JPS6225906Y2 - - Google Patents
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- JPS6225906Y2 JPS6225906Y2 JP16398280U JP16398280U JPS6225906Y2 JP S6225906 Y2 JPS6225906 Y2 JP S6225906Y2 JP 16398280 U JP16398280 U JP 16398280U JP 16398280 U JP16398280 U JP 16398280U JP S6225906 Y2 JPS6225906 Y2 JP S6225906Y2
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- semiconductor element
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は半導体装置に関し、特にグランド用のリ
ードに対する金属細線の接続構造の改良に関する
ものである。
ードに対する金属細線の接続構造の改良に関する
ものである。
一般にこの種半導体装置は例えば第１図に示す
ように、熱伝導性に優れた金属部材よりなる基板
Ａの上面に半導体素子Ｂを固定すると共に、複数
のリード片よりなるリードＣの一端を半導体素子
Ｂに隣接する基板Ａ上に離隔対向するように配設
し、リードＣの一端と半導体素子Ｂの電極とを金
属細線にて接続し、かつ半導体素子Ｂを含む主要
部分を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成されて
いる。
ように、熱伝導性に優れた金属部材よりなる基板
Ａの上面に半導体素子Ｂを固定すると共に、複数
のリード片よりなるリードＣの一端を半導体素子
Ｂに隣接する基板Ａ上に離隔対向するように配設
し、リードＣの一端と半導体素子Ｂの電極とを金
属細線にて接続し、かつ半導体素子Ｂを含む主要
部分を樹脂材Ｅにてモールド被覆して構成されて
いる。
ところで、このような半導体装置において、半
導体素子Ｂにおける特定の電極をグランド電位と
して利用する場合には同図に示すように、半導体
素子Ｂのグランド用の電極とグランド用のリード
Ｃとを金属細線Ｄにて接続した後、さらにそのリ
ードＣと基板Ａとを金属細線Ｆにて接続してい
る。
導体素子Ｂにおける特定の電極をグランド電位と
して利用する場合には同図に示すように、半導体
素子Ｂのグランド用の電極とグランド用のリード
Ｃとを金属細線Ｄにて接続した後、さらにそのリ
ードＣと基板Ａとを金属細線Ｆにて接続してい
る。
しかし乍ら、これらの金属細線Ｄ，Ｆの接続に
は通常、超音波振動の付与されたキヤピラリーな
どのツールが用いられているのであるが、接続作
業時におけるツールの接続点間の作業距離が等し
い場合にはそれの駆動制御を比較的容易に行うこ
とができる。が、上述の金属細線Ｄ，Ｆのように
接続点間の長さが異なる場合にはツールの動きが
複雑化し、それの駆動制御も複雑かつ面倒になる
という問題がある。
は通常、超音波振動の付与されたキヤピラリーな
どのツールが用いられているのであるが、接続作
業時におけるツールの接続点間の作業距離が等し
い場合にはそれの駆動制御を比較的容易に行うこ
とができる。が、上述の金属細線Ｄ，Ｆのように
接続点間の長さが異なる場合にはツールの動きが
複雑化し、それの駆動制御も複雑かつ面倒になる
という問題がある。
従つて、従来においては例えば第２図に示すよ
うに、グランド用として利用される特定のリード
Ｃと基板Ａとを、同一部材においてリードに相当
する部分の圧延、切削などによつて一体化するこ
とが行われている。この方法によれば、半導体素
子Ｂにおけるグランド用の電極と特定のリードＣ
とを一本の金属細線Ｄにて接続することにより、
基板ＡとリードＣとを同時にグランド端子として
利用できる上、ツールの駆動制御も容易に行うこ
とができるものである。
うに、グランド用として利用される特定のリード
Ｃと基板Ａとを、同一部材においてリードに相当
する部分の圧延、切削などによつて一体化するこ
とが行われている。この方法によれば、半導体素
子Ｂにおけるグランド用の電極と特定のリードＣ
とを一本の金属細線Ｄにて接続することにより、
基板ＡとリードＣとを同時にグランド端子として
利用できる上、ツールの駆動制御も容易に行うこ
とができるものである。
ところが、複数のリードのうち、グランド用と
して利用されるリードＣは特定されることなく、
むしろ品種によつて異なることが多いし、同一品
種であつてもそれが複数になつたり、或いはユー
ザーからの要求で適宜に変更されることがある。
しかし乍ら、このような場合にはグランド用のリ
ードＣの位置、本数の変更はそれの製造工程との
関連において著しく制約されるという欠点があ
る。
して利用されるリードＣは特定されることなく、
むしろ品種によつて異なることが多いし、同一品
種であつてもそれが複数になつたり、或いはユー
ザーからの要求で適宜に変更されることがある。
しかし乍ら、このような場合にはグランド用のリ
ードＣの位置、本数の変更はそれの製造工程との
関連において著しく制約されるという欠点があ
る。
本案はこのような点に鑑み、簡単な構成によつ
て所望のリードを適宜にグランド用として利用で
きる半導体装置を提供するもので、以下実施例に
ついて説明する。
て所望のリードを適宜にグランド用として利用で
きる半導体装置を提供するもので、以下実施例に
ついて説明する。
第３図〜第４図において、１は例えば銅、アル
ミニウムなどのように熱伝導性に優れた金属部材
にて構成された基板であつて、それの上面１ａに
は例えば超音波振動の付与によつて他部材と融着
可能な金属メツキ層２が形成されている。この金
属メツキ層２としては銀が好適する。３は上面に
グランド用の電極を有する半導体素子であつて、
基板１の上面１ａに半田部材によつて固定されて
いる。４は複数のリード片４１〜４７にて構成さ
れたリードであつて、それの一端は半導体素子３
に隣接する基板１上に離隔対向するように配設さ
れている。そして、リード４のうち、特にグラン
ド用のリード片４４の基板１の上面１ａと対向す
る部分には超音波振動などによつて融着可能な金
属メツキ層５が形成されている。そして、リード
片４１〜４７の一端と半導体素子３の電極とは金
属細線６にて接続されており、特に、グランド用
のリード片４４への接続は例えば第５図に示すよ
うに行われている。即ち、リード片４４の一端を
基板１の上面１ａに、押圧板７によつて押し付け
た状態で金属細線６を超音波ボンデイング法によ
つて接続しているのであるが、この際に金属メツ
キ層２，５が融着し、リード片４４が基板１に接
続固定される。８は半導体素子３を含む主要部分
にモールド被覆された樹脂材である。
ミニウムなどのように熱伝導性に優れた金属部材
にて構成された基板であつて、それの上面１ａに
は例えば超音波振動の付与によつて他部材と融着
可能な金属メツキ層２が形成されている。この金
属メツキ層２としては銀が好適する。３は上面に
グランド用の電極を有する半導体素子であつて、
基板１の上面１ａに半田部材によつて固定されて
いる。４は複数のリード片４１〜４７にて構成さ
れたリードであつて、それの一端は半導体素子３
に隣接する基板１上に離隔対向するように配設さ
れている。そして、リード４のうち、特にグラン
ド用のリード片４４の基板１の上面１ａと対向す
る部分には超音波振動などによつて融着可能な金
属メツキ層５が形成されている。そして、リード
片４１〜４７の一端と半導体素子３の電極とは金
属細線６にて接続されており、特に、グランド用
のリード片４４への接続は例えば第５図に示すよ
うに行われている。即ち、リード片４４の一端を
基板１の上面１ａに、押圧板７によつて押し付け
た状態で金属細線６を超音波ボンデイング法によ
つて接続しているのであるが、この際に金属メツ
キ層２，５が融着し、リード片４４が基板１に接
続固定される。８は半導体素子３を含む主要部分
にモールド被覆された樹脂材である。
このようにグランド用のリード片４４及びこの
リード片４４に対向する基板１のそれぞれの対向
面には例えば銀よりなる金属メツキ層２，５が形
成されているので、半導体素子３のグランド用の
電極から延びる金属細線６をリード片４４の一端
に超音波ボンデイング法によつて接続する際に、
押圧板７によるリード片４４の基板１への押し付
けによつて、リード片４４も基板１に金属メツキ
層２，５の融着によつて接続固定される。このた
めに、グランド用の金属細線６を一本に減少でき
るのみならず、その他のリード片にも金属メツキ
層を形成することによつて所望するリード片を適
宜にグランド用に変更できる。
リード片４４に対向する基板１のそれぞれの対向
面には例えば銀よりなる金属メツキ層２，５が形
成されているので、半導体素子３のグランド用の
電極から延びる金属細線６をリード片４４の一端
に超音波ボンデイング法によつて接続する際に、
押圧板７によるリード片４４の基板１への押し付
けによつて、リード片４４も基板１に金属メツキ
層２，５の融着によつて接続固定される。このた
めに、グランド用の金属細線６を一本に減少でき
るのみならず、その他のリード片にも金属メツキ
層を形成することによつて所望するリード片を適
宜にグランド用に変更できる。
特に金属メツキ層２として銀を用いる場合、リ
ード片４１〜４７の対向する部分にのみ形成すれ
ば、半導体装置のコスト増加を最小限に抑えるこ
とができる。
ード片４１〜４７の対向する部分にのみ形成すれ
ば、半導体装置のコスト増加を最小限に抑えるこ
とができる。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されるこ
となく、金属メツキ層は金属細線の接続されるリ
ード部分にも形成することができるし、基板の形
状、リードの本数などは適宜に変更できる。
となく、金属メツキ層は金属細線の接続されるリ
ード部分にも形成することができるし、基板の形
状、リードの本数などは適宜に変更できる。
以上のように本案によれば、簡単な構成によつ
て所望のリードを適宜にグランド用として利用で
きる。
て所望のリードを適宜にグランド用として利用で
きる。
第１図〜第２図は従来のそれぞれ異つた実施例
を示す側断面図、第３図は本案の一実施例を示す
破断平面図、第４図は第３図の−断面図、第
５図は金属細線のグランド用のリードへの接続方
法を説明するための側断面図である。 図中、１は基板、２，５は金属メツキ層、３は
半導体素子、４はリード、４１〜４７はリード
片、６は金属細線である。
を示す側断面図、第３図は本案の一実施例を示す
破断平面図、第４図は第３図の−断面図、第
５図は金属細線のグランド用のリードへの接続方
法を説明するための側断面図である。 図中、１は基板、２，５は金属メツキ層、３は
半導体素子、４はリード、４１〜４７はリード
片、６は金属細線である。
Claims (1)
- グランド用の電極を有する半導体素子を基板に
固定すると共に、複数のリード片よりなるリード
の一端を半導体素子に隣接する基板上に離隔対向
するように配設し、かつリードの一端と半導体素
子の電極とを金属細線にて接続したものにおい
て、上記リードのうち、グランド用となるリード
片の一端及びこのリード片に対向する基板のそれ
ぞれの対向面に超音波振動ないし熱圧着によつて
融着可能な金属メツキ層を形成し、半導体素子の
グランド用の電極から延びる金属細線のグランド
用のリード片への接続に関連してグランド用のリ
ード片を基板に接続固定したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16398280U JPS6225906Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16398280U JPS6225906Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787541U JPS5787541U (ja) | 1982-05-29 |
| JPS6225906Y2 true JPS6225906Y2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=29522743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16398280U Expired JPS6225906Y2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225906Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-11-14 JP JP16398280U patent/JPS6225906Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5787541U (ja) | 1982-05-29 |
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