KR980006467A - 고주파 반도체 장치 - Google Patents

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고이치 사카모토
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무라따 미치히로
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 진성 장치부(intrinsic device section)은 GaAs 기판 상에 드레인 영역(drain area), 중간 영역(intermediate area) 및 소스 영역(source area)을 적층시켜, 그것의 경사면에 채널 영역(channel area)을 형성함으로서 설치된다. 드레인 영역에 옴접속(ohmic connected)된 드레인 전극은 출력측쪽으로 연장하며, 드레인 전극 상에 유전체층을 통하여 소스 영역에 옴접속된 소스 전극은 연장하여, 출력측에 마이크로파 전송 선로(micro-wave transmission line)가 형성된다. 채널 영역에 쇼트키(Schottky) 접속된 게이트 전극(gate electrode)은 입력측쪽으로 연장하며, 드레인 전극 상에 유전체층을 통하여 소스 전극은 연장하여, 출력측에 마이크로파 전송 선로가 형성된다.

Description

고주파 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 제3도에 도시한 선 X1-X1를 따라 절단하여 도시한 단면도이다.

Claims (6)

  1. 절연성 기판(insulating substrate) 상에 드레인 영역(drain area), 채널 영역(channel area) 및 소스 영역(source area)을 적층시켜 부분적으로 형성된 진성 장치부(intrinsic device section); 상기한 드레인 영역에 접속된 드레인 전극(drain eletrode) 또는 상기한 드레인 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분(electrode section)과, 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극(source electrode) 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로(micro-wave transmission line); 및 상기한 채널 영역에 접속된 게이트 전극(gate electrode) 또는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과, 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로를 포함함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  2. 아래로부터 드레인 영역, 채널 영역 및 소스 영역을 이 순서대로 적층시켜 절연성 기판 상에 부분적으로 형성된 진성 장치부; 상기한 드레인 영역에 접속된 드레인 전극 또는 상기한 드레인 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분은 자신의 상방에 형성된 유전체층을 통하여, 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과 대향하여, 상기한 드레인 전극 또는 상기한 드레인 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과, 상기한 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로; 및 상기한 채널 영역에 접속된 게이트 전극 또는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분은 자신의 상방에 형성된 유전체층을 통하여, 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과 대향하여, 상기한 게이트 전극 또는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과, 상기한 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로를 포함함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  3. 아래로부터 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 이 순서대로 적층시켜 절연성 기판 상에 부분적으로 형성된 진성 장치부; 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분은 자신의 상방에 형성된 유전체층을 통하여, 상기한 채널 영역에 접속된 게이트 전극 또는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과 대향하여, 상기한 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과, 상기한 게이트 전극 또는 상기한 게이트 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로; 및 상기한 소스 영역에 접속된 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분은 자신의 상방에 형성된 유전체층을 통하여, 상기한 드레인 영역에 접속된 드레인 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 전극 부분과 대향하여, 상기한 소스 전극 또는 상기한 소스 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과, 상기한 드레인 전극 또는 상기한 드레인 전극에 전기적으로 접속된 상기한 전극 부분과의 사이에 형성된 마이크로파 전송 선로를 포함함을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기한 절연성 기판 상에, 상기한 진성 장치부를 다수 배치시키며, 상기한 다수의 진성 장치부들은 상기한 마이크로파 전송 선로들에 의해 접속됨을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  5. 제 2항에 있어서, 상기한 절연성 기판 상에, 상기한 진성 장치부를 다수 배치시키며, 상기한 다수의 진성 장치부들은 상기한 마이크로파 전송 선로들에 의해 접속됨을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
  6. 제 3항에 있어서, 상기한 절연성 기판 상에, 상기한 진성 장치부를 다수 배치시키며, 상기한 다수의 진성 장치부들은 상기한 마이크로파 전송 선로들에 의해 접속됨을 특징으로 하는 고주파 반도체 장치.
KR1019970026123A 1996-06-20 1997-06-20 고주파 반도체 장치 KR100287477B1 (ko)

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