KR970003742A - 반도체 소자의 배선폭 측정방법 - Google Patents

반도체 소자의 배선폭 측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 선폭측정에 관한 것으로, 특히 원자간력 현미경 탐침을 이용한 반도체 소자에서 사용되는 배선들의 선폭측정방법에 관한 것으로서, 이와 같은 본 발명의 선폭측정방법은 배선이 형성된 소자의 상부에 금속막을 증착하는 공정과, 그 증착된 소자를 측정할 배선의 너비방향에 평행하도록 절단하는 공정과, 그 절단된 시편의 증착된 금속막부분을 절단된 배선면에 대하여 소정의 단차를 갖도록 선택적으로 식각하는 공정과, 선택적으로 식각된 단면부분에서 상기 배선의 너비와 높이에 해당하는 부분을 원자간력 현미경 탐침을 이용하여 주사하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 배선폭 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 선폭측정기술을 설명하기 위한 측정시편준비 및 측정순서도.

Claims (3)

  1. 배선이 형성된 소자의 상부에 금속막을 증착하는 공정과, 상기 금속막이 형성된 반도체 소자를 측정할 배선의 너비방향에 평행하도록 절단하는 공정과, 상기 절단된 반도체 소자에 형성된 금속막 부분을, 절단된 배선면에 대하여 소정의 단차를 갖도록, 선택적으로 식각하는 공정과, 상기 선택적으로 식각된 단면부분에서 상기 배선의 너비와 높이에 해당하는 부분을 원자간력 현미경 탐침을 이용하여 주사하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의배선폭 측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 배선을 충분히 덮을 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선폭 측정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식각공정에서 사용되는 식각액은 상기 금속막만을 선택적으로 식각하는 식각액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선폭 측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015813A 1995-06-15 1995-06-15 반도체 소자의 배선폭 측정방법 KR100192165B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010110885A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 박병국 박막의 두께 측정방법
KR20030026208A (ko) * 2001-09-25 2003-03-31 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치의 검사방법

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