JPH07320864A - 微小空胴光源を含む製品 - Google Patents

微小空胴光源を含む製品

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JPH07320864A
JPH07320864A JP7120306A JP12030695A JPH07320864A JP H07320864 A JPH07320864 A JP H07320864A JP 7120306 A JP7120306 A JP 7120306A JP 12030695 A JP12030695 A JP 12030695A JP H07320864 A JPH07320864 A JP H07320864A
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JP
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layer
microcavity
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layered structure
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JP7120306A
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Inventor
Ananth Dodabalapur
ドダバラプア アナンス
Timothy M Miller
マーク ミラー ティモスィ
Lewis J Rothberg
ジョシア ローズバーグ ルイス
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AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
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Publication date
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、微小空胴光源を含む製品を提供す
る。 【構成】 光微小空胴は、たとえばフラットパネル表示
のような光エミッタとして、潜在的に有用である。その
ような微小空胴は、空胴を規定する２つの空間的に離れ
た反射器（１１、１６）を含み、反射器間に配置された
有機（エレクトロルミネセンス）材料の層（１５）を有
する層構造を含む。出願人は、微小空胴は放射が、たと
えば白のような所望の明るい色を有するようあらかじめ
決められた２又はそれ以上の色の放射を、同時に放射で
きることを見い出した。２ないしそれ以上の色の放射に
は、空胴の実効光路長を、空胴がマルチモード空胴で、
活性材料のエレクトロルミネセンス・スペクトルの放射
領域内に、空胴によって維持された２つ又はそれ以上の
定在波モードの波長を有するように選択することを必要
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微小空胴光源及びそのよ
うな光源を含む製品（たとえば表示）に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術の光微小空胴は、典型的な場
合、光波長のオーダーで、少くとも一次元（ここでは典
型的な場合、空胴の実効光路長）を有する共振器であ
る。そのような共振器は基礎的研究のために興味がもた
れるだけでなく、新しい種類の発光デバイスを構成する
ための技術的約束となるものとして、認識されてきた。
たとえば、エイチ・ヨコヤマ（Ｈ. Ｙokoyama)サイエン
ス（Science)、第２５６巻、６６−７０頁を参照のこ
と。これは特に色素溶液を含む微小空胴について、明ら
かにしている。また、ワイ・ヤマモト（Ｙ. Ｙamamoto)
ら、フィジックス・トデイ（Physics Today)、６６−
７３頁、１９９３年６月を参照のこと。そのような微小
共振器発光デバイスの可能な応用は、たとえばフラット
パネル表示、バックライト、光相互接続、光ファイバ通
信及びＬＥＤ印刷の分野である。
【０００３】１９９３年１１月２２日に出願人が申請し
た米国特許出願第０８／１５６，２１７号は少くとも２
個の微小空胴光エミッタを含み、それらの空胴長は、微
小空胴がそれぞれ第１及び第２の波長で発光するよう、
異なる。エイ・ドダバラプール（Ａ. Ｄodabalapur)
ら、アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Phy
sics Letters ）、第６４（１９）巻、２４８６頁も
参照のこと。
【０００４】少くともいくつかの技術的分野では、たと
えば白のような指定された明るい色の光を放出すること
を、必要とする。そのような放出は典型的な場合、２つ
又はそれ以上の型のＬＥＤからの放射を混合することに
より、得られる。たとえば、ケイ・ムラタ（Ｋ. Ｍurat
a)、ディスプレー・デバイシズ（Display Device
s）、４７−５０頁、１９９２を参照のこと。あるい
は、それらは有機ＬＥＤ中に異なる色の蛍光色素を組込
むことによって、得られる。ジェイ・キド（Ｊ. Ｋido)
ら、アプライド・フィジックス・レターズ（Applied
Physics Letters ）、第６４（７）巻、８１５頁（１
９９４）及びジー・イー・ジョンソン（Ｇ. Ｅ. Ｊohns
on) ら、エス・ピー・アイ・イー（ＳＰＩＥ）、第１９
１０巻、６頁を参照のこと。たとえば、白色光を放出す
るデバイスは、たとえば低電圧ポータブル・バックライ
ト表示のようなものに、関心がもたれる。
【０００５】白色光又は他の混合色を放出する既知のデ
バイスは、ラップ−トップ計算機用の表示のような技術
的用途に対しては、完全に満足というわけではない。た
とえば、ある種の従来技術は典型的な場合、作製が難し
く、他のものは広い波長範囲で発光し、あらかじめ決め
られた波長では、比較的小さなピークに、広い隣接のも
のが重畳するだけである。たとえば、上で引用したジェ
イ・キド（Ｊ. Ｋido）の図２を参照のこと。従って、
あらかじめ決められた明るい色、たとえば本質的に白色
の光を放出でき、比較的容易かつ経済的に作製できる発
光デバイスは、かなり関心がもたれる。本発明はそのよ
うなデバイスを、明らかにする。
【０００６】
【本発明の要約】本発明は特許請求の範囲により、規定
される。それは１ないし複数のマルチモード微小空胴光
エミッタを含み、与えられたエミッタは所望の明い色が
得られるよう、２ないしそれ以上のあらかじめ決められ
た色（たとえば、青及び赤）の放射を、同時に放出する
のに適する。
【０００７】より具体的には、製品は基板（たとえばガ
ラス板）の主表面上の層構造を含む。層構造は空間的に
離れた第１及び第２の反射手段と、エレクトロルミネセ
ンスが得られる有機材料（たとえば、８−ヒドロキシキ
ノリン・アルミニウム、一般にAlq とよばれる。そのよ
うな材料は、“ＥＬ”材料とよばれる）を含む活性層を
含み、活性層の少くとも一部は、反射手段間に配置され
る。第１及び第２の反射手段は、実効光路長Ｌの微小空
胴を、規定する。層構造は更に、微小空胴が発光できる
ように、活性層を通して電流が容易に流れるようにする
手段を含む。
【０００８】重要なことは、空胴の実効光路長Ｌは、空
胴が２ないしそれ以上のあらかじめ決められた色の放射
を、同時に放出できるマルチモード空胴であるように、
選択される。
【０００９】“マルチモード”微小空胴ということで
は、ここでは空胴の２ないしそれ以上の定在波モードが
同時に維持される微小空胴を、意味する。本発明の実施
例において、２ないしそれ以上のモードの波長は、ＥＬ
材料のＥＬスペクトルの放射領域内にあるであろう。典
型的な場合、Ｌはモードの少くとも１つが、微小空胴の
３次はそれ以上の次数の定在波であるように、選択され
る。たとえば、Ｌは７次、８次及び９次モードが、空胴
により同時に維持されるように、選択される。
【００１０】本発明の典型的な実施例は、上述のよう
に、複数のエミッタ構造を含む、しばしばこれらマルチ
モードエミッタのすべてが、本質的に同じ明るい色を放
出するであろうが、その必要はない。２又はそれ以上の
種類のマルチモード・エミッタあるいは１ないし複数の
種類のマルチモード・エミッタ及び１ないし複数の種類
の従来技術の微小空胴エミッタを含む製品も考えられ
る。
【００１１】必要に応じて、活性層は有機ＥＬ材料に加
え、たとえば電子又は正孔輸送層又は電子又は正孔阻止
層又は充てん層といった１ないし複数の層を、含むこと
ができる。ＥＬ材料は典型的な場合、単一層でよく、典
型的な場合、発光性化合物又は発光物質をドープした母
体材料から成る。すべての場合、本発明に従う微小空胴
中のＥＬ材料の放射スペクトルは、空胴長Ｌの関数で、
Ｌが変るとスペクトルは変化する。これは特に本発明の
実施例が、ジェイ・キド（Ｊ．Ｋido)ら（上で引用）に
より明らかにされたデバイスと、異なる点である。後者
の場合、ＥＬ材料のエレクトロルミネセンス・スペクト
ルは３つのピークをもつ。それは材料中に３つの異なる
色素があり、色素の特性によって本質的に決るピークの
波長をもつためである。
【００１２】
【詳細な記述】図１は本発明に従う単一のマルチモード
微小空胴の例に伴う層構造を、概略的に示したもので、
数字１０は基板をさし、数字１１−１５はそれぞれ多層
ミラー、充てん層、透明導電体、正孔輸送層及びＥＬ層
をさす。ｐ形エミッタを有する構造において、層１４は
ＥＬ層でよく、１５は電子輸送層でよい。必要に応じ
て、構造は電子輸送層及び正孔輸送層を含んでよく、Ｅ
Ｌ層は２つの輸送層に、はさまれる。数字１６は最上部
電極及び最上部反射器として働き、微小空胴の横方向の
広がりを規定するパターン形成された金属層の一部をさ
す。領域１６の横方向の寸法は、典型的な場合、空胴の
実効光路長より、はるかに大きい（たとえば、少くとも
５倍）。
【００１３】底面発光構造において、基板は本質的に関
連した波長の放射に対し、透明である。“本質的に透
明”ということは、ここでは、適切な距離において、関
連した波長の放射の減衰が、２５％を越えないことを、
意味する。基板材料の例は、ガラス（TiO2のような高屈
折率材料で片面又は両面が被覆されたガラスを含む）、
サファイヤ、石英、ポリ（エーテルスルホン）のような
透明プラスチックである。
【００１４】多層ミラーは適切に選んだ厚さの本質的に
非吸収材料の交互の層から成る。典型的な場合、各層は
λ／４の厚さであ。ここでλはたとえば約５５０nmとい
ったＥＬ放射スペクトルのほぼ中心波長に対応するよ
う、選択すると有利である。そのようなミラーは、よく
知られている。ミラーの反射率は、周知のように、層対
の数、層厚及び用いる材料の屈折率に依存する。材料対
の例は、SiO2及びSiNx、SiO2及びTiO2である。
【００１５】充てん材料は作製及び動作条件下で、化学
的に安定で、適当な技術により、パターン形成できる任
意の本質的に透明な材料でよい。充てん材料の例は、透
明ポリマ（たとえばポリイミド）又は透明無機誘電体
（たとえば、SiO2又はSi3N4)である。
【００１６】透明（又は半透明）導電体の例は、インジ
ウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）又はドープポリアニリンの
ような導電性ポリマ又は金属（たとえばAu又はAl) の薄
い（たとえば約１０nm）層であり、パターン形成しなく
ても、（たとえば、行又は列に）パターン形成してもよ
い。
【００１７】（必要に応じて設ける）正孔輸送層は、正
孔をＥＬ層に輸送し、そこで電子−正孔再結合が容易に
起るようにする任意の本質的に透明な材料でよい。適切
な材料の例は、ジアミン（たとえば、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−１，
１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン）及びポリ（フ
ェニレンビニレン）である。
【００１８】ＥＬ材料の例は、Alq 、芳香族炭化水素、
ポリ（フェニレンビニレン）、オキサジアゾール及びス
チルベン誘導体である。ＥＬ材料は必要に応じて、ＥＬ
材料の基本成分より小さい禁制帯をもつ発光性材料をド
ープした安定な非発光性母体材料でよい。そのようなド
ーパントの例は、クマリン又はAlq 中の４−（ジシアノ
メチレン）−４Ｈ−ピランである。たとえば、シー・ダ
ヴリュ・ツァン（Ｃ.Ｗ. Ｔang)ら、ジャーナル・アプ
ライド・フィジックス（J. Applied Physics ）、第
６５巻、３６１０頁（１９８９）を参照のこと。そのよ
うなドーピングは、材料のエレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）・スペクトルを、基本的に修正するか、あるいはデ
バイスの効率を上げるために、用いることができる。Ｅ
Ｌ材料のＥＬスペクトルの発光領域は、微小空胴の関連
した空胴モードの重ならなければならないことが、認識
されるであろう。
【００１９】（必要に応じて設ける）電子輸送層（図１
には示されていない）は、関連した電極からＥＬ層への
電子の輸送を容易にする本質的に透明な任意の材料でで
きる。そのような材料の例は、２−（４−ビフェニル）
−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢ
Ｄ）、ブチルＰＢＤ又はポリ（メチルメタクリレート）
（ＰＭＭＡ）又はポリ（カーボネート）といった不活性
ポリマのドープされたもののいずれかである。
【００２０】金属層は電子を隣接層中に注入する働きを
し、金属の単一層又は複数の層の組合せでよい。金属接
触として用いるための低仕事関数材料の例は、Al、In、
Mg、Ca又はMgAgのような合金である。
【００２１】ＥＬ材料を適切に選択することにより、正
孔輸送層及び電子輸送層の１つ（両方の可能性もある）
を、除くことができる。たとえば、Alq はＥＬ材料及び
電子輸送媒体の両方として機能でき、ポリ（フェニレン
ビニレン）はＥＬ材料及び正孔輸送媒体の両方として、
機能できる。
【００２２】電子が透明導電体層から注入され、正孔が
パターン形成された金属層から注入されるように、電子
及び正孔注入接触を、交換できることを、理解すべきで
ある。もし、電子輸送層又は正孔輸送層を用いるなら、
層構造におけるそれらの位置は、たとえば交換するな
ど、適当に変更できる。
【００２３】本発明に従う微小空胴はまた、上面発光構
造でも実施できる。そのようなエミッタにおいては、基
板は透明である必要はない。それは金属（適切な絶縁体
を有する）又はSiのような半導体でよい。図２は上面発
光微小空胴の層構造の例を、概略的に示す。この図で、
数字２０、２６及び２９は、それぞれ基板、パターン形
成された金属層、及び（必要に応じて設ける）電子輸送
層をさし、数字２５−２１はそれぞれＥＬ層、（必要に
応じて設ける）正孔輸送層、透明導電層、（必要に応じ
て設ける）充てん層及び多層ミラーをさす。
【００２４】本発明のいくつかの実施例では、大きな立
体角で発光を無秩序化するのに役立つ散乱層を含んでも
よく、それによって発光の角度依存性がなくなるか、少
くとも減少する。ファブリーペロー空胴効果によるこの
依存性は、たとえば表示のような種の用途では好ましく
なく、本発明に従う表示は、そのような層を含んでもよ
い。図２は散乱層２８を含む（上面発光）実施例を示
す。底面発光実施例では、散乱層の例が、基板及び多層
ミラーの間に配置される。たとえば、散乱層はその中に
コロイド状分散剤（たとえば溶融シリカ）を有する本質
的に透明なポリマ（たとえば、ポリイミド又はＰＭＭ
Ａ）である。それはまた、機械的に荒い表面を有する本
質的に透明な層（たとえばSiNx) でもよい。
【００２５】本発明に従う製品は、典型的な場合、上で
述べたマルチモード微小空胴エミッタ又はエミッタのア
レイに加え、電源及び駆動回路といった通常の要素も含
む。そのような表示には、任意の適切な回路を、使用す
ることが、できる。たとえば、上で引用したケイ・ムラ
タ（Ｋ．Ｍurata)の論文を参照のこと。これは４９頁の
図９において、本発明に従う表示にも使用できるマトリ
クス駆動回路を、示している。たとえば、透明導電体
（たとえば１３）は横方向が少くとも表示の寸法とほぼ
等しい本質的に一様な層が、ストライプにパターン形成
され、与えられたストライプには、表示の与えられた列
（又は行）が付随する。
【００２６】当業者は本発明の実施例は典型的な場合、
多色放射を放出できる与えられた実効光路長をもつ１な
いし複数（たとえば数ダース又は数千もの）マルチモー
ド微小空胴を含むことを、認識するであろう。
【００２７】任意の明るい色が２ないしそれ以上の色成
分の波長及び強度を、適切に選択することによって発生
できることが、よく知られている。たとえば、周知のＣ
ＩＥ表色系を示す図３を、参照のこと。ＣＩＥ構成にお
いて、任意の光源の色は、図３の軸である２つの軸、ｘ
及びｙで表わされる。たとえば、“色”白はｘ＝０．３
３、ｙ＝０．３３の軸をもつ。
【００２８】上述のように、本発明に従う微小空胴エミ
ッタの重要な点は、マルチモード空胴中の空胴が、それ
により同時に維持される２ないしそれ以上のモードを有
するように、空胴の光学的厚さを選択することである。
【００２９】図１及び２に示された型の空胴の全光学厚
Ｌは、次式で表わされる。
【数１】 表式（１）中の第１項は、多層反射器中の実効侵入長、
第２項は空胴中の層の光学的厚さの合計、最後の項は通
常他の２項に比べると小さいが、上部ミラーにおける位
相シフトによるものである。パラメータλは関連した波
長、ｎeff は多層反射器の実効屈折率、Δｎは多層反射
器を作る２つの材料間の屈折率差、ｎi及びＬi は空胴
中のｉ番目の層の屈折率及び実際の厚さである。φm は
上部ミラーにおける位相シフトである。位相シフトは、
【数２】 で与えられる。ここで、ｎs は上部ミラーと接触する材
料の屈折率、ｎm 及びｋm は上部ミラー材料の屈折率の
実部及び虚部である。
【００３０】本発明に従う表示が、１以上の光学的厚さ
の微小空胴エミッタを含めることは、明らかであろう。
事実、１つの表示において、ここで述べたような１ない
し複数のマルチモードエミッタを、１ないし複数のシン
グルモードエミッタと組合せることは、可能である。
【００３１】光学厚Ｌ及びＬ′のマルチモード微小空胴
エミッタを含むべき表示においては、他のすべての厚さ
は一定にしたまま、充てん層の厚さを変えるのが、有利
である。もちろん、少くとも原理的には、たとえば透明
導電層１３、必要に応じて設ける正孔輸送層１４又はＥ
Ｌ層１５といった空胴中の任意の他の層の厚さ及び考え
られるこれらすべての厚さを変えることによって、同じ
効果が得られる。しかし、製造上の理由により、現在は
適切な充てん層の設定と選択が好ましい。なぜなら、後
者の動作は、たとえばITO 、Alq 又はジアミンといった
他の層材料より、ポリイミド又はSiO2といった充てん材
料で、典型的な場合、現在より容易に制御しうるからで
ある。
【００３２】図４及び図５はそれぞれ本発明に従うマル
チモード微小空胴の例の放射スペクトルを示す。図４の
スペクトルを生じるエミッタは、図１のデバイスと同様
の底面発光デバイスで、ガラス基板、４分の１波長SiO2
／Six N Y （９２／６２）積層、８３５nmシリコン窒化
物充てん層、１１．５nm Au正孔注入接触層、１００nm
トリフェニル・ジアミン正孔輸送層、７０nm Alq ＥＬ
層、パターン形成されたAl電子注入接触及び最上部ミラ
ーを含む。この構造の全実効空胴長は、約２．５μｍで
あった。図４から容易にわかるように、ここで述べた構
造の放射スペクトルは、３つのよく規定されたピークを
もち、ピークの外側の強度はほとんどない。放射の明ら
かな色は、オレンジ−赤であった。
【００３３】図５は別のマルチモードエミッタの例の放
射スペクトルを示す。この構造は充てん層厚が約４０n
m、正孔注入接触層が５５nm ＩＴＯ、Alq ＥＬ層厚が
３０nmであることを除いて、本質的に上述のものと同様
である。放射の明るい色は白であった。
【００３４】マルチモード微小空胴エミッタの放射スペ
クトル（従って明るい色）は、空胴の光路長を変えるこ
とにより、変えられる。しかし、これは明らかな色を制
御する唯一の方法ではない。たとえば、明るい色はま
た、空胴により維持されるモードのノード／アンチノー
ドに対し、デバイスの再結合領域（たとえば Alq／ジア
ミン界面）の位置を変えることによっても、変えられ
る。図７は反射器７０により規定されるマルチモード空
胴中の定在波強度パターンの例を、概略的に示す。強度
パターン（７１−７３）はそれぞれ３次、４次、５次モ
ードを表わす。
【００３５】たとえば、もしピークに対応するモード
が、再結合領域中にアンチノードをもつなら、特定のス
ペクトル強度は、比較的強くなるであろう。逆に、特定
のスペクトルピークに付随した放射の定在波パターンの
ノードが、再結合領域中にあるように、デバイスパラメ
ータを選択することにより、ピークの振幅は、比較的弱
くできる。たとえば、図５のスペクトルを生じる構造に
おいて、ＥＬ層厚を７０nmに変えることによって、図６
のスペクトルが生じ、より高い波長ピークに対し、低い
方の波長ピークの高さが、本質的に減少した。
【００３６】放射スペクトルに対する III／Ｖ半導体多
層構造中の発光ダイポールの位置の効果について記述し
た理論式が、最近発表された。（ディー・ジー・デッペ
（Ｄ. Ｇ. Ｄeppe) ら、ジャーナル・オブ・モダン・オ
プティクス（J. of ModernOptics) 、第４１（２）
巻、３２５頁の式７）。同じ式は本発明の有機物を基礎
とするエミッタ構造にも、適用できる。
【００３７】現在好ましい方式ではないが、所望の明る
い色を得るために、放射スペクトルを調整する目的で、
外部色フィルターを設けるか、あらかじめ決められたフ
ィルタセットと整合する放射波長を得るために、マルチ
モード微小空胴を用いることも可能である。本発明の構
造の、そのようなすべての変形も考慮されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従う底面発光微小空胴の例の層構造
を、概略的に示す図である。
【図２】本発明に従う上面発光微小空胴の例の層構造
を、概略的に示す図である。
【図３】ＣＩＥ表色系を示す図である。
【図４】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図５】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図６】マルチモード微小空胴エミッタの例の放射スペ
クトルをそれぞれ示す図である。
【図７】３つの定在波モードを有する空胴を、概略的に
示す図である。
【符号の説明】
１０ 基板、基体 １１ 多層ミラー、反射器 １２ 充てん層 １３ 透明導電体 １４ ＥＬ層 １５ 電子輸送層、反射器 １６ 最上部電極、最上部反射器、領域 ２０ 基板 ２１ 多層ミラー ２２ 充てん層 ２３ 透明導電層 ２４ 正孔輸送層 ２５ ＥＬ層 ２６ 金属層 ２８ 散乱層 ２９ 電子輸送層 ７０ 反射器 ７１ 強度パターン、モード ７２ 強度パターン、モード ７３ 強度パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティモスィ マーク ミラー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ，ニュープロヴィデンス，デルウィック レーン ２ (72)発明者 ルイス ジョシア ローズバーグ アメリカ合衆国 07960 ニュージャーシ ィ，モリスタウン，ウエスターン アヴェ ニュー 207

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体（１０）の主表面上の層構造を含
    み、前記層構造は、 ａ）実効光路長Ｌの微小空胴を規定する空間的に離れた
    第１及び第２の反射器（たとえば、１１、１６）； ｂ）エレクトロルミネセンスの可能な有機材料を含み、
    エレクトロルミネセンス・スペクトルは放射領域を含
    み、活性層の少くとも一部は前記反射器の間に配置され
    る活性層（たとえば１５）；及び ｃ）微小空胴が放射を放出できるよう、活性層の少くと
    も一部を通して電流を流すようにする電極（たとえば１
    ３、１６）；を含む製品において、 ｄ）実効光路長Ｌは、微小空胴が放射の少くとも２つの
    モード（たとえば、７１及び７２）を同時に維持するよ
    うなマルチモード空胴で、前記モードのそれぞれは微小
    空胴が少くとも２つのあらかじめ決められた色の放射
    を、同時に放出できるよう、前記エレクトロルミネセン
    ス・スペクトルの前記放射領域内の波長を有することを
    特徴とする製品。
  2. 【請求項２】 層構造は前記反射器間に配置された正孔
    輸送層（たとえば１４）及び／又は電子輸送層及び／又
    は充てん層（たとえば１２）のいずれか又は全てを更に
    含む請求項１記載の製品。
  3. 【請求項３】 層構造は更に、微小空胴の外部に配置さ
    れた散乱層を含む請求項１又は２記載の製品。
  4. 【請求項４】 Ｌは前記２つのモードの少くとも１つ
    が、微小空胴の３次又はより高次の定在波モードである
    ように、選択される請求項１〜３のいずれかに記載の製
    品。
  5. 【請求項５】 実効光路長Ｌの第１の複数の微小空胴を
    含み、必要に応じて更に、実効光路長Ｌ′≠Ｌの第２の
    複数の微小空胴を含む請求項１〜４のいずれかに記載の
    製品。
  6. 【請求項６】 層構造に付随して、再結合領域があり、
    層構造は前記定在波モードの少くとも１つが、本質的に
    再結合領域内のノード又はアンチノードを有するように
    選択される請求項４記載の製品。
  7. 【請求項７】 エレクトロルミネセンスが可能な有機材
    料は、発光性有機ドーパント材料をドープした本質的に
    非発光性母体有機材料を含む請求項１記載の製品。
  8. 【請求項８】 金電極又はAl、In、Mg、Ca及びそれらの
    合金から選択された金属を含む電極の一方又は両方を含
    む請求項１記載の製品。
  9. 【請求項９】 フラットパネル表示、光相互接続を含む
    装置、光ファイバ通信装置又はＬＥＤ印刷装置である請
    求項１記載の製品。
  10. 【請求項１０】 基体は２つの主表面を有するガラス基
    体を含み、ガラス基体の少くとも１つの主表面は、必要
    に応じて、ガラス基体の屈折率より高い屈折率を有する
    被覆材料で被覆される請求項１記載の製品。
  11. 【請求項１１】 エレクトロルミネセンスが可能な有機
    材料は、Alq 、芳香族炭化水素、ポリ（フェニレンビニ
    レン）、オキサジアゾール又はスチルベン誘導体及びフ
    マル酸及び４−（ジシアノメチレン）−４Ｈ−ピランか
    ら成る類から選択されたドーパントをドープした上述の
    ものから成る類から選択され；前記反射器の１つは、Si
    O2及びSiNx又はSiO2及びTiO2の交互の層を含む多層誘電
    体ミラーを含み、前記反射器の他方は、Al、In、Mg、Ca
    及びそれらの合金から選択された材料を含むパターン形
    成された金属層を含み、活性層の前記少くとも一部に電
    界を印加するための前記電極は、インジウム・スズ酸化
    物又はドープしたポリアニリンを含み、層構造は前記少
    くとも２つの色が、本質的に白の明るい色を供するよう
    選択される請求項１〜１０のいずれかに記載の製品。
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DE (1) DE69510863T2 (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001039554A1 (en) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Display device
US6392338B1 (en) 1998-04-23 2002-05-21 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate
JP2002299057A (ja) * 2001-03-21 2002-10-11 Agilent Technol Inc 有機発光装置
JP2003123987A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振器
JP2003151761A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Osaka Industrial Promotion Organization 有機ｅｌ素子を含む発光素子およびそれを用いた光インターコネクション装置
US6639250B1 (en) 1999-08-20 2003-10-28 Seiko Epson Corporation Multiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
KR100411184B1 (ko) * 2001-09-28 2003-12-18 학교법인 서강대학교 고 효율의 적색 유기발광 고분자 및 이를 이용한 전기발광소자
JP2004111398A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd 光学共振効果を利用した有機電界発光素子
JP2004336033A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Eastman Kodak Co 無機スペーサ層を有する垂直キャビティレーザ装置
JP2005026686A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Eastman Kodak Co 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法
JP2005038586A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光ピックアップ装置
WO2005086541A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2005086540A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP2006332064A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Novaled Ag 透明発光部品
JP2007053115A (ja) * 1999-11-22 2007-03-01 Sony Corp 表示装置
JP2007507851A (ja) * 2003-10-07 2007-03-29 イーストマン コダック カンパニー 白色発光マイクロキャビティｏｌｅｄデバイス
KR100715500B1 (ko) * 2004-11-30 2007-05-07 (주)케이디티 미세공동 유기 발광 소자와 광 여기 발광층을 이용한 광원
JP2008527626A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 光共振器を有する電子デバイス
KR101009868B1 (ko) * 2002-08-20 2011-01-19 이스트맨 코닥 캄파니 전력변환능이 개선된 수직 공동 광-생성 디바이스
JP2012507175A (ja) * 2008-10-28 2012-03-22 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色ｏｌｅｄ
US8435810B2 (en) 2010-02-25 2013-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display device
US8525154B2 (en) 2004-11-10 2013-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device having optical resonance layer
US8530888B2 (en) 2010-02-24 2013-09-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR20170115655A (ko) * 2016-04-07 2017-10-18 한국전자통신연구원 이중모드 디스플레이

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804919A (en) * 1994-07-20 1998-09-08 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
US6404127B2 (en) 1993-07-20 2002-06-11 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Multi-color microcavity resonant display
US5469018A (en) * 1993-07-20 1995-11-21 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
US6614161B1 (en) 1993-07-20 2003-09-02 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Resonant microcavity display
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5617445A (en) * 1995-06-07 1997-04-01 Picolight Incorporated Quantum cavity light emitting element
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US6211613B1 (en) 1996-04-10 2001-04-03 Cambridge Display Technology Limited High contrast electroluminescent displays
US5773130A (en) * 1996-06-06 1998-06-30 Motorola, Inc. Multi-color organic electroluminescent device
EP0814642A1 (en) * 1996-06-22 1997-12-29 Ultra Silicon Technology (UK) Limited Improvements in efficiency of electroluminescent devices
US6160828A (en) * 1997-07-18 2000-12-12 The Trustees Of Princeton University Organic vertical-cavity surface-emitting laser
US5881089A (en) * 1997-05-13 1999-03-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising an organic laser
US5932895A (en) * 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
CA2296028A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation An electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US6016033A (en) * 1997-07-11 2000-01-18 Fed Corporation Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US5949187A (en) * 1997-07-29 1999-09-07 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with plural microcavities
JPH1167448A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ディスプレイ装置
US6326224B1 (en) * 1998-04-27 2001-12-04 Motorola, Inc. Method of purifying a primary color generated by an OED
US6111270A (en) * 1998-04-27 2000-08-29 Motorola, Inc. Light-emitting apparatus and method of fabrication
US6133692A (en) * 1998-06-08 2000-10-17 Motorola, Inc. White light generating organic electroluminescent device and method of fabrication
GB9813326D0 (en) * 1998-06-19 1998-08-19 Cambridge Display Tech Ltd Backlit displays
GB9815271D0 (en) * 1998-07-14 1998-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Particles and devices comprising particles
EP1022709B1 (en) 1998-07-24 2005-08-10 Seiko Epson Corporation Display
EP1039784B1 (en) * 1998-09-02 2006-03-29 Seiko Epson Corporation Light source and display device
US6362566B2 (en) * 1998-09-11 2002-03-26 Motorola, Inc. Organic electroluminescent apparatus
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
GB9901334D0 (en) * 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
WO2000065879A1 (en) * 1999-04-28 2000-11-02 Emagin Corporation Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element
GB2349979A (en) * 1999-05-10 2000-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
US7123359B2 (en) * 1999-05-17 2006-10-17 Arrowhead Center, Inc. Optical devices and methods employing nanoparticles, microcavities, and semicontinuous metal films
US6608716B1 (en) 1999-05-17 2003-08-19 New Mexico State University Technology Transfer Corporation Optical enhancement with nanoparticles and microcavities
GB2351840A (en) 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
EP1124274A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-16 Motorola, Inc. Organic electroluminescent apparatus
GB2369428B (en) * 2000-11-22 2004-11-10 Imperial College Detection system
JP3508741B2 (ja) * 2001-06-05 2004-03-22 ソニー株式会社 表示素子
DE60228661D1 (de) * 2001-09-21 2008-10-16 Fujifilm Corp Organische elektrolumineszente Vorrichtung
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
GB0124595D0 (en) * 2001-10-12 2001-12-05 Savair & Aro Ltd Pressure sensor
US6888305B2 (en) * 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US20030103193A1 (en) * 2001-12-05 2003-06-05 O'donnell Eugene Murphy Use of resonant microcavity display FED for the illumination of a light valve projector
US6674776B2 (en) * 2002-02-04 2004-01-06 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity lasing devices containing periodic gain regions
DE10310341A1 (de) * 2002-03-29 2003-10-23 Ritek Corp Mehrschicht-Spiegel für eine Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür
CA2419121A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-03 Luxell Technologies, Inc. Dark layer for an electroluminescent device
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
US6728278B2 (en) * 2002-05-23 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser array device
DE10228939A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Elektrolumineszierende Vorrichtung mit transparenter Kathode
JP4094386B2 (ja) * 2002-09-02 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
TWI282650B (en) * 2002-10-11 2007-06-11 Eastman Kodak Co Organic vertical cavity lasing devices having organic active region
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US20040179566A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-16 Aharon El-Bahar Multi-color stacked semiconductor lasers
JP2004327634A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ発振器
WO2005002010A1 (ja) * 2003-06-27 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機レーザー装置
US8283679B2 (en) * 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates
US20050008052A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-13 Ryoji Nomura Light-emitting device
US6928095B2 (en) * 2003-07-18 2005-08-09 Eastman Kodak Company Organic vertical cavity laser array device with varying pixel sizes
US7129634B2 (en) 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US7180238B2 (en) * 2004-04-08 2007-02-20 Eastman Kodak Company Oled microcavity subpixels and color filter elements
US20060140239A1 (en) * 2004-04-23 2006-06-29 Negro Luca D Silicon rich nitride CMOS-compatible light sources and Si-based laser structures
KR100651936B1 (ko) * 2004-06-04 2006-12-06 엘지전자 주식회사 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
US7208863B2 (en) * 2004-07-09 2007-04-24 Eastman Kodak Company Light emitting devices with patterned angular color dependency
GB0418333D0 (en) * 2004-08-17 2004-09-22 Cambridge Display Tech Ltd Enhanced emission of light from organic light emitting diodes
US7489074B2 (en) * 2004-09-28 2009-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reducing or eliminating color change for microcavity OLED devices
DE602005023891D1 (de) * 2004-10-12 2010-11-11 Philips Intellectual Property Elektroluminsezente lichtquelle
US20060214151A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and laser apparatus using the light-emitting element
WO2007004106A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device
US7846391B2 (en) 2006-05-22 2010-12-07 Lumencor, Inc. Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
US8503849B2 (en) * 2007-03-27 2013-08-06 The Governors Of The University Of Alberta Channel assemblies
US7709811B2 (en) 2007-07-03 2010-05-04 Conner Arlie R Light emitting diode illumination system
US8098375B2 (en) 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
US7888858B2 (en) * 2007-08-21 2011-02-15 Global Oled Technology Llc Light emitting diode device incorporating a white light emitting layer in combination with a plurality of optical microcavities
KR101434362B1 (ko) * 2007-10-17 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이 장치
US8525200B2 (en) * 2008-08-18 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode with non-metallic reflector
US8198819B2 (en) 2008-09-17 2012-06-12 Switch Bulb Company, Inc. 3-way LED bulb
DE102008042701A1 (de) * 2008-10-09 2010-04-15 How To Organize Gmbh Linearmotor für optische Systeme
US8242462B2 (en) 2009-01-23 2012-08-14 Lumencor, Inc. Lighting design of high quality biomedical devices
WO2012009344A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-19 Wake Forest University Conjugated polymeric systems and applications thereof
US8466436B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US8389957B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
DE102011107360A1 (de) * 2011-06-29 2013-01-03 Karlsruher Institut für Technologie Mikrooptisches Element, mikrooptisches Array und optisches Sensorensystem
US9103528B2 (en) 2012-01-20 2015-08-11 Lumencor, Inc Solid state continuous white light source
TWI501439B (zh) * 2012-04-19 2015-09-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 影像顯示系統
US9217561B2 (en) 2012-06-15 2015-12-22 Lumencor, Inc. Solid state light source for photocuring
US9335267B2 (en) * 2012-07-09 2016-05-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Near-IR laser-induced vibrational overtone absorption systems and methods for material detection
US8901852B2 (en) 2013-05-02 2014-12-02 Switch Bulb Company, Inc. Three-level LED bulb microprocessor-based driver
US9666822B2 (en) 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
DE102014214721A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur orts- und wellenlängenaufgelösten Erfassung von Lichtstrahlung, die von mindestens einer OLED oder LED emittiert wird
EP3016159B1 (en) * 2014-10-27 2021-12-08 LG Display Co., Ltd. White organic light emitting device
KR102631878B1 (ko) * 2016-06-28 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US11031577B1 (en) 2019-11-26 2021-06-08 OLEDWorks LLC Multimodal microcavity OLED with multiple blue emitting layers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2553696B2 (ja) * 1989-03-24 1996-11-13 松下電器産業株式会社 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
US5369657A (en) * 1992-09-15 1994-11-29 Texas Instruments Incorporated Silicon-based microlaser by doped thin films
US5306385A (en) * 1992-09-15 1994-04-26 Texas Instruments Incorporated Method for generating photoluminescence emission lines from transition element doped CAF2 thin films over a Si-based substrate
US5363398A (en) * 1993-09-30 1994-11-08 At&T Bell Laboratories Absorption resonant rare earth-doped micro-cavities
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392338B1 (en) 1998-04-23 2002-05-21 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate
US6639250B1 (en) 1999-08-20 2003-10-28 Seiko Epson Corporation Multiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
JP2010212257A (ja) * 1999-11-22 2010-09-24 Sony Corp 表示装置
US7102282B1 (en) 1999-11-22 2006-09-05 Sony Corporation Display device with a cavity structure for resonating light
US7218049B2 (en) 1999-11-22 2007-05-15 Sony Corporation Display device
JP4548404B2 (ja) * 1999-11-22 2010-09-22 ソニー株式会社 表示装置
JP4174989B2 (ja) * 1999-11-22 2008-11-05 ソニー株式会社 表示装置
US7710025B2 (en) 1999-11-22 2010-05-04 Sony Corporation Display device using an organic electroluminescence device having resonant cavity
JP4730469B2 (ja) * 1999-11-22 2011-07-20 ソニー株式会社 表示装置
JP2007053115A (ja) * 1999-11-22 2007-03-01 Sony Corp 表示装置
WO2001039554A1 (en) * 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Display device
JP2002299057A (ja) * 2001-03-21 2002-10-11 Agilent Technol Inc 有機発光装置
KR100411184B1 (ko) * 2001-09-28 2003-12-18 학교법인 서강대학교 고 효율의 적색 유기발광 고분자 및 이를 이용한 전기발광소자
JP2003123987A (ja) * 2001-10-11 2003-04-25 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光共振器
JP2003151761A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Osaka Industrial Promotion Organization 有機ｅｌ素子を含む発光素子およびそれを用いた光インターコネクション装置
KR101009868B1 (ko) * 2002-08-20 2011-01-19 이스트맨 코닥 캄파니 전력변환능이 개선된 수직 공동 광-생성 디바이스
JP2004111398A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Samsung Nec Mobile Display Co Ltd 光学共振効果を利用した有機電界発光素子
JP2004336033A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Eastman Kodak Co 無機スペーサ層を有する垂直キャビティレーザ装置
JP4584633B2 (ja) * 2003-06-30 2010-11-24 イーストマン コダック カンパニー 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法
JP2005038586A (ja) * 2003-06-30 2005-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光ピックアップ装置
JP2005026686A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Eastman Kodak Co 誘電体積層体におけるエッチングされた領域を有機垂直空洞共振器レーザーアレイに提供する方法
JP2007507851A (ja) * 2003-10-07 2007-03-29 イーストマン コダック カンパニー 白色発光マイクロキャビティｏｌｅｄデバイス
JP2011054583A (ja) * 2003-10-07 2011-03-17 Global Oled Technology Llc 白色発光マイクロキャビティｏｌｅｄデバイス
WO2005086540A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
WO2005086541A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US8525154B2 (en) 2004-11-10 2013-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device having optical resonance layer
KR100715500B1 (ko) * 2004-11-30 2007-05-07 (주)케이디티 미세공동 유기 발광 소자와 광 여기 발광층을 이용한 광원
JP2008527626A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 光共振器を有する電子デバイス
JP2011142106A (ja) * 2004-12-30 2011-07-21 E I Du Pont De Nemours & Co 光共振器を有する電子デバイス
JP2006332064A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Novaled Ag 透明発光部品
JP2012507175A (ja) * 2008-10-28 2012-03-22 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色ｏｌｅｄ
JP2016106381A (ja) * 2008-10-28 2016-06-16 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色ｏｌｅｄ
US8530888B2 (en) 2010-02-24 2013-09-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US8435810B2 (en) 2010-02-25 2013-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display device
KR20170115655A (ko) * 2016-04-07 2017-10-18 한국전자통신연구원 이중모드 디스플레이

Also Published As

Publication number Publication date
US5478658A (en) 1995-12-26
DE69510863D1 (de) 1999-08-26
US5674636A (en) 1997-10-07
DE69510863T2 (de) 2000-01-13
EP0683623A1 (en) 1995-11-22
EP0683623B1 (en) 1999-07-21

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