KR970053219A - 표면 물성 검사용 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR970053219A
KR970053219A KR1019950047160A KR19950047160A KR970053219A KR 970053219 A KR970053219 A KR 970053219A KR 1019950047160 A KR1019950047160 A KR 1019950047160A KR 19950047160 A KR19950047160 A KR 19950047160A KR 970053219 A KR970053219 A KR 970053219A
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Abstract

본 발명은 표면 물성 검사용 반도체 장치에 관한 것으로써, 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 그 산화막에 V자 홈을 형성한 후 그 V자 홈에 메탈의 탐침을 형성하여 구성되며, 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막에 감광막을 도포하고 노광 및 식각하여 V자 홈 형태의 홀(HOLE)을 형성하는 공정과; 상기 V자 홈 형태의 홀내에 메탈을 증착,배선,식각하여 탐침을 제조하는 공정으로 제조를 완료함으로써, 두개의 탐침을 이용하여 임계 치수(CRITICAL DEMENSION)가 점점 최소화 됨에 따라 직면할 수 있는 미소 범위에서이 표면 전류 특성의 측정과 탐침 주위의 터넬링으로 인한 표면 전위 바이어스의 측정을 가능하게 한다.

Description

표면 물성 검사용 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 표면 물성 검사용 반도체 장치의 실시예에 도시한 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 표면 물성 검사용 반도체 장치의 제조 공정을 도시한 공정 수순도,
제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치 탐침의 상부 단면도.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판상에 산화막을 형성하고, 그 산화막에 V자 홈을 형성한 후 그 V자 홈에 메탈의 탐침을 형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 표면 물성 검사용 반도체 장치.
  2. 실리콘 기판에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막에 감광막을 도포하고 노광 및 식각하여 V자 홈 형태의 홀(HOLE)을 형성하는 공정과; 상기 V자 홈 형태의 홀내에 메탈을 증착,배선,식각하여 탐침을 제조하는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 표면 물성 검사용 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950047160A 1995-12-06 1995-12-06 표면 물성 검사용 반도체 장치 및 그 제조 방법 KR100206873B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102231252B1 (ko) 2019-12-31 2021-03-23 서우산업 주식회사 화분 화환

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