JPS60107846A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPS60107846A JPS60107846A JP21701483A JP21701483A JPS60107846A JP S60107846 A JPS60107846 A JP S60107846A JP 21701483 A JP21701483 A JP 21701483A JP 21701483 A JP21701483 A JP 21701483A JP S60107846 A JPS60107846 A JP S60107846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wave absorber
- line
- microwave integrated
- dielectrics
- output side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
この発明は、誘電体基板上に形成したマイクロストリッ
プ線路によりマイクロ波を伝搬するマイクロ波集積回路
に関する。
プ線路によりマイクロ波を伝搬するマイクロ波集積回路
に関する。
従来この種のマイクロ波集積回路として第１図に示すも
のがあった。第１図は増幅器の一部を示し、図において
１は誘電体基板を示し、２は誘電体基板上に形成された
マイクロストリップ線路である。３はマイクロ波を増幅
する電界効果トランジスタ（Ｆｋ’Ｉ’ ）、４はＤＣ
カットを行うチップキャパシタ、５はマイクロ波入力側
、６はマイクロ波出力側を示す。７はＦＥＴのゲート端
子、８はＦＥＴのドレイン端子、９はＦＬＩＴのソース
端子を示し、それぞれマイクロストリップ線路上に接続
され、１０ａ及び１０ｂのチョーク用パターンよりバイ
アス電圧が供給される。
のがあった。第１図は増幅器の一部を示し、図において
１は誘電体基板を示し、２は誘電体基板上に形成された
マイクロストリップ線路である。３はマイクロ波を増幅
する電界効果トランジスタ（Ｆｋ’Ｉ’ ）、４はＤＣ
カットを行うチップキャパシタ、５はマイクロ波入力側
、６はマイクロ波出力側を示す。７はＦＥＴのゲート端
子、８はＦＥＴのドレイン端子、９はＦＬＩＴのソース
端子を示し、それぞれマイクロストリップ線路上に接続
され、１０ａ及び１０ｂのチョーク用パターンよりバイ
アス電圧が供給される。
次に動作について説明する。マイクロ波入力側５よシ入
力されたマイクロ波は、マイクロストリップ線路２の上
を伝搬してＦＥＴ ３に至る。ＦＥＴ ３にはチョーク
用パターンｌＱａ 、 １０ｂを通してバイアス電圧が
与えられ嵩周波増幅を行う。ＦＥ’ｒ ３により増幅さ
れたマイクロ波はドレイン端子８より出力され、マイク
ロストリップ線路の上を伝搬してマイクロ波出力側６へ
と進行していく。
力されたマイクロ波は、マイクロストリップ線路２の上
を伝搬してＦＥＴ ３に至る。ＦＥＴ ３にはチョーク
用パターンｌＱａ 、 １０ｂを通してバイアス電圧が
与えられ嵩周波増幅を行う。ＦＥ’ｒ ３により増幅さ
れたマイクロ波はドレイン端子８より出力され、マイク
ロストリップ線路の上を伝搬してマイクロ波出力側６へ
と進行していく。
従来のマイクロ波集積回路は以上のように構成されてい
るので、ＩＴ３の利得の温度変動を制御するにはチョー
ク用パターンｌＱａ、１０ｂを通じて供給されるバイア
ス電圧を制御することが必要となる。しかし、ＦＪＩＴ
の特性にばらつきがあり、バイアス電圧の制御のみでは
充分に利得制御を行えない場合があるなどの欠点があり
、またバイアス回路が複雑になるなどの欠点もあった。
るので、ＩＴ３の利得の温度変動を制御するにはチョー
ク用パターンｌＱａ、１０ｂを通じて供給されるバイア
ス電圧を制御することが必要となる。しかし、ＦＪＩＴ
の特性にばらつきがあり、バイアス電圧の制御のみでは
充分に利得制御を行えない場合があるなどの欠点があり
、またバイアス回路が複雑になるなどの欠点もあった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、出力側マイクロストリップ線路上
に、電波吸収体を被せ、誘電体基板と電波吸収体との間
に熱伸縮可能な誘電体を挿入することにより、温度補償
が容易であるマイクロ波集積回路を提供することを目的
としている。
めになされたもので、出力側マイクロストリップ線路上
に、電波吸収体を被せ、誘電体基板と電波吸収体との間
に熱伸縮可能な誘電体を挿入することにより、温度補償
が容易であるマイクロ波集積回路を提供することを目的
としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において１１はマイクロストリップ線路上に被ぜられ
た電波吸収体、１２は誘電体と電波吸収体との間に挿入
された熱伸縮可能な誘電体である。第３図は第２図Ａ−
Ａの断面図を示す。
図において１１はマイクロストリップ線路上に被ぜられ
た電波吸収体、１２は誘電体と電波吸収体との間に挿入
された熱伸縮可能な誘電体である。第３図は第２図Ａ−
Ａの断面図を示す。
マイクロ波出力側６に現われる電力は、電波吸収体１１
がマイクロストリップ線路２に近づくと減少する特性が
あシ、逆に遠ざかると増加する。すなわち、第３図ｔの
変化により出力電力が変化することになる。ＦＥＴ ３
の出力電力は低温になると増加する傾向がある。しかし
、熱伸縮可能な誘電体は低温で収縮し、すなわち第３図
ｔが小さくなり、出力電力を減少させることが可能とな
る。逆に高温になるとＦＥＴ ３の出力電力は減少する
が、誘電体２が膨張し電波吸収体１１がストリップ線路
２より遠くなり出力電力が増加することになる。
がマイクロストリップ線路２に近づくと減少する特性が
あシ、逆に遠ざかると増加する。すなわち、第３図ｔの
変化により出力電力が変化することになる。ＦＥＴ ３
の出力電力は低温になると増加する傾向がある。しかし
、熱伸縮可能な誘電体は低温で収縮し、すなわち第３図
ｔが小さくなり、出力電力を減少させることが可能とな
る。逆に高温になるとＦＥＴ ３の出力電力は減少する
が、誘電体２が膨張し電波吸収体１１がストリップ線路
２より遠くなり出力電力が増加することになる。
上記の現象によシ増幅器の温度補償が可能となる。
なお、上記実施例ではＦｇＴ増幅器の例を示したが、シ
リコンバイポーラトランジスタを使用した増幅器であっ
てもよく、また、ショットキダイオードを使用したミー
＋す、ＰＩＮダイオードを使用した可変減衰器であって
もよい。これらは上記実施例と同様の効果を奏する。
リコンバイポーラトランジスタを使用した増幅器であっ
てもよく、また、ショットキダイオードを使用したミー
＋す、ＰＩＮダイオードを使用した可変減衰器であって
もよい。これらは上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば熱伸縮可能な誘電体を
利用してマイクロストリップ線路と電波吸収体との距離
を変化させることにより温度補償を行なっているので、
構成が簡単であり、能動素子の特性のバラツキにも左右
されないという利点がある。
利用してマイクロストリップ線路と電波吸収体との距離
を変化させることにより温度補償を行なっているので、
構成が簡単であり、能動素子の特性のバラツキにも左右
されないという利点がある。
第１図は従来のマイクロ波集積回路の構成図、第２図は
この発明の一実施例によるマイクロ波集積回路の構成図
、第３図は第２図Ａ−Ａ線に沿った断面図である。 図において、（１１は誘電体基板、（２１はマイクロス
トリップ線路、（３）は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ
）、Ｑυは電波吸収体、（１２は熱伸縮可能な誘電体
である。 なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２１４ １／ ／ ／２ 第３図 １／
この発明の一実施例によるマイクロ波集積回路の構成図
、第３図は第２図Ａ−Ａ線に沿った断面図である。 図において、（１１は誘電体基板、（２１はマイクロス
トリップ線路、（３）は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ
）、Ｑυは電波吸収体、（１２は熱伸縮可能な誘電体
である。 なお、各図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２１４ １／ ／ ／２ 第３図 １／
Claims (1)
- 温度変イトに対し特性変動の制御が要求されるマイクロ
波集積回路において、電波吸収体と熱伸縮可能な誘電体
を使用することにより、温度補償を可能にしたことを特
徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21701483A JPS60107846A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21701483A JPS60107846A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107846A true JPS60107846A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16697471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21701483A Pending JPS60107846A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6100554A (en) * | 1996-06-20 | 2000-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21701483A patent/JPS60107846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6100554A (en) * | 1996-06-20 | 2000-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device |
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