei einer Temperatur von 1200 bis 1400° C e;n Natrium-Borsilikatglas
mit der erfindungsgemäßen Zusammensetzung erschmolzen wird.
Nach Beendigung der Phasentrennung werden die Fasern, Folien oder Bänder in 90 bis 100°C heiße
3n-Salpetersäure getaucht, um die Na2O-B2O3-reiche
Phase, die die Verunreinigungen enthält, auszulaugen. Dieser Prozeß, der insbesondere bei 970C durchgeführt
wird, dauert je nach Durchmesser der Fasern, Folien oder Bänder 24 bis 72 Stunden. An den Auslaugprozeß
mit der Salpetersäure kann sich gegebenenfalls auch ein Auslaugprozeß mit verdünnter Lauge anschließen.
Beim modifizierten Phasen-Trennungs-Verfahren nach der Erfindung wird durch die große Oberfläche
und die geringe Dicke der Glaskörper die säurelösliche Phase quantitativ herausgelöst, so daß nach Beendigung
des Auslaugprozesses ein poröser Glaskörper aus reinem SiO2 zurückbleibt, bei dem der Borgehalt auf
kleiner 100 ppm verringert ist Die Konzentration an Eisen, Kupfer, Chrom wurde spektralanalytisch zu
kleiner 1 ppm ermittelt
Um die Phasentrennung bzw. den Aus'augvorgang zu beschleunigen, können dem Na2O-B2C>3-SiO2-Glas auch
geringe Mengen Phosphorpentoxid (P2O5) beim Schmelzprozeß zugesetzt werden. Anstelle des Na2O
können auch andere Alkalimetalloxide, wie zum Beispiel Kaliumoxid (K2O), Lithiumoxid (Li2O) oder Mischungen
mit Na2O verwendet werden.
Nach dem Auslaugprozeß werden die Glaskörper aus hochreinem SiO2 mit destilliertem Wasser gewaschen,
bei 150° C getrocknet und anschließend im Lichtbogen
mit elementarem Kohlenstoff oder kohlenstoffhaltigen
Verbindungen wie Sukrose oder Stärke reduziert. Alternativ kann bereits während der Glasherstellung
der Schmelze Graphit beigegeben werden. Man erhält so nach dem Austaugpiozeß einen hochreinen SiO2-Glaskörper,
in dem homogen verteilt die zur Reduktion erforderlichen Kohlenstoffteilchen bereits eingelagert
sind. Durch den innigen Kontakt der Kohlenstoffteilchen im SiO2-Gerüst erfolgt eine quantitative Reduktion
im Lichtbogen.
Die wesentlichen Verfahrensschritte des erfindungs-
Die wesentlichen Verfahrensschritte des erfindungs-
gemäßen Verfahrens sind dem in der Zeichnung befindlichen Flußdiagramm zu entnehmen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche:ί. Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silizium durch Reduktion von SiO2 im Lichtbogen, bei dem zur Herstellung des SiO2 als Ausgangsmaterial Quarzsand verwendet wird, der mittels Zuschläge aus Boroxid und Alkalimetalloxiden durch Schmelzen in die Glasphase und diese durch Tempern in eine SiO2-reiche Phase und in eine, die Verunreinigungen enthaltende, aus den entsprechenden Zuschlägen gebildete Phase übergeführt wird und dann die die Verunreinigungen enthaltende Phase aus dem Glaskörper mit heißer Säure entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008041334A1 (de) | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Silizium durch Umsetzung von Siliziumoxid und Siliziumcarbid gegebenenfalls in Gegenwart einer zweiten Kohlenstoffquelle |
| WO2010037694A2 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von solar-silicium aus siliciumdioxid |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3123009A1 (de) * | 1981-06-10 | 1982-12-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer solarzellen verwendbarem silizium |
| DE3150539A1 (de) * | 1981-12-21 | 1983-06-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer solarzellen, verwendbarem silizium |
| DE3215981A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
| DE3246121A1 (de) * | 1982-12-13 | 1984-06-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von borfreiem siliziumdioxid |
| US4798659A (en) * | 1986-12-22 | 1989-01-17 | Dow Corning Corporation | Addition of calcium compounds to the carbothermic reduction of silica |
| DE3741393A1 (de) * | 1987-12-07 | 1989-06-15 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von aus hochreinem sio(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) bestehenden formkoerpern |
| DE3814863A1 (de) * | 1988-05-02 | 1989-11-16 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von vielschichtenkeramik auf silikatbasis |
| US6537796B1 (en) * | 1999-05-14 | 2003-03-25 | Brookhaven Science Associates, Llc | Conversion of geothermal waste to commercial products including silica |
| JP4521831B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2010-08-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高ケイ酸ガラスの製造方法および高ケイ酸ガラス |
| DE102008042498A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| EP2322476A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Neues Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| EP2322474A1 (de) | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| DE102012202586A1 (de) | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silizium über carbothermische Reduktion von Siliciumoxid mit Kohlenstoff in einem Schmelzofen |
| WO2014186051A1 (en) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Dow Corning Corporation | Production of silicon tetrachloride via carbochlorination of silica |
| CN109293225A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-02-01 | 连云港善发石英制品有限公司 | 一种厚壁石英玻璃管的生产方法 |
| CN114378026A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-04-22 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种制备电子级高纯石英砂的方法 |
| CN117486222B (zh) * | 2023-11-03 | 2025-08-15 | 昆明理工大学 | 一种高纯石英砂的提纯方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD11062A (de) * | ||||
| US2106744A (en) * | 1934-03-19 | 1938-02-01 | Corning Glass Works | Treated borosilicate glass |
| US3650721A (en) * | 1969-05-06 | 1972-03-21 | Ppg Industries Inc | Method of forming micro-porous glass fibers |
| DE2623413C2 (de) * | 1976-05-25 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silicium |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
-
1979
- 1979-11-08 DE DE2945141A patent/DE2945141C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-10-06 US US06/194,336 patent/US4294811A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-11-03 EP EP80106756A patent/EP0029157B1/de not_active Expired
- 1980-11-07 CA CA000364267A patent/CA1156816A/en not_active Expired
- 1980-11-07 JP JP15673680A patent/JPS5688819A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008041334A1 (de) | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Silizium durch Umsetzung von Siliziumoxid und Siliziumcarbid gegebenenfalls in Gegenwart einer zweiten Kohlenstoffquelle |
| WO2010037694A2 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von solar-silicium aus siliciumdioxid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US4294811A (en) | 1981-10-13 |
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| EP0029157B1 (de) | 1983-02-09 |
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