JPH01107089A - 電気低炉用高純度内部ライニング - Google Patents
電気低炉用高純度内部ライニングInfo
- Publication number
- JPH01107089A JPH01107089A JP63237462A JP23746288A JPH01107089A JP H01107089 A JPH01107089 A JP H01107089A JP 63237462 A JP63237462 A JP 63237462A JP 23746288 A JP23746288 A JP 23746288A JP H01107089 A JPH01107089 A JP H01107089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- furnace
- internal lining
- silicon
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- -1 silicon halide compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/52—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D1/00—Casings; Linings; Walls; Roofs
- F27D1/0003—Linings or walls
- F27D1/0006—Linings or walls formed from bricks or layers with a particular composition or specific characteristics
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Details Of Garments (AREA)
- Footwear And Its Accessory, Manufacturing Method And Apparatuses (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、黒鉛るつぼと断熱材とからなる特に炭素熱還
元により酸化ケイ素から高純度のケイ素を製造するため
の電気低炉(Elektroniederschach
tofen)の反応室用内部ライニングに関する。
元により酸化ケイ素から高純度のケイ素を製造するため
の電気低炉(Elektroniederschach
tofen)の反応室用内部ライニングに関する。
高純度ケイ素の析出は、今日主としてシーメンス(Si
emens)社のCプロセスにより処理されている。こ
の場合二酸化ケイ素を炭素で還元することにより製造さ
れた冶金ケイ素を揮発性ハロゲン化ケイ素化合物に変え
、気相を介して精製し、水素で再びケイ素に還元する。
emens)社のCプロセスにより処理されている。こ
の場合二酸化ケイ素を炭素で還元することにより製造さ
れた冶金ケイ素を揮発性ハロゲン化ケイ素化合物に変え
、気相を介して精製し、水素で再びケイ素に還元する。
このケイ素はエレクトロニクス用ケイ素に対する高純度
の要求を満たすが、例えば光起電力分野のような他の多
くの使用分野にとっては高価すぎる。
の要求を満たすが、例えば光起電力分野のような他の多
くの使用分野にとっては高価すぎる。
光起電力電池用として適したソーラケイ素を経済的に製
造する方法は、シーメンス社のグラープマイヤー(J、
Grabmaier)の論文「フォルシュンゲス・ラ
ント・エントゥイックルングスベリヒテン(Forsc
hungs−und Entwicklungsber
ichten) J第15号、1986年、第157〜
162頁に記載されている。この方法は予め精製された
高純度の材料から出発する。加熱鉱酸で浸出されたガラ
ス繊維からは高純度の二酸化ケイ素が得られる。
造する方法は、シーメンス社のグラープマイヤー(J、
Grabmaier)の論文「フォルシュンゲス・ラ
ント・エントゥイックルングスベリヒテン(Forsc
hungs−und Entwicklungsber
ichten) J第15号、1986年、第157〜
162頁に記載されている。この方法は予め精製された
高純度の材料から出発する。加熱鉱酸で浸出されたガラ
ス繊維からは高純度の二酸化ケイ素が得られる。
還元には、同様に浸出によって精製することのできる高
純度の炭素を使用する。この方法は例えばドイツ連邦共
和国特許出願公開第3215981号明細書に記載され
ている。
純度の炭素を使用する。この方法は例えばドイツ連邦共
和国特許出願公開第3215981号明細書に記載され
ている。
予め精製された各出発材料をいわゆるARC法(Adv
anced Carbothermic Reduct
ion)によりアーク炉内で、相互に反応させる。
anced Carbothermic Reduct
ion)によりアーク炉内で、相互に反応させる。
第3図は公知の電気低炉の構造を断面図で略示したもの
である。これは主として高純度の黒鉛又は炭素からなる
るつぼ1、同様に内張すされた流出口2並びに通常二酸
化ケイ素又は酸化アルミニウムをベースとする耐燃レン
ガから成る耐燃性の断熱材3を有する。るつぼの下方に
は断熱用としてもう1つの炭素層4が配置されている。
である。これは主として高純度の黒鉛又は炭素からなる
るつぼ1、同様に内張すされた流出口2並びに通常二酸
化ケイ素又は酸化アルミニウムをベースとする耐燃レン
ガから成る耐燃性の断熱材3を有する。るつぼの下方に
は断熱用としてもう1つの炭素層4が配置されている。
鋼板5は炉ジャケットを形成する。
しかし高度に圧縮された黒鉛をるつぼ材1として使用し
た場合にも、るつぼはケイ素融液の高い漏出力によりケ
イ緊密にすることはできない。ケイ素は最も薄い継目で
も浸透し、そこで絶縁材3と接触する。この材料は、こ
れを製造するために燐含有結合剤を使用していることか
ら、多量の燐を含む。炉中でケイ素、炭素及びCOと接
触することにより、燐はその化合物から還元され、液体
ケイ素に吸収される。燐を含有することによってn導電
性ケイ素は太陽電池の製造には適しておらず、まず経費
の嵩む方法で燐を除去する必要がある。燐における場合
と同じ問題は、ケイ素融液により還元され得るほとんど
すべての元素でも生じる。特にほとんどすべての耐燃材
中に含まれるホウ素元素の場合、特に有害な不純化がも
たらされる。得られたケイ素からその後にホウ素を除去
する処理も多大な費用を必要とする。
た場合にも、るつぼはケイ素融液の高い漏出力によりケ
イ緊密にすることはできない。ケイ素は最も薄い継目で
も浸透し、そこで絶縁材3と接触する。この材料は、こ
れを製造するために燐含有結合剤を使用していることか
ら、多量の燐を含む。炉中でケイ素、炭素及びCOと接
触することにより、燐はその化合物から還元され、液体
ケイ素に吸収される。燐を含有することによってn導電
性ケイ素は太陽電池の製造には適しておらず、まず経費
の嵩む方法で燐を除去する必要がある。燐における場合
と同じ問題は、ケイ素融液により還元され得るほとんど
すべての元素でも生じる。特にほとんどすべての耐燃材
中に含まれるホウ素元素の場合、特に有害な不純化がも
たらされる。得られたケイ素からその後にホウ素を除去
する処理も多大な費用を必要とする。
十分な純度、良好な絶縁性及び強還元性の炉雰囲気中で
の良好な安定性を有する断熱用酸化物セラミック材料は
市販されていない。
の良好な安定性を有する断熱用酸化物セラミック材料は
市販されていない。
従って本発明の課題は、ACR法において上記の欠点を
回避し、同時に経済的に有利でまた断熱性の良い電気炉
用高純度ライニングを提供することにある。
回避し、同時に経済的に有利でまた断熱性の良い電気炉
用高純度ライニングを提供することにある。
この課題は本発明によれば最初に記載した形式の電気低
炉において、少なくとも反応室の底部が高純度の炭素か
らなる内部ライニングを有することによって解決される
。
炉において、少なくとも反応室の底部が高純度の炭素か
らなる内部ライニングを有することによって解決される
。
本発明の実施態様では、炉の側壁を冷却すること及びこ
の側壁の断熱性ライニングを省略することが提案されて
いる。
の側壁の断熱性ライニングを省略することが提案されて
いる。
本発明のその他の実施態様は請求項2以下に記載されて
いる。
いる。
本発明により従来慣用されているセラミック酸化物材料
の代わりに使用可能な高純度炭素材料は、例えば黒鉛、
黒鉛砂礫又はカーボンブラックである。これらの材料は
その熱伝導性において著しく相違し、これは列記した順
序で低くなる。従って炉ライニングの多層構造が有利で
ある。
の代わりに使用可能な高純度炭素材料は、例えば黒鉛、
黒鉛砂礫又はカーボンブラックである。これらの材料は
その熱伝導性において著しく相違し、これは列記した順
序で低くなる。従って炉ライニングの多層構造が有利で
ある。
次に本発明を第1図及び第2図に基づき詳述する。これ
らの図面は本発明による炉の内部ライニングの2つの実
施例を断面図として略示するものである。
らの図面は本発明による炉の内部ライニングの2つの実
施例を断面図として略示するものである。
この場合3つのすべての図面において同じ部分には同じ
符号が付されている。
符号が付されている。
第1図において最も内側の層1はケイ素融液に対してで
きる限り密であるべきであり、従ってケイ素融液と接触
した際に緊密な炭化ケイ素皮膜で被覆される十分に高い
密度を有する電気黒鉛ブロックからなる。多孔性黒鉛加
工材料を選択した場合、これがケイ素を多孔性黒鉛構造
中に深く取り込み、その結果炭化ケイ素が生じることに
よりこの構造は開裂する。従って多孔性黒鉛はケイ素損
失量が大きい他に、著しい黒鉛浸食をもたらすおそれが
ある。
きる限り密であるべきであり、従ってケイ素融液と接触
した際に緊密な炭化ケイ素皮膜で被覆される十分に高い
密度を有する電気黒鉛ブロックからなる。多孔性黒鉛加
工材料を選択した場合、これがケイ素を多孔性黒鉛構造
中に深く取り込み、その結果炭化ケイ素が生じることに
よりこの構造は開裂する。従って多孔性黒鉛はケイ素損
失量が大きい他に、著しい黒鉛浸食をもたらすおそれが
ある。
次層として黒鉛砂礫層6を配置するが、最後の最外側層
7はカーボンブラックからなっていてもよい。カーボン
ブラックは傑出した断熱特性を有するが、その機械的安
定性は小さい。しかしカーボンブラック層7は十分に薄
く配置するか又は完全に省略することもできる。これに
対して黒鉛砂礫6は、例えばるつぼ底部の断熱材として
、構造条件に好ましい断熱特性を失うことなく炉の全充
填物の重量を支えるのに十分な安定性を有する。
7はカーボンブラックからなっていてもよい。カーボン
ブラックは傑出した断熱特性を有するが、その機械的安
定性は小さい。しかしカーボンブラック層7は十分に薄
く配置するか又は完全に省略することもできる。これに
対して黒鉛砂礫6は、例えばるつぼ底部の断熱材として
、構造条件に好ましい断熱特性を失うことなく炉の全充
填物の重量を支えるのに十分な安定性を有する。
個々の壁層1.6.7の厚さは所望の断熱度に応じて調
整される。しかし最も内側の黒鉛層1は温度を約135
0°Cまで、従ってケイ素の融点よりも低く下げるべき
であり、これによりケイ素融液が絶縁N6及び7にまで
深く入り込むことは阻止され、従ってその絶縁作用は正
確に維持されまたケイ素の好ましくない材料損失も回避
される。
整される。しかし最も内側の黒鉛層1は温度を約135
0°Cまで、従ってケイ素の融点よりも低く下げるべき
であり、これによりケイ素融液が絶縁N6及び7にまで
深く入り込むことは阻止され、従ってその絶縁作用は正
確に維持されまたケイ素の好ましくない材料損失も回避
される。
上記の各炭素材料は、ホウ素及び燐の許容含有量最高0
.05 ppmw及び全不純物又は灰分の量最高10p
pmwの他に、炉ライニングによってACR法で溶融金
属例えばケイ素が更に不純化されない程度の高純度で得
られる。
.05 ppmw及び全不純物又は灰分の量最高10p
pmwの他に、炉ライニングによってACR法で溶融金
属例えばケイ素が更に不純化されない程度の高純度で得
られる。
第2図に示した本発明のもう1つの実施例では、炉の外
部側壁8を構成する鋼ジャケットが冷却可能である場合
、断熱材での炉側壁の内部ライニングを省略することが
できる。溶融過程でるつぼ壁は使用した材料、特に溶剤
と鉱石との混合物(メラー混合物9)Stow及び還元
剤(例えば煤煉炭)から製造される。このメラー混合物
9はるつぼの縁に固体状態で留まり、ACR法において
、還元過程で形成されまたこの温度でもなお揮発性の酸
化ケイ素SiOが凝縮することによりベーキングされ、
従って更に固化される。この装置では運転中に、側壁に
絶縁材を有するものよりも高い熱損失は生じない。それ
といのも熱は主として金属融液から、従って下方に向け
て導出されるからである。しかしこのるつぼ底部はこの
装置の場合層1.6及び7で熱的に良好に絶縁されてい
る。
部側壁8を構成する鋼ジャケットが冷却可能である場合
、断熱材での炉側壁の内部ライニングを省略することが
できる。溶融過程でるつぼ壁は使用した材料、特に溶剤
と鉱石との混合物(メラー混合物9)Stow及び還元
剤(例えば煤煉炭)から製造される。このメラー混合物
9はるつぼの縁に固体状態で留まり、ACR法において
、還元過程で形成されまたこの温度でもなお揮発性の酸
化ケイ素SiOが凝縮することによりベーキングされ、
従って更に固化される。この装置では運転中に、側壁に
絶縁材を有するものよりも高い熱損失は生じない。それ
といのも熱は主として金属融液から、従って下方に向け
て導出されるからである。しかしこのるつぼ底部はこの
装置の場合層1.6及び7で熱的に良好に絶縁されてい
る。
本発明による電気低炉内でACR法により得られたケイ
素は、常法で内張すされた炉中で得られたケイ素に比べ
て改良された純度を有する。残存する不純物は還元処理
の抽出物と関連する。バッチ内に得られたケイ素は例え
ば明らかに1 ppmw以下のホウ素含有量でp、It
性を有し、相殺されない。これから製造された太陽電池
は11%以上の効率を生じる。
素は、常法で内張すされた炉中で得られたケイ素に比べ
て改良された純度を有する。残存する不純物は還元処理
の抽出物と関連する。バッチ内に得られたケイ素は例え
ば明らかに1 ppmw以下のホウ素含有量でp、It
性を有し、相殺されない。これから製造された太陽電池
は11%以上の効率を生じる。
更にこの炉ライニングは良好な断熱性をもたらし、安定
で、数年におよぶ炉の連続運転を可能とする。この場合
層は高純度のケイ素を得るために提供されるだけではな
く、高純度の金属を還元により得る他の全ての冶金法で
も使用することができる。
で、数年におよぶ炉の連続運転を可能とする。この場合
層は高純度のケイ素を得るために提供されるだけではな
く、高純度の金属を還元により得る他の全ての冶金法で
も使用することができる。
第1図及び第2図は本発明による炉の内部ライニングの
2つの実施例を示す略示断面図、第3図は公知の電気低
炉構造の略示断面図である。 1・・・黒鉛層 2・・・流出口 3・・・断熱材 4・・・炭素層 5・・・鋼板 6・・・黒鉛砂礫層 7・・・カーボンブラック層 8・・・外部側壁
2つの実施例を示す略示断面図、第3図は公知の電気低
炉構造の略示断面図である。 1・・・黒鉛層 2・・・流出口 3・・・断熱材 4・・・炭素層 5・・・鋼板 6・・・黒鉛砂礫層 7・・・カーボンブラック層 8・・・外部側壁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)黒鉛るつぼと断熱材とからなる電気低炉の反応室用
内部ライニングにおいて、少なくとも反応室(5)の底
部が高純度の炭素からなる内部ライニング(1、6、7
)を有していることを特徴とする電気低炉用高純度内部
ライニング。 2)断熱材(6、7)が黒鉛、黒鉛砂礫又はカーボンブ
ラックからなることを特徴とする請求項1記載の内部ラ
イニング。 3)高純度の炭素がホウ素及び燐をそれぞれ最高0.0
5ppmw及び全灰分を最高10ppmw含むことを特
徴とする請求項1又は2記載の内部ライニング。 4)内部ライニング(1、6、7)が反応室の底部範囲
にのみ配置されており又残りの炉側壁(8)が冷却可能
であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1
項に記載の内部ライニング。 5)高純度の炭素からなる断熱材が数種の層として形成
されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれ
か1項に記載の内部ランニング。 6)炉の内部ライニングが、その内側から外側に黒鉛(
1)、黒鉛砂礫(6)及びカーボンブラック(7)から
なる3層(1、6、7)を有していることを特徴とする
請求項5記載の内部ライニング。 7)黒鉛層(1)が、炉の運転時における層中の温度が
炉の内部運転温度から外部に向けてケイ素の融点以下に
まで低下するような厚さに被覆されていることを特徴と
する請求項1ないし6のいずれか1項に記載の内部ライ
ニング。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873732073 DE3732073A1 (de) | 1987-09-23 | 1987-09-23 | Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen |
DE3732073.4 | 1987-09-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01107089A true JPH01107089A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=6336701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63237462A Pending JPH01107089A (ja) | 1987-09-23 | 1988-09-20 | 電気低炉用高純度内部ライニング |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4971772A (ja) |
JP (1) | JPH01107089A (ja) |
DE (1) | DE3732073A1 (ja) |
NO (1) | NO884194L (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108002379A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-08 | 吉林市松江炭素有限责任公司 | 一种增加炭黑循环使用次数的方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4022707C2 (de) * | 1989-07-18 | 2002-01-31 | Hemlock Semiconductor Corp | Isolierungssystem für einen Chlorsilan- und Wasserstoff-Reaktor |
EP0529963B1 (en) * | 1991-08-22 | 2000-04-26 | Raytheon Company | Crystal growth process for large area GaAs and infrared window/dome made therefrom |
US6413601B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Graftech Inc. | Thermal insulating device |
DE10251076B4 (de) * | 2002-11-02 | 2005-09-15 | Schott Ag | Schmelztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20080193363A1 (en) * | 2004-08-20 | 2008-08-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Metal Nitrides and Process for Production Thereof |
CN101426722B (zh) * | 2006-03-15 | 2013-06-05 | 反应科学公司 | 制造用于太阳能电池及其它应用的硅的方法 |
FR2912397B1 (fr) * | 2007-02-14 | 2009-05-08 | Commissariat Energie Atomique | Installation d'affinage de silicium. |
TW200932963A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-01 | Green Energy Technology Inc | Crystal growing furnace with heating improvement structure |
EP2530051A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-05 | Evonik Solar Norge AS | Reduction furnace body |
CN102980397A (zh) * | 2011-09-05 | 2013-03-20 | 鞍钢集团工程技术有限公司 | 一种石墨坩埚 |
CN102924103A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-02-13 | 四川广汉士达炭素股份有限公司 | 一种炭砖及其制造方法与应用 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3227431A (en) * | 1961-11-22 | 1966-01-04 | Nat Res Corp | Crucible externally lined with filamentary carbon |
DE2554696C2 (de) * | 1975-12-05 | 1977-09-22 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren zur beschichtung von graphitischen oder keramischen gegenstaenden |
JPS55113609A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-02 | Ibiden Co Ltd | Manufacturing apparatus for beta crystallbase silicon carbide |
US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
DE3215081A1 (de) * | 1982-04-22 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | System zur uebertragung von informationstelegrammen |
DE3215981A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
DE3541125A1 (de) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | International Minerals & Chemical Corp., Northbrook, Ill. | Verfahren zur herstellung von silicium oder ferrosilicium in einem elektronierderschachtofen und fuer das verfahren geeignete rohstoff-formlinge |
-
1987
- 1987-09-23 DE DE19873732073 patent/DE3732073A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237462A patent/JPH01107089A/ja active Pending
- 1988-09-21 NO NO88884194A patent/NO884194L/no unknown
-
1990
- 1990-02-26 US US07/485,758 patent/US4971772A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108002379A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-08 | 吉林市松江炭素有限责任公司 | 一种增加炭黑循环使用次数的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO884194L (no) | 1989-03-28 |
US4971772A (en) | 1990-11-20 |
DE3732073A1 (de) | 1989-04-06 |
NO884194D0 (no) | 1988-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7858063B2 (en) | High purity metallurgical silicon and method for preparing same | |
JPH01107089A (ja) | 電気低炉用高純度内部ライニング | |
US4216010A (en) | Aluminum purification system | |
CA1130985A (en) | Silicon purification method | |
US4676968A (en) | Melt consolidation of silicon powder | |
US4409021A (en) | Slag decarbonization with a phase inversion | |
EP2172424A1 (en) | Method of solidifying metallic silicon | |
US4446120A (en) | Method of preparing silicon from sodium fluosilicate | |
EP0329803B1 (en) | Method for producing high-purity metallic silicon and apparatus therefor | |
JP2003277040A (ja) | シリコンの精製方法および該方法により精製したシリコンを用いて製造する太陽電池 | |
JPS616247A (ja) | 鉄ほう素合金または鉄ほう素けい素合金を炭素テルミット法により製造する方法 | |
JPH05262512A (ja) | シリコンの精製方法 | |
EP0366701B1 (en) | Magnesium production | |
EP0197702B1 (en) | Plasma arc sintering of silicon carbide | |
ES2110350A1 (es) | Metodo y aparato para la fusion de suspensiones. | |
US2165742A (en) | Process for separating magnesium and like metals which sublime from their ores and compounds | |
US4877596A (en) | Process for the production of low carbon silicon | |
US2265284A (en) | Melting copper | |
KR101323191B1 (ko) | 야금학적 공정을 이용한 태양전지용 실리콘 제조 방법 | |
CN205710867U (zh) | 一种防铜液氧化熔铜装置 | |
US4255373A (en) | Method for manufacturing highly refractory aluminum and magnesium oxide ceramic items | |
CN115572843B (zh) | 一种高纯金属钽的制备方法 | |
SU562510A1 (ru) | Шихта дл получени периклаза высокой чистоты | |
US3463634A (en) | Carbon reduction process | |
CA1236856A (en) | Refractory cement |