KR980006162A - 히트싱크를 구비한 수지밀봉형 반도체장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
히트싱크를 구비한 수지밀봉형 반도체장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980006162A KR980006162A KR1019970027941A KR19970027941A KR980006162A KR 980006162 A KR980006162 A KR 980006162A KR 1019970027941 A KR1019970027941 A KR 1019970027941A KR 19970027941 A KR19970027941 A KR 19970027941A KR 980006162 A KR980006162 A KR 980006162A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat sink
- lead
- support bar
- electrically insulating
- insulating sheet
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(과제)
리드프레임과 히트싱크의 결합에 전기절연성 접착테이프 사용을 폐지함으로써 반도체 장치의 신뢰성 향상을 도모하는 것, 및 코스트 저감을 도모한다.
(해결수단)
금속판을 프레스 성형하여 히트싱크(4)를 형성한다. 히트싱크(4)는 주변의 리드지지면(19), 중앙의 반도체다이 부착면(20), 그 반대측의 융기한 노출면을 구비한다. 리드지지면(19)상에 돌기(23)를 갖는다. 히트싱크(4)와 리드(5) 및 서포트바(6) 사이에 접착제로 피복되지 않은 전기절연성시트(7)를 개재시킨다. 히트싱크 (4)와 서포트바(6) 사이에 전기절연성시트(7)를 끼우고, 돌기(23)를 서포트바(6)의 구멍에 삽입하고, 돌기(23)를 코킹하여 히트싱크(4)와 서포트바(6)를 결합한다. 접착제 생략으로 반도체 장치의 신뢰성이 높아진다. 접착제 경화, 리드의 드라이클리닝 등의 공정을 생략하여 코스트 저감을 도모한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의거한 반도체장치(1)를 나타내는 일부 절결 사시도.
Claims (7)
- 제1표면과, 이 제1표면에 평행인 그 반대측의 제2표면을 구비하고, 제1표면 주변부에는 리드지지면을, 또 리드지지면에 둘러싸인 그 내측에는 다이 부착면을 가지며, 제2표면의 적어도 일부에는 노출면을 갖는 히트싱크와, 복수의 콘택트패드를 갖는 제1표면과 그 반대측의 제2표면을 가지며, 제2표면이 상기 히트싱크의 다이부착면상에 부착된 반도체다이와, 상기 반도체다이의 제2표면을 상기 히트싱크의 제1표면상의 다이부착면상에 부착하기 위한 접착물질과, 각각 내측단과 외측단을 가지고, 내측단을 포함한 내측부분이 상기 히트싱크의 제1표면상의 리드부착면상에 지지되는 복수의 도전성리드와, 상기 도전성리드의 내측부분과, 상기 히트싱크의 리드지지면 사이에 개설되는 비접촉성 전기절연성물질과, 각각 상기 콘택트패드의 어느 하나를 상기 리드의 어느 하나의 내측부분에 접속하는 복수의 도전성 본드와이어와, 상기 히트싱크와, 반도체다이와, 접착물질과, 도전성리드의 내측부분과, 전기절연물질과 본드와이어를 밀봉하고, 히트싱크의 제2표면상의 노출면을 외부로 노출시키는 밀봉물질을 갖는 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치.
- 제1표면과 이 제1표면에 평행인 그 반대측의 제2표면을 가지고, 제1표면 주변부에는 리드지지면을, 또 리드지지면에 둘러싸인 그 내측에는 다이 부착면을 가지고, 제2표면의 적어도 일부에는 노출면을 갖는 히트싱크와, 복수의 콘택트패드를 갖는 제1표면과 그 반대측의 제2표면을 가지고, 제2표면이 상기 히트싱크의 다이 부착면상에 부착된 반도체 다이와, 상기 반도체 다이의 제2표면을 상기 히트싱크의 제1표면상의 다이 부착면상에 부착하기 위한 접착물질과, 각각 내측단과 외측단을 가지며, 내측단을 포함한 내측부분이 상기 히트싱크의 제1표면상의 리드부착면 위에 지지되는 복수의 도전성리드와 상기 히트싱크의 제1표면상의 리드부착면위에 지지되는 서포트바와, 상기 도전성 리드의 내측부분 및 상기 서포트바와 상기 히트싱크 리드지지면 사이에 개설되는 비접착성 전기절연성 시트와, 각각 상기 콘택트패드의 어느 하나를 상기 리드의 어느 하나의 내측부분에 접속하는 복수의 도전성 본드와이어와, 상기 히트싱크와, 반도체다이와, 접착물질과, 도전성리드의 내측부분과, 전기절연물질과 본드와이어를 밀봉하고, 히트싱크의 제2표면상의 노출면을 외부로 노출시키는 밀봉물질을 가지고, 상기 서포트바와 상기 히트싱크가 상기 전기절연성 시트를 끼우고 상호 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 서포트는 구멍을 가지고 상기 전기절연성 시트는, 상기 서포트바의 구멍에 겹치는 대응구멍을 가지고, 상기 히트싱크는 리드지지면상에 상기 서포트바 및 전기절연성 시트의 구멍을 관통하여 선단이 압착된 돌기를 가지고, 이 압착된 돌기에 의해 서포트바와 히트싱크가 상호결합되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 서포트바는 구멍을 가지고 상기 전기절연성 시트는, 상기 서포트바의 구멍에 겹치는 대응구멍을 가지고, 전기절연성 시트 및 서포트바의 구멍에 양단이 압착된 리벳이 관통하고, 이 압착된 리벳에 의해 서포트바와 히트싱크가 서로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 주지밀봉형 반도체 장치.
- 반도체 다이를 위치시키기 위한 중앙개구부와, 이 중앙개구부 주변에 배치된 복수의 리드와, 복수의 서포트바와, 리드 상호간 및 리드와 서포트바 사이를 연계하는 외부고리를 갖는 리드프레임을 준비하는 공정과, 상기 개구부 위에 부착하기 위한 히트싱크로서 제1표면과 이 제1표면에 평행인 그 반대측의 제2표면을 가지고, 제1표면 주변부에는 상기 리드내측부분과, 상기 서포트바가 지지되는 리드지지면을, 또 리드지지면에 둘러싸인 그 내측에는, 상기 반도체다이를 부착하기 위한 다이부착면을 가지고, 제2표면의 적어도 일부에 밀봉물질로부터 노출하는 노출면을 갖는 것을 형성하는 공정과, 반도체 다이를 위치시키기 위한 중앙개구부를 가지고, 상기 히트싱크와 상기 리드프레임의 리드 사이를 전기적으로 절연하기 위한 전기절연성시트를 형성하는 공정과, 리드 프레임 조립체는 형성하기 위하여, 상기 리드 및 서포트바와 상기 히트싱크 사이에 전기절연성시트를 끼우고, 히트싱크를 상기 서포트와 내측부분에 결합하는 공정과, 반도체다이를 상기 히트싱크의 다이 부착면상에 접착하는 공정과, 복수의 도전성 본드와이어 일단을 각각 상기 반도체다이상의 콘택트패드의 어느 하나에 접속하는 공정과, 상기 복수의 도전성 본드와이어 타단을 각각 상기 리드프레임상의 리드의 어느 하나에접속하는 공정과, 상기 히트싱크와, 반도체다이와, 도전성리드의 내측부분과, 전기절연성시트와, 본드와이어를 밀봉하고, 히트싱크의 제2표면상의 노출면과, 도전성리드의 외측부분과, 서포트바의 외측부분을 외부로 노출시키도록 밀봉물질로 밀봉하는 공정과, 상기 외부고리를 절단하여 상기 리드의 외측부분 상호간을 분리하는공정과, 상기 서포트바의 상기 밀봉물질에서 연출한 외측부분을 절제하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는수지밀봉형 반도체장치의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 리드프레임의 서포트바는 내측부분에 구멍을 가지고, 상기 전기절연성시트는 상기 서포트와 구멍에 겹쳐지는 위치에 대응구멍을 가지고, 상기 히트싱크는 리드지지면상에 상기 서포트바 및 전기절연성시트 구멍에 삽입되는 돌기를 가지고, 리드프레임 조립체를 형성하기 위하여 상기 히트싱크의 리드지지면상에 전기절연성시트와 상기 리드프레임의 서포트바 내측부분을 겹치고, 상기 히트싱크의 돌기를 상기 서포트바 및 전기절연성시트의 합치된 구멍에 삽입하는 공정과, 상기 돌기를 압착하여 상기 히트싱크를 상기 리드프레임의 서포트바에 결합하는 공정을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 리드프레임의 서포트바는 내측부분에 구멍을 가지고, 상기 전기절연성시트는 상기 서포트와 구멍에 겹쳐지는 위치에 대응구멍을 가지고, 상기 히트싱크는, 리드지지면상에 상기 서포트바 및 전기절연성시트 구멍에 대응하는 구멍을 가지고, 리드프레임 조립체를 형성하기 위하여, 상기 히트싱크의 리드지지면상에 전기절연성시트와 상기 리드프레임의 서포트바 내측부분을 겹치고, 상기 히트싱크의 전기절연성시트 및 서포트바의 구멍을 겹치는 공정과, 겹쳐진 히트싱크, 전기절연성시트 및 서포트바 구멍에 리벳을 삽통시키는 공정과, 상기 리벳을 압착하여 상기 히트싱크를 상기 리드프레임의 서포트바에 결합하는 공정을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 수지밀봉형 반도체장치의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-188283 | 1996-06-28 | ||
JP08188283 | 1996-06-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980006162A true KR980006162A (ko) | 1998-03-30 |
KR100263514B1 KR100263514B1 (ko) | 2000-08-01 |
Family
ID=16220939
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970027505A KR100263513B1 (ko) | 1996-06-28 | 1997-06-26 | 히트싱크를구비한수지밀봉형반도체장치및그의제조방법 |
KR1019970027941A KR100263514B1 (ko) | 1996-06-28 | 1997-06-27 | 히트싱크를구비한수지밀봉형반도체장치및그의제조방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970027505A KR100263513B1 (ko) | 1996-06-28 | 1997-06-26 | 히트싱크를구비한수지밀봉형반도체장치및그의제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5798570A (ko) |
KR (2) | KR100263513B1 (ko) |
TW (2) | TW349249B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819794B1 (ko) * | 2002-04-02 | 2008-04-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 및, 그것을 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798570A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho | Plastic molded semiconductor package with thermal dissipation means |
US6252772B1 (en) | 1999-02-10 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Removable heat sink bumpers on a quad flat package |
US6061242A (en) * | 1999-02-25 | 2000-05-09 | Micron Technology, Inc. | Die paddle heat sink with thermal posts |
KR100350046B1 (ko) * | 1999-04-14 | 2002-08-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임 및 이를 이용한 방열판이 부착된 반도체패키지 |
US6376266B1 (en) * | 2000-11-06 | 2002-04-23 | Semiconductor Components Industries Llc | Semiconductor package and method for forming same |
US6456515B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-09-24 | Briggs & Stratton Corporation | Three-phase H-bridge assembly and method of assembling the same |
JP2004014823A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20040170671A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-02 | Jian Tao | Thin wall gloves that release chlorine dioxide |
TWI246760B (en) * | 2004-12-22 | 2006-01-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat dissipating semiconductor package and fabrication method thereof |
US7375415B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-05-20 | Sandisk Corporation | Die package with asymmetric leadframe connection |
DE102006028816B4 (de) * | 2006-06-21 | 2008-05-15 | Hansatronic Gmbh | Verfahren zum getakteten, kontinuierlichen Herstellen von beidseitig umspritzten flexiblen Leiterplatten |
JP5037683B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-10-03 | モレックス インコーポレイテド | 発熱体及び電源用のヒートシンク |
JP2012033665A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | On Semiconductor Trading Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
CN103531551A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-22 | 杰群电子科技(东莞)有限公司 | 一种半导体封装结构及其成型方法 |
US9497570B2 (en) | 2014-02-06 | 2016-11-15 | Nimbelink Corp. | Embedded wireless modem |
USD731491S1 (en) * | 2014-02-07 | 2015-06-09 | NimbeLink L.L.C. | Embedded cellular modem |
TWI574441B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-03-11 | 聖約翰科技大學 | 可撓性發光二極體之連續加工裝置 |
JP1563812S (ko) * | 2016-04-11 | 2016-11-21 | ||
JP1577511S (ko) * | 2016-11-15 | 2017-05-29 | ||
JP1580899S (ko) * | 2016-11-15 | 2017-07-10 | ||
JP1603359S (ko) * | 2017-10-19 | 2018-05-07 | ||
JP1603358S (ko) * | 2017-10-19 | 2018-05-07 | ||
USD859334S1 (en) | 2017-10-26 | 2019-09-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
USD906271S1 (en) * | 2018-04-13 | 2020-12-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
JP1632999S (ko) * | 2018-06-12 | 2019-06-03 | ||
CN112216658A (zh) * | 2019-07-10 | 2021-01-12 | 恩智浦美国有限公司 | 具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件 |
USD934187S1 (en) * | 2020-01-21 | 2021-10-26 | Lang Cheng | Integrated circuit package |
USD937231S1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-11-30 | Wolfspeed, Inc. | Power semiconductor package |
JP1711418S (ja) * | 2021-10-13 | 2022-03-31 | 半導体素子 | |
USD1009818S1 (en) * | 2021-10-13 | 2024-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0257681A3 (en) * | 1986-08-27 | 1990-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices and devices obtained thereby |
JPH01171256A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の組立構造 |
JPH02306639A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の樹脂封入方法 |
JPH0565746A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Toray Ind Inc | 繊維補強水硬性無機質材料 |
IT1252136B (it) * | 1991-11-29 | 1995-06-05 | St Microelectronics Srl | Struttura di dispositivo a semiconduttore con dissipatore metallico e corpo in plastica, con mezzi per una connessione elettrica al dissipatore di alta affidabilita' |
US5328870A (en) * | 1992-01-17 | 1994-07-12 | Amkor Electronics, Inc. | Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices |
US5378924A (en) * | 1992-09-10 | 1995-01-03 | Vlsi Technology, Inc. | Apparatus for thermally coupling a heat sink to a lead frame |
KR940016705A (ko) * | 1992-12-14 | 1994-07-23 | 김광호 | 반도체장치 |
US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
US5420752A (en) * | 1993-08-18 | 1995-05-30 | Lsi Logic Corporation | GPT system for encapsulating an integrated circuit package |
JP3362530B2 (ja) * | 1993-12-16 | 2003-01-07 | セイコーエプソン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US5486720A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-23 | Analog Devices, Inc. | EMF shielding of an integrated circuit package |
US5886396A (en) * | 1995-06-05 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Leadframe assembly for conducting thermal energy from a semiconductor die disposed in a package |
US5770479A (en) * | 1996-01-11 | 1998-06-23 | Micron Technology, Inc. | Bonding support for leads-over-chip process |
US5798570A (en) * | 1996-06-28 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho | Plastic molded semiconductor package with thermal dissipation means |
-
1996
- 1996-11-14 US US08/749,215 patent/US5798570A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-28 TW TW086107224A patent/TW349249B/zh active
- 1997-05-28 TW TW086107226A patent/TW353790B/zh active
- 1997-06-26 KR KR1019970027505A patent/KR100263513B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-27 KR KR1019970027941A patent/KR100263514B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-27 US US08/884,504 patent/US6020649A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-01 US US09/431,185 patent/US6274408B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819794B1 (ko) * | 2002-04-02 | 2008-04-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 및, 그것을 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5798570A (en) | 1998-08-25 |
KR100263513B1 (ko) | 2000-08-01 |
TW349249B (en) | 1999-01-01 |
KR100263514B1 (ko) | 2000-08-01 |
TW353790B (en) | 1999-03-01 |
KR980006155A (ko) | 1998-03-30 |
US6020649A (en) | 2000-02-01 |
US6274408B1 (en) | 2001-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR980006162A (ko) | 히트싱크를 구비한 수지밀봉형 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
KR980006163A (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
JP2528991B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリ―ドフレ―ム | |
KR900005587A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제작방법 | |
US7952175B2 (en) | Lead frame, semiconductor package including the lead frame and method of forming the lead frame | |
JPS6143851B2 (ko) | ||
EP1187202A3 (en) | Semiconductor package | |
US6291262B1 (en) | Surface mount TO-220 package and process for the manufacture thereof | |
KR960706194A (ko) | 계층화된 도전 평면을 갖는 리드 프레임(a lead frame having layered conductive planes) | |
KR960005972A (ko) | 수지 밀폐형 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JPH04280664A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
KR950025963A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
JP2856642B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2532041B2 (ja) | 半導体装置用リ―ドフレ―ム | |
WO1992001320A1 (fr) | Douille de lampe a incandescence sans base et procede de fabrication de la douille | |
JP2960698B2 (ja) | ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0735403Y2 (ja) | リードフレーム | |
JPH029507Y2 (ko) | ||
JPH08153844A (ja) | 半導体装置 | |
KR100229224B1 (ko) | 리드 프레임 및 이 리드 프레임의 테이핑 장치 | |
JP2527840B2 (ja) | リ―ドフレ―ム | |
JPH1056113A (ja) | ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
EP0242962A1 (en) | Offset pad semiconductor lead frame | |
JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS5919469B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |