KR980005771A - 작업물 폴리싱 장치 및 방법 - Google Patents

작업물 폴리싱 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980005771A
KR980005771A KR1019960044549A KR19960044549A KR980005771A KR 980005771 A KR980005771 A KR 980005771A KR 1019960044549 A KR1019960044549 A KR 1019960044549A KR 19960044549 A KR19960044549 A KR 19960044549A KR 980005771 A KR980005771 A KR 980005771A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
pressing force
pressing
top ring
ring
Prior art date
Application number
KR1019960044549A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100485002B1 (ko
Inventor
마사미찌 나까시바
노리오 기무라
이사무 와따나베
요오꼬 하세가와
Original Assignee
마에다 시게루
가부시키 가이샤 에바라 세사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마에다 시게루, 가부시키 가이샤 에바라 세사쿠쇼 filed Critical 마에다 시게루
Publication of KR980005771A publication Critical patent/KR980005771A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100485002B1 publication Critical patent/KR100485002B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 작업물을 평탄한 경면식 마무리로 폴리싱하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상부 표면에 연마포가 탑재된 턴테이블과, 작업물을 지지하고 제 1가압력 하에서 연마포에 대해 작업물을 가압하여 작업물을 연마하고, 그 내부에 형성되어 작업물을 수용하는 오목부를 구비한 톱링과, 톱링 주위에 수직으로 이동가능하게 배치된 가압링과, 가변의 제 2가압력 하에서 연마포에 대해 가압링을 가압하는 가압장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

작업물 폴리싱 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 기본원리를 나타내는 부분종단면도.

Claims (18)

  1. 상부 표면에 연마포가 탑재된 턴테이블과, 작업물을 지지하고 제 1가압력 하에서 연마포에 대해 상기 작업물을 가압하여 상기 작업물을 연마하고, 그 내부에 형성되어 작업물을 수용하는 오목부를 구비한 톱링과, 상기 톱링 주위에 수직으로 이동가능하게 배치된 가압링과, 가변의 제 2가압력 하에서 상기 연마포에 대해 가압링을 가압하는 가압잔치를 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1가압력 및 상기 제 2가압력은 서로 독립적으로 변화가능한 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력과 실질적으로 동일하여, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께와 동일한 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력 보다 작어서, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께 보다 큰 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 풀리싱장치.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력 보다 커서, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께 보다 큰 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 풀리싱장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 톱링은, 상기 작업물의 상부표면을 지지하는 본체와; 상기 본체의 외주표면에 불리가능하게 탑재되어 상기 작업물의 외주표면을 지지하는 링부재을 포함하고; 상기 오목부는 상기 본체의 하부표면과 상기 링부재의 내주표면에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 가압장치는 유압실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 톱링은 톱링헤드에 의해 지지되며, 상기 유압실린더는 상기 톱링헤드에 장착되는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 유압실린더는 상기 톱링에 장착되는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 가압링은 자신의 축에 대해 회전가능하지 않는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  12. 상부표면에 연마포가 탑재된 턴네이블과, 작업물을 지지하고 제 1가압력 하에서 상기 연마포에 대해 상기 작업물을 가압하여 상기 작업물을 연마하고, 그 내부에 형성되어 상기 작업물을 수용하는 오목부를 구비한 톱링과, 상기 톱링 주위에 수직으로 이동가능하게 배치된 가압링과, 가변의 제 2가압력 하에서 상기 연마포에 대해 상기 가압링을 가압하는 가압장치를 포함하여 이루어지고; 상기 제 1가압력 및 상기 제 2가압력은 서로 독립적으로 변호가능한 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱장치.
  13. 톱링이 작업물을 수용하기 위해 내부에 형성된 오목부를 갖는 한편, 턴테이블의 상부표면에 탑재된 연마포 및 상기 턴테이블 상부에 배치된 톱링의 하부표면 사이에 작업물을 지지하는 단계; 상기 작업물을 연마하도록 제 1가압력하에서 상기 연마포에 대하여 상기 작업물을 가압하는 단계; 및 상기 톱링 주위에 수직으로 이동가능하게 배치된 가압링을, 상기 제 1가압력에 의거하여 결정되는 2가압력하에서, 상기 작업물 주위의 상기 연마포에 대하여 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물 풀리싱방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 제 1가압력 및 상기 제 2가압력은 서로 독립적으로 변화가능한 것을 특징으로 하는 작업물 풀리싱방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력과 실질적인 동일하여, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께와 동일한 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력 보다 작어서, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께 보다 큰 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱방법.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 제 2가압력은 상기 제 1가압력 보다 커서, 상기 작업물의 주변부로부터의 재료를 상기 작업물의 내측영역으로부터의 재료의 두께 보다 작은 두께로 제거하는 것을 특징으로 하는 작업물 폴리싱방법.
  18. 톨립이 작업물을 수용하기 위해 내부에 형성된 오목부를 갖는 한편, 턴테이블의 상부표면에 탑재된 연마포 및 상기 턴테이블 상부에 배치된 상기 톱링의 하부표면 사이에 반도체 웨이퍼를 지지하는 단계; 상기 반도체웨이퍼를 연마하도록 제 1가압력하에서 상기 연마포에 대하여 상기 반도체웨이퍼를 가압하는 단계; 및 상기 톱링 주위에 수직으로 이동가능하게 배치된 가압링을, 상기 제1가압력에 의거하여 결정되는 제 2가압력하에서,상기 작업물 주위의 상기 연마포에 대하여 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960044549A 1996-02-16 1996-10-08 작업물폴리싱장치및방법 KR100485002B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8-054055 1996-02-16
JP5405596 1996-02-16
JP8-171735 1996-06-11
JP17173596 1996-06-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005771A true KR980005771A (ko) 1998-03-30
KR100485002B1 KR100485002B1 (ko) 2005-08-29

Family

ID=26394800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960044549A KR100485002B1 (ko) 1996-02-16 1996-10-08 작업물폴리싱장치및방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5916412A (ko)
EP (2) EP1151824A1 (ko)
KR (1) KR100485002B1 (ko)
DE (1) DE69618437T2 (ko)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6024630A (en) 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
JP3724869B2 (ja) * 1995-10-09 2005-12-07 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および方法
US6139428A (en) * 1996-12-17 2000-10-31 Vsli Technology, Inc. Conditioning ring for use in a chemical mechanical polishing machine
JPH10230455A (ja) * 1997-02-17 1998-09-02 Nec Corp 研磨装置
EP1327498B1 (en) 1997-04-08 2013-06-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6196904B1 (en) 1998-03-25 2001-03-06 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6106379A (en) * 1998-05-12 2000-08-22 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension
US5985094A (en) * 1998-05-12 1999-11-16 Speedfam-Ipec Corporation Semiconductor wafer carrier
US6436228B1 (en) 1998-05-15 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Substrate retainer
US6251215B1 (en) 1998-06-03 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6102779A (en) * 1998-06-17 2000-08-15 Speedfam-Ipec, Inc. Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing
US5993293A (en) * 1998-06-17 1999-11-30 Speedram Corporation Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing
KR100668161B1 (ko) * 1998-10-30 2007-01-11 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 연마용 워크피스 홀더 및 그 제조방법, 워크피스의 연마방법 및 연마장치
US6220930B1 (en) * 1998-11-03 2001-04-24 United Microelectronics Corp. Wafer polishing head
US6283828B1 (en) * 1998-11-09 2001-09-04 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer polishing apparatus
US6524164B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
JP2001121411A (ja) 1999-10-29 2001-05-08 Applied Materials Inc ウェハー研磨装置
US6517422B2 (en) * 2000-03-07 2003-02-11 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Polishing apparatus and method thereof
JP2001298006A (ja) 2000-04-17 2001-10-26 Ebara Corp 研磨装置
US6602114B1 (en) 2000-05-19 2003-08-05 Applied Materials Inc. Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing
US6676497B1 (en) * 2000-09-08 2004-01-13 Applied Materials Inc. Vibration damping in a chemical mechanical polishing system
US7497767B2 (en) * 2000-09-08 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Vibration damping during chemical mechanical polishing
US7255637B2 (en) 2000-09-08 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Carrier head vibration damping
US6848980B2 (en) 2001-10-10 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Vibration damping in a carrier head
US6447368B1 (en) 2000-11-20 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Carriers with concentric balloons supporting a diaphragm
US6468131B1 (en) 2000-11-28 2002-10-22 Speedfam-Ipec Corporation Method to mathematically characterize a multizone carrier
US6582277B2 (en) 2001-05-01 2003-06-24 Speedfam-Ipec Corporation Method for controlling a process in a multi-zonal apparatus
US7217175B2 (en) * 2001-05-29 2007-05-15 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US8512580B2 (en) * 2001-09-21 2013-08-20 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating thin liquid crystal display device
US6835125B1 (en) 2001-12-27 2004-12-28 Applied Materials Inc. Retainer with a wear surface for chemical mechanical polishing
US6890249B1 (en) 2001-12-27 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge load retaining ring
US6872130B1 (en) 2001-12-28 2005-03-29 Applied Materials Inc. Carrier head with non-contact retainer
US6461965B1 (en) * 2002-01-31 2002-10-08 Texas Instruments Incorporated Method for effecting a finishing operation on a semiconductor workpiece
US6739958B2 (en) 2002-03-19 2004-05-25 Applied Materials Inc. Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system
US6790123B2 (en) 2002-05-16 2004-09-14 Speedfam-Ipec Corporation Method for processing a work piece in a multi-zonal processing apparatus
DE10222956B4 (de) * 2002-05-24 2009-01-29 FIP Forschungsinstitut für Produktionstechnik GmbH Braunschweig Feinschleifmaschine
TWM255104U (en) 2003-02-05 2005-01-11 Applied Materials Inc Retaining ring with flange for chemical mechanical polishing
JP3739752B2 (ja) * 2003-02-07 2006-01-25 株式会社 ハリーズ ランダム周期変速可能な小片移載装置
US6974371B2 (en) 2003-04-30 2005-12-13 Applied Materials, Inc. Two part retaining ring
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
US7699688B2 (en) * 2006-11-22 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Carrier ring for carrier head
US7575504B2 (en) * 2006-11-22 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly
US7654888B2 (en) * 2006-11-22 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Carrier head with retaining ring and carrier ring
US7727055B2 (en) * 2006-11-22 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for carrier head
WO2013039608A2 (en) * 2011-09-12 2013-03-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with composite plastic portions
US10857649B2 (en) * 2011-09-22 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for performing a polishing process in semiconductor fabrication
CN105290957A (zh) * 2015-10-12 2016-02-03 京东方光科技有限公司 一种夹具、研磨方法及研磨设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5911423B2 (ja) * 1974-04-10 1984-03-15 株式会社日立製作所 ラツピング装置
JPS5727659A (en) * 1980-07-18 1982-02-15 Supiide Fuamu Kk Lapping machine
JPH02503174A (ja) * 1988-02-17 1990-10-04 グルジンスキイ ポリテフニチエスキイ インスチトウト イメニ ヴイ・アイ・レーニナ 工作片表面の研摩方法と該方法を実施するためのジグ
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5635083A (en) * 1993-08-06 1997-06-03 Intel Corporation Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5795215A (en) 1995-06-09 1998-08-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5681215A (en) * 1995-10-27 1997-10-28 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
JP3072962B2 (ja) * 1995-11-30 2000-08-07 ロデール・ニッタ株式会社 研磨のための被加工物の保持具及びその製法
US5707492A (en) * 1995-12-18 1998-01-13 Motorola, Inc. Metallized pad polishing process
JPH09225819A (ja) * 1996-02-21 1997-09-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 被加工物の保持機構

Also Published As

Publication number Publication date
US5916412A (en) 1999-06-29
DE69618437T2 (de) 2002-08-29
EP0790100A1 (en) 1997-08-20
KR100485002B1 (ko) 2005-08-29
EP0790100B1 (en) 2002-01-09
EP1151824A1 (en) 2001-11-07
US6350346B1 (en) 2002-02-26
DE69618437D1 (de) 2002-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980005771A (ko) 작업물 폴리싱 장치 및 방법
KR970063545A (ko) 작업물 폴리싱장치 및 방법
KR960033655A (ko) 화학적/기계적 연마방법 및 장치
EP0870576A3 (en) Polishing Apparatus
SG90746A1 (en) Apparatus and method for polishing workpiece
MY132155A (en) Process of polishing wafers
EP1281476A3 (en) Method for polishing workpieces and apparatus therefor
KR980005775A (ko) 연마포 카트리지를 구비한 폴리싱 장치
ATE332207T1 (de) Maschine zum thermischen schneiden von werkstücken insbesondere mittels laser
EP0992322A4 (en) GRINDING DEVICE
CA2372659A1 (en) Method for grinding convex running surfaces and outside diameters on undulated workpieces in a clamping, and a grinding machine for carrying out the method
ITRM940495A1 (it) "procedimento per la levigatura dello spigolo di fette di semiconduttori".
US5885140A (en) Single-side abrasion apparatus with dresser
EP1157783A3 (en) Polishing method and polishing apparatus
JPH09246218A (ja) 研磨方法および装置
JPH01310865A (ja) 超精密研削装置
CN214642700U (zh) 一种具有自动吸尘效果的水晶圆盘抛光机
SU779060A1 (ru) Устройство дл шлифовани
JP3139237B2 (ja) ホーニング加工方法及びホーニング加工装置
JPS6315000Y2 (ko)
CN208496586U (zh) 一种机械零件夹紧打磨设备
JP2005125423A (ja) フイルムラップ装置のシュー組立体
KR970023800A (ko) 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치
JP2008091665A (ja) Cmp装置
JP3773885B2 (ja) ジャーナルのスラスト面フィルムラップ加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130321

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140319

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160318

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term