KR960026768A - 절연게이트 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

절연게이트 반도체장치, 특히 고주파/고출력 용도에 적합한 절연게이트 반도체장치에 관한 것으로써, 게이트전극의 미세화가 가능하고 신뢰성도 양호하여 자기정합적으로 소오스 드레인층을 형성할 수 있고, 또 1층째의 저저항 금속층의 두께에 의한 전류용량의 제한을 받지않아 각 게이트핑거부로의 게이트저항의 언밸런스가 발생하지 않도록 게이트 전극배치를 고려해서 양호한 고주파/고출력 특성이 얻어지는 절연게이트 반도체장치를 제공하기 위해, 제1도전형의 반도체본체, 반도체본체 상에 마련된 제1도전형의 반도체층, 반도체 층의 표면에 교대로 마련된 제2도전형의 드레인 및 소오스 층, 드레인과 소오스층 상호 간에 마련된 제1도전형의 채널영역, 채널영역 상에 게이트 절연막을 거쳐서 마련된 게이트전극용 도전체층, 게이트전극용 도전층을 피복하도록 해서 마련된 제1층간절연막, 제1층간절연막 상에 마련된 게이트전극용 도전층 보다 저저항인 제1금속도체층, 제1금속반도체층을 피복하도록 마련된 제2층간절연막, 제2층간절연막 상에 마련된 제2금속도체층, 드레인층상의 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 드레인층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 드레인전극, 소오스층 상의 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 소오스층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 소오스전극 및 게이트전극용 도전체 상에 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 게이트전극용 도체층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 게이트전극으로 구성되는 절연게이트 반도체장치에 있어서, 제1층째 드레인전극 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝측이 제1층째 드레인전극에 접속됨과 동시에 다른쪽 끝측이 공통 접속된 제2금속도체 층으로 이루어지는 제2층째 드레인 전극, 제1층째 소오스 전극 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝측이 제1층째 소오스 전극에 접속됨과 동시에 다른쪽끝측이 채널영역 밖에 위치하는 연장부를 가진 제2금속도체층으로 이루어지는 제2층째 소오스 전극 및 제1층째 드레인 전극을 사이에 두고 인접하는 제1층째 게이트전극끼리를 게이트전극용 도체층과 함께 제2층째 드레인전극의 한쪽끝측의 채널영역 밖으로 연장시켜서 접속부를 구성하고, 이 각 접속부의 중앙 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝이 제2금속도체층에 접속됨과 동시에 다른쪽끝측쪽이 인접하는 제2층째 소오스전극의 연장부 사이를 다시 접속시키는 제2금속도체층으로 이루어지는 제2층째 게이트전극 도전층의 중앙에 마련한 게이트 인출용전극을 적어도 갖는다. 이것에 의해, 절연게이트 반도체장치의 게이트전극이 미세하게 가공할 수 있어 게이트핑거부에서 게이트본딩부까지의 전극용 배선이 언밸런스를 발생시키지 않고 저저항이며, 또한 소오스 게이트 간의 인출배선이 교차하지 않으므로 저부유용량의 구조로 할 수 있으며, 1GHZ를 초과하고 5GH2까지의 주파수대에서 충분한 동작을 하는 고주파 성능을 얻을 수 있다.

Description

절연게이트 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 절연게이트 반도체장치의 1실시예를 도시한 도면으로써, 제1도(a)는 평면도, 제1도(b)는 제1도(a)중에 A-A′선으로 나타낸 활성영역부분의 단면구조도, 제2도는 제1도(a)의 B-B′선으로 나타낸 게이트인출 전극부분의 단면구조도.

Claims (6)

  1. 제1도전형의 반도체본체, 반도체본체 상에 마련된 제1도전형의 반도체층, 반도체층의 표면에 교대로 마련된 제2도전형의 드레인 및 소오스층 드레인과 소오스층 상호 간에 마련된 제1도전형의 채널영역, 채널영역상에 게이트 절연막을 거쳐서 마련된 게이트전극용 도전체층, 게이트전극용 도전층을 피복하도록 해서 마련된 제1층간절연막, 제1층간절연막 상에 마련된 게이트전극용 도전층보다 저저항인 제1금속도체층, 제1금속반도체층을 피복하도록 마련된 제2층간절연막, 제2층간절연막 상에 마련된 제2금속도체층, 드레인층 상의 상기 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 상기 드레인층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 드레인전극, 소오스층 상의 상기 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 상기 소오스층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 소오스전극 및 게이트전극용 도전체 상에 상기 제1층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 상기 게이트전극용 도체층에 접속된 제1금속도체층으로 이루어지는 제1층째 게이트전극으로 구성되는 절연게이트 반도체장치에 있어서, 상기 제1층째 드레인전극 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝측이 제1층째 드레인전극에 접속됨과 동시에 다른쪽끝측이 공통 접속된 제2금속도체층으로 이루어지는 제2층째 드레인전극, 상기 제1층째 소오스전극 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝측이 제1층째 소오스전극에 접속됨과 동시에 다른쪽끝측이 채널영역 밖에 위치하는 연장부를 가진 제2금속도체층으로 이루어지는 제3층째 소오스전극 및 상기 제1층째 드레인전극을 사이에 두고 인접하는 제1층째 게이트전극끼리를 게이트전극용 도체층과 함께 상기 제2층째 드레인전극의 한쪽끝측의 채널영역 밖으로 연장시켜서 접속부를 구성하고, 이 각 접속부의 중앙 상의 제2층간절연막에 대해 마련된 개구부를 거쳐서 각 한쪽끝측이 제2금속도체층에 접속됨과 동시에 다른쪽끝측쪽이 인접하는 제2층째 소오스전극의 상기 연장부 사이를 다시 접속시키는 제2금속도체층으로 이루어지는 제2층째 게이트전극 도전층의 중앙에 마련한 게이트 인출용 전극을 적어도 갖는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트전극용 도체층과 제1층째 게이트전극을 접속하는 제1층간절연막에 마련된 개구부를 게이트핑거부 1개당 여러개 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 소오스전극의 연장부의 바로 아래의 상기 반도체층에 상기 반도체 본체에 도달하는 제1도전형의 관통층을 마련하고, 또 상기 반도체본체의 이면에 소오스 이면전극을 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 관통층을 소오스 전극 바로 아래의 채널영역에 걸치지 않는 부분에 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
  5. 제1항~제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체층의 채널영역과 소오스층 형성영역에 반도체본체에 도달하는 제1도전형의 베이층을 또 마련해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
  6. 제1항~제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트전극용 도체층은 다결정 실리콘 또는 금속 실리사이드 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연게이트 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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