JPS5919469B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5919469B2 JPS5919469B2 JP15022779A JP15022779A JPS5919469B2 JP S5919469 B2 JPS5919469 B2 JP S5919469B2 JP 15022779 A JP15022779 A JP 15022779A JP 15022779 A JP15022779 A JP 15022779A JP S5919469 B2 JPS5919469 B2 JP S5919469B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法の改良に関するものであ
る。
る。
一般にこの種半導体装置は例えば第１図に示すように、
熱伝導性良好なる金属部材よりなる放熱板Ａの上面に半
導体素子Ｂを固定すると共に、それの電極と一端が半導
体素子Ｂの近傍に位置するように配置されたリードＣと
を金属細線Ｄにて電気的に接続し、然る後、半導体素子
Ｂを含む主要部分を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成
されている。
熱伝導性良好なる金属部材よりなる放熱板Ａの上面に半
導体素子Ｂを固定すると共に、それの電極と一端が半導
体素子Ｂの近傍に位置するように配置されたリードＣと
を金属細線Ｄにて電気的に接続し、然る後、半導体素子
Ｂを含む主要部分を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成
されている。
ところで、リードＣの一端には半導体素子Ｂの電極より
延びる金属細線Ｄが例えば超音波ボンディング法によつ
て接続されているのであるが、リードＣは放熱板Ａに対
して上方に離隔して配置されている関係で、超音波ボン
ディング作業は例えば第２図に示すように、リードＣの
一端が押え板Ｆによつて放熱板Ａの上面に押圧された状
態で行われている。
延びる金属細線Ｄが例えば超音波ボンディング法によつ
て接続されているのであるが、リードＣは放熱板Ａに対
して上方に離隔して配置されている関係で、超音波ボン
ディング作業は例えば第２図に示すように、リードＣの
一端が押え板Ｆによつて放熱板Ａの上面に押圧された状
態で行われている。
しかし乍ら、放熱板Ａ）リードＣの全表面には半導体素
子Ｂの半田部材による固定性金属細線Ｄの接続性を良好
ならしめるために銀メッキ層が形成されているので、押
え板ＦによつてリードＣを放熱板Ａに押し付けて超音波
ボンディング作業を行うと、放熱板ＡとリードＣの銀メ
ッキ層が結合してしまい、押え板Ｆを除去してもリード
Ｃが放熱板Ａの所定位置に復帰せず、半導体装置として
の機能が著しく損なわれる。
子Ｂの半田部材による固定性金属細線Ｄの接続性を良好
ならしめるために銀メッキ層が形成されているので、押
え板ＦによつてリードＣを放熱板Ａに押し付けて超音波
ボンディング作業を行うと、放熱板ＡとリードＣの銀メ
ッキ層が結合してしまい、押え板Ｆを除去してもリード
Ｃが放熱板Ａの所定位置に復帰せず、半導体装置として
の機能が著しく損なわれる。
従つて、従来においては目視にてリードＣの放熱板Ａへ
の結合をチェックし、結合されているものについてはピ
ンセットなどにてリードＣを放熱板Ａより離すことが行
われているのであるが、リードＣは弾性を有するために
、離れた際に、リードＣが上下方向に振動したりするこ
とによつて金属細線Ｄが断線し易くなり、半導体装置の
製造歩留が低下するのみならず、信頼性をも著しく損な
われるという欠点がある。
の結合をチェックし、結合されているものについてはピ
ンセットなどにてリードＣを放熱板Ａより離すことが行
われているのであるが、リードＣは弾性を有するために
、離れた際に、リードＣが上下方向に振動したりするこ
とによつて金属細線Ｄが断線し易くなり、半導体装置の
製造歩留が低下するのみならず、信頼性をも著しく損な
われるという欠点がある。
又、放熱板Ａ、リードＣの全表面は銀メッキ層にて被覆
されていることもあつて、半導体装置のコストが高くな
るという欠点もある。
されていることもあつて、半導体装置のコストが高くな
るという欠点もある。
本発明はこのような点に艦み、金属細線のりードヘの接
続時に生ずるリードの放熱板への結合を皆無にすると共
に、コストを有効に低減しうる半導体装置の製造方法を
提供するもので、以下その製造方法について第３図〜第
９図を参照して説明する。
続時に生ずるリードの放熱板への結合を皆無にすると共
に、コストを有効に低減しうる半導体装置の製造方法を
提供するもので、以下その製造方法について第３図〜第
９図を参照して説明する。
まず、第３図において、１は放熱板であつて、それの上
面１ａにおけるコーナ部分には突出部２が一体的に形成
さ゜れている。
面１ａにおけるコーナ部分には突出部２が一体的に形成
さ゜れている。
３は同一金属部材より打抜加工などによつて形成された
リードであつて、例えば平行に延びる枠部分３ａ，３ａ
と、枠部分３ａ，３ａを接続するタイバー３ｂ，３ｃと
、タイバー３ｂ，３ｃより枠部分３ａ，３ａとほぼ平行
に延びるリード片３１〜３，と、枠部分３ａ，３ａより
内方に向けて延びる支持片３８，３，とから構成されて
いる。
リードであつて、例えば平行に延びる枠部分３ａ，３ａ
と、枠部分３ａ，３ａを接続するタイバー３ｂ，３ｃと
、タイバー３ｂ，３ｃより枠部分３ａ，３ａとほぼ平行
に延びるリード片３１〜３，と、枠部分３ａ，３ａより
内方に向けて延びる支持片３８，３，とから構成されて
いる。
尚、放熱板１、リード片３１〜３，の表面にはニツケル
などの金属がメツキされている。そして、このように構
成された放熱板１とリード３とを、突出部２を支持片３
８，３９の孔に押入した上で突出部２を圧漬することに
よつてかしめ固定する。次に、第４図に示すように、リ
ードフレーム上にマスク部材４を、それの開口部５より
放熱板１における半導体素子の固定子定部及びリード片
３，〜３，の一端における金属細線の接続予定部が露呈
するように重ね合せると共に、リード片３，〜３７の一
端を放熱板１の上面１ａに密着させる。そして、この状
態でマスク部材４の開口部５より露呈する放熱板１及び
リード片３，〜３，の一端に銀メツキ層６，７を同時に
形成する。尚、第５図に示すように、リード片３１〜３
７の密着されている放熱板部分には銀メツキ層６は殆ん
ど形成されない。次に、第６図に示すように、リード片
３１〜３７の端部によつて囲まれた放熱板１における銀
メツキ層６に半導体素子８を半田部材を用いて固定する
。そして、半導体素子８の電極とリード片３１〜３，の
一端における銀メツキ層７とを金属細線９にて超音波ボ
ンデイング法によつて接続する。尚、この接続に当つて
は第７図に示すように、リード片３，〜３７は押え杯１
０によつて放熱板１の上面１ａに押え付けられる。そし
て、半導体素子８を含む主要部分を樹脂材１１にてモー
ルド被覆する。然る後、タイバー３ｂ，３ｃ及び支持片
３８，３，を切断して第８図〜第９図に示す半導体装置
を得る。このようにリード片３，〜３７における一端の
裏面と放熱板１の上面１ａとの対向面には銀メツキ層６
，７が殆んど形成されないので、リード片３１〜３，の
一端に金属細線９を接続するに当つてそれを押え板１０
によつて放熱板１に押し付けても両者が結合されること
なく、押え板１０の除去によつて所定の位置に確実に復
帰する。
などの金属がメツキされている。そして、このように構
成された放熱板１とリード３とを、突出部２を支持片３
８，３９の孔に押入した上で突出部２を圧漬することに
よつてかしめ固定する。次に、第４図に示すように、リ
ードフレーム上にマスク部材４を、それの開口部５より
放熱板１における半導体素子の固定子定部及びリード片
３，〜３，の一端における金属細線の接続予定部が露呈
するように重ね合せると共に、リード片３，〜３７の一
端を放熱板１の上面１ａに密着させる。そして、この状
態でマスク部材４の開口部５より露呈する放熱板１及び
リード片３，〜３，の一端に銀メツキ層６，７を同時に
形成する。尚、第５図に示すように、リード片３１〜３
７の密着されている放熱板部分には銀メツキ層６は殆ん
ど形成されない。次に、第６図に示すように、リード片
３１〜３７の端部によつて囲まれた放熱板１における銀
メツキ層６に半導体素子８を半田部材を用いて固定する
。そして、半導体素子８の電極とリード片３１〜３，の
一端における銀メツキ層７とを金属細線９にて超音波ボ
ンデイング法によつて接続する。尚、この接続に当つて
は第７図に示すように、リード片３，〜３７は押え杯１
０によつて放熱板１の上面１ａに押え付けられる。そし
て、半導体素子８を含む主要部分を樹脂材１１にてモー
ルド被覆する。然る後、タイバー３ｂ，３ｃ及び支持片
３８，３，を切断して第８図〜第９図に示す半導体装置
を得る。このようにリード片３，〜３７における一端の
裏面と放熱板１の上面１ａとの対向面には銀メツキ層６
，７が殆んど形成されないので、リード片３１〜３，の
一端に金属細線９を接続するに当つてそれを押え板１０
によつて放熱板１に押し付けても両者が結合されること
なく、押え板１０の除去によつて所定の位置に確実に復
帰する。
従つて、従来のようにリード片３，〜３７を放熱板１よ
り離す際に金属細線９が断線したりするという事故を皆
無にでき、製造歩留の向上は勿論のこと、半導体装置と
しての信頼性も著しく高めることができる。又、リード
フレームはマスク部材４にて、放熱板１における半導体
素子８の固定子定部及びりード片３１〜３，における金
属細線９の接続予定部がマスク部材４の開口部５より露
呈するように被覆した上で、所望部分への銀メツキ層６
，７の形成操作が行われるので、銀の使用量を必要最小
限に抑えることができ、半導体装置のコストを有効に低
減できる。
り離す際に金属細線９が断線したりするという事故を皆
無にでき、製造歩留の向上は勿論のこと、半導体装置と
しての信頼性も著しく高めることができる。又、リード
フレームはマスク部材４にて、放熱板１における半導体
素子８の固定子定部及びりード片３１〜３，における金
属細線９の接続予定部がマスク部材４の開口部５より露
呈するように被覆した上で、所望部分への銀メツキ層６
，７の形成操作が行われるので、銀の使用量を必要最小
限に抑えることができ、半導体装置のコストを有効に低
減できる。
さらに、放熱板１及びリード片３１〜３，の所望部分に
対する銀メツキ層６，７の形成はそれぞれを一体化した
状態で同時に行われるので、メツキ作業を簡略化できる
上、それぞれに銀メツキ層を別工程で形成した上で組立
てる従来方法に比し、放熱板１、リード片３１〜３７の
表面の取扱いによる汚れを著しく軽減できる。
対する銀メツキ層６，７の形成はそれぞれを一体化した
状態で同時に行われるので、メツキ作業を簡略化できる
上、それぞれに銀メツキ層を別工程で形成した上で組立
てる従来方法に比し、放熱板１、リード片３１〜３７の
表面の取扱いによる汚れを著しく軽減できる。
尚、本発明において、放熱板、リードの形状並びに本数
は適宜に変更できるし、放熱板、リードはしかめによる
他、溶接、半田付けなどによつて固定することもできる
。
は適宜に変更できるし、放熱板、リードはしかめによる
他、溶接、半田付けなどによつて固定することもできる
。
以上のように本発明によれば、簡単な方法によつて、金
属細線のリードへの接続時におけるり−ドの放熱板への
結合を皆無にできる上、コストをも有効に低減できる。
属細線のリードへの接続時におけるり−ドの放熱板への
結合を皆無にできる上、コストをも有効に低減できる。
第１図は従来の半導体装置の側断面図、第２図は金属細
線のリードへの接続方法を説明するための側断面図、第
３図〜第９図は本発明方法の説明図であつて、第３図は
放熱板とリードとを固定した状態を示す平面図、第４図
はリードフレームにマスク部材を重合し、開口部分に銀
メツキ層を形成した状態を示す平面図、第５図はリード
フレームよりマスク部材を除去し、かつ要部のリード片
を切除した状態を示す平面図、第６図はリードフレーム
の放熱板に半導体素子をマウントし樹脂モールドした状
態を示す平面図、第７図は金属細線のリード片への接続
方法を説明するための側断面図、第８図は半導体装置の
要部破断平面図、第９図は第８図のＩ−１断面図である
。 図中、１は放熱板、１ａは上面、３はリード、３１〜３
７はリード片、４はマスク部材、５は開口部、６，７は
銀メツキ層、８は半導体素子、９は金属細線である。
線のリードへの接続方法を説明するための側断面図、第
３図〜第９図は本発明方法の説明図であつて、第３図は
放熱板とリードとを固定した状態を示す平面図、第４図
はリードフレームにマスク部材を重合し、開口部分に銀
メツキ層を形成した状態を示す平面図、第５図はリード
フレームよりマスク部材を除去し、かつ要部のリード片
を切除した状態を示す平面図、第６図はリードフレーム
の放熱板に半導体素子をマウントし樹脂モールドした状
態を示す平面図、第７図は金属細線のリード片への接続
方法を説明するための側断面図、第８図は半導体装置の
要部破断平面図、第９図は第８図のＩ−１断面図である
。 図中、１は放熱板、１ａは上面、３はリード、３１〜３
７はリード片、４はマスク部材、５は開口部、６，７は
銀メツキ層、８は半導体素子、９は金属細線である。
Claims (1)
- １ 複数のリード片を有するリードと放熱板とを、放熱
板上にリード片の一端が離隔して位置するように一体的
に固定する工程と、リード片の一端を放熱板に密着させ
ると共に、リード片の一端における金属細線の接続予定
部及び放熱板における半導体素子の固定予定部を除く部
分をマスク部材にて被覆する工程と、マスク部材より露
呈するリード片における金属細線の接続予定部及び放熱
板における半導体素子の固定予定部に銀メッキ層を形成
する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15022779A JPS5919469B2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15022779A JPS5919469B2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5673456A JPS5673456A (en) | 1981-06-18 |
| JPS5919469B2 true JPS5919469B2 (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=15492314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15022779A Expired JPS5919469B2 (ja) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919469B2 (ja) |
-
1979
- 1979-11-19 JP JP15022779A patent/JPS5919469B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5673456A (en) | 1981-06-18 |
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