KR20070108865A - 미러 스택을 갖는 전자 장치 - Google Patents

미러 스택을 갖는 전자 장치 Download PDF

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KR20070108865A
KR20070108865A KR1020077017478A KR20077017478A KR20070108865A KR 20070108865 A KR20070108865 A KR 20070108865A KR 1020077017478 A KR1020077017478 A KR 1020077017478A KR 20077017478 A KR20077017478 A KR 20077017478A KR 20070108865 A KR20070108865 A KR 20070108865A
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KR
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layer
radiation
mirror stack
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KR1020077017478A
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지안 왕
강 유
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

일 실시예에서, 전자 장치, 그 제조 방법은 물론 그 전자 장치를 포함하는 장치 및 서브어셈블리가 제공된다. 예를 들어, 이러한 전자 장치(도 4 참조)는 제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자(172), 제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자(174), 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제1 미러 스택(30) - 제1 미러 스택은 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함함 -, 및 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제2 미러 스택(40) - 제2 미러 스택은 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 을 포함할 수 있다.
전자 장치, 미러 스택, 광활성, OLED, 유기 활성층

Description

미러 스택을 갖는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE HAVING A MIRROR STACK}
상호 참조
본 출원은 2004년 12월 30일자로 출원된 미국 가특허 출원 제60/640,783호 및 2005년 6월 28일자로 출원된 제60/694,874호를 우선권 주장한다. 게다가, 본 출원은 2005년 12월 21일자로 출원된 미국 특허 출원 제 호(대리인 문서 번호 DPUC-0142/UC0490 PCT NA)에 관한 것이다. 상기 출원들 전부는 여기에 인용함으로써 그 전체 내용이 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 일반적으로 전자 장치 및 프로세스에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 미러 스택을 갖는 전자 장치, 이를 제조하는 물질 및 방법에 관한 것이다.
유기 전자 장치는 전기 에너지를 방사로 변환하거나, 전자 프로세스를 통해 신호를 검출하거나, 방사를 전기 에너지로 변환하거나, 하나 이상의 유기 반도체층을 포함한다. 유기 전자 장치는 디스플레이, 센서 어레이, 광기전력 전지, 기타 등등에서 사용될 수 있다. 소분자 유기 발광 다이오드(SMOLED) 및 폴리머 발광 다이오드(PLED)(이 둘다는 유기 발광 다이오드(OLED)임)는 유기 전자 디스플레이의 유형들이다. 그렇지만, 이러한 디스플레이에서 완전 컬러를 실현하는 것은 문제가 되어 왔다. 예를 들어, CIE 표준을 만족시키는 색 순도(color purity)를 갖는 유 기 물질을 제조하기가 어려운데, 그 이유는 대부분의 유기 물질이 넓은 방출 또는 투과 스펙트럼을 갖기 때문이다. 이 단점을 극복하려는 종래의 시도는 복잡한 제조 프로세스를 수반하거나 좋지 않은 신뢰성 또는 낮은 콘트라스트를 갖는 장치를 생성하는 경향이 있다.
따라서, 상기 단점 및 결점을 해소하는 유기 전자 장치, 및 이를 형성하는 프로세스가 필요하다.
일 실시예에서, 전자 장치, 그 제조 방법은 물론 그 전자 장치를 포함하는 장치 및 서브어셈블리가 제공된다. 예를 들어, 이러한 전자 장치는 제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자, 제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자, 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제1 미러 스택 - 제1 미러 스택은 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함함 -, 및 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제2 미러 스택 - 제2 미러 스택은 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 을 포함할 수 있다.
이상의 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명은 단지 예시적이고 설명적인 것에 불과하며 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명을 제한하는 것이 아니다.
본 명세서에 제공된 개념들에 대한 이해를 증진시키기 위해 첨부 도면들에 실시예들에 도시되어 있다.
도 1 내지 도 9는 유기 전자 장치 형성의 개략도.
도 10은 미러 스택을 갖는 경우의 방출 스펙트럼.
도 11은 미러 스택을 갖지 않는 경우의 방출 스펙트럼.
도면은 예로서 제공된 것이며 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 당업자라면 도면들에서의 객체들이 간단함 및 명백함을 위해 예시되어 있으며 반드시 축척에 따라 그려져 있는 것은 아니라는 것을 잘 알 것이다. 예를 들어, 도면에서의 객체들 중 어떤 것의 크기는 실시예들에 대한 이해의 증진에 도움이 되도록 다른 객체들에 대해 확대되어 있을 수 있다.
일 실시예에서, 전자 장치가 제공된다. 이 전자 장치는 제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자, 제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자, 상기 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제1 미러 스택 - 상기 제1 미러 스택은 상기 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함함 -, 및 상기 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제2 미러 스택 - 상기 제2 미러 스택은 상기 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 전자 장치는 제3 파장을 갖는 제3 방사에 광활성이도록 설계된 제3 전자 소자, 및 상기 제1, 제2 및 제3 전자 소자에 인접한 제3 미러 스택 - 상기 제3 미러 스택은 상기 제3 방사를 반사하도록 설계된 제3 층들의 쌍을 포함함 - 을 더 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 전자 소자는 청색광을 방출하도록 구성된 제1 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 전자 소자는 녹색광을 방출하도록 구성된 제2 유기 발광층을 포함하며, 상기 제3 전자 소자는 적색광을 방출하도록 구성된 제3 유기 발광층을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 전자 장치는 반사체를 더 포함하며, 상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제1 및 제2 전자 소자와 상기 반사체 사이에 위치한다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 미러 스택 각각은 2보다 큰 짝수개의 층을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 미러 스택은 제1 중간층을 더 포함하고, 상기 제2 미러 스택은 제2 중간층을 더 포함한다.
일 실시예에서, 제1 유기 활성층이 상기 제1 전자 소자 내에 있고, 제2 유기 활성층이 상기 제2 전자 소자 내에 있다.
일 실시예에서, 전자 장치를 형성하는 프로세스가 제공된다. 이 프로세스는 제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자를 형성하는 단계, 제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자를 형성하는 단계, 제1 미러 스택을 형성하는 단계 - 상기 제1 미러 스택은 상기 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함함 -, 및 제2 미러 스택을 형성하는 단계 - 상기 제2 미러 스택은 상기 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제1 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제1 실제 두께를 갖도록 형성되며, 상기 제2 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제2 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제2 실제 두께를 갖도록 형성된다.
일 실시예에서, 상기 프로세스는 제3 파장을 갖는 제3 방사에 광활성이도록 설계된 제3 전자 소자를 형성하는 단계, 및 제3 미러 스택을 형성하는 단계 - 이 제3 미러 스택은 상기 제3 방사를 반사하도록 설계된 제3 층들의 쌍을 포함함 - 를 더 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제3 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제3 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제3 실제 두께를 갖는다.
일 실시예에서, 상기 제1 전자 소자는 청색광을 방출하도록 구성된 제1 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 전자 소자는 녹색광을 방출하도록 구성된 제2 유기 발광층을 포함하며, 상기 제3 전자 소자는 적색광을 방출하도록 구성된 제3 유기 발광층을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제1 전자 소자와 상기 전자 장치의 사용자 표면 사이에 있으며, 상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제2 전자 소자와 상기 전자 장치의 상기 사용자 표면 사이에 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 미러 스택을 형성하는 단계 각각은 2보다 큰 짝수개의 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 프로세스는 상기 제1 및 제2 방사를 거의 반사시키는 반사체를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제1 전자 소자와 상기 반사체 사이에 있다.
일 실시예에서, 상기 프로세스는 상기 제1 층들의 쌍의 층들 사이에 제1 중간층을 형성하는 단계, 및 상기 제2 층들의 쌍의 층들 사이에 제2 중간층을 형성하 는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 전자 소자를 형성하는 단계는 제1 유기 활성층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 전자 소자를 형성하는 단계는 제2 유기 활성층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기한 전자 장치를 포함하는 조성물이 제공된다.
일 실시예에서, 상기한 전자 장치를 포함하는 활성층을 갖는 유기 전자 장치가 제공된다.
일 실시예에서, 상기한 전자 장치를 포함하는, 유기 전자 장치의 제조에 유용한 물품이 제공된다.
일 실시예에서, 상기한 화합물 및 적어도 하나의 용제, 처리 보조제, 전하 수송 물질 또는 전하 차단 물질을 포함하는 조성물이 제공된다. 이들 조성물은 용제, 에멀션 및 콜로이드 분산을 비롯한 임의의 형태일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
정의
단수 관형사의 사용은 본 발명의 요소 및 구성요소를 기술하기 위해 이용된다. 이렇게 하는 것은 단지 편의상이며 본 발명의 일반적인 의미를 제공하기 위한 것에 불과하다. 본 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 다른 의미를 갖는 것이 명확하지 않는 한, 단수는 복수도 포함한다.
용어 "활성"은, 층 또는 물질을 말할 때, 전자 또는 전기-방사 특성을 나타내는 층 또는 물질을 의미하기 위한 것이다. 활성층 물질은 방사를 방출할 수 있 거나 방사를 수신할 때 전자-정공쌍의 농도의 변화를 나타낼 수 있다. 따라서, 용어 "활성 물질"은 전자적으로 장치의 동작을 용이하게 해주는 물질을 말한다. 활성 물질의 예는 전하를 전도, 주입, 수송 또는 차단하는 물질을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 여기서 전하는 전자 또는 정공 중 어느 하나일 수 있다. 비활성 물질의 예는 평탄화 물질, 절연 물질, 및 환경 장벽 물질을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
용어 "실제 두께"는 전자 장치 또는 다른 물리적 객체 내의 하나 이상의 층들의 두께를 의미하기 위한 것이다.
용어 "인접한"은 반드시 층, 부재 또는 구조가 다른 층, 부재 또는 구조 바로 옆에 있는 것을 의미하는 것은 아니다. 서로 직접 접촉하는 층(들), 부재(들) 또는 구조(들)의 조합은 여전히 서로 인접해 있다.
용어 "에 인접한"은, 장치에서의 하나 이상의 층, 하나 이상의 부재 또는 하나 이상의 구조의 임의의 조합을 말하는 데 사용될 때, 반드시 하나의 층, 부재 또는 구조가 다른 층, 부재 또는 구조 바로 옆에 있는 것을 의미하는 것은 아니다. 서로 직접 접촉하는 층(들), 부재(들) 또는 구조(들)는 여전히 서로 인접해 있다.
용어 "어레이", "주변 회로" 및 "원격 회로"는 전자 장치의 서로 다른 영역 또는 구성요소를 의미하기 위한 것이다. 예를 들어, 어레이는 질서있는 배열(보통 열 및 행으로 지정됨) 내의 픽셀, 셀, 또는 다른 구조를 포함할 수 있다. 어레이 내의 픽셀, 셀 또는 다른 구조는 어레이와 동일한 기판 상에 있지만 어레이 자체 외부에 있을 수 있는 주변 회로에 의해 제어될 수 있다. 원격 회로는 일반적으로 주변 회로로부터 멀리 떨어져 있으며 (일반적으로 주변 회로를 거쳐) 어레이로 신호를 전송하거나 그로부터 신호를 수신할 수 있다. 원격 회로는 또한 어레이와 관계없는 기능을 수행할 수 있다. 원격 회로는 어레이를 갖는 기판 상에 존재하거나 존재하지 않을 수 있다.
용어 "청색 발광 유기층"은 대략 400 내지 500 nm 범위의 파장에서 방사 최대값을 갖는 방사를 방출할 수 있는 유기층을 의미하기 위한 것이다.
용어 "계산된 두께"는 방정식에 의해 구해지는 하나 이상의 층의 두께를 의미하기 위한 것이다. 실제 두께 및 계산된 두께는 서로 같거나 다를 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "구비한다", "구비하는", "포함한다", "포함하는", "갖는다", "갖는" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 포괄하기 위한 것이다. 예를 들어, 일련의 요소들을 포함하는 프로세스, 방법, 물품 또는 장치는 반드시 그 요소들만으로 한정되는 것이 아니라 명시적으로 열거되거나 이러한 프로세스, 방법, 물품 또는 장치에 본질적이지 않은 다른 요소들을 포함할 수 있다. 게다가, 정반대로 명시적으로 언급되지 않는 한, "또는"은 포함적 논리합(inclusive or)을 말하며 배타적 논리합(exclusive or)을 말하지 않는다. 예를 들어, 조건 A 또는 B는 이하의 것들, 즉 A가 참(또는 존재)이고 B가 거짓(또는 부존재)인 경우, A가 거짓(또는 부존재)이고 B가 참(또는 존재)인 경우, 및 A 및 B 둘다가 참(또는 존재)인 경우 중 임의의 것에 의해 만족된다.
용어 "전자 소자"는 전기 또는 전자-방사(예를 들어, 전기-광학) 기능을 수행하는 회로의 최하위 레벨 유닛을 의미하기 위한 것이다. 전자 소자는 트랜지스 터, 다이오드, 저항기, 커패시터, 인덕터, 반도체 레이저, 광학 스위치, 기타 등등을 포함할 수 있다. 전자 소자는 기생 저항(예를 들어, 배선의 저항) 또는 기생 커패시턴스(예를 들어, 도체 간의 커패시터가 의도하지 않거나 우발적인 것인 서로 다른 전자 소자에 전기적으로 연결되어 있는 2개의 도체 간의 용량 결합)을 포함하지 않는다.
용어 "전자 장치"는, 적절히 전기적으로 연결되어 적합한 전위(들)를 공급받을 때, 공동으로 기능을 수행하는 회로, 전자 소자 또는 이들의 조합의 집합체를 의미하기 위한 것이다. 전자 장치는 시스템을 포함하거나 그의 일부일 수 있다. 전자 장치의 예는 디스플레이, 센서 어레이, 컴퓨터 시스템, 항공 전자 시스템, 자동차, 셀룰러 전화, 다른 가전 또는 산업 전자 제품, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다.
용어 "녹색 발광 유기층"은 대략 500 내지 600 nm 범위의 파장에서 방사 최대값을 갖는 방사를 방출할 수 있는 유기층을 의미하기 위한 것이다.
용어 "바로 인접한"은 2개 이상의 객체가 서로의 근방에 있고 또 이러한 2개 이상의 객체 사이에 다른 중요한 객체가 있지 않은 것을 의미하기 위한 것이다. 일 실시예에서, 이 2개 이상의 객체는 서로 닿아 있다. 다른 실시예에서, 2개 이상의 객체는 중요하지 않은 간극에 의해 분리되어 있을 수 있다(예를 들어, 연속적인 배열). 객체들 중 임의의 것은 층, 부재, 구조 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
용어 "층"은 용어 "막"과 상호 교환가능하게 사용되며, 원하는 영역을 덮고 있는 코팅을 말한다. 이 영역은 전체 장치 또는 실제의 시각 디스플레이 등의 특정 기능 영역만큼 크거나 단일의 서브픽셀만큼 작을 수 있다. 막은 기상 증착 및 액체 증착을 비롯한 임의의 종래의 증착 기술에 의해 형성될 수 있다. 액체 증착 기술은 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 스프레이-코팅 및 연속 노즐 코팅 등의 연속 증착 기술, 및 잉크젯 인쇄, 그라비어 인쇄, 및 스크린 인쇄 등의 불연속 증착 기술을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
용어 "미러 스택(mirror stack)"은 복수의 층을 의미하기 위한 것이며, 이 복수의 층은 미러로서 기능한다. 일 실시예에서, 미러 스택은 하나 이상의 Bragg 반사체를 포함할 수 있다.
용어 "유기 활성층"은 유기층들 중 적어도 하나가, 그 자체로서 또는 다른 물질과 접촉하고 있을 때, 정류 접합을 형성할 수 있는 하나 이상의 유기층을 의미하기 위한 것이다.
용어 "유기 전자 장치"는 하나 이상의 반도체층 또는 물질을 포함하는 장치를 의미하기 위한 것이다. 유기 전자 장치는 (1) 전기 에너지를 방사로 변환하는 장치(예를 들어, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 다이오드 레이저, 또는 조명 패널), (2) 전자 프로세스를 통해 신호를 검출하는 장치(예를 들어, 광 검출기, 광전도성 셀, 포토레지스터, 광스위치, 포토트랜지스터, 광전관, 적외선(IR) 검출기, 또는 바이오센서), (3) 방사를 전기 에너지로 변환하는 장치(예를 들어, 광기전력 장치 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체층을 포함하는 하나 이상의 전자 소자를 포함하는 장치(예를 들어, 트랜지스터 또는 다이오드)를 포 함하지만, 이에 한정되지 않는다. 용어 "장치"는 또한 메모리 저장 장치, 정전기 방지막, 바이오센서, 전기변색 장치(electrochromic device), 고체 전해질 커패시터, 충전가능 배터리 등의 에너지 저장 장치, 및 전자기 차폐 응용을 위한 코팅 물질을 포함한다.
용어 "유기층"은 층들 중 적어도 하나가 탄소, 및 수소, 산소, 질소, 불소, 기타 등등의 적어도 하나의 다른 원소를 포함하는 물질을 포함하는 하나 이상의 층을 의미하기 위한 것이다.
용어 "층들의 쌍"은 짝수개의 층을 의미하기 위한 것으로서 2, 4, 6, 8 또는 그 이상의 층을 포함할 수 있다.
"광활성"은 (발광 다이오드 또는 화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화될 때 광을 방출하거나 (광검출기에서와 같이) 인가된 바이어스 전압이 있거나 없는 경우 방사 에너지에 응답하여 신호를 발생하는 물질을 말한다.
용어 "방사-방출 소자"는 적절히 바이어스될 때, 목표 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사를 방출하는 전자 소자를 의미하기 위한 것이다. 이 방사는 가시광 스펙트럼 내에 또는 가시광 스펙트럼 밖에(UV 또는 IR) 있을 수 있다. 발광 다이오드는 방사-방출 소자의 일례이다.
용어 "방사-반응 소자"는, 적절히 바이어스될 때, 목표 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사에 반응할 수 있는 전자 소자를 의미하기 위한 것이다. 이 방사는 가시광 스펙트럼 내에 또는 가시광 스펙트럼 밖에(UV 또는 IR) 있을 수 있다. IR 센서 및 광기전력 전지는 방사-반응 소자의 예들이다.
용어 "정류 접합"은, 한 유형의 전하 캐리어가 한쪽 방향으로 접합을 통해 반대쪽 방향에 비해 더 용이하게 흐르는, 반도체층 내의 접합 또는 반도체층과 다른 물질 간의 계면에 의해 형성되는 접합을 의미하기 위한 것이다. pn 접합은 다이오드로서 사용될 수 있는 정류 접합의 일례이다.
용어 "적색 발광 유기층"은 대략 600 내지 700 nm 범위의 파장에서 방사 최대값을 갖는 방사를 방출할 수 있는 유기층을 의미하기 위한 것이다.
용어 "기판"은 강성이나 가요성이 있을 수 있고 또 하나 이상의 물질(유리, 폴리머, 금속 또는 세라믹 물질, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않음)의 하나 이상의 층을 포함할 수 있는 가공물(workpiece)을 의미하기 위한 것이다.
용어 "사용자 표면"은 전자 장치의 정상 동작 동안에 주로 사용되는 전자 장치의 표면을 의미하기 위한 것이다. 디스플레이의 경우, 사용자가 보는 전자 장치의 표면이 사용자 표면이 된다. 센서 또는 광기전력 전지의 경우, 사용자 표면은 감지되거나 전기 에너지로 변환되는 방사를 주로 투과시키는 표면이 된다. 유의할 점은 전자 장치가 2개 이상의 사용자 표면을 가질 수 있다는 것이다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술 및 과학 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에 기술된 것과 유사하거나 동등한 방법 및 물질이 본 발명의 실시예의 실시 또는 테스트에 사용될 수 있지만, 적당한 방법 및 물질이 이하에 기술되어 있다. 본 명세서에 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 다른 참조 문헌은, 특정의 구절이 인용되어 있지 않더라도, 인용함으로써 그 전체 내용이 본 명세서에 포함된다. 상충이 있는 경우, 정의를 포함한 본 명세서가 우선한다. 게다가, 물질들, 방법들 및 예들은 단지 예시적인 것으로서 제한하기 위한 것이 아니다.
본 명세서에 기술되어 있지 않은 경우, 특정의 물질, 처리 동작 및 회로에 관한 많은 상세가 종래 기술이며 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광기전력 및 반도체 부재 기술에서의 교과서 및 다른 자료에서 발견될 수 있다.
실시예
본 명세서에 기술된 개념들은 청구 범위에 기술된 본 발명의 범위를 제한하지 않는 이하의 예들에서 더 기술될 것이다.
전자 장치와 관련하여 광 공진기를 사용하는 것은 2005년 12월 21일자로 출원된 공동 양도된 미국 특허 출원 제 호(대리인 문서 번호 DPUC-0142/UC0490 PCT NA)에 기술되어 있으며, 이 출원은 여기에 인용함으로써 그 전체 내용이 본 명세서에 포함된다.
일 실시예에서, 예를 들어, 미러 스택의 일부로서 하나 이상의 Bragg 반사체가 사용될 수 있다. Bragg 반사체는 서로 다른 굴절율을 갖는 2개의 서로 다른 물질의 교대로 있는 1/4 파장층(quarter-wave layer)을 갖는 유전체 층상 구조를 갖는다.
공진 파장은 수학식 1에 대응한다.
Figure 112007055043110-PCT00001
여기서, n1, n2 및 d1, d2는 각각 유전체층의 굴절율 및 두께이다.
특정의 파장을 반사시키기 위해, 서로 다른 굴절율을 갖는 2개의 서로 다른 물질의 적어도 2개의 1/4 파장층이 존재해야만 한다. Bragg 반사체에서의 한 주기는 상기 식을 만족시키는 2개의 서브층, (n1, d1) 및 (n2, d2)를 갖는다. 특정의 파장을 반사시키는 Bragg 반사체는 하나 이상의 주기를 갖는다. 주기의 수는 반사 스펙트럼의 형상 및 피크 반사율의 결정한다. 수학식 1은 어느 파장이 반사되는지를 결정한다.
(파장 λ 및 λ'을 반사시키는) 2개의 공진 모드를 갖기 위해, 2개의 서로 다른 주기를 갖는 2개의 Bragg 반사체가 적층된다. 제1 Bragg 반사체는 이하의 식을 만족시켜야만 하고,
Figure 112007055043110-PCT00002
제2 Bragg 반사체는 이하의 식을 만족시켜야만 한다.
Figure 112007055043110-PCT00003
여기서, n3, n4 및 d3, d4는 유전체층의 굴절율 및 두께이다.
완전 컬러 디스플레이에서 3개의 공진 모드가 요구되는 경우, 상기한 2개의 적층 Bragg 반사체의 경우와 유사하게, 3개의 서로 다른 주기를 갖는 3개의 Bragg 반사체가 적층되어야만 한다. 서로 다른 주기를 갖는 몇개의 Bragg 반사체가 적층되는 경우, 또는 로컬 주기가 위치의 증가 함수인 비주기적 층상 매질이 사용되는 경우, 광대역 Bragg 반사체가 제조될 수 있다. 각각의 Bragg 반사체는 각각의 파장에 대한 반사체로서 기능한다. 대역폭이 상당한 중첩을 가지기에 충분히 넓은 경우, 전체 Bragg 반사체는 넓은 대역의 광을 반사시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 완성된 전자 장치에서, Bragg 반사체의 미러 스택은 각각의 광 방출기를 포함하는 3가지 유형의 전자 소자에 대한 방사 경로에 있을 수 있다. 예를 들어, 제1 유형의 전자 소자는 청색광 방출기일 수 있고, 제2 유형의 전자 소자는 녹색광 방출기일 수 있으며, 제3 유형의 전자 소자는 적색광 방출기일 수 있다. 제1, 제2 및 제3 미러 스택 각각은 청색, 녹색 및 적색 방출기에 대한 방사 경로 내에 각각 있을 수 있다. 다른 실시예에서, 백색광 방출기가 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 미러 스택은 435, 535 및 635 nm의 방사(각각이 예를 들어 대략 50 nm의 대역폭을 가짐)를 방출하도록 설계될 수 있다.
본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 동일한 유형의 광 방출기(예를 들어, 백색광 방출기) 또는 서로 다른 유형의 광 방출기(예를 들어, 청색, 녹색 및 적색 방출기)를 갖는 미러 스택이 사용될 수 있다는 것을 잘 알 것이다.
다른 유형의 방출기와 관련하여 일 실시예가 사용될 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 유형의 전자 소자를 갖는 전자 장치는, 가시 영역인지 여부에 상관없이, 또다른 파장 또는 파장 스펙트럼용으로 설계된다. 일 실시예는, 예를 들어, 방사 센서, 광기전력 전지, 다른 방사-방출 또는 방사-반응 전자 소자 또는 이들의 임의의 조합 등의 다른 유형의 전자 소자와 관련하여 이용될 수 있다. 방사 센서에서 사용될 때, 미러 스택은 관심의 특정 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사와 비교하여 관심이 없는 방사의 파장의 세기를 감소시키는 데 도움이 줄 수 있다.
미러 스택은 방사 경로에서 거의 아무곳에나 위치될 수 있다. 예를 들어, 미러 스택은 전자 소자와 전자 장치의 사용자 측면 사이에 있을 수 있다(예를 들어, 장치가 방출기인 경우, 광을 방출하는 장치의 측면, 장치가 검출기인 경우, 광을 수신하는 장치의 측면, 기타 등등).
일 실시예에서, 제3 유형의 전자 소자는 청색광 방출기일 수 있다. 다른 실시예에서, 적외선, 자외선, 기타 등등의 가시광 스펙트럼 밖의 하나 이상의 스펙트럼에 대해 하나 이상의 다른 유형의 전자 소자가 사용될 수 있다. 서로 다른 주기를 갖는 복수의 주기적인 층상 매질을 적층함으로써, 몇개의 파장이 공진 모드로서 사용될 수 있다.
도 1은 전자 장치의 형성 동안에 전자 소자(172, 174, 176)가 제조되어 있는 기판(12)의 일부분의 단면도를 나타낸 것이다. 기판(12)은 유리 또는 다른 세라믹 물질, 플라스틱, 또는 이들의 임의의 조합 등의 절연 물질을 포함할 수 있는 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 기판(12)은 강성 또는 가요성일 수 있으며, 방사를 투과시킬 수 있거나 투과시키지 못할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치의 사용자 측면은 기판(12)의 반대쪽이다. 이 실시예에서, 기판(12)을 통한 방사의 투과는 중요하지 않다. 다른 실시예에서, 전자 장치의 사용자 측면은 전자 소자(172, 174, 176)의 측면의 반대쪽의 기판(12)의 측면일 수 있다. 이 실시예에서, 전자 소자(172, 174, 176)에 의해 방출되거나 반응되는 방사의 적어도 70%가 기판(12)을 통해 투과될 수 있다. 도 1 내지 도 6에 나타낸 실시예에서, 하부-방출 전자 장치(즉, 기판(12)이 전자 장치(10)의 사용자 측면 상에 있는 경우)가 형성되고 있으며, 따라서 기판(12)을 통한 방사의 투과는 중요하지 않다.
제1 전극(14)이 기판(12) 상부에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전극(14)은 디스플레이에 대한 공통 애노드로서 기능할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 전극(14)은 기판(12) 내의 제어 회로(도시 생략)에 연결되어 있을 수 있는 복수의 제1 전극으로 대체될 수 있다. 제1 전극(14)은 종래에 OLED 내의 애노드에 사용되는 하나 이상의 물질의 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 제1 전극(14)은 제1 전극(14)에 입사하는 방사의 일부 또는 거의 전부를 반사할 수 있다. 한 특정실시예에서, 제1 전극(14)은 제1 층 및 제2 층(도시 생략)을 포함할 수 있으며, 제1 층은 제2 층과 비교하여 기판(12)에 더 가깝게 있다. 제1 층은 제1 층에 도달하는 방사의 일부 또는 거의 전부를 반사할 수 있으며 은, 알루미늄, 다른 부분적으 로 또는 높은 반사성을 갖는 전도성 물질, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 제2 층은 제1 층과 비교하여 비교적 더 투명한 층을 포함할 수 있으며 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 기타 등등을 포함할 수 있다. 제1 전극(14)은 전도성 유기 폴리머를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
유기층(162, 164, 166)은 제1 전극(14) 상부에 형성될 수 있다. 유기층(162, 164, 166)은 거의 동일한 또는 다른 조성을 가질 수 있으며 하나 이상의 층을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기층(162, 164, 166)은 동일한 또는 서로 다른 유기 활성층을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 유기층(162)은 청색 발광 유기층을 포함할 수 있으며, 유기층(164)은 녹색 발광 유기층을 포함할 수 있고, 유기층(166)은 적색 발광 유기층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 유기층(162, 164, 166) 각각은 백색 발광 유기층을 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 유기 활성층(들)과 관련하여 하나 이상의 다른 유기층이 사용될 수 있다. 이러한 다른 층(들)은 버퍼층, 전하-차단층, 전하-주입층, 전하-수송층, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 유기층(162, 164, 166) 중 임의의 것은 단일층을 포함할 수 있으며, 단일층의 서로 다른 부분은 서로 다른 목적으로 쓰인다(예를 들어, 한 부분은 정공-수송층으로서 기능하고 다른 부분은 전계 발광층으로서 기능한다). 또다른 실시예에서, 유기층(162, 164, 166) 중 임의의 하나 이상은, 예를 들어, 센서 또는 광기전력 전지 등과 같이 방사에 반응하도록 설계될 수 있다. 유기층(162, 164, 166)의 조성 및 두께는, 예를 들어, 종래의 것일 수 있 다.
일 실시예에서, 유기층(162, 164, 166) 각각 내의 각각의 층은 소분자 또는 폴리머(공중합체를 포함하거나 포함하지 않을 수 있음) 물질을 포함할 수 있다. 유기층(162, 164, 166) 중 임의의 하나 이상을 형성하기 위해 종래의 증착이 사용될 수 있다. 이 증착은 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발, 스퍼터링, 기타 등등), 캐스팅(casting), 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 연속 인쇄, 기타 등등을 포함할 수 있다. 유기층(162, 164, 166) 각각은 증착된 대로 패터닝될 수 있거나 증착된 다음에 패터닝될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 하나 이상의 기판 구조(도시 생략)가 유기층(162, 164, 166)을 형성하기 이전에 기판(12) 상부에 형성될 수 있다. 기판 구조의 예는 우물 구조, 캐소드 분리막, 기타 등등을 포함할 수 있다.
제2 전극(18)은 유기층(162, 164, 166) 상부에 형성될 수 있다. 제2 전극(18)은 전자 소자(172, 174, 176)에 대한 캐소드로서 기능할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전극(18)은 제1 층 및 제2 층을 포함할 수 있으며, 제1 층은 제2 층과 비교하여 유기층(162, 164, 166)에 더 가깝게 있다. 제1 층은, 예를 들어, 비교적 낮은 일함수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 이러한 물질의 예는, 예를 들어, 1족 금속(예를 들어, Li, Cs, 기타), 2족(알칼리 토금속) 금속(예를 들어, Mg, Ca, 기타), 알칼리 금속 화합물(예를 들어, Li2O, LiBO2, 기타), 란탄족 또는 악티늄족을 비롯한 희토류 금속, 임의의 이러한 금속의 합금, 또는 이들의 임의의 조합을 포함 할 수 있다. 제1 층은 또한, 예를 들어, LiF, CsF, MgF2, CaF2, 기타 등등의 알칼리 불화물(alkali fluoride) 또는 알칼리토류 불화물(alkaline earth fluoride)을 포함할 수 있다. 낮은 일함수를 갖는 전도성 폴리머도 사용될 수 있다.
제2 층은 전자 장치(10)의 처리 동안에 제1 층을 보호하는 데 도움이 되는 물질을 포함할 수 있다. 제2 층은 제1 층과 비교하여 공기 중에서 더 안정적일 수 있다. 제2 층은, 예를 들어, ITO, IZO, AZO, Ag, Al 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 제2 전극(18)은 유기층(162, 164, 166)으로부터 방출되는 방사 또는 유기층(162, 164, 166)이 반응하도록 설계되어 있는 방사에 투명하거나 부분적으로 투명할 수 있다. 한 특정 실시예에서, 제2 층은 부분적으로 방사를 반사한다.
제2 전극(18)은 증착된 대로 패터닝되거나 하나 이상의 종래 기술을 사용하여 증착된 다음에 패터닝될 수 있다. 도시되어 있지는 않지만, 완성된 전자 장치에서, 제2 전극(18)은 제어 회로에 연결되어 있을 수 있다. 다른 대안으로서, 개별적인 제1 전극들이 사용되는 경우, 공통의 제2 전극도 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전극(18)은 최대 1 미크론의 두께를 갖는다.
선택적인 평탄화층(22)이 도 2에 나타낸 바와 같이 전자 소자(172, 174, 176) 사이에 형성될 수 있다. 평탄화층(22)은, 예를 들어, 미러 스택 등의 차후에 형성되는 층에 대한 토폴로지 변화를 감소시키는 데 도움이 될 수 있다. 평탄화층(22)은 전기적 절연성의 유기 또는 무기 물질의 하나 이상의 층을 포함할 수 있 다. 평탄화층(22)은 증착된 대로 패터닝되거나 증착된 다음에 패터닝될 수 있다. 평탄화층(22)의 상부 표면의 높이는 제2 전극(18)의 상부 표면과 대략 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 이 높이는 상당히 다를 수 있다.
또다른 실시예에서, 전자 소자(172, 174, 176) 사이에 기판 구조(도시 생략)가 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 기판 구조 및 평탄화층(22)의 상부 표면이 대략 동일한 높이에 있도록 평탄화층(22)이 기판 구조의 개구부 내에 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 이들 상부 표면은 상당히 다를 수 있다. 또다른 실시예에서, 평탄화층(22), 기판 구조, 또는 둘다가 사용되지 않는다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 미러 스택(30)이 전자 소자(172, 174, 176) 상부에 형성된다. 제1 미러 스택(30)은 한쌍의 층(32, 34)을 포함할 수 있다. 제1 미러 스택(30)은 파장 또는 파장 스펙트럼용으로 설계될 수 있다. 일 실시예에서, 전자 소자(172, 174, 176)는 각각 청색 발광 소자, 녹색 발광 소자 및 적색 발광 소자일 수 있다. 제1 미러 스택(30)은 청색광, 녹색광 또는 적색광용으로 설계될 수 있다. 한 특정 실시예에서, 제1 미러 스택(30)은 청색광용으로 설계될 수 있다. 이 실시예에서, 청색광은 400 내지 500 nm에 대응하는 파장 스펙트럼을 갖는 방사에 대응한다. 400 내지 500 nm 내의 임의의 파장이 사용될 수 있으며, 한 특정 실시예에서, 435 nm일 수 있다. 다른 실시예에서, 이 파장은 전자 소자(172)에 대한 방출 최대값에 대응할 수 있다.
층(32, 34) 각각에 대한 계산된 두께는 수학식 1, 2, 3 중 임의의 것에 의해 결정될 수 있다. 이 두께를 계산하기 위해, 제1 목표 파장 및 제1 굴절율이 결정 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 목표 파장은 435 nm이다. 이 굴절율은 층(32, 34)에 사용되는 하나 이상의 물질에 의존할 수 있다. 미러 스택 내의 층에 대해 거의 무한한 수의 물질이 사용될 수 있다. 층(32, 34) 또는 제1 미러 스택(30) 내의 모든 층의 전기적 특성은 전도성에서 반도체성으로, 또 절연성으로까지 변할 수 있다.
미러 스택 내의 층에 대한 가능한 물질은 하나 이상의 무기 물질을 포함할 수 있다. 무기 물질의 예는 원소 금속(예를 들어, W, Ta, Cr, In, 기타 등등), 금속 합금(예를 들어, Mg-Al, Li-Al, 기타 등등), 금속 산화물(예를 들어, CrxOy, FexOy, In2O3, SnO, ZnO, 기타 등등), 금속 합금 산화물(예를 들어, InSnO, AlZnO, AlSnO, 기타 등등), 금속 질화물(예를 들어, AlN, WN, TaN, TiN, 기타 등등), 금속 합금 질화물(예를 들어, TiSiN, TaSiN, 기타 등등), 금속 산질화물(예를 들어, AlON, TaON, 기타 등등), 금속 합금 산질화물, 14족 산화물(예를 들어, SiO2, GeO2, 기타 등등), 14족 질화물(예를 들어, Si3N4, 실리콘-과다 Si3N4, 기타 등등), 14족 산질화물(예를 들어, 실리콘 산질화물, 실리콘-과다 산질화물, 기타 등등), 14족 물질(예를 들어, 흑연, Si, Ge, SiC, SiGe, 기타 등등), 13-15족 반도체 물질(예를 들어, GaAs, InP, GaInAs, 기타 등등), 12-16족 반도체 물질(예를 들어, ZnS, ZnSe, CdS, ZnSSe, 기타 등등) 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 원소 금속은 본질적으로 단일의 원소로 이루어진 층을 말하며, 다른 금속 원소를 갖는 균질 합금 또는 다른 원소를 갖는 분자 화합물이 아니다. 금속 합금의 목적상, 실리콘은 금속으로 간주될 수 있다. 많은 실시예들에서, 금속은, 원소 금속이든 분자 화합물(예를 들어, 금속 산화물, 금속 질화물, 기타 등등)의 일부이든지 간에, 크롬, 탄탈륨, 금, 기타 등등을 포함하는 전이 금속(원소의 주기율표에서 3족 내지 12족 내의 원소)일 수 있다.
미러 스택 내의 층에 대한 가능한 물질은 하나 이상의 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 물질은 폴리올레핀(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 기타 등등), 폴리에스테르(예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 기타 등등), 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리메타크릴로니트릴, 과불소화 또는 부분 불소화 폴리머(예를 들어, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌과 폴리스티렌의 공중합체, 기타 등등), 폴리카보네이트, 폴리염화비닐, 폴리우레탄, 호모폴리머 또는 아크릴산이나 메타크릴산의 에스테르의 공중합체를 비롯한 폴리아크릴 수지, 에폭시 수지, 노보락 수지, 유기 전하 수송 화합물(예를 들어, 테트라티아풀발렌 테트라시아노퀴노디메탄(TTF-TCNQ) 기타 등등), 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
또다른 실시예에서, 미러 스택 내의 층은 하나 이상의 무기 물질 및 하나 이상의 유기 물질의 조합을 포함할 수 있다.
물질(들)의 굴절율은 기술 핸드북을 사용하여 결정될 수 있다. 다른 대안으로서, 물질(들)의 굴절율은 종래의 광학 측정 도구(예를 들어, 엘립소미터)를 사용하여 결정될 수 있다. 어떤 예시적인 굴절율은 SiO2에 대한 1.5, Si3N3에 대한 2.0, 및 많은 폴리머 물질에 대한 1.6을 포함한다.
일 실시예에서, 목표 파장은 635 nm일 수 있으며, 층(32)은 SiO2(η = 1.5)를 포함할 수 있다. 이전의 식들 중 임의의 것을 사용하여, 층(32)에 대한 계산된 두께는 대략 73 nm일 수 있다. 어떤 프로세스 여유를 고려하여, 실제 두께는, 예를 들어, 계산된 두께의 +/- 10%일 수 있다. 한 특정 실시예에서, 층(32)의 실제 두께는 66 내지 80 nm의 범위에 있을 수 있다. 층(32)의 굴절율이 1.6인 경우, 계산된 두께는 대략 68 nm이고, 실제 두께의 범위는 61 내지 75 nm일 수 있다.
층(34)은 미러 스택 내의 층에 대한 상기한 물질들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 층(34)은 층(32)과 비교하여 다른 조성을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 층(32, 34)은, 이들 층 사이에 계면이 형성될 수 있는 경우, 거의 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 층(34)은 Si3N4(η = 2.0)를 포함할 수 있으며, 따라서 계산된 두께는 대략 54 nm이고, 실제 두께의 범위(예를 들어, +/- 10%)는 49 내지 59 nm일 수 있다.
제1 미러 스택(30) 내의 층들 각각은 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발, 스퍼터링, 기타 등등), 캐스팅, 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 연속 인쇄, 기타 등등의 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 실시예(도시 생략)에서, 제1 미러 스택(30)은 하나 이상의 부가적인 층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 미러 스택(30)은 하나 이상의 층들의 쌍들을 포함할 수 있다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 그의 요구 또는 요 망을 달성하기 위해 미러 스택 내의 층들의 조성 및 두께를 결정할 수 있게 된다.
제2 미러 스택(40)은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 전자 소자(172, 174, 176) 상부에 형성될 수 있다. 제2 미러 스택(40)은 한쌍의 층(42, 44)을 포함할 수 있다. 제2 미러 스택(40)은 제1 미러 스택(30)과 다른 파장 또는 파장 스펙트럼용으로 설계될 수 있다. 제2 미러 스택(40)은 청색광, 녹색광 또는 적색광용으로 설계될 수 있다. 한 특정 실시예에서, 제2 미러 스택(40)은 녹색광용으로 설계될 수 있다. 이 실시예에서, 녹색광은 500 내지 600 nm에 대응하는 파장 스펙트럼을 갖는 방사에 대응할 수 있다. 500 내지 600 nm 내의 임의의 파장이 사용될 수 있으며, 한 특정 실시예에서, 535 nm이다. 다른 실시예에서, 이 파장은 전자 소자(174)에 대한 방출 최대값에 대응할 수 있다.
층(42, 44) 각각에 대한 계산된 두께는 수학식 1, 2 또는 3 중의 임의의 것을 사용하여 결정될 수 있다. 이 두께를 계산하기 위해, 제2 목표 파장 및 제2 굴절율이 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 목표 파장은 535 nm이다. 이 굴절율은 층(42, 44)에 사용되는 하나 이상의 물질에 의존할 수 있다. 층(42, 44) 또는 제2 미러 스택(40) 내의 모든 층에 대한 전기적 특성이 전도성, 반전도성 또 절연성까지 다양할 수 있다.
제1 미러 스택(30) 내의 층(32, 34)과 관련하여 상기한 물질들 중 임의의 하나 이상이 제2 미러 스택(40) 내의 층(42, 44)을 비롯한 층들에 대해 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 목표 파장은 535 nm일 수 있으며, 층(42)은 SiO2(η = 1.5)를 포함할 수 있다. 이전의 식들 중 임의의 것을 사용하여, 층(42)에 대한 계산된 두께는 대략 89 nm일 수 있다. 어떤 프로세스 여유를 고려하여, 실제 두께는, 예를 들어, 계산된 두께의 +/- 10%일 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 층(42)의 실제 두께는 80 내지 98 nm의 범위에 있을 수 있다. 층(42)의 굴절율이 1.6인 경우, 제1 계산된 두께는 대략 84 nm이고, 실제 두께의 범위는 76 내지 92 nm일 수 있다.
층(44)은 미러 스택 내의 층에 대한 상기한 물질들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 층(44)은 층(42)과 비교하여 다른 조성을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 층(42, 44)은, 이들 층 사이에 계면이 형성될 수 있는 경우, 거의 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 층(44)은 Si3N4(η = 2.0)를 포함할 수 있으며, 따라서 계산된 두께는 대략 67 nm이고, 실제 두께의 범위는 60 내지 74 nm일 수 있다.
제2 미러 스택(40) 내의 층들 각각은 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발, 스퍼터링, 기타 등등), 캐스팅, 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 연속 인쇄, 기타 등등의 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 실시예(도시 생략)에서, 제2 미러 스택(40)은 하나 이상의 부가적인 층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 미러 스택(40)은 하나 이상의 층들의 쌍들을 포함할 수 있다.
제3 미러 스택(50)은, 도 5에 나타낸 바와 같이, 전자 소자(172, 174, 176) 상부에 형성될 수 있다. 제3 미러 스택(50)은 한쌍의 층(52, 54)을 포함할 수 있다. 제3 미러 스택(50)은 제1 미러 스택(30) 및 제2 미러 스택(40)과 다른 파장 또는 파장 스펙트럼용으로 설계될 수 있다. 제3 미러 스택(50)은 청색광, 녹색광 또는 적색광용으로 설계될 수 있다. 한 특정 실시예에서, 제3 미러 스택(50)은 적색광용으로 설계될 수 있다. 이 실시예에서, 적색광은 600 내지 700 nm에 대응하는 파장 스펙트럼을 갖는 방사에 대응할 수 있다. 600 내지 700 nm 내의 임의의 파장이 사용될 수 있으며, 한 특정 실시예에서, 635 nm이다. 다른 실시예에서, 이 파장은 전자 소자(176)에 대한 방출 최대값에 대응할 수 있다.
층(52, 54) 각각에 대한 계산된 두께는 수학식 1, 2 또는 3 중의 임의의 것을 사용하여 결정될 수 있다. 이 두께를 계산하기 위해, 제3 목표 파장은 635 nm이다. 이 굴절율은 층(52, 54)에 사용되는 하나 이상의 물질에 의존할 수 있다. 층(52, 54) 또는 제3 미러 스택(50) 내의 모든 층에 대한 전기적 특성이 전도성, 반전도성 또 절연성까지 다양할 수 있다.
제1 미러 스택(30) 내의 층(32, 34)과 관련하여 상기한 물질들 중 임의의 하나 이상이 제3 미러 스택(50) 내의 층(52, 54)을 비롯한 층들에 대해 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 목표 파장은 635 nm일 수 있으며, 층(52)은 SiO2(η = 1.5)를 포함할 수 있다. 이전의 식들 중 임의의 것을 사용하여, 층(52)에 대한 계산된 두께는 대략 106 nm일 수 있다. 어떤 프로세스 여유를 고려하여, 실제 두께는, 예 를 들어, 계산된 두께의 +/- 10%일 수 있다. 한 특정 실시예에서, 층(52)의 실제 두께는, 예를 들어, 95 내지 117 nm의 범위에 있을 수 있다. 층(52)의 굴절율이 1.6인 경우, 계산된 두께는 대략 99 nm이고, 실제 두께의 범위는 89 내지 109 nm일 수 있다.
층(54)은 미러 스택 내의 층에 대한 상기한 물질들 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 층(54)은 층(52)과 비교하여 다른 조성을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 층(52, 54)은, 이들 층 사이에 계면이 형성될 수 있는 경우, 거의 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 층(54)은 Si3N4(η = 2.0)를 포함할 수 있으며, 따라서 계산된 두께는 대략 79 nm이고, 실제 두께의 범위는 71 내지 87 nm일 수 있다.
제3 미러 스택(50) 내의 층들 각각은 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발, 스퍼터링, 기타 등등), 캐스팅, 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 연속 인쇄, 기타 등등의 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 실시예(도시 생략)에서, 제3 미러 스택(50)은 하나 이상의 부가적인 층들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3 미러 스택(50)은 하나 이상의 층들의 쌍들을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 5에 도시되지 않은 다른 회로가 임의의 수의 이전에 기술된 또는 부가적인 층들을 사용하여 형성될 수 있다. 도시되어 있지는 않지만, 어레이 외부에 있을 수 있는 주변 영역(도시 생략)에 회로를 고려하기 위해 부가적인 절연 층(들) 및 상호 연결층(들)이 형성될 수 있다. 이러한 회로는 행 또는 열 디코더, 스트로브(예를 들어, 행 어레이 스트로브, 열 어레이 스트로브, 기타 등등), 센스 증폭기, 기타 등등을 포함할 수 있다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 거의 완성된 전자 장치(60)를 형성하기 위해 선택적인 건조제(도시 생략)를 갖는 덮개(62)가 어레이 외부의 위치(도시 생략)에서 기판(12)에 부착될 수 있다. 간극(64)이 층(54)와 덮개(62) 사이에 있거나 있지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 방사가 덮개(62)를 통해 투과된다. 가시광 스펙트럼 내의 방사가 전자 장치(60)로부터 방출되거나 그에 의해 수신되는 경우, 덮개(62)에 입사하는 방사의 적어도 70%가 덮개(62)를 통해 투과된다. 일 실시예에서, 이 덮개(62)는 유리를 포함할 수 있다. 방사가 덮개(62)를 통해 전자 소자(172, 174, 176)에 의해 방출 또는 수신될 필요가 없는 경우, 덮개(62)는 방사를 투과시킬 수 있거나 투과시키지 못할 수도 있다. 이러한 실시예에서, 덮개(62)는, 유리, 금속, 기타 등등을 비롯한 광범위한 물질 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 덮개(62)에 사용되는 하나 이상의 물질 및 부착 프로세스는 종래의 것일 수 있다.
건조제가 사용되는 경우, 건조제의 위치는 건조제가 충분한 방사가 전자 장치(60)로부터 방출되거나 그에 의해 수신될 수 있게 해줄 수 있는지 여부에 달려 있을 수 있다. 가시광 스펙트럼 내의 방사가 전자 장치(60)로부터 방출되거나 그에 의해 수신되는 경우, 건조제에 입사하는 방사의 적어도 70%가 건조제를 통해 투과될 수 있다. 건조제가 충분한 방사가 투과될 수 있게 해주지 못하는 경우, 건조제는 방사의 투과를 그다지 방해하지 않는 하나 이상의 위치에 있을 수 있다. 이 러한 위치는 어레이 외부, 또는 전자 장치(60)의 상면도에서 볼 때, 전자 소자(172, 174, 176) 사이의 위치를 포함할 수 있다. 방사가 건조제를 통해 전자 소자(172, 174, 176)에 의해 방출되거나 수신될 필요가 없는 경우, 건조제는 덮개(62)를 따라 거의 어느 장소에라도 위치될 수 있다. 간극(64)이 건조제와 제3 미러 스택(50)의 최상부 표면 사이에 있을 수 있다. 건조제 내의 하나 이상의 물질 및 그의 덮개(62)에의 부착은 종래 방식이다.
대안적인 실시예(도시 생략)에서, 덮개(62)를 부착하는 것 대신에 또는 그 이전에 제3 미러 스택(50) 상부에 캡슐화층이 형성될 수 있다. 덮개(62)와 유사하게, 캡슐화층 내의 물질의 선택은 방사가 캡슐화층을 통해 투과되어야 하는지 여부에 의존하거나 의존하지 않을 수 있다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 방사가 캡슐화층을 통해 투과되어야 하는지 또는 투과될 필요가 없는지에 따라 캡슐화층의 조성 및 두께를 결정할 수 있다. 캡슐화층에 대한 하나 이상의 물질 및 캡슐화층의 증착이 사용될 수 있다.
완성된 전자 장치(60)에서, 미러 스택(30, 40, 50) 각각은 전자 소자(172, 174, 176) 각각에 대한 방사 경로 내에 있을 수 있다. 미러 스택(30, 40, 50)이 한 유형의 전자 소자와 관련되어 있는 특정의 파장 또는 파장 스펙트럼을 위해 설계될 수 있지만(예를 들어, 전자 소자(172)는 적색 발광 유기층을 포함할 수 있고 미러 스택(30)은 적색광용으로 설계될 수 있음), 미러 스택(30, 40, 50)은 다른 특정의 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사에 광활성인 다른 유형의 전자 소자에 대한 방사 경로 내에 있을 수 있다(예를 들어, 미러 스택(30)은 청색광용으로 설계되어 있지만 그럼에도 녹색 및 적색 발광 유기층을 각각 포함할 수 있는 전자 소자(174, 176) 내에 존재할 수 있다).
일 실시예에서, 전자 장치(60)는 능동 매트릭스 또는 수동 매트릭스 디스플레이를 포함할 수 있다. 다른 전자 소자들(도시 생략)은 기판(12) 내에 또는 그 상부에 또는 다른 기판 내에 또는 그 상부에 형성될 수 있으며, 이러한 다른 전자 소자는 어레이 내의 전자 소자(172, 174, 176)를 비롯한 전자 소자들에 제공되는 신호를 제공하거나 그를 제어할 수 있다. 이러한 다른 전자 소자 및 그의 제조, 기판(12)에의 부착 또는 둘다가 당업자에게는 공지되어 있다.
전자 장치(60)는 방사-방출 소자에 부가하여 또는 그 대신에 방사-반응 소자를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 방사-반응 소자는 센서 어레이 내의 방사 센서일 수 있다. 방사 센서는 특정 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사에 반응하도록 설계될 수 있다. 한 특정 실시예에서, 어레이는 방사-방출 소자 및 센서를 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 방사-반응 소자는 광기전력 전지 또는 방사를 에너지로 변환할 수 있는 다른 전자 소자이다.
디스플레이의 동작 동안에, 유기층(162, 164, 166) 중 하나 이상으로부터 방사가 방출되게 하기 위해 적절한 전위가 제1 전극(14) 및 제2 전극(18) 중 임의의 하나 이상에 인가된다. 보다 구체적으로는, 광이 방출되는 경우, 제1 전극(14)과 제2 전극(18) 간의 전위차가 전자-정공쌍이 대응하는 유기층 내에서 결합할 수 있게 해주며, 광 또는 다른 방사가 전자 장치로부터 방출될 수 있게 된다. 디스플레이에서, 행 및 열은 적절한 픽셀(전자 장치)을 활성화시켜 사람이 이해가능한 형태 로 시청자에게 디스플레이를 렌더링하기 위해 신호를 제공받을 수 있다.
광검출기 등의 방사 검출기의 동작 동안에, 센스 증폭기는 방사가 전자 장치에 의해 수신될 때 상당한 전류 흐름을 검출하기 위해 어레이의 제1 및 제2 전극에 연결될 수 있다. 광기전력 전지 등의 볼타 전지(voltaic cell)에서, 광 또는 다른 방사는 외부 에너지원 없이 흐를 수 있는 에너지로 변환될 수 있다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 그의 특정의 요구 또는 요망에 가장 적합한 전자 장치, 주변 회로, 및 아마도 원격 회로를 설계할 수 있다.
하나 이상의 중간층이 미러 스택(30, 40, 50) 중 임의의 하나 이상 사이에 형성될 수 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 중간층(72)은 제1 미러 스택(30) 상부에 형성될 수 있고, 제2 중간층(74)은 제2 미러 스택(40) 상부에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 중간층(72, 74) 중 단지 하나만이 사용될 수 있거나, 다른 실시예에서, 더 많은 중간층이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 중간층 각각은 전자 소자(172, 174, 176)에 대한 방사 경로 내에 있다. 따라서, 하나 이상의 중간층 각각은 이러한 층에 입사하는 방사의 적어도 70%를 투과시킬 수 있으며, 이러한 방사는 전자 소자(172, 174, 176)로부터 방출되거나 그에 의해 수신된다.
일 실시예에서, 제1 중간층(72), 제2 중간층(74) 또는 둘다 내의 하나 이상의 물질은 전도성, 반전도성 또 절연성까지 다양할 수 있다. 방사 투과와 무관한 다른 고려사항(예를 들어, 도시되지 않은 접점, 상호 연결부, 기타 등등의 다른 전자 소자 또는 특징과 관련한 위치)이 물질(들)의 선택에 영향을 미칠 수 있다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 중간층(들) 내에 사용될 물질(들)을 결정할 수 있다. 하나 이상의 중간층(들)이 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 중간층이 미러 스택 내에 있을 수 있다. 예를 들어, 도 8에 나타낸 바와 같이, 미러 스택(80)은 제1 미러 스택(30) 및 또하나의 미러 스택(84)을 포함할 수 있다. 미러 스택(80), 제1 미러 스택(30) 및 미러 스택(84)은 특정의 파장(예를 들어, 635 nm) 또는 파장 스펙트럼(예를 들어, 적색광)의 방사용으로 설계될 수 있다. 중간층(82)은 제1 미러 스택(30) 이후 미러 스택(84)(층(86, 88)을 포함함) 이전에 형성될 수 있다. 한 특정 실시예에서, 중간층(82)은 미러 스택(80) 내의 층(34, 86) 사이에 있다.
중간층(82)의 물질 및 형성은 도 7과 관련하여 기술된 중간층(72, 74)과 관련하여 기술된 임의의 하나 이상의 실시예를 사용하여 형성될 수 있다.
제1 미러 스택(30) 내의 층(32, 34)과 관련하여 상기한 물질들 중 임의의 하나 이상이 미러 스택(84) 내의 층(86, 88)을 비롯한 층들에 사용될 수 있다. 층(86, 88) 각각에 대한 계산된 두께는 층(32, 34)과 거의 유사하게 결정될 수 있다. 미러 스택(84) 내의 층들 각각은, 예를 들어, 화학적 기상 증착, 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발, 스퍼터링, 기타 등등), 캐스팅, 스핀 코팅, 잉크젯 인쇄, 연속 인쇄, 기타 등등의 종래의 증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 미러 스택은 기판(12)과 전자 소자 사이에 형성될 수 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 미러 스택(30, 40, 50)은 기판(12) 상부에 형성될 수 있다. 미러 스택(30, 40, 50)은 앞서 기술한 임의의 하나 이상의 실시예를 사용하여 형성될 수 있다. 제1 전극(94)이 제3 미러 스택(50) 상부에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 전극(94)은 전자 소자(972, 974, 976)에 대한 애노드로서 기능한다. 제1 전극(94)의 조성 및 형성은 제1 전극(94)이 일 실시예에서 패터닝되는 것을 제외하고는 제1 전극(94)과 관련하여 기술된 것과 거의 동일하다.
일 실시예에서, 기판 구조(960)가 제1 전극(94) 사이의 위치에서 기판(12) 상부에 형성된다. 일 실시예에서, 기판 구조(960)는 우물 구조이며, 다른 실시예에서, 캐소드 분리막이다. 기판 구조(960)의 실제 형상은 도 9에 도시된 것과 다를 수 있다. 기판 구조(960)는 우물 구조, 캐소드 분리막 또는 이들의 조합에 사용되는 하나 이상의 물질, 증착 기술, 패터닝 기술, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 형성될 수 있다. 유기층(162, 164, 166)이 앞서 기술된 바와 같이 형성될 수 있다.
제2 전극(98)이 유기층(162, 164, 166) 상부에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전극(98)은 전자 소자(972, 974, 976)에 대한 공통 캐소드로서 기능한다. 제2 전극(98)의 조성 및 형성은 일 실시예에서 제2 전극(98)이 어레이 내에 패터닝되지 않는 것을 제외하고는 제2 전극(18)과 관련하여 기술된 것과 거의 동일하다. 전자 장치(90)는, 다른 실시예들에서 상기한 바와 같이, 덮개(62), 캡슐화층, 또는 이들의 임의의 조합도 포함할 수 있다.
도 9에 나타낸 전자 장치(90)에서, 전자 소자(972, 974, 976)로부터 방출되거나 그에 의해 반응되는 방사가 덮개(62)를 통해 투과된다. 따라서, 덮개(62)에 대한 물질의 선택은 도 7과 관련하여 기술된 중간층에 대해 기술된 고려사항과 유 사할 수 있다.
대안적인 실시예(도시 생략)에서, 도 3의 층(32) 또는 도 9의 층(54)가 전도성 또는 반전도성인 경우, 절연층(도시 생략)이 이러한 층과 그의 대응하는 가장 가까운 전극 사이에(예를 들어, 제2 전극(18)과 층(32) 사이에 또는 층(54)과 제1 전극(94) 사이에) 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 및 제2 전극이 반대로 되어 있을 수 있다. 예를 들어, 캐소드로서 기능하는 제2 전극(들)이 애노드로서 기능하는 제1 전극(들)과 비교하여 기판(12)에 더 가깝게 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 마이크로캐비티가 미러 스택(30, 40, 50)의 일부 또는 전부와 관련하여 사용되거나 이를 포함할 수 있다.
본 명세서에 기술되는 개념들은 특정의 파장 또는 파장 스펙트럼의 방사에 광활성인 무기 전자 소자에 적용될 수 있다. 이러한 무기 전자 소자의 예는 실리콘-기반 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
이하의 예들은 본 발명의 여러가지 실시예들에 따른 미러 스택을 적용하여 OLED 장치의 성능이 상당히 개선될 수 있음을 보여준다. 이하의 구체적인 예들은 설명을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
예 1
이 예는 Bragg 반사체를 포함하는 미러 스택이 OLED 장치의 캐소드 측면 상에 제조될 수 있음을 보여준다. 이 미러 스택은 원색 방출기(primary emitter)의 색좌표는 물론 전자 장치의 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다. 적절한 경우 도 6 을 참조한다. 공칭의 4-인치, 완전-컬러 능동 매트릭스 디스플레이 패널이 사용될 수 있다. 기판(12)은 유리이고, 제1 전극(14)은 ITO이다. 제1 전극(14) 상부에, 투명한 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT))층이 대략 30 nm 내지 500 nm의 넓은 범위에서 변하는 두께를 갖는 버퍼층으로서 스핀-코팅된다(도 3에 도시되지 않음). 청색, 녹색 및 적색 방출기 용액은 각자의 위치에서 버퍼층 상으로 잉크젯된다. 버퍼층과 방출기의 조합이 도 6에서 유기층(162, 164, 166)으로 나타내어져 있다. 제2 전극(Ba 및 Al)(18)은 진공 하에서 증발되고 부분 반사율(partial reflectance)을 갖는다. Bragg 반사체를 포함하는 미러 스택(30, 40, 50)은 교대로 있는 유전체층을 스퍼터링함으로써 제2 전극(18)의 상부에 제조된다. 각각의 층의 두께 및 굴절율, 및 층의 수는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 공진 모드(102, 104, 106)를 갖는 미러 스택(30, 40, 50)을 생성하도록 각각 선택된다.
미러 스택을 갖지 않는 원색 방출기의 방출 스펙트럼이 도 11의 점선(1122, 1124, 1126)으로 나타내어져 있다. 적색, 녹색 및 청색 방출기의 CIE 색좌표는 각각 (0.157, 0.249), (0.423, 0.559) 및 (0.667, 0.331)이다. Bragg 반사체를 포함하는 미러 스택(30, 40, 50)이 전자 장치(60)에 포함된 후에, 적색, 녹색 및 청색 방출기의 CIE 색좌표는 각각 (0.156, 0.200), (0.371, 0.608) 및 (0.680, 0.318)으로 향상된다. 캐소드 측면 상에 미러 스택(30, 40, 50)을 갖는 원색 방출기의 방출 스펙트럼은 도 11에서 실선(1102, 1104, 1106)으로 각각 나타내어져 있다. 원형 편광기 또는 미러 스택을 갖지 않는 공칭 4-인치 패널의 콘트라스트 비는 대략 15:1의 콘트라스트 비를 갖는다. 미러 스택(30, 40, 50)을 갖는 경우, 콘트라스트 비는 원형 편광기를 갖지 않는 경우 대략 40:1이다. 개선율이 2 이상이며, 3에 가깝다. 콘트라스트 비를 더욱 향상시키기 위해, 반사 방지막의 얇은 층이 대략 100:1 이상의 콘트라스트 비를 달성하도록 기판(12)의 표면 상에 코팅될 수 있다.
예 2
이 예는 Bragg 반사체를 포함하는 미러 스택이 OLED 장치의 애노드 측면 상에 제조될 수 있음을 보여준다. 이 미러 스택은 원색 방출기(primary emitter)의 색좌표는 물론 전자 장치의 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다. 공칭의 4-인치, 완전-컬러 능동 매트릭스 디스플레이 패널이 사용될 수 있다. 적절한 경우 도 9를 참조한다. 기판(12)은 유리이다. 제1 전극(94)을 형성하기 이전에, 교대로 있는 유전체층을 스퍼터링함으로써 기판(12) 상부에 미러 스택(30, 40, 50)이 제조된다. 각각의 층의 두께 및 굴절율, 그리고 층의 수는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 각각 공진 모드(102, 104, 106)를 갖는 미러 스택(30, 40, 50)을 생성하도록 선택된다. 이어서, ITO층이 스퍼터링되고 패터닝되어, 제1 전극(94)으로서 기능한다. 제1 전극(94) 상부에, 투명한 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT))층이 대략 30 nm 내지 500 nm의 넓은 범위에서 변하는 두께를 갖는 버퍼층으로서 스핀-코팅된다. 그 다음에, 청색, 녹색 및 적색 방출기 용액은 각자의 위치에서 버퍼층 상으로 잉크젯된다. 버퍼층과 방출기의 조합이 유기층(162, 164, 166)으로 나타내어져 있다. 제2 전극(Ba 및 Al)(18)은 진공 하에서 증발되고 부분 반사율(partial reflectance)을 갖는다.
상기 전자 장치(90)(도 9)의 성능은 예 1에 기술된 전자 장치(60)와 거의 동일하다. 적색, 녹색 및 청색 방출기의 CIE 색좌표는 각각 (0.157, 0.249), (0.423, 0.559) 및 (0.667, 0.331)에서 각각 (0.156, 0.200), (0.371, 0.608) 및 (0.680, 0.318)로 향상된다. 콘트라스트 비 개선율이 2 이상이며, 3에 가깝다. 반사 방지막이 제2 전극(98) 상에 도포되는 경우, 100:1 이상의 콘트라스트 비가 달성된다.
유의할 점은 일반적인 설명 또는 일례들에서 상기한 동작들의 전부가 필요한 것은 아니며, 특정의 동작의 일부분이 필요하지 않을 수 있고 또한 하나 이상의 부가의 동작들이 기술된 것들에 부가하여 수행될 수 있다는 것이다. 또한, 동작들이 열거되어 있는 순서가 반드시 이들이 수행되는 순서인 것은 아니다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 그의 특정의 요구 또는 요망에 대해 어느 동작이 사용될 수 있는지를 결정할 수 있다.
이상의 명세서에서, 개념들이 특정 실시예들을 참조하여 기술되어 있다. 그렇지만, 당업자라면 이하의 청구 범위에 기술되어 있는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 여러가지 수정 및 변경이 행해질 수 있다는 것을 잘 알 것이다. 따라서, 본 명세서 및 도면은 제한적 의미가 아니라 예시적인 의미로 보아야 하며, 모든 이러한 수정이 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 보아야 한다.
많은 측면 및 실시예가 이상에 기술되어 있으며 단지 예시적이고 설명적인 것에 불과하다. 본 명세서를 읽어본 후에, 당업자라면 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 측면 및 실시예들이 가능하다는 것을 잘 알 것이다.
이점, 다른 장점, 및 문제점에 대한 해결책이 특정 실시예와 관련하여 전술되어 있다. 그렇지만, 이점, 장점, 문제점에 대한 해결책, 또는 임의의 이점, 장점 또는 해결책을 가져올 수 있거나 보다 두드러지게 해줄 수 있는 임의의 특징이 임의의 또는 모든 청구항의 중요한, 필요한 또는 필수적인 특징인 것으로 해석되어서는 안된다.
명백함을 위해 개별적인 실시예들과 관련하여 본 명세서에 기술되는 어떤 특징들이 또한 단일의 실시예에 결합되어 제공될 수 있다는 것을 잘 알 것이다. 이와 반대로, 간명함을 위해 단일의 실시예와 관련하여 기술되어 있는 여러가지 특징들이 또한 개별적으로 또는 임의의 서브컴비네이션으로 제공될 수 있다. 게다가, 범위로 기술된 값들에 대한 언급은 그 범위 내의 모든 값을 포함한다.

Claims (20)

  1. 전자 장치로서,
    제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자,
    제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자, 및
    상기 제1 및 제2 전자 소자에 인접한 제1 및 제2 미러 스택 - 상기 제1 미러 스택은 상기 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함하고 상기 제2 미러 스택은 상기 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 을 포함하는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제3 파장을 갖는 제3 방사에 광활성이도록 설계된 제3 전자 소자, 및
    상기 제1, 제2 및 제3 전자 소자에 인접한 제3 미러 스택 - 상기 제3 미러 스택은 상기 제3 방사를 반사하도록 설계된 제3 층들의 쌍을 포함함 - 을 더 포함하는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제1 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제1 실제 두께를 가지며,
    상기 제1 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00004
    (단, n1은 상기 제1 층들의 쌍 내의 특정 층의 제1 굴절율이고,
    t1은 상기 제1 계산된 두께이며,
    λ1은 상기 제1 파장임)
    에 의해 결정되며,
    상기 제2 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제2 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제2 실제 두께를 가지며,
    상기 제2 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00005
    (단, n2는 상기 제2 층들의 쌍 내의 특정 층의 제2 굴절율이고,
    t2는 상기 제2 계산된 두께이며,
    λ2는 상기 제2 파장임)
    에 의해 결정되는 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제3 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제3 실제 두께를 가지며,
    상기 제3 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00006
    (단, n3는 상기 제3 층들의 쌍 내의 특정 층의 제3 굴절율이고,
    t3는 상기 제3 계산된 두께이며,
    λ3는 상기 제3 파장임)
    에 의해 결정되는 전자 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 전자 소자는 청색광을 방출하도록 구성된 제1 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제2 전자 소자는 녹색광을 방출하도록 구성된 제2 유기 발광층을 포함하며,
    상기 제3 전자 소자는 적색광을 방출하도록 구성된 제3 유기 발광층을 포함하는 전자 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 미러 스택은 제1 중간층을 더 포함하고,
    상기 제2 미러 스택은 제2 중간층을 더 포함하는 전자 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 전자 소자 내의 제1 유기 활성층, 및
    상기 제2 전자 소자 내의 제2 유기 활성층을 더 포함하는 전자 장치.
  8. 전자 장치를 형성하는 프로세스로서,
    제1 파장을 갖는 제1 방사에 광활성이도록 설계된 제1 전자 소자를 형성하는 단계,
    제2 파장을 갖는 제2 방사에 광활성이도록 설계된 제2 전자 소자를 형성하는 단계,
    제1 미러 스택을 형성하는 단계 - 상기 제1 미러 스택은 상기 제1 방사를 반사하도록 설계된 제1 층들의 쌍을 포함함 -, 및
    제2 미러 스택을 형성하는 단계 - 상기 제2 미러 스택은 상기 제2 방사를 반사하도록 설계된 제2 층들의 쌍을 포함함 - 를 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제1 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제1 실제 두께를 갖도록 형성되며,
    상기 제1 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00007
    (단, n1은 상기 제1 층들의 쌍 내의 특정 층의 제1 굴절율이고,
    t1은 상기 제1 계산된 두께이며,
    λ1은 상기 제1 파장임)
    에 의해 결정되며,
    상기 제2 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제2 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제2 실제 두께를 갖도록 형성되며,
    상기 제2 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00008
    (단, n2는 상기 제2 층들의 쌍 내의 특정 층의 제2 굴절율이고,
    t2는 상기 제2 계산된 두께이며,
    λ2는 상기 제2 파장임)
    에 의해 결정되는 전자 장치 형성 프로세스.
  10. 제8항에 있어서, 제3 파장을 갖는 제3 방사에 광활성이도록 설계된 제3 전자 소자를 형성하는 단계, 및
    제3 미러 스택을 형성하는 단계 - 이 제3 미러 스택은 상기 제3 방사를 반사하도록 설계된 제3 층들의 쌍을 포함함 - 를 더 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제3 층들의 쌍 내의 각각의 층은 제3 계산된 두께의 10% 이내에 있는 제3 실제 두께를 갖도록 형성되며,
    상기 제3 계산된 두께는
    Figure 112007055043110-PCT00009
    (단, n3는 상기 제3 층들의 쌍 내의 특정 층의 제3 굴절율이고,
    t3는 상기 제3 계산된 두께이며,
    λ3는 상기 제3 파장임)
    에 의해 결정되는 전자 장치 형성 프로세스.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 전자 소자는 청색광을 방출하도록 구성된 제1 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제2 전자 소자는 녹색광을 방출하도록 구성된 제2 유기 발광층을 포함하며,
    상기 제3 전자 소자는 적색광을 방출하도록 구성된 제3 유기 발광층을 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제1 전자 소자와 상기 전자 장치의 사용자 표면 사이에 있으며,
    상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제2 전자 소자와 상기 전자 장치의 상기 사용자 표면 사이에 있는 전자 장치 형성 프로세스.
  14. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 미러 스택을 형성하는 단계 각각은 2보다 큰 짝수개의 층을 형성하는 단계를 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  15. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 방사를 거의 반사시키는 반사체를 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 미러 스택은 상기 제1 전자 소자와 상기 반사체 사이에 있는 전자 장치 형성 프로세스.
  16. 제8항에 있어서, 상기 제1 층들의 쌍의 층들 사이에 제1 중간층을 형성하는 단계, 및
    상기 제2 층들의 쌍의 층들 사이에 제2 중간층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  17. 제8항에 있어서, 상기 제1 전자 소자를 형성하는 단계는 제1 유기 활성층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 전자 소자를 형성하는 단계는 제2 유기 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 전자 장치 형성 프로세스.
  18. 제1항의 전자 장치를 포함하는 조성물.
  19. 제1항의 전자 장치를 포함하는 활성층을 갖는 유기 전자 장치.
  20. 제1항의 전자 장치를 포함하는, 유기 전자 장치의 제조에 유용한 물품.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170057694A (ko) * 2015-11-17 2017-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180001982A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728512B2 (en) * 2007-03-02 2010-06-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device having an external microcavity
JP2009064703A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Sony Corp 有機発光表示装置
KR101528242B1 (ko) * 2007-10-10 2015-06-15 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
US8227978B2 (en) * 2007-10-10 2012-07-24 Samsung Electronics Co., Ltd. White organic light emitting device and color display apparatus employing the same
JP4450051B2 (ja) * 2007-11-13 2010-04-14 ソニー株式会社 表示装置
US7973470B2 (en) * 2008-02-26 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Led device having improved color
DE102008054435A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Universität Zu Köln Organische Leuchtdiode mit optischem Resonator nebst Herstellungsverfahren
WO2010083161A1 (en) * 2009-01-13 2010-07-22 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module
WO2011022690A2 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 California Institute Of Technology Systems and methods for optically powering transducers and related transducers
JP5427528B2 (ja) * 2009-09-28 2014-02-26 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 光学部材
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
TWI531088B (zh) 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
WO2011162479A2 (en) 2010-06-24 2011-12-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
KR101983229B1 (ko) * 2010-07-23 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN103053036B (zh) 2010-07-28 2015-11-25 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
US20150122999A1 (en) * 2010-12-22 2015-05-07 Seiko Epson Corporation Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method
US9083000B2 (en) * 2011-04-29 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
KR101874448B1 (ko) * 2011-05-09 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP5485966B2 (ja) * 2011-10-25 2014-05-07 パイオニア株式会社 発光素子
WO2013130257A1 (en) 2012-03-01 2013-09-06 California Institute Of Technology Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof
JP2012156136A (ja) * 2012-03-09 2012-08-16 Sony Corp 有機発光表示装置
JP6111478B2 (ja) * 2012-07-04 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光素子及び表示装置
CN105408740A (zh) 2012-07-25 2016-03-16 加州理工学院 具有功能化栅电极和基电极的纳米柱场效应和结型晶体管
WO2014074180A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 California Institute Of Technology Nanopillar field-effect and junction transistors
CN103915571A (zh) * 2014-01-27 2014-07-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置
US9837637B2 (en) * 2014-10-16 2017-12-05 National Taiwan University Electroluminescent devices with improved optical out-coupling efficiencies
GB201601055D0 (en) * 2016-01-20 2016-03-02 Cambridge Display Tech Ltd Cathode layer stack for semi-transparent OPV devices
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
JP7016633B2 (ja) * 2016-10-28 2022-02-07 キヤノン株式会社 複数の有機ｅｌ素子を有する白色発光装置
CN108511628B (zh) 2018-05-16 2021-03-02 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
KR101974958B1 (ko) * 2018-06-28 2019-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP7237536B2 (ja) * 2018-11-12 2023-03-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6816780B2 (ja) * 2019-01-09 2021-01-20 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、ヘッドマウントディスプレイおよび電子機器
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2692374B1 (fr) * 1992-06-15 1994-07-29 France Telecom Procede et dispositif de modulation et d'amplification de faisceaux lumineux.
JP3274527B2 (ja) * 1992-09-22 2002-04-15 株式会社日立製作所 有機発光素子とその基板
JP2797883B2 (ja) * 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5478658A (en) * 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
US5814416A (en) * 1996-04-10 1998-09-29 Lucent Technologies, Inc. Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices
GB2353400B (en) * 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
JP4046948B2 (ja) * 2001-02-26 2008-02-13 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
GB0217900D0 (en) * 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
JP4186101B2 (ja) * 2002-09-04 2008-11-26 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
JP2004186599A (ja) * 2002-12-05 2004-07-02 Ricoh Co Ltd 有機半導体レーザ
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US6737800B1 (en) * 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US20060011889A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Yong Cao Semiconducting compositions comprising guest material and organic light emitting host material, methods for preparing such compositions, and devices made therewith
US20060138946A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Jian Wang Electrical device with a low reflectivity layer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170057694A (ko) * 2015-11-17 2017-05-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180001982A (ko) * 2016-06-28 2018-01-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

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