JPH07320864A - 微小空胴光源を含む製品 - Google Patents

微小空胴光源を含む製品

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JPH07320864A
JPH07320864A JP7120306A JP12030695A JPH07320864A JP H07320864 A JPH07320864 A JP H07320864A JP 7120306 A JP7120306 A JP 7120306A JP 12030695 A JP12030695 A JP 12030695A JP H07320864 A JPH07320864 A JP H07320864A
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JP
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layer
microcavity
product
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layered structure
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JP7120306A
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Inventor
Ananth Dodabalapur
ドダバラプア アナンス
Timothy M Miller
マーク ミラー ティモスィ
Lewis J Rothberg
ジョシア ローズバーグ ルイス
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AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
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Publication date
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    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
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    • H01S5/36Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising organic materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、微小空胴光源を含む製品を提供す
る。 【構成】 光微小空胴は、たとえばフラットパネル表示
のような光エミッタとして、潜在的に有用である。その
ような微小空胴は、空胴を規定する2つの空間的に離れ
た反射器(11、16)を含み、反射器間に配置された
有機(エレクトロルミネセンス)材料の層(15)を有
する層構造を含む。出願人は、微小空胴は放射が、たと
えば白のような所望の明るい色を有するようあらかじめ
決められた2又はそれ以上の色の放射を、同時に放射で
きることを見い出した。2ないしそれ以上の色の放射に
は、空胴の実効光路長を、空胴がマルチモード空胴で、
活性材料のエレクトロルミネセンス・スペクトルの放射
領域内に、空胴によって維持された2つ又はそれ以上の
定在波モードの波長を有するように選択することを必要
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微小空胴光源及びそのよ
うな光源を含む製品(たとえば表示)に係る。
【0002】
【従来の技術】従来技術の光微小空胴は、典型的な場
合、光波長のオーダーで、少くとも一次元(ここでは典
型的な場合、空胴の実効光路長)を有する共振器であ
る。そのような共振器は基礎的研究のために興味がもた
れるだけでなく、新しい種類の発光デバイスを構成する
ための技術的約束となるものとして、認識されてきた。
たとえば、エイチ・ヨコヤマ(H. Yokoyama)サイエン
ス(Science)、第256巻、66−70頁を参照のこ
と。これは特に色素溶液を含む微小空胴について、明ら
かにしている。また、ワイ・ヤマモト(Y. Yamamoto)
ら、フィジックス・トデイ(Physics Today)、66−
73頁、1993年6月を参照のこと。そのような微小
共振器発光デバイスの可能な応用は、たとえばフラット
パネル表示、バックライト、光相互接続、光ファイバ通
信及びLED印刷の分野である。
【0003】1993年11月22日に出願人が申請し
た米国特許出願第08/156,217号は少くとも2
個の微小空胴光エミッタを含み、それらの空胴長は、微
小空胴がそれぞれ第1及び第2の波長で発光するよう、
異なる。エイ・ドダバラプール(A. Dodabalapur)
ら、アプライド・フィジックス・レターズ(Applied Phy
sics Letters )、第64(19)巻、2486頁も
参照のこと。
【0004】少くともいくつかの技術的分野では、たと
えば白のような指定された明るい色の光を放出すること
を、必要とする。そのような放出は典型的な場合、2つ
又はそれ以上の型のLEDからの放射を混合することに
より、得られる。たとえば、ケイ・ムラタ(K. Murat
a)、ディスプレー・デバイシズ(Display Device
s)、47−50頁、1992を参照のこと。あるい
は、それらは有機LED中に異なる色の蛍光色素を組込
むことによって、得られる。ジェイ・キド(J. Kido)
ら、アプライド・フィジックス・レターズ(Applied
Physics Letters )、第64(7)巻、815頁(1
994)及びジー・イー・ジョンソン(G. E. Johns
on) ら、エス・ピー・アイ・イー(SPIE)、第19
10巻、6頁を参照のこと。たとえば、白色光を放出す
るデバイスは、たとえば低電圧ポータブル・バックライ
ト表示のようなものに、関心がもたれる。
【0005】白色光又は他の混合色を放出する既知のデ
バイスは、ラップ−トップ計算機用の表示のような技術
的用途に対しては、完全に満足というわけではない。た
とえば、ある種の従来技術は典型的な場合、作製が難し
く、他のものは広い波長範囲で発光し、あらかじめ決め
られた波長では、比較的小さなピークに、広い隣接のも
のが重畳するだけである。たとえば、上で引用したジェ
イ・キド(J. Kido)の図2を参照のこと。従って、
あらかじめ決められた明るい色、たとえば本質的に白色
の光を放出でき、比較的容易かつ経済的に作製できる発
光デバイスは、かなり関心がもたれる。本発明はそのよ
うなデバイスを、明らかにする。
【0006】
【本発明の要約】本発明は特許請求の範囲により、規定
される。それは1ないし複数のマルチモード微小空胴光
エミッタを含み、与えられたエミッタは所望の明い色が
得られるよう、2ないしそれ以上のあらかじめ決められ
た色(たとえば、青及び赤)の放射を、同時に放出する
のに適する。
【0007】より具体的には、製品は基板(たとえばガ
ラス板)の主表面上の層構造を含む。層構造は空間的に
離れた第1及び第2の反射手段と、エレクトロルミネセ
ンスが得られる有機材料(たとえば、8−ヒドロキシキ
ノリン・アルミニウム、一般にAlq とよばれる。そのよ
うな材料は、“EL”材料とよばれる)を含む活性層を
含み、活性層の少くとも一部は、反射手段間に配置され
る。第1及び第2の反射手段は、実効光路長Lの微小空
胴を、規定する。層構造は更に、微小空胴が発光できる
ように、活性層を通して電流が容易に流れるようにする
手段を含む。
【0008】重要なことは、空胴の実効光路長Lは、空
胴が2ないしそれ以上のあらかじめ決められた色の放射
を、同時に放出できるマルチモード空胴であるように、
選択される。
【0009】“マルチモード”微小空胴ということで
は、ここでは空胴の2ないしそれ以上の定在波モードが
同時に維持される微小空胴を、意味する。本発明の実施
例において、2ないしそれ以上のモードの波長は、EL
材料のELスペクトルの放射領域内にあるであろう。典
型的な場合、Lはモードの少くとも1つが、微小空胴の
3次はそれ以上の次数の定在波であるように、選択され
る。たとえば、Lは7次、8次及び9次モードが、空胴
により同時に維持されるように、選択される。
【0010】本発明の典型的な実施例は、上述のよう
に、複数のエミッタ構造を含む、しばしばこれらマルチ
モードエミッタのすべてが、本質的に同じ明るい色を放
出するであろうが、その必要はない。2又はそれ以上の
種類のマルチモード・エミッタあるいは1ないし複数の
種類のマルチモード・エミッタ及び1ないし複数の種類
の従来技術の微小空胴エミッタを含む製品も考えられ
る。
【0011】必要に応じて、活性層は有機EL材料に加
え、たとえば電子又は正孔輸送層又は電子又は正孔阻止
層又は充てん層といった1ないし複数の層を、含むこと
ができる。EL材料は典型的な場合、単一層でよく、典
型的な場合、発光性化合物又は発光物質をドープした母
体材料から成る。すべての場合、本発明に従う微小空胴
中のEL材料の放射スペクトルは、空胴長Lの関数で、
Lが変るとスペクトルは変化する。これは特に本発明の
実施例が、ジェイ・キド(J.Kido)ら(上で引用)に
より明らかにされたデバイスと、異なる点である。後者
の場合、EL材料のエレクトロルミネセンス・スペクト
ルは3つのピークをもつ。それは材料中に3つの異なる
色素があり、色素の特性によって本質的に決るピークの
波長をもつためである。
【0012】
【詳細な記述】図1は本発明に従う単一のマルチモード
微小空胴の例に伴う層構造を、概略的に示したもので、
数字10は基板をさし、数字11−15はそれぞれ多層
ミラー、充てん層、透明導電体、正孔輸送層及びEL層
をさす。p形エミッタを有する構造において、層14は
EL層でよく、15は電子輸送層でよい。必要に応じ
て、構造は電子輸送層及び正孔輸送層を含んでよく、E
L層は2つの輸送層に、はさまれる。数字16は最上部
電極及び最上部反射器として働き、微小空胴の横方向の
広がりを規定するパターン形成された金属層の一部をさ
す。領域16の横方向の寸法は、典型的な場合、空胴の
実効光路長より、はるかに大きい(たとえば、少くとも
5倍)。
【0013】底面発光構造において、基板は本質的に関
連した波長の放射に対し、透明である。“本質的に透
明”ということは、ここでは、適切な距離において、関
連した波長の放射の減衰が、25%を越えないことを、
意味する。基板材料の例は、ガラス(TiO2のような高屈
折率材料で片面又は両面が被覆されたガラスを含む)、
サファイヤ、石英、ポリ(エーテルスルホン)のような
透明プラスチックである。
【0014】多層ミラーは適切に選んだ厚さの本質的に
非吸収材料の交互の層から成る。典型的な場合、各層は
λ/4の厚さであ。ここでλはたとえば約550nmとい
ったEL放射スペクトルのほぼ中心波長に対応するよ
う、選択すると有利である。そのようなミラーは、よく
知られている。ミラーの反射率は、周知のように、層対
の数、層厚及び用いる材料の屈折率に依存する。材料対
の例は、SiO2及びSiNx、SiO2及びTiO2である。
【0015】充てん材料は作製及び動作条件下で、化学
的に安定で、適当な技術により、パターン形成できる任
意の本質的に透明な材料でよい。充てん材料の例は、透
明ポリマ(たとえばポリイミド)又は透明無機誘電体
(たとえば、SiO2又はSi3N4)である。
【0016】透明(又は半透明)導電体の例は、インジ
ウム・スズ酸化物(ITO)又はドープポリアニリンの
ような導電性ポリマ又は金属(たとえばAu又はAl) の薄
い(たとえば約10nm)層であり、パターン形成しなく
ても、(たとえば、行又は列に)パターン形成してもよ
い。
【0017】(必要に応じて設ける)正孔輸送層は、正
孔をEL層に輸送し、そこで電子−正孔再結合が容易に
起るようにする任意の本質的に透明な材料でよい。適切
な材料の例は、ジアミン(たとえば、N,N′−ジフェ
ニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1′−ビフェニル−4,4′−ジアミン)及びポリ(フ
ェニレンビニレン)である。
【0018】EL材料の例は、Alq 、芳香族炭化水素、
ポリ(フェニレンビニレン)、オキサジアゾール及びス
チルベン誘導体である。EL材料は必要に応じて、EL
材料の基本成分より小さい禁制帯をもつ発光性材料をド
ープした安定な非発光性母体材料でよい。そのようなド
ーパントの例は、クマリン又はAlq 中の4−(ジシアノ
メチレン)−4H−ピランである。たとえば、シー・ダ
ヴリュ・ツァン(C.W. Tang)ら、ジャーナル・アプ
ライド・フィジックス(J. Applied Physics )、第
65巻、3610頁(1989)を参照のこと。そのよ
うなドーピングは、材料のエレクトロルミネセンス(E
L)・スペクトルを、基本的に修正するか、あるいはデ
バイスの効率を上げるために、用いることができる。E
L材料のELスペクトルの発光領域は、微小空胴の関連
した空胴モードの重ならなければならないことが、認識
されるであろう。
【0019】(必要に応じて設ける)電子輸送層(図1
には示されていない)は、関連した電極からEL層への
電子の輸送を容易にする本質的に透明な任意の材料でで
きる。そのような材料の例は、2−(4−ビフェニル)
−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(PB
D)、ブチルPBD又はポリ(メチルメタクリレート)
(PMMA)又はポリ(カーボネート)といった不活性
ポリマのドープされたもののいずれかである。
【0020】金属層は電子を隣接層中に注入する働きを
し、金属の単一層又は複数の層の組合せでよい。金属接
触として用いるための低仕事関数材料の例は、Al、In、
Mg、Ca又はMgAgのような合金である。
【0021】EL材料を適切に選択することにより、正
孔輸送層及び電子輸送層の1つ(両方の可能性もある)
を、除くことができる。たとえば、Alq はEL材料及び
電子輸送媒体の両方として機能でき、ポリ(フェニレン
ビニレン)はEL材料及び正孔輸送媒体の両方として、
機能できる。
【0022】電子が透明導電体層から注入され、正孔が
パターン形成された金属層から注入されるように、電子
及び正孔注入接触を、交換できることを、理解すべきで
ある。もし、電子輸送層又は正孔輸送層を用いるなら、
層構造におけるそれらの位置は、たとえば交換するな
ど、適当に変更できる。
【0023】本発明に従う微小空胴はまた、上面発光構
造でも実施できる。そのようなエミッタにおいては、基
板は透明である必要はない。それは金属(適切な絶縁体
を有する)又はSiのような半導体でよい。図2は上面発
光微小空胴の層構造の例を、概略的に示す。この図で、
数字20、26及び29は、それぞれ基板、パターン形
成された金属層、及び(必要に応じて設ける)電子輸送
層をさし、数字25−21はそれぞれEL層、(必要に
応じて設ける)正孔輸送層、透明導電層、(必要に応じ
て設ける)充てん層及び多層ミラーをさす。
【0024】本発明のいくつかの実施例では、大きな立
体角で発光を無秩序化するのに役立つ散乱層を含んでも
よく、それによって発光の角度依存性がなくなるか、少
くとも減少する。ファブリーペロー空胴効果によるこの
依存性は、たとえば表示のような種の用途では好ましく
なく、本発明に従う表示は、そのような層を含んでもよ
い。図2は散乱層28を含む(上面発光)実施例を示
す。底面発光実施例では、散乱層の例が、基板及び多層
ミラーの間に配置される。たとえば、散乱層はその中に
コロイド状分散剤(たとえば溶融シリカ)を有する本質
的に透明なポリマ(たとえば、ポリイミド又はPMM
A)である。それはまた、機械的に荒い表面を有する本
質的に透明な層(たとえばSiNx) でもよい。
【0025】本発明に従う製品は、典型的な場合、上で
述べたマルチモード微小空胴エミッタ又はエミッタのア
レイに加え、電源及び駆動回路といった通常の要素も含
む。そのような表示には、任意の適切な回路を、使用す
ることが、できる。たとえば、上で引用したケイ・ムラ
タ(K.Murata)の論文を参照のこと。これは49頁の
図9において、本発明に従う表示にも使用できるマトリ
クス駆動回路を、示している。たとえば、透明導電体
(たとえば13)は横方向が少くとも表示の寸法とほぼ
等しい本質的に一様な層が、ストライプにパターン形成
され、与えられたストライプには、表示の与えられた列
(又は行)が付随する。
【0026】当業者は本発明の実施例は典型的な場合、
多色放射を放出できる与えられた実効光路長をもつ1な
いし複数(たとえば数ダース又は数千もの)マルチモー
ド微小空胴を含むことを、認識するであろう。
【0027】任意の明るい色が2ないしそれ以上の色成
分の波長及び強度を、適切に選択することによって発生
できることが、よく知られている。たとえば、周知のC
IE表色系を示す図3を、参照のこと。CIE構成にお
いて、任意の光源の色は、図3の軸である2つの軸、x
及びyで表わされる。たとえば、“色”白はx=0.3
3、y=0.33の軸をもつ。
【0028】上述のように、本発明に従う微小空胴エミ
ッタの重要な点は、マルチモード空胴中の空胴が、それ
により同時に維持される2ないしそれ以上のモードを有
するように、空胴の光学的厚さを選択することである。
【0029】図1及び2に示された型の空胴の全光学厚
Lは、次式で表わされる。
【数1】 表式(1)中の第1項は、多層反射器中の実効侵入長、
第2項は空胴中の層の光学的厚さの合計、最後の項は通
常他の2項に比べると小さいが、上部ミラーにおける位
相シフトによるものである。パラメータλは関連した波
長、neff は多層反射器の実効屈折率、Δnは多層反射
器を作る2つの材料間の屈折率差、ni及びLi は空胴
中のi番目の層の屈折率及び実際の厚さである。φm
上部ミラーにおける位相シフトである。位相シフトは、
【数2】 で与えられる。ここで、ns は上部ミラーと接触する材
料の屈折率、nm 及びkm は上部ミラー材料の屈折率の
実部及び虚部である。
【0030】本発明に従う表示が、1以上の光学的厚さ
の微小空胴エミッタを含めることは、明らかであろう。
事実、1つの表示において、ここで述べたような1ない
し複数のマルチモードエミッタを、1ないし複数のシン
グルモードエミッタと組合せることは、可能である。
【0031】光学厚L及びL′のマルチモード微小空胴
エミッタを含むべき表示においては、他のすべての厚さ
は一定にしたまま、充てん層の厚さを変えるのが、有利
である。もちろん、少くとも原理的には、たとえば透明
導電層13、必要に応じて設ける正孔輸送層14又はE
L層15といった空胴中の任意の他の層の厚さ及び考え
られるこれらすべての厚さを変えることによって、同じ
効果が得られる。しかし、製造上の理由により、現在は
適切な充てん層の設定と選択が好ましい。なぜなら、後
者の動作は、たとえばITO 、Alq 又はジアミンといった
他の層材料より、ポリイミド又はSiO2といった充てん材
料で、典型的な場合、現在より容易に制御しうるからで
ある。
【0032】図4及び図5はそれぞれ本発明に従うマル
チモード微小空胴の例の放射スペクトルを示す。図4の
スペクトルを生じるエミッタは、図1のデバイスと同様
の底面発光デバイスで、ガラス基板、4分の1波長SiO2
/Six N Y (92/62)積層、835nmシリコン窒化
物充てん層、11.5nm Au正孔注入接触層、100nm
トリフェニル・ジアミン正孔輸送層、70nm Alq EL
層、パターン形成されたAl電子注入接触及び最上部ミラ
ーを含む。この構造の全実効空胴長は、約2.5μmで
あった。図4から容易にわかるように、ここで述べた構
造の放射スペクトルは、3つのよく規定されたピークを
もち、ピークの外側の強度はほとんどない。放射の明ら
かな色は、オレンジ−赤であった。
【0033】図5は別のマルチモードエミッタの例の放
射スペクトルを示す。この構造は充てん層厚が約40n
m、正孔注入接触層が55nm ITO、Alq EL層厚が
30nmであることを除いて、本質的に上述のものと同様
である。放射の明るい色は白であった。
【0034】マルチモード微小空胴エミッタの放射スペ
クトル(従って明るい色)は、空胴の光路長を変えるこ
とにより、変えられる。しかし、これは明らかな色を制
御する唯一の方法ではない。たとえば、明るい色はま
た、空胴により維持されるモードのノード/アンチノー
ドに対し、デバイスの再結合領域(たとえば Alq/ジア
ミン界面)の位置を変えることによっても、変えられ
る。図7は反射器70により規定されるマルチモード空
胴中の定在波強度パターンの例を、概略的に示す。強度
パターン(71−73)はそれぞれ3次、4次、5次モ
ードを表わす。
【0035】たとえば、もしピークに対応するモード
が、再結合領域中にアンチノードをもつなら、特定のス
ペクトル強度は、比較的強くなるであろう。逆に、特定
のスペクトルピークに付随した放射の定在波パターンの
ノードが、再結合領域中にあるように、デバイスパラメ
ータを選択することにより、ピークの振幅は、比較的弱
くできる。たとえば、図5のスペクトルを生じる構造に
おいて、EL層厚を70nmに変えることによって、図6
のスペクトルが生じ、より高い波長ピークに対し、低い
方の波長ピークの高さが、本質的に減少した。
【0036】放射スペクトルに対する III/V半導体多
層構造中の発光ダイポールの位置の効果について記述し
た理論式が、最近発表された。(ディー・ジー・デッペ
(D. G. Deppe) ら、ジャーナル・オブ・モダン・オ
プティクス(J. of ModernOptics) 、第41(2)
巻、325頁の式7)。同じ式は本発明の有機物を基礎
とするエミッタ構造にも、適用できる。
【0037】現在好ましい方式ではないが、所望の明る
い色を得るために、放射スペクトルを調整する目的で、
外部色フィルターを設けるか、あらかじめ決められたフ
ィルタセットと整合する放射波長を得るために、マルチ
モード微小空胴を用いることも可能である。本発明の構
造の、そのようなすべての変形も考慮されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従う底面発光微小空胴の例の層構造
を、概略的に示す図である。
【図2】本発明に従う上面発光微小空胴の例の層構造
を、概略的に示す図である。
【図3】CIE表色系を示す図である。
【図4】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図5】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図6】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図7】3つの定在波モードを有する空胴を、概略的に
示す図である。
【符号の説明】
10 基板、基体 11 多層ミラー、反射器 12 充てん層 13 透明導電体 14 EL層 15 電子輸送層、反射器 16 最上部電極、最上部反射器、領域 20 基板 21 多層ミラー 22 充てん層 23 透明導電層 24 正孔輸送層 25 EL層 26 金属層 28 散乱層 29 電子輸送層 70 反射器 71 強度パターン、モード 72 強度パターン、モード 73 強度パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティモスィ マーク ミラー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ,ニュープロヴィデンス,デルウィック レーン 2 (72)発明者 ルイス ジョシア ローズバーグ アメリカ合衆国 07960 ニュージャーシ ィ,モリスタウン,ウエスターン アヴェ ニュー 207

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体(10)の主表面上の層構造を含
    み、前記層構造は、 a)実効光路長Lの微小空胴を規定する空間的に離れた
    第1及び第2の反射器(たとえば、11、16); b)エレクトロルミネセンスの可能な有機材料を含み、
    エレクトロルミネセンス・スペクトルは放射領域を含
    み、活性層の少くとも一部は前記反射器の間に配置され
    る活性層(たとえば15);及び c)微小空胴が放射を放出できるよう、活性層の少くと
    も一部を通して電流を流すようにする電極(たとえば1
    3、16);を含む製品において、 d)実効光路長Lは、微小空胴が放射の少くとも2つの
    モード(たとえば、71及び72)を同時に維持するよ
    うなマルチモード空胴で、前記モードのそれぞれは微小
    空胴が少くとも2つのあらかじめ決められた色の放射
    を、同時に放出できるよう、前記エレクトロルミネセン
    ス・スペクトルの前記放射領域内の波長を有することを
    特徴とする製品。
  2. 【請求項2】 層構造は前記反射器間に配置された正孔
    輸送層(たとえば14)及び/又は電子輸送層及び/又
    は充てん層(たとえば12)のいずれか又は全てを更に
    含む請求項1記載の製品。
  3. 【請求項3】 層構造は更に、微小空胴の外部に配置さ
    れた散乱層を含む請求項1又は2記載の製品。
  4. 【請求項4】 Lは前記2つのモードの少くとも1つ
    が、微小空胴の3次又はより高次の定在波モードである
    ように、選択される請求項1〜3のいずれかに記載の製
    品。
  5. 【請求項5】 実効光路長Lの第1の複数の微小空胴を
    含み、必要に応じて更に、実効光路長L′≠Lの第2の
    複数の微小空胴を含む請求項1〜4のいずれかに記載の
    製品。
  6. 【請求項6】 層構造に付随して、再結合領域があり、
    層構造は前記定在波モードの少くとも1つが、本質的に
    再結合領域内のノード又はアンチノードを有するように
    選択される請求項4記載の製品。
  7. 【請求項7】 エレクトロルミネセンスが可能な有機材
    料は、発光性有機ドーパント材料をドープした本質的に
    非発光性母体有機材料を含む請求項1記載の製品。
  8. 【請求項8】 金電極又はAl、In、Mg、Ca及びそれらの
    合金から選択された金属を含む電極の一方又は両方を含
    む請求項1記載の製品。
  9. 【請求項9】 フラットパネル表示、光相互接続を含む
    装置、光ファイバ通信装置又はLED印刷装置である請
    求項1記載の製品。
  10. 【請求項10】 基体は2つの主表面を有するガラス基
    体を含み、ガラス基体の少くとも1つの主表面は、必要
    に応じて、ガラス基体の屈折率より高い屈折率を有する
    被覆材料で被覆される請求項1記載の製品。
  11. 【請求項11】 エレクトロルミネセンスが可能な有機
    材料は、Alq 、芳香族炭化水素、ポリ(フェニレンビニ
    レン)、オキサジアゾール又はスチルベン誘導体及びフ
    マル酸及び4−(ジシアノメチレン)−4H−ピランか
    ら成る類から選択されたドーパントをドープした上述の
    ものから成る類から選択され;前記反射器の1つは、Si
    O2及びSiNx又はSiO2及びTiO2の交互の層を含む多層誘電
    体ミラーを含み、前記反射器の他方は、Al、In、Mg、Ca
    及びそれらの合金から選択された材料を含むパターン形
    成された金属層を含み、活性層の前記少くとも一部に電
    界を印加するための前記電極は、インジウム・スズ酸化
    物又はドープしたポリアニリンを含み、層構造は前記少
    くとも2つの色が、本質的に白の明るい色を供するよう
    選択される請求項1〜10のいずれかに記載の製品。
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