DE3732073A1 - Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen - Google Patents

Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen

Info

Publication number
DE3732073A1
DE3732073A1 DE19873732073 DE3732073A DE3732073A1 DE 3732073 A1 DE3732073 A1 DE 3732073A1 DE 19873732073 DE19873732073 DE 19873732073 DE 3732073 A DE3732073 A DE 3732073A DE 3732073 A1 DE3732073 A1 DE 3732073A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
inner lining
graphite
silicon
furnace
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19873732073
Other languages
English (en)
Inventor
Friedrich-Wilhelm Dr R Schulze
Benedikt Dr Strake
Hubert Ph D Dr Aulich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19873732073 priority Critical patent/DE3732073A1/de
Priority to JP63237462A priority patent/JPH01107089A/ja
Priority to NO88884194A priority patent/NO884194L/no
Publication of DE3732073A1 publication Critical patent/DE3732073A1/de
Priority to US07/485,758 priority patent/US4971772A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08Details peculiar to crucible or pot furnaces
    • F27B14/10Crucibles
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D1/00Casings; Linings; Walls; Roofs
    • F27D1/0003Linings or walls
    • F27D1/0006Linings or walls formed from bricks or layers with a particular composition or specific characteristics
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Details Of Garments (AREA)
  • Footwear And Its Accessory, Manufacturing Method And Apparatuses (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Innenauskleidung für eine Reaktions­ kammer eines Elektroniederschachtofens, insbesondere zur Erzeu­ gung von hochreinem Silizium durch carbothermische Reduktion, be­ stehend aus einem Graphit-Schmelztiegel und einer thermischen Isolierung.
Zur Darstellung hochreinen Siliziums wird heute überwiegend nach dem Siemens C-Prozeß verfahren. Dabei wird durch Reduktion von Siliziumdioxid mit Kohle hergestelltes metallurgisches Sili­ zium in eine flüchtige Siliziumhalogenverbindung überführt, über die Gasphase gereinigt und mit Wasserstoff wieder zu Sili­ zium reduziert. Dieses Silizium entspricht den hohen Reinheits­ ansprüchen an elektronisches Silizium, ist aber für viele ande­ re Anwendungen, wie zum Beispiel in der Photovoltaik, zu teuer.
Eine Möglichkeit, für photovoltaische Elemente geeignetes Solar­ silizium kostengünstig herzustellen, ist in einem Artikel von J. Grabmaier in Siemens Forschungs- und Entwicklungsberichten Band 15, 1986, Seiten 157 bis 162, beschrieben. Die Methode geht von vorgereinigten und hochreinen Ausgangsmaterialien aus. Aus mit heißer Mineralsäure ausgelaugten Glasfasern wird ein Siliziumdioxid mit hoher Reinheit erhalten. Zur Reduktion wird hochreiner Kohlenstoff verwendet, der ebenfalls durch Auslaugen gereinigt werden kann. Ein Verfahren dazu ist zum Beispiel in der DE-OS 32 15 981 beschrieben.
Die vorgereinigten Ausgangsmaterialien werden nach dem sogenann­ ten ACR-Prozeß (Advanced Carbothermic Reduction) in einem Licht­ bogenofen und miteinander zur Reaktion gebracht.
Die Fig. 1 zeigt schematisch im Querschnitt den bekannten Auf­ bau eines Elektroniederschachtofens. Dieser weist im wesentli­ chen einen aus hochreinem Graphit oder Kohle bestehenden Schmelz­ tiegel 1, einen ebenfalls ausgekleideten Abstich 2, sowie eine hitzebeständige Wärmeisolation 3 auf, welche üblicherweise aus feuerfesten Steinen oder Massen auf Siliziumdioxid- bzw. Alumi­ niumoxidbasis bestehen. Unterhalb des Schmelztiegels ist zur Wärmeisolation eine weitere Kohleschicht 4 vorgesehen. Den Ofen­ mantel bildet ein Stahlblech 5.
Es zeigt sich jedoch, daß selbst bei Verwendung eines hochver­ dichteten Graphits als Tiegelmaterial 1 der Tiegel wegen des hohen Kriechvermögens der Siliziumschmelze nicht siliziumdicht gemacht werden kann. Das Silizium filtriert selbst in dünnste Fugen ein und tritt dort mit dem Isolationsmaterial 3 in Kon­ takt. Dieses Material ist stark phosphorhaltig, da zu seiner Herstellung phosphathaltiger Binder eingesetzt wird. Im Kontakt mit Silizium, Kohlenstoff und CO im Ofen wird der Phosphor aus seinen Verbindungen reduziert und vom flüssigen Silizium aufge­ nommen. Das durch den Phosphorgehalt n-leitende Silizium ist aber für die Herstellung von Solarzellen ungeeignet und muß erst in einem aufwendigen Prozeß vom Phosphor befreit werden. Gleiche Probleme wie beim Phosphor treten mit fast allen Elemen­ ten auf, die von der Siliziumschmelze reduziert werden können. So kommt es vor allem auch zu den besonders schädlichen Verun­ reinigungen mit dem Element Bor, welches nahezu in allen feuer­ festen Materialien enthalten ist. Auch die nachträgliche Ent­ fernung von Bor aus dem gewonnenen Silizium ist äußerst aufwen­ dig.
Oxidkeramische Materialien zur Wärmedämmung, die eine ausrei­ chende Reinheit, gute Isolationseigenschaften und in der stark reduzierenden Ofenatmosphäre eine genügende Stabilität aufwei­ sen, sind kommerziell nicht erhältlich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, für den ACR- Prozeß eine hochreine Verkleidung für einen Elektroofen anzu­ geben, die die oben erwähnten Mängel vermeidet und zugleich ko­ stengünstig und gut wärmedämmend ist.
Diese Aufgabe wird durch einen Elektroniederschachtofen der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zumindest der Boden der Reaktionskammer eine Innenauskleidung aus hochreinem Kohlenstoff aufweist.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, die Seiten­ wand des Ofens zu kühlen und auf eine wärmedämmende Verkleidung dieser Seitenwand zu verzichten.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Hochreine Kohlenstoffmaterialien, die erfindungsgemäß die bis­ her gebräuchlichen keramischen Oxidmaterialien ersetzen können, sind zum Beispiel Graphit, Graphitgrieß oder Ruß. Diese Mate­ ralien unterscheiden sich stark in ihrer Wärmeleitfähigkeit, die in der angegebenen Reihenfolge abnimmt. Deshalb ist ein Mehrschichtaufbau der Ofenauskleidung bevorzugt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Fig. 2 und 3 näher erläutert. Diese zeigen schematisch im Querschnitt zwei Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Innenauskleidung eines Ofens.
Gleiche Teile sind dabei in allen drei Figuren mit gleichen Be­ zugszeichen versehen.
Fig. 2: Die innerste Schicht 1 soll gegen die Siliziumschmelze möglichst dicht sein und besteht daher aus Elektrographitblöcken, welche eine genügend hohe Dichte aufweisen, um sich beim Kontakt mit der Siliziumschmelze mit einer dichten Siliziumcarbidhaut zu überziehen. Wird ein poröser Graphitwerkstoff gewählt, führt dies zu einem tieferen Eindringen des Siliziums in die poröse Graphitstruktur und infolgedessen durch die Siliziumcarbidbil­ dung zu einem Aufsprengen dieser Struktur. Neben höheren Sili­ ziumverlusten würde dies auch zu einer starken Graphiterosion führen.
Als nächste Schicht ist eine Graphitgrießschicht 6 vorgesehen, während eine letzte und äußerste Schicht 7 aus Ruß bestehen kann. Den hervorragenden Wärmeisolationseigenschaften von Ruß steht allerdings eine geringe mechanische Stabilität des Rußes entgegen, weshalb die Rußschicht 7 ausreichend dünn vorgesehen ist oder auch ganz entfallen kann. Graphitgrieß 6 weist dagegen genügend Stabilität auf, um zum Beispiel als Wärmeisolation des Schmelztiegelbodens das Gewicht einer ganzen Ofenfüllung zu tra­ gen, ohne die strukturbedingten günstigen Wärmeisolationseigen­ schaften zu verlieren.
Die Dicke der einzelnen Wandschichten 1, 6, 7 ist entsprechend der gewünschten Wärmedämmung eingestellt. An der innersten Gra­ phitschicht 1 sollte die Temperatur jedoch bis ca. 1350°C, also unterhalb des Schmelzpunktes von Silizium abfallen, um ein tie­ feres Eindringen der Siliziumschmelze bis in die Isolations­ schichten 6 und 7 zu vermeiden, und so deren Isolationswirkung aufrecht zu erhalten und einem unerwünschten Materialverlust an Silizium zu entgehen.
Die genannten Kohlenstoffmaterialien sind in so hoher Reinheit erhältlich, daß bei dem noch zulässigen Gehalt von maximal je 0,05 ppmw an Bor und Phosphor und einem Gesamtverunreinigungs- oder Aschegehalt von maximal 10 ppmw durch die Ofenauskleidung keine weiteren Verunreinigungen des geschmolzenen Metalls, zum Beispiels des Siliziums beim ACR-Prozeß, entstehen.
Fig. 3: In einer Weiterbildung der Erfindung kann auf eine Innenauskleidung der Seitenwände des Ofens mit wärmedämmendem Material verzichtet werden, wenn der die äußere Seitenwand 8 des Ofens bildende Stahlmantel kühlbar ist. Beim Schmelzprozeß wird die Tiegelwand dann von den eingesetzten Materialien 9 ge­ bildet, speziell also von der Möller-Mischung SiO2 und Reduk­ tionsmittel (zum Beispiel Rußbriketts). Diese Möller-Mischung 9 bleibt am Rand des Tiegels im festen Zustand und wird im ACR-Pro­ zeß durch Kondensation des beim Reduktionsprozeß gebildeten, und bei diesen Temperaturen auch flüchtigen Siliziumoxids SiO noch "verbacken" und so weiter verfestigt. Bei dieser Anordnung tre­ ten im Betrieb kaum höhere Wärmeverluste als mit Seitenwandiso­ lierung auf, da die Wärme überwiegend von der Metallschmelze und somit nach unten abgeleitet wird. Der Tiegelboden aber ist in dieser Anordnung mit den Schichten 1, 6 und 7 thermisch gut isoliert.
Im erfindungsgemäßen Elektroniederschachtofen nach dem ACR-Pro­ zeß gewonnenes Silizium weist eine gegenüber in herkömmlich ver­ kleideten Öfen gewonnenem Silizium verbesserte Reinheit auf. Verbleibende Verunreinigungen sind nur noch von den Edukten des Reduktionsprozesses abhängig. In einem Ansatz gewonnenes Sili­ zium weist zum Beispiel p-Leitfähigkeit bei einem Borgehalt von deutlich unter 1 ppmw auf und ist nicht kompensiert. Daraus her­ gestellte Solarzellen erreichen Wirkungsgrade von über 11%.
Außerdem bewirkt die Ofenauskleidung eine gute Wärmedämmung, ist beständig und erlaubt einen Dauerbetrieb des Ofens über mehrere Jahre. Dabei ist der Ofen nicht nur auf die Gewinnung von hochreinem Silizium ausgelegt, sondern kann auch für alle anderen metallurgischen Prozesse verwendet werden, bei denen hochreine Metalle durch Reduktion erhalten werden sollen.

Claims (7)

1. Innenauskleidung für eine Reaktionskammer eines Elektronie­ derschachtofens, insbesondere zur Erzeugung von hochreinem Sili­ zium aus Siliziumoxid durch carbothermische Reduktion, bestehend aus einem Graphitschmelztiegel und einer thermischen Isolierung, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest der Boden der Reaktionskammer (5) eine Innenauskleidung (1, 6, 7) aus hochreinem Kohlenstoff aufweist.
2. Innenauskleidung nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die thermische Isolierung (6, 7) aus Graphit, Graphitgrieß oder Ruß besteht.
3. Innenauskleidung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der hochreine Kohlenstoff einen Bor- und Phosphorgehalt von jeweils maximal 0,05 ppmw und einen Gesamtaschengehalt von maximal 10 ppmw aufweist.
4. Innenauskleidung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenauskleidung (1, 6, 7) nur im Bodenbereich der Reaktions­ kammer angeordnet ist, und die übrigen Seitenwände (8) des Ofens kühlbar sind.
5. Innenauskleidung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Isolierung aus hochreinem Kohlenstoff in mehreren verschiedenen Schichten ausgeführt ist.
6. Innenauskleidung nach Anspruch 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Innenauskleidung des Ofens drei Schichten (1, 6, 7) aufweist, welche von innen nach außen aus den Materialien Graphit (1), Graphitgrieß (6) und Ruß (7) bestehen.
7. Innenauskleidung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Graphit­ schicht (1) in einer derartigen Dicke ausgelegt ist, daß in ihr beim Betrieb des Ofens die Temperatur von der inneren Betriebs­ temperatur des Ofens nach außen bis unter den Schmelzpunkt des Siliziums abfällt.
DE19873732073 1987-09-23 1987-09-23 Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen Withdrawn DE3732073A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873732073 DE3732073A1 (de) 1987-09-23 1987-09-23 Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen
JP63237462A JPH01107089A (ja) 1987-09-23 1988-09-20 電気低炉用高純度内部ライニング
NO88884194A NO884194L (no) 1987-09-23 1988-09-21 Hoeyren innvendig foring for en elektro-lavsjaktovn.
US07/485,758 US4971772A (en) 1987-09-23 1990-02-26 High-purity lining for an electric low shaft furnace

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19873732073 DE3732073A1 (de) 1987-09-23 1987-09-23 Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3732073A1 true DE3732073A1 (de) 1989-04-06

Family

ID=6336701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19873732073 Withdrawn DE3732073A1 (de) 1987-09-23 1987-09-23 Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4971772A (de)
JP (1) JPH01107089A (de)
DE (1) DE3732073A1 (de)
NO (1) NO884194L (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251076A1 (de) * 2002-11-02 2004-05-19 Schott Glas Schmelztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2912397A1 (fr) * 2007-02-14 2008-08-15 Commissariat Energie Atomique Installation d'affinage de silicium.
EP2530051A1 (de) * 2011-06-03 2012-12-05 Evonik Solar Norge AS Reduktionsofenkörper

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3215407B2 (ja) * 1989-07-18 2001-10-09 ヘムロツク・セミコンダクター・コーポレーシヨン 高温反応器
EP0529963B1 (de) * 1991-08-22 2000-04-26 Raytheon Company Kristallzüchtungsverfahren zur Herstellung von grossflächigen GaAs und damit hergestellte Infrarot-Fenster/Kuppel
US6413601B1 (en) * 1998-10-23 2002-07-02 Graftech Inc. Thermal insulating device
CN1993292B (zh) * 2004-08-20 2011-12-21 三菱化学株式会社 金属氮化物及金属氮化物的制造方法
CN101426722B (zh) * 2006-03-15 2013-06-05 反应科学公司 制造用于太阳能电池及其它应用的硅的方法
TW200932963A (en) * 2008-01-29 2009-08-01 Green Energy Technology Inc Crystal growing furnace with heating improvement structure
CN102980397A (zh) * 2011-09-05 2013-03-20 鞍钢集团工程技术有限公司 一种石墨坩埚
CN102924103A (zh) * 2012-11-22 2013-02-13 四川广汉士达炭素股份有限公司 一种炭砖及其制造方法与应用
CN108002379B (zh) * 2017-12-15 2021-02-12 吉林市巨邦炭素有限公司 一种增加炭黑循环使用次数的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3227431A (en) * 1961-11-22 1966-01-04 Nat Res Corp Crucible externally lined with filamentary carbon
DE2554696C2 (de) * 1975-12-05 1977-09-22 Kernforschungsanlage Juelich Verfahren zur beschichtung von graphitischen oder keramischen gegenstaenden
JPS55113609A (en) * 1979-02-21 1980-09-02 Ibiden Co Ltd Manufacturing apparatus for beta crystallbase silicon carbide
US4247528A (en) * 1979-04-11 1981-01-27 Dow Corning Corporation Method for producing solar-cell-grade silicon
DE3215081A1 (de) * 1982-04-22 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München System zur uebertragung von informationstelegrammen
DE3215981A1 (de) * 1982-04-29 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren
DE3541125A1 (de) * 1985-05-21 1986-11-27 International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. Verfahren zur herstellung von silicium oder ferrosilicium in einem elektronierderschachtofen und fuer das verfahren geeignete rohstoff-formlinge

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10251076A1 (de) * 2002-11-02 2004-05-19 Schott Glas Schmelztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10251076B4 (de) * 2002-11-02 2005-09-15 Schott Ag Schmelztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2912397A1 (fr) * 2007-02-14 2008-08-15 Commissariat Energie Atomique Installation d'affinage de silicium.
WO2008104702A3 (fr) * 2007-02-14 2008-11-06 Commissariat Energie Atomique Installation d'affinage de silicium
AU2008220638B2 (en) * 2007-02-14 2012-10-25 Commissariat A L'energie Atomique Silicon refining equipment
EP2530051A1 (de) * 2011-06-03 2012-12-05 Evonik Solar Norge AS Reduktionsofenkörper
WO2012163530A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Evonik Solar Norge As Components of plant, such as reduction furnace body and/or electrode, in particular for a reduction furnace

Also Published As

Publication number Publication date
NO884194L (no) 1989-03-28
JPH01107089A (ja) 1989-04-24
US4971772A (en) 1990-11-20
NO884194D0 (no) 1988-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3732073A1 (de) Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen
EP3362756B1 (de) Wärmedurchlässiges rohr beinhaltend faserverbundkeramik
DE2922468C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium oder Ferrosilizium
CH670834A5 (de)
DD159764A5 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumdioxid und kohlenstoff enthaltenden vorproduktes fuer die silicium-und/oder siliciumcarbiderze ugung
DE3337630A1 (de) Temperaturausgleichskoerper
DE2948640C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Gewinnung von Aluminium
US4224073A (en) Active silicon carbide powder containing a boron component and process for producing the same
DE2164301B2 (de) Feuerfestes material auf der basis von graphit-aluminiumoxyd-siliciumcarbid
DE19708249C2 (de) Auf Si/SiC basierendes gesintertes Material mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und dessen Verwendungen
JPS616247A (ja) 鉄ほう素合金または鉄ほう素けい素合金を炭素テルミット法により製造する方法
DE3229701A1 (de) Verfahren zum herstellen eines gesinterten formkoerpers aus feuerfestem material
US4770825A (en) Process for producing electrodes from carbonaceous particles and a boron source
US4588438A (en) Moulded object of alumina matter-containing raw material for aluminum smelting by blast furnace method
US2040854A (en) Titanium compound and method of making same
EP0109839A2 (de) Herstellungsverfahren für Graphitelektroden
DE633987C (de) Elektrisch beheizter, aus Siliciumkarbidsteinen bestehender Grosskammerofen
DE1186447B (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid
SU1632938A1 (ru) Шихта дл получени фосфора
AT205754B (de) Verfahren zur Herstellung von kohlenstoffhaltigen Aluminium-Silizium-Eisen-Legierungen
DE921146C (de) Elektrischer Hochtemperatur-Schmelzofen fuer die Herstellung von Calciumcarbid, Calciumcyanid od. dgl.
DE970402C (de) Vorrichtung zur Durchfuehrung von bei hohen Temperaturen verlaufenden Umsetzungen inSchachtoefen
DE3439367A1 (de) Verfahren zur herstellung von kalkstickstoff
AT256488B (de) Lichtbogen-Reduktionsofen, insbesondere zur Reduktion von Aluminiumoxyd mit Kohlenstoff
JPH0118004B2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8139 Disposal/non-payment of the annual fee