KR970073229A - 전계 발광 장치 및 디스플레이(Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices) - Google Patents

전계 발광 장치 및 디스플레이(Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices) Download PDF

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Abstract

가시 각도(viewing angle)에 따른 에미션 스펙트럼의 변화가 감소된 마이크로캐비티(microcavity) 유기 광 에미터가 공개된다. 실시예에서, 마이크로캐비티 EL 소자는 기판의 대칭이고 비평적인 표면 상에 적층된 마이크로캐비티층 구조을 갖는다. 상기 마이크로캐비티층 구조는 적어도, 상기 비평면인 기판 표면 상의 제 1 반사층과, 제 2 반사층과, 상기 제 1 반사층과 상기 제 2 반사층간의 전계 발광(electroluminescence)이 가능한 유기 재료를 갖는 액티브층을 포함한다. 상기 비평면인 표면은 얕은 원추형(shallow cone), 원추대(frustum), 돔형 표면, 또는 그 조합이다.

Description

전계 발광 장치 및 디스플레이(Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명에 따른 원추형의 광 에미터의 투시도 및 단면도, 도 6a는 본 발명에 따른 디스플레이의 일부분의 투시도.

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 영역이 대칭성의 비평면인 표면 특성을 갖는, 다양한 소정의 영역의 표면을 갖는 기판과, 상기 비평면인 표면 특징 상에 적층된 제 1 반사 재료층과, 제 2 반사 재료층과; 상기 제 1 및 제 2 반사층간에 적충된 전계 발광 가능 유기 재료를 갖는 액티브층으로서, 상기 액티브층과 상기 반사층이 마이크로캐비티 구조를 형성하는, 액티브층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기관은 대칭성의 비평면인 표면 특징에 마주한 평면인 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기판의 대칭성의 비평면인 표면 특징은 상기 기판의 마주한 평면인 표면으로부터 확장하는 정점(apex)을 갖는 원추형인 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 원추형은 약 8° 내지 약 15° 의 웨지 각을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 액티브층에 걸쳐 전계 응용을 용이하게 하기 위한 수단을 더 포함하여 상기 마이크로캐비티 구조가 상기 기관을 통해 광 방출하도록 할 수 있는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 기판의 대칭성의 비평적인 표면 특징이 상기 기판의 마주한 평면인 표면으로부터 확장하는 원추대인 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 기판의 대칭성의 비평면인 표면 특징이, 상기 기판의 마주한 평면인 표면으로부터 확장하는 원추대 부분과, 상기 원추대 부분 상의 돔형 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 돔형 부분이 구형인 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 기판의 대칭성의 비평면인 표면 특징이 상기 기관의 마주한 평면인 표면에 관해 오목한 돔형 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 돔형 표면이 구형인 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 대칭성의 비평면인 표면 특징의 기하(geometry)는, 동일한 구성과 두께를 갖는 층의 마이크로캐비티층 구조를 갖는 평면형 마이크로캐비티 광 에미터에 비교해, 상기 장치로부터의 가시각도(viewing angle)의 함수로 방출 파장 변화를 감소시키는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  12. 제 5 항에 있어서, 상기 기판은, 규소, 유리 사파이어, 수정, 투명 플라스틱 중에서 선택되고, 반사 재료의 상기 제 1 층은 교번적인 이산화규소와 질화실리콘층 또는 교번적인 SiO2와 TiO2의 유전체 스택(stack)이고, 상기 제 2 반사 재료층은, Al, Ag, Mg와 Ag의 합금, Mg와 Al의 합금, Li와 Al의 합금중 하나이고, 상기 액티브층에 걸친 전계 응용을 용이하게 하는 수단은 신화 인듐 주석(indium tin oxide) 또는 폴리어날린(polyaniline)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 액티브층과 상기 유전체 스택간에 적층된 충전체층과, 홀 전달층과, 전자 전달층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  14. 제 3 항에 있어서, 상기 기판의 평면인 표면에 수직으로 상기 마이크로캐비티 전계 발광 장치에 의해 방출된 피크 파장이, 상기 기판의 평면인 표면에 수직으로부터 45。로 방출된 피크 파장으로부터 약 6㎚ 미만으로 변화하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  15. 제 1 항에 있어서, 전계 발광 가능 유기 재료는, Alq, 페럴린 유도체(perylene derivatives), 안트라센(anthracene), 폴리(phenylene vinylenes), 옥사 디아졸(oxadiazole), 또는 스틸벤 유도체(stilbene derivatives)의 그룹중에서, 및 쿠머린(coumarine), DCM, 로다민 유도체(rhodamine derivatives)의 그룹에서 선택된 도펀트로 도핑된 상기 그룹중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 장치.
  16. 하나의 측면 상에 평면인 표면과, 다수의 비평면인 대칭성 투사 표면 특징을 갖는 마주한 표면을 갖는 기판과, 각각 상기 투사 표면 특징중 하나에 형성되고, 각각 광 방출 장치(LED)를 규정하는, 다수의 유기 마이크로캐비티층 구조로서, 상기 층 구조 각각은, 상기 관련 투사 표면 상에 적층된 반사 재료의 제 1 층과, 반사 재료의 제 2 층과, 상기 제 1 및 제 2 층간에 적층된 전계 발광 가능 유기 재료를 갖는 액티브층을 포함하는, 다수의 유기 마이크로캐비티층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 투사 표면 특징중 적어도 일부는 원추형인 것을 특징으로 하는 디스플레이.
  18. 제 16 항에 있어서, 각각의 상기 액티브충과 상기 제 1 반사층은 실질적으로 상기 디스플레이를 통해 연속적이고, 상기 제 2 반사층은 상기 LED의 개별적 하나하나를 정의하기 위해 패터닝되는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 LED의 인접한 적어도 세 개의 하나하나가 상기 디스플레이의 픽셀을 형성하고, 주어진 픽셀의 각각의 상기 인접한 LED는 상이한 칼라를 방출할 수 있고, 주어진 픽셀 각각의 상기 인접한 LED가 상기 주어진 픽셀의 상기 인접한 LED의 다른 하나와 상이한 두께의 충전제층을 제어하는 칼라를 갖고, 주어진 픽셀 각각의 상기 인접한 LED의 상기 액티브층이, 바이어스될 때 주어진 픽셀 각각의 상기 인접한 LED에 의해 상이한 칼라가 방출될 수 있도록 실질적으로 동일한 재료와 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 디스 플레이.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 대칭성의 비평면인 투사 표면 특징 각각의 기하는, 동일한 구성과 두께를 갖는 층의 마이크로캐비층 구조를 갖는 평면인 마이크로캐비티 광 에미터에 비교해, 상기 투사 표면 특징으로부터의 가시각도의 함수로 방출 파장 변화를 감소시키는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520340B1 (ko) * 2000-10-18 2005-10-11 샤프 가부시키가이샤 발광형 표시 소자

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW359765B (en) 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
FR2759495B1 (fr) * 1997-02-10 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif semiconducteur en polymere comportant au moins une fonction redresseuse et procede de fabrication d'un tel dispositif
US6362566B2 (en) * 1998-09-11 2002-03-26 Motorola, Inc. Organic electroluminescent apparatus
KR100277639B1 (ko) * 1998-11-12 2001-01-15 김순택 유기 전자발광소자
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
WO2000065879A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 Emagin Corporation Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element
GB2349979A (en) * 1999-05-10 2000-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
GB2352050A (en) * 1999-07-13 2001-01-17 Coherent Optics Interference filters
KR20020065893A (ko) * 1999-10-29 2002-08-14 트러스티스 오브 프린스턴 유니버시티 구형 패턴을 가지는 유기발광 다이오드
JP2001267074A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子
TW516164B (en) 2000-04-21 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and electrical appliance using the same
US6466135B1 (en) * 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
EP1317165B1 (en) 2000-08-23 2013-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el display
WO2002057819A2 (en) * 2000-11-28 2002-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Three dimensional high index optical waveguides bends and splitters
US6888305B2 (en) * 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
AU2002352967A1 (en) * 2001-11-29 2003-06-10 The Trustees Of Princeton University Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
DE10228939A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Elektrolumineszierende Vorrichtung mit transparenter Kathode
KR100978012B1 (ko) 2002-06-28 2010-08-25 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 투명 캐쏘드를 구비한 전기발광 디바이스
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US20040140757A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Microcavity OLED devices
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US7147352B2 (en) * 2003-06-23 2006-12-12 Howmedica Leibinger, Inc. Precision light emitting device
JP4543798B2 (ja) * 2003-08-18 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 有機el装置および電子機器
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
CN1961613B (zh) * 2004-03-26 2011-06-29 松下电工株式会社 有机发光器件
CN100525558C (zh) * 2004-04-30 2009-08-05 三洋电机株式会社 发光显示器
US7683391B2 (en) * 2004-05-26 2010-03-23 Lockheed Martin Corporation UV emitting LED having mesa structure
TWI266564B (en) * 2004-08-06 2006-11-11 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device and method for forming the same
US7489074B2 (en) 2004-09-28 2009-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reducing or eliminating color change for microcavity OLED devices
KR100683693B1 (ko) * 2004-11-10 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
KR20070108865A (ko) * 2004-12-30 2007-11-13 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 미러 스택을 갖는 전자 장치
KR101197045B1 (ko) 2005-02-07 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI282699B (en) 2005-03-14 2007-06-11 Au Optronics Corp Method of fabrication organic light emitting diode display
CN100459223C (zh) * 2005-03-25 2009-02-04 友达光电股份有限公司 有机发光显示器的制造方法
US20080218063A1 (en) * 2005-06-03 2008-09-11 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Organic Electroluminescent Light Source
CN101199056B (zh) * 2005-06-14 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 多视图显示装置
JP2007027018A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Hitachi Ltd ディスプレイパネルの製造方法及びアノードパネル
FR2893215A1 (fr) * 2005-11-04 2007-05-11 Thomson Licensing Sa Diode organique electroluminescente a cavite optique de resonnance et a extracteur servant de filtre spatial de lumiere
KR101230316B1 (ko) * 2006-03-21 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
CN101017884B (zh) * 2007-02-28 2013-08-14 友达光电股份有限公司 自发光显示装置
JP5126653B2 (ja) * 2007-04-09 2013-01-23 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
US8179034B2 (en) 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
KR100909389B1 (ko) * 2008-04-21 2009-07-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5170020B2 (ja) * 2008-10-03 2013-03-27 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び電子機器
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
CN102473718B (zh) 2009-07-01 2014-09-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 基于oled的发光装置
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
KR101413461B1 (ko) * 2012-10-31 2014-07-01 에스에프씨 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법
CN103996692B (zh) * 2014-04-15 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制作方法和显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2797883B2 (ja) * 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520340B1 (ko) * 2000-10-18 2005-10-11 샤프 가부시키가이샤 발광형 표시 소자

Also Published As

Publication number Publication date
EP0801429A1 (en) 1997-10-15
DE69724690D1 (de) 2003-10-16
US5814416A (en) 1998-09-29
JP3260655B2 (ja) 2002-02-25
DE69724690T2 (de) 2004-07-15
JPH1041071A (ja) 1998-02-13
EP0801429B1 (en) 2003-09-10
TW400683B (en) 2000-08-01
KR100255899B1 (ko) 2000-05-01

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