KR970077430A - 반도체 장치의 평가 방법 - Google Patents

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Abstract

MOSFET등의 게이트 산화막의 결함의 위치를 동정한다.
게이트 전극을 노출한 상태에서, 게이트 절연막을 단계적으로 에칭 제거해 간다. 이것은 습식 제거 장치의 화학적 에칭액 속에 담구고, 게이트 전극과 기판 사이에 전압을 인가한다. 게이트 산화막에 결함이 포함되어 있을 때는 게이트 전극의 표면에 양극산화막이 가능하다. 게이트 산화막에서 결함이 제거되며, 게이트 산화막이 에칭 제거된다. 이 변화에서, 게이트 산화막 속의 결함의 위치를 검출한다.

Description

반도체 장치의 평가 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 실시 형태 1에 의한 반도체 장치의 평가 방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 장치의 반도체 기판과 노출시킨 게이트 전국 사이의 게이트 절연막을 부분적으로 제거해 가는 단계마다, 화학적 습식 제거 장치에서 상기 반도체 기판과 게이트 전극 사이에 전압을 인가하고, 상기 게이트 전극에 양극 산화막이 형성될 때와 상기 게이트 전극이 제거될 때의 상기 게이트 절연막의 넓어짐의 차로부터 상기 게이트 절연막의 결합 위치를 검출하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 평가 방법.
  2. 화학적 습식 제거 장치에서 반도체 장치의 게이트 절연막을 끼운 반도체 기판과 노출된 게이트 전극 사이의 인가 전압으 변화시키고, 노출된 게이트 전극이 제거되는 인가 전압과 제거되지 않는 인가 전압의 경계의 임계 인가 전압을 측정하며, 상기 게이트 절연막의 결합의 크기를 검출하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 평가 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960047367A 1996-05-27 1996-10-22 반도체 장치의 평가 방법 KR100228458B1 (ko)

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