KR970053219A - 표면 물성 검사용 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면 물성 검사용 반도체 장치에 관한 것으로써, 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 그 산화막에 V자 홈을 형성한 후 그 V자 홈에 메탈의 탐침을 형성하여 구성되며, 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막에 감광막을 도포하고 노광 및 식각하여 V자 홈 형태의 홀(HOLE)을 형성하는 공정과; 상기 V자 홈 형태의 홀내에 메탈을 증착,배선,식각하여 탐침을 제조하는 공정으로 제조를 완료함으로써, 두개의 탐침을 이용하여 임계 치수(CRITICAL DEMENSION)가 점점 최소화 됨에 따라 직면할 수 있는 미소 범위에서이 표면 전류 특성의 측정과 탐침 주위의 터넬링으로 인한 표면 전위 바이어스의 측정을 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 표면 물성 검사용 반도체 장치의 실시예에 도시한 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 표면 물성 검사용 반도체 장치의 제조 공정을 도시한 공정 수순도,
제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치 탐침의 상부 단면도.
Claims (2)
- 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 그 산화막에 V자 홈을 형성한 후 그 V자 홈에 메탈의 탐침을 형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 표면 물성 검사용 반도체 장치.
- 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막에 감광막을 도포하고 노광 및 식각하여 V자 홈 형태의 홀(HOLE)을 형성하는 공정과; 상기 V자 홈 형태의 홀내에 메탈을 증착,배선,식각하여 탐침을 제조하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 표면 물성 검사용 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950047160A KR100206873B1 (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 표면 물성 검사용 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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KR100206873B1 KR100206873B1 (ko) | 1999-07-01 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047160A patent/KR100206873B1/ko not_active IP Right Cessation
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