KR980006239A - 반도체 장치의 커패시터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 커패시터에 관한 것으로, 본 발명에 의한 커패시터는 스토리지 전극, 유전체막 및 플레이트 전극을 포함하는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 스토리지 전극의 상부에 포함되고, 불순물이 강하게 도핑된 이온 주입 영역과, 스토리지 전극과 유전체막 사이에서 상기 스토리지 전극을 덮는 산화막과, 상기 산화막과 유전체막 사이에서 각각 상기 산화막과 유정체막에 접해 있는 도전층을 포함한다. 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 커패시터에서는 터널링 및 이중 커패시터를 이용하기 때문에 리프레시 타임이 증대되고 데이타 입출력에서 트랩 준위를 이용하기 때문에 데이타의 입출력 속도가 빨라진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 본발명에 따른 커패시터의 수직 구조를 확대하여 도시한 것이다.
Claims (3)
- 소정의 콘택홀을 통해 반도체 기판에 형성된 소오스 영역과 접속하는 스토리지 전극과, 상기 스토리지 전극의 상부에 차례로 적층된 유전체막 및 플레이트 전극을 포함하는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, 상기 스토리지 전극의 상부에 포함되고, 불순물이 강하게 도핑된 이온 주입 영역과, 상기 스토리지 전극과 유전체막 사이에서 상기 스토리지 전극을 덮는 산화막과, 상기 산화막과 유전체막 사이에서 각각 상기 산화막과 유전체막에 접해 있는 도정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 두께가 30∼50Å인 자연 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 불순물이 도핑된 폴리시리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023956A KR980006239A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 커패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023956A KR980006239A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 커패시터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006239A true KR980006239A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023956A KR980006239A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 커패시터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006239A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023956A patent/KR980006239A/ko not_active Application Discontinuation
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