JP2004186599A - 有機半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、真空プロセスにより有機薄膜層を製膜する必要がなく、また、ピンホール等のない製膜性に優れた有機半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の有機半導体レーザは、少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層されており、該発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有する。
【選択図】 なし
【解決手段】本発明の有機半導体レーザは、少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層されており、該発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有する。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機色素高分子材料を用いた電流励起型有機半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高度情報化社会の実現のためには、高速、大容量の光通信技術が必要不可欠であり、この技術を支える重要なデバイスの一つがレーザである。現在は無機半導体レーザが使用されているが、複雑な製造プロセスによるコスト高を解決することが課題となっている。
【０００３】
一方、最近、有機電界発光（ＥＬ）素子が開発され、まもなく携帯電話のカラー表示パネルなどに実用化される見通しである。有機ＥＬは無機半導体に比べて素子構造が簡単であるにもかかわらず、多色の発光が可能である。特に、無機半導体レーザで得られる光の波長（一般に６２０ｎｍから８００ｎｍ）に比べ、短波長（４００ｎｍから５５０ｎｍ）の光が得られることから、たとえば大容量化（高記録密度化）が可能となる等、様々な分野への応用が期待できることから、今後、有機半導体レーザへの発展が期待され、これまでも多数の研究、報告がされている。
【０００４】
かかる文献としては、例えば、Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ， ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ３８９，３６２（１９９７）［非特許文献１］、Ｒ．Ｅ．Ｓｌｕｓｈｅｒ， ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１，２２３０（１９９７）［非特許文献２］、Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ， ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１４４（１９９８）［非特許文献３］が挙げられる。
【０００５】
しかし、上記に例示した有機半導体レーザでは発光材料として低分子化合物を用いていることから、真空プロセスによる製膜が必要であり、無機半導体レーザと同様に複雑な製造プロセスを必要としている。従って、簡易な製造プロセスで有機半導体レーザを製造することが期待されている。また、これら有機低分子化合物の真空蒸着法による製膜プロセスでは、微結晶性の多結晶薄膜を形成してしまい、これに伴うピンホールなどの問題を回避することはできず、均一な薄膜を効率よく得ることが困難である。
【０００６】
【非特許文献１】
Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ３８９，３６２（１９９７）
【非特許文献２】
Ｒ．Ｅ．Ｓｌｕｓｈｅｒｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１，２２３０（１９９７）
【非特許文献３】
Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１４４（１９９８）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題に鑑み、真空プロセスにより有機薄膜層を製膜する必要がなく、また、ピンホール等のない製膜性に優れた有機半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、湿式法により簡易に有機薄膜層を製膜することにより、簡易に製造可能な有機半導体レーザを実現するため、有機高分子材料に着目し、鋭意研究を重ねた。そしてその結果、発光層にポリカーボネート樹脂を用いることが可能であると見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、以下に示す有機半導体レーザが提供される。
〔１〕少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層された有機半導体レーザにおいて、該発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有することを特徴とする有機半導体レーザ。
〔２〕前記ポリカーボネート構造単位が、分子主鎖中に下記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【化１６】
〔（Ｉ）式中、Ａｒ１４は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔３〕前記ポリカーボネート構造単位が、分子側鎖中に下記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする前記〔１〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１７】
〔（ＩＩ）式中、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
〔４〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１８】
〔（１）式中、Ｒ１９、Ｒ２０は直鎖または分岐鎖のアルキレン基、または酸素原子を示し、Ｙ４は無置換もしくは置換のアリーレン基、又は−Ａｒ２５−Ｙ５−Ａｒ２５−（Ａｒ２５は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ５はＯ、Ｓ、無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。）、ｅは０または１を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔５〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１９】
〔（２）式中、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。〕
〔６〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２０】
〔（３）式中、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔７〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２１】
〔（４）式中、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔８〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（５）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２２】
〔（５）式中、Ｒ１４、Ｒ１６は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔９〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（６）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２３】
〔（６）式中、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は無置換もしくは置換のエチレン基、又は無置換もしくは置換のビニレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
〔１０〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（７）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２４】
〔（７）式中、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。〕
〔１１〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（８）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２５】
〔（８）式中、Ｒ１６は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
〔１２〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（９）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２６】
〔（９）式中、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、無置換もしくは置換のアルキレン基、無置換もしくは置換のシクロアルキレン基、無置換もしくは置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
〔１３〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１０）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２７】
〔（１０）式中、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔１４〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１１）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２８】
〔（１１）式中、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３、Ａｒ２４は無置換もしくは置換のアリーレン基を示し、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
〔１５〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１２）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２９】
〔（１２）式中、Ｒ１０は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はハロゲン原子、炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３が各々複数個存在するときは同一であっても別異であってもよい）、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、ａ、ｂ、ｃは各々０〜４の整数を示す。〕
〔１６〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１３）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化３０】
〔（１３）式中、ｄは１〜５の整数を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
〔１７〕前記陽電極層と発光層との間に正孔輸送層が設けられ、該発光層と陰電極層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１６〕に記載の有機半導体レーザ。
〔１８〕前記正孔輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする前記〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔１９〕前記電子輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする前記〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２０〕前記陽電極層と発光層との間に反射層が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２１〕前記発光層と陰電極層との間に反射層が設けられていることを特徴とする前記〔２０〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２２〕前記陽電極層の一方の面に共振器が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１９〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２３〕基板上に、陰電極層側を該基板の反対側に向けて設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔２２〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２４〕前記発光層が正孔輸送物質を含むことを特徴とする前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２５〕前記発光層が電子輸送物質を含むことを特徴とする前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２６〕前記発光層が正孔輸送物質および電子輸送物質を含むことを特徴とする請求項前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２７〕前記発光層が湿式法により製膜されることを特徴とする前記〔１〕〜〔２６〕に記載の有機半導体レーザ。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の有機半導体レーザは、少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層されている。かかる構成の有機半導体レーザは従来公知であるが、本発明の有機半導体レーザにおいては、上記発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有することを特徴とする。かかる構成により、本発明の有機半導体レーザは簡易な製造プロセスであっても容易に製造することができる。
【００１０】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂は、その分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有する。該ポリカーボネート構造単位としては、分子主鎖中に下記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むものが好ましい。
【００１１】
【化３１】
〔式中、Ａｒ１４は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。〕
【００１２】
また、本発明で用いるポリカーボネート樹脂を構成するポリカーボネート構造単位としては、分子主鎖中に下記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むものも好ましい。
【００１３】
【化３２】
〔式中、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。〕
【００１４】
次に、分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい態様である一般式（１）〜（７）について説明する。
【００１５】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第一の態様は、下記一般式（１）で表される。
【００１６】
【化３３】
【００１７】
一般式（１）において、Ｒ１９、Ｒ２０は直鎖または分岐鎖のアルキレン基、または酸素原子を示し、Ｙ４は無置換もしくは置換のアリーレン基、又は−Ａｒ２５−Ｙ５−Ａｒ２５−（Ａｒ２５は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ５はＯ、Ｓ、無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。）、ｅは０または１を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００１８】
上記一般式（１）のアルキレン基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは４〜１４である。このアルキレン基には、無置換又は置換のアルキレン基が包含される。
【００１９】
上記一般式（１）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２０】
本発明で用いられる上記一般式（１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開２００１−２４７５２５号公報にその詳細が記載されている。
【００２１】
該一般式（１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００２２】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第二の態様は、下記一般式（２）で表される。
【００２３】
【化３４】
【００２４】
上記一般式（２）において、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。
【００２５】
上記一般式（２）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２６】
上記一般式（２）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２７】
本発明で用いられる上記一般式（２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，９４２，３６３号、特開平９−２６８２２６号公報にその詳細が記載されている。
【００２８】
該一般式（２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００２９】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第三の態様は、下記一般式（３）で表される。
【００３０】
【化３５】
【００３１】
上記一般式（３）において、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００３２】
上記一般式（３）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００３３】
上記一般式（３）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００３４】
本発明で用いられる上記一般式（３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−３０２０８５号公報にその詳細が記載されている。
【００３５】
該一般式（３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００３６】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第四の態様は、下記一般式（４）で表される。
【００３７】
【化３６】
【００３８】
上記一般式（４）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００３９】
上記一般式のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４０】
上記一般式（４）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４１】
本発明で用いられる上記一般式（４）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−３０２０８４号公報にその詳細が記載されている。
【００４２】
該一般式（４）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００４３】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第五の態様は、下記一般式（５）で表される。
【００４４】
【化３７】
【００４５】
上記一般式（５）において、Ｒ１４、Ｒ１６は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００４６】
上記一般式（５）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４７】
上記一般式（５）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４８】
本発明で用いられる上記一般式（５）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開２０００−２６５９０号公報にその詳細が記載されている。
【００４９】
該一般式（５）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００５０】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第六の態様は、下記一般式（６）で表される。
【００５１】
【化３８】
【００５２】
上記一般式（６）において、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は無置換もしくは置換のエチレン基、又は無置換もしくは置換のビニレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００５３】
上記一般式（６）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００５４】
上記一般式（６）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００５５】
本発明で用いられる上記一般式（６）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第６，０２７，８４６号、特開平９−７１６４２号公報にその詳細が記載されている。
【００５６】
該一般式（６）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００５７】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第七の態様は、下記一般式（７）で表される。
【００５８】
【化３９】
【００５９】
上記一般式（７）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。
【００６０】
上記一般式（７）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６１】
上記一般式（７）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６２】
本発明で用いられる上記一般式（７）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−１５７３７８号公報にその詳細が記載されている。
【００６３】
該一般式（７）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００６４】
次に、分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい態様である一般式（８）〜（１３）について説明する。
【００６５】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第一の態様は、下記一般式（８）で表される。
【００６６】
【化４０】
【００６７】
上記一般式（８）において、Ｒ１６は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００６８】
上記一般式（８）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６９】
上記一般式（８）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７０】
本発明で用いられる上記一般式（８）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第６，０１８，０１４号、特開平９−２７２７３５号公報にその詳細が記載されている。
【００７１】
該一般式（８）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００７２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第二の態様は、下記一般式（９）で表される。
【００７３】
【化４１】
【００７４】
上記一般式（９）において、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、無置換もしくは置換のアルキレン基、無置換もしくは置換のシクロアルキレン基、無置換もしくは置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００７５】
上記一般式（９）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７６】
上記一般式（９）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７７】
上記一般式（９）のアルキレン基において、その炭素数は１〜２０、好ましくは１〜６である。該アルキレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７８】
上記一般式（９）のシクロアルキレン基において、その炭素数は３〜２０、好ましくは４〜８である。該シクロアルキレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７９】
上記一般式（９）のアルキレンエーテル基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは２〜８であり、酸素数は１〜３である。該アルキレンエーテル基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８０】
本発明で用いられる上記一般式（９）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−１１０９７６号公報にその詳細が記載されている。
【００８１】
該一般式（９）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００８２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第三の態様は、下記一般式（１０）で表される。
【００８３】
【化４２】
【００８４】
上記一般式（１０）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００８５】
上記一般式（１０）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８６】
上記一般式（１０）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８７】
本発明で用いられる上記一般式（１０）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，７２３，２４３号、特開平９−２３５３６７号公報にその詳細が記載されている。
【００８８】
該一般式（１０）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００８９】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第四の態様は、下記一般式（１１）で表される。
【００９０】
【化４３】
【００９１】
上記一般式（１１）において、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３、Ａｒ２４は無置換もしくは置換のアリーレン基を示し、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００９２】
上記一般式（１１）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００９３】
上記一般式（１１）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００９４】
本発明で用いられる上記一般式（１１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，９１０，５６１号、特開平９−２２７６６９号公報にその詳細が記載されている。
【００９５】
該一般式（１１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００９６】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第五の態様は、下記一般式（１２）で表される。
【００９７】
【化４４】
【００９８】
上記一般式（１２）において、Ｒ１０は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はハロゲン原子、炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３が各々複数個存在するときは同一であっても別異であってもよい）、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、ａ、ｂ、ｃは各々０〜４の整数を示す。
【００９９】
上記一般式（１２）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１００】
本発明で用いられる上記一般式（１２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，７４７，２０４号、特開平９−１５１２４８号公報、特開平７−２５８３９９号公報にその詳細が記載されている。
【０１０１】
該一般式（１２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【０１０２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第六の態様は、下記一般式（１３）で表される。
【０１０３】
【化４５】
【０１０４】
上記一般式（１３）において、ｄは１〜５の整数を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１，Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【０１０５】
上記一般式（１３）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１０６】
上記一般式（１３）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１０７】
本発明で用いられる上記一般式（１３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−８７３７６号公報にその詳細が記載されている。
【０１０８】
該一般式（１３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【０１０９】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂を構成する前記のアリーレン基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ビニレン基等は、以下▲１▼〜▲６▼に示す基を置換基として有してもよい。
【０１１０】
▲１▼ ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
▲２▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基。
▲３▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基（炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルコキシ基としては、上記定義のアルキル基をアルコキシ基に代えたものであり、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる）、アリールオキシ基（アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる）。
▲４▼ 置換メルカプト基又はアリールメルカプト基（置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる）。
▲５▼ アルキル置換アミノ基（具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる）。
▲６▼ アシル基（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる）。
【０１１１】
以下に、前記において示した各種置換基の具体例を示すが、特に断りのない限り、同一表記については他の一般式中においても同義である。
炭素数１〜６のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は、置換基として、フッ素原子、シアノ基を含有していてもよく、さらに、フェニル基もしくはハロゲン原子又は炭素数１〜６の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。
【０１１２】
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１１３】
無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、以下のものを挙げることができる。
フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基等。
【０１１４】
前記一般式（Ｉ）で表される分子構造を分子主鎖中に含むポリカーボネート構造単位（具体的には、一般式（１）〜（７））、又は前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造を分子側鎖中に含むポリカーボネート構造単位（具体的には、一般式（８）〜（１３））の含有量は特に制約されないが、通常、分子主鎖中に含まれる単量体単位の合計モル数に対して、５モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは５０モル％以上で、その上限値は１００モル％である。
【０１１５】
本発明で用いる前記ポリカーボネート樹脂は従来公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。製造法は、例えば、ポリカーボネート樹脂ハンドブック（編者：本間精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている。
【０１１６】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂は、その分子主鎖中に、前記一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表わされるカーボネート構造単位とともに、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるカーボネート構造単位を共重合成分として好ましく含有することができる。この一般式（ＩＩＩ）のカーボネート構造単位の含有割合は、前記一般式（Ｉ）及び／又は一般式（ＩＩ）のカーボネート構造単位の合計量に対して、９０モル％以下、好ましくは７０モル％以下、より好ましくは５０モル％以下である。
【０１１７】
【化４６】
【０１１８】
上記（ＩＩＩ）式中、Ｘは置換もしくは無置換の２価脂肪族基、置換もしくは無置換の２価芳香族基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する２価有機基を示す。
【０１１９】
前記２価脂肪族基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは４〜１０である。この２価脂肪族基には、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の鎖状脂肪族基及び炭素数４〜１２、好ましくは６〜８の環状脂肪族基が包含される。
【０１２０】
これらの脂肪族基は、各種の置換基を１つ又は複数有していてもよい。このような置換基には、ハロゲン原子（塩素、臭素等）や、ヘテロ原子（Ｏ、Ｎ、Ｓ等）を含む各種置換基（アルコシキ、フェノキシ基、水酸基、カルボキシル基、アシル基、アシロキシ基、ニトロ基）等が包含される。
【０１２１】
前記２価芳香族基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。この２価芳香族基には、炭素数６〜２０、好ましくは６〜１０のアリーレン基及び炭素数７〜２０、好ましくは７〜１０のアリレンアルキレン基もしくはアリレンジアルキレン基が包含される。アリーレン基には、前記した各種の芳香族炭化水素由来のものが包含される。アリレンアルキレン基には、モノアルキル化芳香族炭化水素由来のもの、例えば、フェニレンメチレン基（−ＰｈＣＨ２−）等が包含される。アリレンジアルキレン基には、ジアルキル化芳香族炭化水素由来のもの、例えば、フェニレンジメチレン基（−ＣＨ２ＰｈＣＨ２−）等が包含される。
前記芳香族基は、各種の置換基を１つ又は複数有していてもよい。
【０１２２】
前記した少なくとも２つの芳香族基を含む２価有機基において、その骨格構造に含まれる炭素数は１４〜４０、好ましくは２０〜３０である。この２価有機基には、酸素原子や窒素原子、イオウ原子等のヘテロ原子が含まれていてもよい。
【０１２３】
前記少なくとも２つの芳香族基を含有する２価有機基の好ましいものとして、下記式（１４）〜（１６）で表されるものを示すことができる。
【０１２４】
【化４７】
【０１２５】
【化４８】
【０１２６】
【化４９】
【０１２７】
前記式（１４）〜（１６）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、ハロゲン原子、炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルキル基又は無置換もしくは置換アリール基（Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８が各々複数個存在するときは、それらは同一であっても別異であってもよい）を示し、ｏ、ｐは０〜４の整数、ｑ、ｒは０〜３の整数を示す。さらに、式（１４）におけるＹは単結合、炭素数２〜１２の直鎖状のアルキレン基、炭素数３〜１２の無置換もしくは置換分岐鎖状アルキレン基、１つ以上の炭素数１〜１０のアルキレン基と１つ以上の酸素原子及び／又は硫黄原子から構成される２価基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は下記式（１７）〜（２６）で表される２価基を示す。
【０１２８】
【化５０】
【０１２９】
【化５１】
【０１３０】
【化５２】
【０１３１】
【化５３】
【０１３２】
【化５４】
【０１３３】
【化５５】
【０１３４】
【化５６】
【０１３５】
【化５７】
【０１３６】
【化５８】
【０１３７】
【化５９】
【０１３８】
前記式（１７）〜（２６）中、Ｚ１は無置換もしくは置換の炭素数２〜２０の２価脂肪族基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリーレン基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の２価有機基を示し、Ｚ２は無置換もしくは置換の炭素数２〜２０の２価脂肪族基又は無置換もしくは置換アリーレン基を示す。Ｒ９はハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１０、Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する１価有機基を示す。また、Ｒ１０、Ｒ１１が結合して炭素数５〜１２の炭素環を形成してもよく、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、ハロゲン原子、無置換もしくは置換炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１６はハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコシキ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する骨格構造の炭素数が１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１７、Ｒ１８は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示す。Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。ｓは０〜４の整数、ｔは１又は２、ｕは０〜４の整数、ｖは０〜２０の整数、ｗは０〜２０００を示す。
【０１３９】
以下に、前記において示した各種置換基の具体例を示すが、特に断りのない限り、同一表記については他の一般式中においても同義である。
炭素数１〜６のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は、置換基として、フッ素原子、シアノ基を含有していてもよく、さらに、フェニル基もしくはハロゲン原子又は炭素数１〜６の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。
【０１４０】
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１４１】
無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、以下のものを挙げることができる。
フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基等。
【０１４２】
少なくとも２つの芳香族基を含有する骨格構造の炭素数が１４〜４０の１価有機基としては、下記式（２７）の１価の基、又は前記式（１５）、（１６）の骨格構造を有する１価の基を示すことができる。
【０１４３】
【化６０】
前記式（２７）中、Ｗは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−又は下記一般式（２８）、（２９）で表わされる２価基から選ばれる。
【０１４４】
【化６１】
【０１４５】
【化６２】
【０１４６】
前記式（２７）、（２８）、（２９）中、Ｒ２３は、水素原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換のもしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜１５のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基を示し、Ｒ２４は、水素原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基を表し、ｈは１〜１２の整数、ｉは１〜３の整数である。
炭素数４〜１５のヘテロアリール基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
上記のアリール基及びヘテロアリール基等は、以下▲１▼〜▲６▼に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４７】
▲１▼ ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
▲２▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基。
▲３▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基（炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルコキシ基としては、上記定義のアルキル基をアルコキシ基に代えたものであり、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる）、アリールオキシ基（アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる）。
▲４▼ 置換メルカプト基又はアリールメルカプト基（置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる）。
▲５▼ アルキル置換アミノ基（具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる）。
▲６▼ アシル基（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる）。
【０１４８】
また、一般式（ＩＩＩ）のＸで示される２価基の具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ぺンタンジオール、３−メチル−１，５−ぺンタンジオール、１，６−へキサンジオール、１，５−へキサンジオール、１，７−へプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、ネオぺンチルグリコール、２−エチル−１，６−へキサンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、キシリレンジオール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエチル）べンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシプロピル）べンゼン、１，４−ビス（４−ヒドロキシブチル）べンゼン、１，４−ビス（５−ヒドロキシぺンチル）べンゼン、１，４−ビス（６−ヒドロキシヘキシル）べンゼン、イソホロンジオール等のジオールからヒドロキシ基を２個除いた２価基を挙げることができる。
【０１４９】
前記一般式（１４）のＹで示される１つ以上の炭素数１〜１０のアルキレン基と１つ以上の酸素原子及び／又は硫黄原子から構成される２価基の具体例として、ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＣＨＥｔＯＣＨＥｔＯ、ＣＨＣＨ３Ｏ、ＳＣＨ２ＯＣＨ２Ｓ、ＣＨ２ＯＣＨ２、ＯＣＨ２ＯＣＨ２Ｏ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＯＣＨ２ＣＨＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ、ＳＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｓ等が挙げられる。
【０１５０】
炭素数３〜１２の分岐鎖状のアルキレン基に結合する置換基としては、無置換もしくは置換アリール基、又はハロゲン原子が挙げられる。
Ｚ１、Ｚ２が無置換もしくは置換脂肪族の２価基である場合の該２価基としては、前記Ｘとして示した脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基を挙げることができる。
【０１５１】
また、一般式（１８）、（１９）のＺ１、Ｚ２が無置換もしくは置換アリーレン基である場合の該基としては、上記無置換もしくは置換アリール基から誘導される２価基を挙げることができる。
【０１５２】
一般式（ＩＩＩ）のＸが芳香族の２価基である場合の好ましい具体例としては、下記で示されるジオールからヒドロキシル基２個を除いたものが挙げられる。ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス〈４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ぺンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルぺンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサフルオロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロぺンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、３，３，３’，３’−テトラメチル−６，６’−ジヒドロキシスピロ（ビス）インダン、３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，４，４’，４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−べンゾピラン）−７，７’−ジオール、トランス−２，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、１，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６−へキサンジオン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、２，６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、９，１０−ジメチル−２，７−ジヒドロキシフェナジン、３，６−ジヒドロキシジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシピレン、ハイドロキノン、レゾルシン、４−ヒドロキシフェニル−４−ヒドロキシベンゾエート、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ｐ−フェニレン−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，６−ビス（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−パーフルオロヘキサン、１，４−ビス（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−１Ｈ，１Ｈ，４Ｈ，４Ｈ−パーフルオロブタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）テトラメチルジシロキサン等。
【０１５３】
次に、本発明の有機半導体レーザの層構成について、図１〜４に基づいて説明する。尚、図１〜４は本発明の有機半導体レーザの断面図である。
本発明の有機半導体レーザは、図１に示すように、少なくとも陽電極層２、発光層３、陰電極層４がこの順で積層されており、陽電極層２と発光層３と陰電極層４からなる積層体は、通常、基板１の上に陽電極層２が基板１と接するように（陰電極層４側を基板１の反対側に向けて）形成される。本発明の有機半導体レーザはこのように構成されているので、基板１上に設けられた陽電極層２から発光層３へ正孔が注入され、また、陰電極層４から発光層３に電子が注入され、発光層３内で上記正孔および上記電子が再結合することにより光が得られる。この光は反射可能な層間（具体的には、陽電極層２と発光層３との接触面、及び／又は発光層３と陰電極層４との接触面）で、反射を繰り返すことにより増幅され、レーザ光として放出される。
【０１５４】
上記基板１としては、一般的にはガラス、プラスチックフィルム等を用いることができる。
【０１５５】
本発明において、陽電極層２は発光層３に（後述するように、正孔輸送層を設けた場合は正孔輸送層を通して発光層３に）正孔を注入する作用を有する。陽電極層２は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。陽電極層２の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。陽電極層２の製膜方法としては蒸着、スパッタリングなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１５６】
本発明において、陰電極層４は、発光層３に（後述するように、電子輸送層を設けた場合は電子輸送層を通して発光層３に）電子を注入する作用を有する。陰電極層４は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ｎａ、Ｎａ・Ｋ合金、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｍｇ／Ｃｕ混合物、Ｍｇ・Ａｇ合金、Ａｌ・Ｌｉ合金、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物、Ｉｎ、希土類金属等が挙げられる。陰電極層３の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。陰電極層の製膜方法としては蒸着、スパッタリングなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１５７】
本発明において、発光層３は陽電極層２から注入された正孔と、陰電極層４から注入された電子とを再結合させることにより光を発生する作用を有する。本発明の発光層２は、前述したポリカーボネート樹脂を含有する。また、電気的特性の向上等を目的として、発光層３を製膜する際、後述する電子輸送材料や正孔輸送材料をポリカーボネート樹脂と共に含有させてもよい。その他、他の樹脂との混合物の形態で使用することもできる。他の樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジフェネチルベンゼン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ブタジエン誘導体、水素化ブタジエン、ジフェニルシクロヘキサン誘導体、ジスチリルトリフェニルアミン誘導体、ジフェニルジスチリルベンゼン誘導体、スチルベン誘導体、ｍ−フェニレンジアミン誘導体、レゾルシン誘導体、トリアリールアミン誘導体などを含有させてもよい。
発光層の膜厚は特には制限はなく、適宜選択できるが、通常は５〜５００ｎｍの範囲内とするのが好ましい。
【０１５８】
本発明において、発光層２はスピンコート法、キャスト法、インクジェット工法、ディッピング塗工法等の公知の方法によって簡便に薄膜化することが可能である。本発明で用いるポリカーボネート樹脂はジクロロメタンやテトラヒドロフラン等の有機溶媒に容易に溶解する。従って、ポリカーボネート樹脂を溶解できる適当な溶媒により適当な濃度の溶液を作製し、これを用いて上記方法等により塗工すれば、発光層２を容易に作製できる。
【０１５９】
本発明の有機半導体レーザにおいては、図２に示すように、陽電極層２と発光層３との間に正孔輸送層５が設けられ、発光層３と陰電極層４との間に電子輸送層６が設けられていることが好ましい。このように構成されていると、陽電極層２と陰電極層４との間に電圧を印加することにより発光層３で光を発生させ、該光を正孔輸送層５と発光層３との接触面及び／又は該電子輸送層６と発光層３との接触面で全反射を繰り返すことにより増幅させてから、該光を発光層３の端部から放出することができる。
【０１６０】
上記正孔輸送層５に用いられる正孔輸送材料の例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー等が挙げられる。
【０１６１】
前記電子輸送層６に用いる電子輸送材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アンドラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。また特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化合物も、電子輸送材料として用いることができる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他にメタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。またジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができ、さらにｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。上記の電子輸送材料からなる電子輸送層６には、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属、及びアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のフッ化物、塩化物、ヨウ化物などの化合物からなる電子供与性ドナーを０．１〜３０モル％ドーピングすることが好ましい。
【０１６２】
本発明においては、上記に例示した電子輸送層５および正孔輸送層６の製膜はスピンコート法、キャスト法、蒸着法、スパッタリング法など従来公知の方法を使用することができるが、なかでも蒸着法を用いるのが好ましい。
【０１６３】
上記正孔輸送層５の厚みは、１００〜２０００ｎｍであることが好ましく、２００〜５００ｎｍであることがより好ましい。又、上記電子輸送層６の厚みは、１００〜２０００ｎｍであることが好ましく、２００〜５００ｎｍであることがより好ましい。正孔輸送層５の厚み、電子輸送層６の厚みがかかる範囲内であれば、正孔輸送層５と発光層３との接触面において発光層３で発光した光を全反射させレーザ光を得ることができる。正孔輸送層５や電子輸送層６の厚みが薄すぎると、接触面で発光した光を全反射させレーザ光を得ることができない虞があり、厚すぎると電子や正孔の輸送能力が低下する虞がある。
【０１６４】
本発明の有機半導体レーザにおいては、図３に示すように、陽電極層２と発光層３との間に反射層７が設けられていることが好ましい。このように構成されていると、光がこの反射層７と陰電極層４との間で反射を繰り返し、増幅するので（導波路効果）、有機半導体レーザの端面から増幅されたレーザ光を取り出すことができる。かかる観点からは、発光層３と陰電極層４との間にも反射層（図示はしない。）が設けられていることが好ましい。
【０１６５】
反射層７に用いることができる材料の例としては反射率の高い金属を用いるのが好ましい。該金属の例としては、上記に示した陰電極層４に用いるものと同様のものが挙げられる。
【０１６６】
本発明の有機半導体レーザにおいては、より効率的に増幅されたレーザ光を得るために、陽電極層３の一方の面に共振器８が設けられていることが好ましい。具体的には、図４に示すように、基板１上に共振器８を設け、共振器８上に陽電極層２、発光層３、陰電極層４がこの順で積層されることが好ましい。また、共振器は陽電極層３上（陽電極層２と発光層３の間）に設けてもよい。これにより、発光層３で発生した光は共振器内の回折格子導波路内で増幅、反射され、効率よくレーザ光として取り出される。
【０１６７】
本発明に用いられる共振器構造の例としては、ＤＦＢ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａｃｋ）やＤＢＲ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）といった分布帰還型共振器を用いることが好ましい。これら共振器を得るための回折格子は従来公知のリソグラフィー技術により作製が可能である。
【０１６８】
尚、図２〜４に示す態様においても、基板１の上に陽電極層２等からなる積層体を、陽電極層２側を基板１に向けて（陰電極層４側を基板１の反対側に向けて）形成することが好ましく、基板１を構成する材料としては、図１の態様において説明したものが好ましく用いられる。
【０１６９】
【実施例】
本発明を以下の実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７０】
実施例１
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に有機ポジ形フォトレジストを塗布し、リソグラフィー法により５００ｎｍピッチの回折格子（共振器）を作製した。この上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２５０ｎｍを蒸着したのち、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰電極層としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６３】
【０１７１】
実施例２
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上にＡｕを１０ｎｍ、続けて、正孔輸送層としてＴＰＤを２５０ｎｍを蒸着したのち、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰電極層としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６４】
【０１７２】
実施例３
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２５０ｎｍを蒸着した後、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰極としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７３】
実施例４
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に正孔輸送層としてＴＰＤを２５０ｎｍを蒸着した後、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂と５ｗｔ％のＡｌｑ３および５ｗｔ％のＴＰＤを混合した１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層としてＡｌｑ３を２５０ｎｍ蒸着した後に、陰極としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７４】
実施例５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６５】
【０１７５】
実施例６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６６】
【０１７６】
実施例７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７７】
実施例８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７８】
実施例９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６７】
【０１７９】
実施例１０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６８】
【０１８０】
実施例１１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８１】
実施例１２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８２】
実施例１３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６９】
【０１８３】
実施例１４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７０】
【０１８４】
実施例１５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８５】
実施例１６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８６】
実施例１７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７１】
【０１８７】
実施例１８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７２】
【０１８８】
実施例１９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８９】
実施例２０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９０】
実施例２１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７３】
【０１９１】
実施例２２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７４】
【０１９２】
実施例２３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９３】
実施例２４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９４】
実施例２５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７５】
【０１９５】
実施例２６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７６】
【０１９６】
実施例２７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９７】
実施例２８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９８】
実施例２９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７７】
【０１９９】
実施例３０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７８】
【０２００】
実施例３１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０１】
実施例３２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０２】
実施例３３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７９】
【０２０３】
実施例３４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８０】
【０２０４】
実施例３５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０５】
実施例３６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０６】
実施例３７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８１】
【０２０７】
実施例３８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８２】
【０２０８】
実施例３９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０９】
実施例３６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１０】
実施例４１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８３】
【０２１１】
実施例４２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８４】
【０２１２】
実施例４３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１３】
実施例４４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１４】
実施例４５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８５】
【０２１５】
実施例４６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８６】
【０２１６】
実施例４７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１７】
実施例４８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１８】
実施例４９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８７】
【０２１９】
実施例５０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８８】
【０２２０】
実施例５１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２２１】
実施例５２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２２２】
【発明の効果】
本発明の有機半導体レーザは、発光層にその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有するポリカーボネート樹脂を用いていることから、製造が容易であり実用性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機半導体レーザの一例を示すための断面図である。
【図２】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【図３】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【図４】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 陽電極層
３ 発光層
４ 陰電極層
５ 正孔輸送層
６ 電子輸送層
７ 反射層
８ 共振器
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機色素高分子材料を用いた電流励起型有機半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高度情報化社会の実現のためには、高速、大容量の光通信技術が必要不可欠であり、この技術を支える重要なデバイスの一つがレーザである。現在は無機半導体レーザが使用されているが、複雑な製造プロセスによるコスト高を解決することが課題となっている。
【０００３】
一方、最近、有機電界発光（ＥＬ）素子が開発され、まもなく携帯電話のカラー表示パネルなどに実用化される見通しである。有機ＥＬは無機半導体に比べて素子構造が簡単であるにもかかわらず、多色の発光が可能である。特に、無機半導体レーザで得られる光の波長（一般に６２０ｎｍから８００ｎｍ）に比べ、短波長（４００ｎｍから５５０ｎｍ）の光が得られることから、たとえば大容量化（高記録密度化）が可能となる等、様々な分野への応用が期待できることから、今後、有機半導体レーザへの発展が期待され、これまでも多数の研究、報告がされている。
【０００４】
かかる文献としては、例えば、Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ， ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ３８９，３６２（１９９７）［非特許文献１］、Ｒ．Ｅ．Ｓｌｕｓｈｅｒ， ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１，２２３０（１９９７）［非特許文献２］、Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ， ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１４４（１９９８）［非特許文献３］が挙げられる。
【０００５】
しかし、上記に例示した有機半導体レーザでは発光材料として低分子化合物を用いていることから、真空プロセスによる製膜が必要であり、無機半導体レーザと同様に複雑な製造プロセスを必要としている。従って、簡易な製造プロセスで有機半導体レーザを製造することが期待されている。また、これら有機低分子化合物の真空蒸着法による製膜プロセスでは、微結晶性の多結晶薄膜を形成してしまい、これに伴うピンホールなどの問題を回避することはできず、均一な薄膜を効率よく得ることが困難である。
【０００６】
【非特許文献１】
Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔｅｔａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ３８９，３６２（１９９７）
【非特許文献２】
Ｒ．Ｅ．Ｓｌｕｓｈｅｒｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１，２２３０（１９９７）
【非特許文献３】
Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１４４（１９９８）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題に鑑み、真空プロセスにより有機薄膜層を製膜する必要がなく、また、ピンホール等のない製膜性に優れた有機半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、湿式法により簡易に有機薄膜層を製膜することにより、簡易に製造可能な有機半導体レーザを実現するため、有機高分子材料に着目し、鋭意研究を重ねた。そしてその結果、発光層にポリカーボネート樹脂を用いることが可能であると見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、以下に示す有機半導体レーザが提供される。
〔１〕少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層された有機半導体レーザにおいて、該発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有することを特徴とする有機半導体レーザ。
〔２〕前記ポリカーボネート構造単位が、分子主鎖中に下記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
【化１６】
〔３〕前記ポリカーボネート構造単位が、分子側鎖中に下記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする前記〔１〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１７】
〔４〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１８】
〔５〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化１９】
〔６〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２０】
〔７〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２１】
〔８〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（５）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２２】
〔９〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（６）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２３】
〔１０〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（７）で表されることを特徴とする前記〔２〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２４】
〔１１〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（８）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２５】
〔１２〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（９）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２６】
〔１３〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１０）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２７】
〔１４〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１１）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２８】
〔１５〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１２）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化２９】
〔１６〕前記ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１３）で表されることを特徴とする前記〔３〕に記載の有機半導体レーザ。
【化３０】
〔１７〕前記陽電極層と発光層との間に正孔輸送層が設けられ、該発光層と陰電極層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１６〕に記載の有機半導体レーザ。
〔１８〕前記正孔輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする前記〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔１９〕前記電子輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする前記〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２０〕前記陽電極層と発光層との間に反射層が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１７〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２１〕前記発光層と陰電極層との間に反射層が設けられていることを特徴とする前記〔２０〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２２〕前記陽電極層の一方の面に共振器が設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔１９〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２３〕基板上に、陰電極層側を該基板の反対側に向けて設けられていることを特徴とする前記〔１〕〜〔２２〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２４〕前記発光層が正孔輸送物質を含むことを特徴とする前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２５〕前記発光層が電子輸送物質を含むことを特徴とする前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２６〕前記発光層が正孔輸送物質および電子輸送物質を含むことを特徴とする請求項前記〔１〕〜〔２３〕に記載の有機半導体レーザ。
〔２７〕前記発光層が湿式法により製膜されることを特徴とする前記〔１〕〜〔２６〕に記載の有機半導体レーザ。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の有機半導体レーザは、少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層されている。かかる構成の有機半導体レーザは従来公知であるが、本発明の有機半導体レーザにおいては、上記発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有することを特徴とする。かかる構成により、本発明の有機半導体レーザは簡易な製造プロセスであっても容易に製造することができる。
【００１０】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂は、その分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有する。該ポリカーボネート構造単位としては、分子主鎖中に下記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むものが好ましい。
【００１１】
【化３１】
【００１２】
また、本発明で用いるポリカーボネート樹脂を構成するポリカーボネート構造単位としては、分子主鎖中に下記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むものも好ましい。
【００１３】
【化３２】
【００１４】
次に、分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい態様である一般式（１）〜（７）について説明する。
【００１５】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第一の態様は、下記一般式（１）で表される。
【００１６】
【化３３】
一般式（１）において、Ｒ１９、Ｒ２０は直鎖または分岐鎖のアルキレン基、または酸素原子を示し、Ｙ４は無置換もしくは置換のアリーレン基、又は−Ａｒ２５−Ｙ５−Ａｒ２５−（Ａｒ２５は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ５はＯ、Ｓ、無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。）、ｅは０または１を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００１８】
上記一般式（１）のアルキレン基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは４〜１４である。このアルキレン基には、無置換又は置換のアルキレン基が包含される。
【００１９】
上記一般式（１）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２０】
本発明で用いられる上記一般式（１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開２００１−２４７５２５号公報にその詳細が記載されている。
【００２１】
該一般式（１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００２２】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第二の態様は、下記一般式（２）で表される。
【００２３】
【化３４】
上記一般式（２）において、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。
【００２５】
上記一般式（２）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２６】
上記一般式（２）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００２７】
本発明で用いられる上記一般式（２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，９４２，３６３号、特開平９−２６８２２６号公報にその詳細が記載されている。
【００２８】
該一般式（２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００２９】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第三の態様は、下記一般式（３）で表される。
【００３０】
【化３５】
上記一般式（３）において、Ｒ１４は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００３２】
上記一般式（３）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００３３】
上記一般式（３）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００３４】
本発明で用いられる上記一般式（３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−３０２０８５号公報にその詳細が記載されている。
【００３５】
該一般式（３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００３６】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第四の態様は、下記一般式（４）で表される。
【００３７】
【化３６】
上記一般式（４）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００３９】
上記一般式のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４０】
上記一般式（４）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４１】
本発明で用いられる上記一般式（４）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−３０２０８４号公報にその詳細が記載されている。
【００４２】
該一般式（４）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００４３】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第五の態様は、下記一般式（５）で表される。
【００４４】
【化３７】
上記一般式（５）において、Ｒ１４、Ｒ１６は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００４６】
上記一般式（５）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４７】
上記一般式（５）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００４８】
本発明で用いられる上記一般式（５）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開２０００−２６５９０号公報にその詳細が記載されている。
【００４９】
該一般式（５）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００５０】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第六の態様は、下記一般式（６）で表される。
【００５１】
【化３８】
上記一般式（６）において、Ａｒ１４、Ａｒ１５、Ａｒ１６は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｘ１、Ｘ２は無置換もしくは置換のエチレン基、又は無置換もしくは置換のビニレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００５３】
上記一般式（６）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００５４】
上記一般式（６）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００５５】
本発明で用いられる上記一般式（６）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第６，０２７，８４６号、特開平９−７１６４２号公報にその詳細が記載されている。
【００５６】
該一般式（６）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００５７】
分子主鎖中に前記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第七の態様は、下記一般式（７）で表される。
【００５８】
【化３９】
上記一般式（７）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を表し、Ａｒ１３、Ａｒ１４、Ａｒ１５は無置換もしくは置換のアリーレン基を表す。
【００６０】
上記一般式（７）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６１】
上記一般式（７）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６２】
本発明で用いられる上記一般式（７）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−１５７３７８号公報にその詳細が記載されている。
【００６３】
該一般式（７）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００６４】
次に、分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい態様である一般式（８）〜（１３）について説明する。
【００６５】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第一の態様は、下記一般式（８）で表される。
【００６６】
【化４０】
上記一般式（８）において、Ｒ１６は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００６８】
上記一般式（８）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００６９】
上記一般式（８）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７０】
本発明で用いられる上記一般式（８）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第６，０１８，０１４号、特開平９−２７２７３５号公報にその詳細が記載されている。
【００７１】
該一般式（８）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００７２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第二の態様は、下記一般式（９）で表される。
【００７３】
【化４１】
上記一般式（９）において、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９は無置換もしくは置換のアリーレン基、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は単結合、無置換もしくは置換のアルキレン基、無置換もしくは置換のシクロアルキレン基、無置換もしくは置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００７５】
上記一般式（９）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７６】
上記一般式（９）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７７】
上記一般式（９）のアルキレン基において、その炭素数は１〜２０、好ましくは１〜６である。該アルキレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７８】
上記一般式（９）のシクロアルキレン基において、その炭素数は３〜２０、好ましくは４〜８である。該シクロアルキレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００７９】
上記一般式（９）のアルキレンエーテル基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは２〜８であり、酸素数は１〜３である。該アルキレンエーテル基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８０】
本発明で用いられる上記一般式（９）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−１１０９７６号公報にその詳細が記載されている。
【００８１】
該一般式（９）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００８２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第三の態様は、下記一般式（１０）で表される。
【００８３】
【化４２】
上記一般式（１０）において、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１、Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【００８５】
上記一般式（１０）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８６】
上記一般式（１０）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００８７】
本発明で用いられる上記一般式（１０）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，７２３，２４３号、特開平９−２３５３６７号公報にその詳細が記載されている。
【００８８】
該一般式（１０）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００８９】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第四の態様は、下記一般式（１１）で表される。
【００９０】
【化４３】
上記一般式（１１）において、Ａｒ２０、Ａｒ２１、Ａｒ２２、Ａｒ２３、Ａｒ２４は無置換もしくは置換のアリーレン基を示し、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１８は無置換もしくは置換のアリール基を示す。
【００９２】
上記一般式（１１）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００９３】
上記一般式（１１）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【００９４】
本発明で用いられる上記一般式（１１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，９１０，５６１号、特開平９−２２７６６９号公報にその詳細が記載されている。
【００９５】
該一般式（１１）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【００９６】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第五の態様は、下記一般式（１２）で表される。
【００９７】
【化４４】
上記一般式（１２）において、Ｒ１０は水素原子又は炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はハロゲン原子、炭素数１〜６の無置換もしくは置換のアルキル基（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３が各々複数個存在するときは同一であっても別異であってもよい）、Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、ａ、ｂ、ｃは各々０〜４の整数を示す。
【００９９】
上記一般式（１２）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１００】
本発明で用いられる上記一般式（１２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、米国特許第５，７４７，２０４号、特開平９−１５１２４８号公報、特開平７−２５８３９９号公報にその詳細が記載されている。
【０１０１】
該一般式（１２）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【０１０２】
分子側鎖中に前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むポリカーボネート構造単位のより好ましい第六の態様は、下記一般式（１３）で表される。
【０１０３】
【化４５】
上記一般式（１３）において、ｄは１〜５の整数を示す。Ｒ１４、Ｒ１５は無置換もしくは置換のアリール基を示し、Ａｒ１１，Ａｒ１２、Ａｒ１３は無置換もしくは置換のアリーレン基を示す。
【０１０５】
上記一般式（１３）のアリーレン基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリーレン基には、ベンゼン由来のアリーレン基（フェニレン基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリーレン基等が包含される。
該アリーレン基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１０６】
上記一般式（１３）のアリール基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。このアリール基には、ベンゼン由来のアリール基（フェニル基）の他、ナフタレンやフェナンスレン、アントラセン等の縮合多環式芳香族炭化水素由来のアリール基及びビフェニルやターフェニル等の鎖状多環式芳香族炭化水素由来のアリール基等が包含される。
該アリール基には、各種の置換基が結合していてもよい。
【０１０７】
本発明で用いられる上記一般式（１３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の具体例は、特開平９−８７３７６号公報にその詳細が記載されている。
【０１０８】
該一般式（１３）で表される構成単位からなるポリカーボネート樹脂の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、同様に実用性に乏しくなる。
【０１０９】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂を構成する前記のアリーレン基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ビニレン基等は、以下▲１▼〜▲６▼に示す基を置換基として有してもよい。
【０１１０】
▲１▼ ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
▲２▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基。
▲３▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基（炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルコキシ基としては、上記定義のアルキル基をアルコキシ基に代えたものであり、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる）、アリールオキシ基（アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる）。
▲４▼ 置換メルカプト基又はアリールメルカプト基（置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる）。
▲５▼ アルキル置換アミノ基（具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる）。
▲６▼ アシル基（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる）。
【０１１１】
以下に、前記において示した各種置換基の具体例を示すが、特に断りのない限り、同一表記については他の一般式中においても同義である。
炭素数１〜６のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は、置換基として、フッ素原子、シアノ基を含有していてもよく、さらに、フェニル基もしくはハロゲン原子又は炭素数１〜６の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。
【０１１２】
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１１３】
無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、以下のものを挙げることができる。
フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基等。
【０１１４】
前記一般式（Ｉ）で表される分子構造を分子主鎖中に含むポリカーボネート構造単位（具体的には、一般式（１）〜（７））、又は前記一般式（ＩＩ）で表される分子構造を分子側鎖中に含むポリカーボネート構造単位（具体的には、一般式（８）〜（１３））の含有量は特に制約されないが、通常、分子主鎖中に含まれる単量体単位の合計モル数に対して、５モル％以上、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは５０モル％以上で、その上限値は１００モル％である。
【０１１５】
本発明で用いる前記ポリカーボネート樹脂は従来公知のビスフェノールと炭酸誘導体との重合と同様の方法で製造できる。製造法は、例えば、ポリカーボネート樹脂ハンドブック（編者：本間精一、発行：日刊工業新聞社）等に記載されている。
【０１１６】
本発明で用いるポリカーボネート樹脂は、その分子主鎖中に、前記一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表わされるカーボネート構造単位とともに、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるカーボネート構造単位を共重合成分として好ましく含有することができる。この一般式（ＩＩＩ）のカーボネート構造単位の含有割合は、前記一般式（Ｉ）及び／又は一般式（ＩＩ）のカーボネート構造単位の合計量に対して、９０モル％以下、好ましくは７０モル％以下、より好ましくは５０モル％以下である。
【０１１７】
【化４６】
上記（ＩＩＩ）式中、Ｘは置換もしくは無置換の２価脂肪族基、置換もしくは無置換の２価芳香族基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する２価有機基を示す。
【０１１９】
前記２価脂肪族基において、その炭素数は２〜２０、好ましくは４〜１０である。この２価脂肪族基には、炭素数２〜２０、好ましくは２〜１０の鎖状脂肪族基及び炭素数４〜１２、好ましくは６〜８の環状脂肪族基が包含される。
【０１２０】
これらの脂肪族基は、各種の置換基を１つ又は複数有していてもよい。このような置換基には、ハロゲン原子（塩素、臭素等）や、ヘテロ原子（Ｏ、Ｎ、Ｓ等）を含む各種置換基（アルコシキ、フェノキシ基、水酸基、カルボキシル基、アシル基、アシロキシ基、ニトロ基）等が包含される。
【０１２１】
前記２価芳香族基において、その炭素数は６〜２０、好ましくは６〜１４である。この２価芳香族基には、炭素数６〜２０、好ましくは６〜１０のアリーレン基及び炭素数７〜２０、好ましくは７〜１０のアリレンアルキレン基もしくはアリレンジアルキレン基が包含される。アリーレン基には、前記した各種の芳香族炭化水素由来のものが包含される。アリレンアルキレン基には、モノアルキル化芳香族炭化水素由来のもの、例えば、フェニレンメチレン基（−ＰｈＣＨ２−）等が包含される。アリレンジアルキレン基には、ジアルキル化芳香族炭化水素由来のもの、例えば、フェニレンジメチレン基（−ＣＨ２ＰｈＣＨ２−）等が包含される。
前記芳香族基は、各種の置換基を１つ又は複数有していてもよい。
【０１２２】
前記した少なくとも２つの芳香族基を含む２価有機基において、その骨格構造に含まれる炭素数は１４〜４０、好ましくは２０〜３０である。この２価有機基には、酸素原子や窒素原子、イオウ原子等のヘテロ原子が含まれていてもよい。
【０１２３】
前記少なくとも２つの芳香族基を含有する２価有機基の好ましいものとして、下記式（１４）〜（１６）で表されるものを示すことができる。
【０１２４】
【化４７】
【化４８】
【化４９】
前記式（１４）〜（１６）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、ハロゲン原子、炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルキル基又は無置換もしくは置換アリール基（Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８が各々複数個存在するときは、それらは同一であっても別異であってもよい）を示し、ｏ、ｐは０〜４の整数、ｑ、ｒは０〜３の整数を示す。さらに、式（１４）におけるＹは単結合、炭素数２〜１２の直鎖状のアルキレン基、炭素数３〜１２の無置換もしくは置換分岐鎖状アルキレン基、１つ以上の炭素数１〜１０のアルキレン基と１つ以上の酸素原子及び／又は硫黄原子から構成される２価基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は下記式（１７）〜（２６）で表される２価基を示す。
【０１２８】
【化５０】
【化５１】
【化５２】
【化５３】
【化５４】
【化５５】
【化５６】
【化５７】
【化５８】
【化５９】
前記式（１７）〜（２６）中、Ｚ１は無置換もしくは置換の炭素数２〜２０の２価脂肪族基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリーレン基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の２価有機基を示し、Ｚ２は無置換もしくは置換の炭素数２〜２０の２価脂肪族基又は無置換もしくは置換アリーレン基を示す。Ｒ９はハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１０、Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する１価有機基を示す。また、Ｒ１０、Ｒ１１が結合して炭素数５〜１２の炭素環を形成してもよく、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、ハロゲン原子、無置換もしくは置換炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１６はハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコシキ基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する骨格構造の炭素数が１４〜４０の１価有機基を示す。Ｒ１７、Ｒ１８は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示す。Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２は無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、無置換もしくは置換の炭素数４〜１５のヘテロアリール基又は少なくとも２つの芳香族基を含有する炭素数１４〜４０の１価有機基を示す。ｓは０〜４の整数、ｔは１又は２、ｕは０〜４の整数、ｖは０〜２０の整数、ｗは０〜２０００を示す。
【０１３９】
以下に、前記において示した各種置換基の具体例を示すが、特に断りのない限り、同一表記については他の一般式中においても同義である。
炭素数１〜６のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は、置換基として、フッ素原子、シアノ基を含有していてもよく、さらに、フェニル基もしくはハロゲン原子又は炭素数１〜６の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよい。
【０１４０】
具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１４１】
無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、以下のものを挙げることができる。
フェニル基、縮合多環基としてナフチル基、ピレニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、５Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテニリデンフェニル基、非縮合多環基としてビフェニリル基、ターフェニリル基等。
【０１４２】
少なくとも２つの芳香族基を含有する骨格構造の炭素数が１４〜４０の１価有機基としては、下記式（２７）の１価の基、又は前記式（１５）、（１６）の骨格構造を有する１価の基を示すことができる。
【０１４３】
【化６０】
【０１４４】
【化６１】
【化６２】
前記式（２７）、（２８）、（２９）中、Ｒ２３は、水素原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換のもしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜１５のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基を示し、Ｒ２４は、水素原子、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数６〜２０のアリール基を表し、ｈは１〜１２の整数、ｉは１〜３の整数である。
炭素数４〜１５のヘテロアリール基としては、チエニル基、ベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
上記のアリール基及びヘテロアリール基等は、以下▲１▼〜▲６▼に示す基を置換基として有してもよい。
【０１４７】
▲１▼ ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
▲２▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基。
▲３▼ 無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基（炭素数１〜６の無置換もしくは置換アルコキシ基としては、上記定義のアルキル基をアルコキシ基に代えたものであり、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる）、アリールオキシ基（アリールオキシ基としては、アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するものが挙げられる。これは、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換もしくは置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又はハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる）。
▲４▼ 置換メルカプト基又はアリールメルカプト基（置換メルカプト基又はアリールメルカプト基としては、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる）。
▲５▼ アルキル置換アミノ基（具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる）。
▲６▼ アシル基（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる）。
【０１４８】
また、一般式（ＩＩＩ）のＸで示される２価基の具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ぺンタンジオール、３−メチル−１，５−ぺンタンジオール、１，６−へキサンジオール、１，５−へキサンジオール、１，７−へプタンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、ネオぺンチルグリコール、２−エチル−１，６−へキサンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−エチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン、キシリレンジオール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエチル）べンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシプロピル）べンゼン、１，４−ビス（４−ヒドロキシブチル）べンゼン、１，４−ビス（５−ヒドロキシぺンチル）べンゼン、１，４−ビス（６−ヒドロキシヘキシル）べンゼン、イソホロンジオール等のジオールからヒドロキシ基を２個除いた２価基を挙げることができる。
【０１４９】
前記一般式（１４）のＹで示される１つ以上の炭素数１〜１０のアルキレン基と１つ以上の酸素原子及び／又は硫黄原子から構成される２価基の具体例として、ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２Ｏ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ、ＣＨＥｔＯＣＨＥｔＯ、ＣＨＣＨ３Ｏ、ＳＣＨ２ＯＣＨ２Ｓ、ＣＨ２ＯＣＨ２、ＯＣＨ２ＯＣＨ２Ｏ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＯＣＨ２ＣＨＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ、ＳＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ、ＳＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｓ等が挙げられる。
【０１５０】
炭素数３〜１２の分岐鎖状のアルキレン基に結合する置換基としては、無置換もしくは置換アリール基、又はハロゲン原子が挙げられる。
Ｚ１、Ｚ２が無置換もしくは置換脂肪族の２価基である場合の該２価基としては、前記Ｘとして示した脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基を挙げることができる。
【０１５１】
また、一般式（１８）、（１９）のＺ１、Ｚ２が無置換もしくは置換アリーレン基である場合の該基としては、上記無置換もしくは置換アリール基から誘導される２価基を挙げることができる。
【０１５２】
一般式（ＩＩＩ）のＸが芳香族の２価基である場合の好ましい具体例としては、下記で示されるジオールからヒドロキシル基２個を除いたものが挙げられる。ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス〈４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジメチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ぺンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルぺンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノナン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）へキサフルオロプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロぺンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルエーテル、エチレングリコールビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジフェニル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、３，３，３’，３’−テトラメチル−６，６’−ジヒドロキシスピロ（ビス）インダン、３，３’，４，４’−テトラヒドロ−４，４，４’，４’−テトラメチル−２，２’−スピロビ（２Ｈ−１−べンゾピラン）−７，７’−ジオール、トランス−２，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブテン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）キサンテン、１，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，６−へキサンジオン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレン、α，α，α’，α’−テトラメチル−α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−キシレン、２，６−ジヒドロキシジベンゾ−ｐ−ジオキシン、２，６−ジヒドロキシチアントレン、２，７−ジヒドロキシフェノキサチイン、９，１０−ジメチル−２，７−ジヒドロキシフェナジン、３，６−ジヒドロキシジベンゾフラン、３，６−ジヒドロキシジベンゾチオフェン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、１，４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシピレン、ハイドロキノン、レゾルシン、４−ヒドロキシフェニル−４−ヒドロキシベンゾエート、エチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ジエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、トリエチレングリコール−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、ｐ−フェニレン−ビス（４−ヒドロキシベンゾエート）、１，６−ビス（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−パーフルオロヘキサン、１，４−ビス（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）−１Ｈ，１Ｈ，４Ｈ，４Ｈ−パーフルオロブタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）テトラメチルジシロキサン等。
【０１５３】
次に、本発明の有機半導体レーザの層構成について、図１〜４に基づいて説明する。尚、図１〜４は本発明の有機半導体レーザの断面図である。
本発明の有機半導体レーザは、図１に示すように、少なくとも陽電極層２、発光層３、陰電極層４がこの順で積層されており、陽電極層２と発光層３と陰電極層４からなる積層体は、通常、基板１の上に陽電極層２が基板１と接するように（陰電極層４側を基板１の反対側に向けて）形成される。本発明の有機半導体レーザはこのように構成されているので、基板１上に設けられた陽電極層２から発光層３へ正孔が注入され、また、陰電極層４から発光層３に電子が注入され、発光層３内で上記正孔および上記電子が再結合することにより光が得られる。この光は反射可能な層間（具体的には、陽電極層２と発光層３との接触面、及び／又は発光層３と陰電極層４との接触面）で、反射を繰り返すことにより増幅され、レーザ光として放出される。
【０１５４】
上記基板１としては、一般的にはガラス、プラスチックフィルム等を用いることができる。
【０１５５】
本発明において、陽電極層２は発光層３に（後述するように、正孔輸送層を設けた場合は正孔輸送層を通して発光層３に）正孔を注入する作用を有する。陽電極層２は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。陽電極層２の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。陽電極層２の製膜方法としては蒸着、スパッタリングなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１５６】
本発明において、陰電極層４は、発光層３に（後述するように、電子輸送層を設けた場合は電子輸送層を通して発光層３に）電子を注入する作用を有する。陰電極層４は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属又はその合金、電気導電性化合物及びこれらの混合物により形成することが好ましい。このような電極材料の具体例としては、Ｎａ、Ｎａ・Ｋ合金、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｍｇ／Ｃｕ混合物、Ｍｇ・Ａｇ合金、Ａｌ・Ｌｉ合金、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物、Ｉｎ、希土類金属等が挙げられる。陰電極層３の厚さは、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。陰電極層の製膜方法としては蒸着、スパッタリングなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１５７】
本発明において、発光層３は陽電極層２から注入された正孔と、陰電極層４から注入された電子とを再結合させることにより光を発生する作用を有する。本発明の発光層２は、前述したポリカーボネート樹脂を含有する。また、電気的特性の向上等を目的として、発光層３を製膜する際、後述する電子輸送材料や正孔輸送材料をポリカーボネート樹脂と共に含有させてもよい。その他、他の樹脂との混合物の形態で使用することもできる。他の樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジフェネチルベンゼン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ブタジエン誘導体、水素化ブタジエン、ジフェニルシクロヘキサン誘導体、ジスチリルトリフェニルアミン誘導体、ジフェニルジスチリルベンゼン誘導体、スチルベン誘導体、ｍ−フェニレンジアミン誘導体、レゾルシン誘導体、トリアリールアミン誘導体などを含有させてもよい。
発光層の膜厚は特には制限はなく、適宜選択できるが、通常は５〜５００ｎｍの範囲内とするのが好ましい。
【０１５８】
本発明において、発光層２はスピンコート法、キャスト法、インクジェット工法、ディッピング塗工法等の公知の方法によって簡便に薄膜化することが可能である。本発明で用いるポリカーボネート樹脂はジクロロメタンやテトラヒドロフラン等の有機溶媒に容易に溶解する。従って、ポリカーボネート樹脂を溶解できる適当な溶媒により適当な濃度の溶液を作製し、これを用いて上記方法等により塗工すれば、発光層２を容易に作製できる。
【０１５９】
本発明の有機半導体レーザにおいては、図２に示すように、陽電極層２と発光層３との間に正孔輸送層５が設けられ、発光層３と陰電極層４との間に電子輸送層６が設けられていることが好ましい。このように構成されていると、陽電極層２と陰電極層４との間に電圧を印加することにより発光層３で光を発生させ、該光を正孔輸送層５と発光層３との接触面及び／又は該電子輸送層６と発光層３との接触面で全反射を繰り返すことにより増幅させてから、該光を発光層３の端部から放出することができる。
【０１６０】
上記正孔輸送層５に用いられる正孔輸送材料の例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリビニルカルバゾール誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー等が挙げられる。
【０１６１】
前記電子輸送層６に用いる電子輸送材料の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アンドラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。また特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化合物も、電子輸送材料として用いることができる。さらに上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他にメタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。またジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができ、さらにｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。上記の電子輸送材料からなる電子輸送層６には、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属、及びアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属のフッ化物、塩化物、ヨウ化物などの化合物からなる電子供与性ドナーを０．１〜３０モル％ドーピングすることが好ましい。
【０１６２】
本発明においては、上記に例示した電子輸送層５および正孔輸送層６の製膜はスピンコート法、キャスト法、蒸着法、スパッタリング法など従来公知の方法を使用することができるが、なかでも蒸着法を用いるのが好ましい。
【０１６３】
上記正孔輸送層５の厚みは、１００〜２０００ｎｍであることが好ましく、２００〜５００ｎｍであることがより好ましい。又、上記電子輸送層６の厚みは、１００〜２０００ｎｍであることが好ましく、２００〜５００ｎｍであることがより好ましい。正孔輸送層５の厚み、電子輸送層６の厚みがかかる範囲内であれば、正孔輸送層５と発光層３との接触面において発光層３で発光した光を全反射させレーザ光を得ることができる。正孔輸送層５や電子輸送層６の厚みが薄すぎると、接触面で発光した光を全反射させレーザ光を得ることができない虞があり、厚すぎると電子や正孔の輸送能力が低下する虞がある。
【０１６４】
本発明の有機半導体レーザにおいては、図３に示すように、陽電極層２と発光層３との間に反射層７が設けられていることが好ましい。このように構成されていると、光がこの反射層７と陰電極層４との間で反射を繰り返し、増幅するので（導波路効果）、有機半導体レーザの端面から増幅されたレーザ光を取り出すことができる。かかる観点からは、発光層３と陰電極層４との間にも反射層（図示はしない。）が設けられていることが好ましい。
【０１６５】
反射層７に用いることができる材料の例としては反射率の高い金属を用いるのが好ましい。該金属の例としては、上記に示した陰電極層４に用いるものと同様のものが挙げられる。
【０１６６】
本発明の有機半導体レーザにおいては、より効率的に増幅されたレーザ光を得るために、陽電極層３の一方の面に共振器８が設けられていることが好ましい。具体的には、図４に示すように、基板１上に共振器８を設け、共振器８上に陽電極層２、発光層３、陰電極層４がこの順で積層されることが好ましい。また、共振器は陽電極層３上（陽電極層２と発光層３の間）に設けてもよい。これにより、発光層３で発生した光は共振器内の回折格子導波路内で増幅、反射され、効率よくレーザ光として取り出される。
【０１６７】
本発明に用いられる共振器構造の例としては、ＤＦＢ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａｃｋ）やＤＢＲ（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）といった分布帰還型共振器を用いることが好ましい。これら共振器を得るための回折格子は従来公知のリソグラフィー技術により作製が可能である。
【０１６８】
尚、図２〜４に示す態様においても、基板１の上に陽電極層２等からなる積層体を、陽電極層２側を基板１に向けて（陰電極層４側を基板１の反対側に向けて）形成することが好ましく、基板１を構成する材料としては、図１の態様において説明したものが好ましく用いられる。
【０１６９】
【実施例】
本発明を以下の実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１７０】
実施例１
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に有機ポジ形フォトレジストを塗布し、リソグラフィー法により５００ｎｍピッチの回折格子（共振器）を作製した。この上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２５０ｎｍを蒸着したのち、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰電極層としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６３】
実施例２
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上にＡｕを１０ｎｍ、続けて、正孔輸送層としてＴＰＤを２５０ｎｍを蒸着したのち、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰電極層としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６４】
実施例３
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜（陽電極層）を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に正孔輸送層としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２５０ｎｍを蒸着した後、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層として２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを２５０ｎｍ蒸着した後に、陰極としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７３】
実施例４
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。この基板上に正孔輸送層としてＴＰＤを２５０ｎｍを蒸着した後、本発明で用いられる一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂と５ｗｔ％のＡｌｑ３および５ｗｔ％のＴＰＤを混合した１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を作製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。この溶液を使用してＴＰＤ膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し発光層を形成した。十分乾燥を行った後に、電子輸送層としてＡｌｑ３を２５０ｎｍ蒸着した後に、陰極としてＭｇＡｇ合金を２００ｎｍ形成した。このようにして作製した有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７４】
実施例５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６５】
実施例６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６６】
実施例７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７７】
実施例８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１７８】
実施例９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６７】
実施例１０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化６８】
実施例１１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８１】
実施例１２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８２】
実施例１３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化６９】
実施例１４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７０】
実施例１５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８５】
実施例１６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（４）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８６】
実施例１７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７１】
実施例１８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（３９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７２】
実施例１９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１８９】
実施例２０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（５）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（３９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９０】
実施例２１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７３】
実施例２２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７４】
実施例２３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９３】
実施例２４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９４】
実施例２５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７５】
実施例２６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７６】
実施例２７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（６）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９７】
実施例２８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（７）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０１９８】
実施例２９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７７】
実施例３０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化７８】
実施例３１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０１】
実施例３２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（８）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０２】
実施例３３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化７９】
実施例３４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８０】
実施例３５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４６）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０５】
実施例３６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（９）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４７）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０６】
実施例３７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８１】
実施例３８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（４９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８２】
実施例３９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４８）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２０９】
実施例３６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１０）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（４９）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１０】
実施例４１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８３】
実施例４２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８４】
実施例４３
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５０）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１３】
実施例４４
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１１）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５１）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１４】
実施例４５
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８５】
実施例４６
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８６】
実施例４７
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５２）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１７】
実施例４８
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５３）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２１８】
実施例４９
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、レーザ光が放出されることを確認した。
【化８７】
実施例５０
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、下記（５５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例２と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【化８８】
実施例５１
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１３）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５４）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例３と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２２１】
実施例５２
一般式（１）で表されるポリカーボネート樹脂の代わりに、一般式（１２）で表されるポリカーボネート樹脂として、上記（５５）式で表される芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例４と同様に、有機半導体レーザを作製した。該有機半導体レーザに３０Ｖの電圧を印加したところ、発光層端部からレーザ光が放出されることを確認した。
【０２２２】
【発明の効果】
本発明の有機半導体レーザは、発光層にその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有するポリカーボネート樹脂を用いていることから、製造が容易であり実用性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機半導体レーザの一例を示すための断面図である。
【図２】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【図３】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【図４】本発明の有機半導体レーザの他の一例を示すための断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 陽電極層
３ 発光層
４ 陰電極層
５ 正孔輸送層
６ 電子輸送層
７ 反射層
８ 共振器
Claims (27)
- 少なくとも陽電極層、発光層、陰電極層がこの順で積層された有機半導体レーザにおいて、該発光層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有することを特徴とする有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、分子主鎖中に下記一般式（Ｉ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、分子側鎖中に下記一般式（ＩＩ）で表される分子構造をなす窒素原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（５）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（６）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（７）で表されることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（８）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（９）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１０）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１１）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１２）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該ポリカーボネート構造単位が、下記一般式（１３）で表されることを特徴とする請求項３に記載の有機半導体レーザ。
- 該陽電極層と発光層との間に正孔輸送層が設けられ、該発光層と陰電極層との間に電子輸送層が設けられていることを特徴とする請求項１〜１６に記載の有機半導体レーザ。
- 該正孔輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項１７に記載の有機半導体レーザ。
- 上記電子輸送層の厚みが１００〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項１７に記載の有機半導体レーザ。
- 該陽電極層と発光層との間に反射層が設けられていることを特徴とする請求項１〜１７に記載の有機半導体レーザ。
- 該発光層と陰電極層との間に反射層が設けられていることを特徴とする請求項２０に記載の有機半導体レーザ。
- 該陽電極層の一方の面に共振器が設けられていることを特徴とする請求項１〜１９に記載の有機半導体レーザ。
- 基板上に、陰電極層側を該基板の反対側に向けて設けられていることを特徴とする請求項１〜２２に記載の有機半導体レーザ。
- 該発光層が正孔輸送物質を含むことを特徴とする請求項１〜２３に記載の有機半導体レーザ。
- 該発光層が電子輸送物質を含むことを特徴とする請求項１〜２３に記載の有機半導体レーザ。
- 該発光層が正孔輸送物質および電子輸送物質を含むことを特徴とする請求項１〜２３に記載の有機半導体レーザ。
- 該発光層が湿式法により製膜されることを特徴とする請求項１〜２６に記載の有機半導体レーザ。
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093628A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hodogaya Chem Co Ltd | 有機半導体レーザー装置 |
| JP2006165206A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006253505A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体レーザ |
| JP2006253221A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体レーザ |
| US20080113468A1 (en) * | 2004-10-01 | 2008-05-15 | Merck Patent Gmbh | Electronic Devices Containing Organic Semi-Conductors |
| JP2008527626A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光共振器を有する電子デバイス |
| WO2018043763A1 (en) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Kyushu University, National University Corporation | Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode |
| WO2018147470A1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | Kyushu University, National University Corporation | Current-injection organic semiconductor laser diode, method for producing same and program |
| CN111383912A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 三星Sdi株式会社 | 硬掩膜组成物、硬掩模层以及形成图案的方法 |
| TWI793080B (zh) * | 2016-09-02 | 2023-02-21 | 國立大學法人九州大學 | 連續波有機薄膜分散式回饋雷射及電驅動有機半導體雷射二極體 |
-
2002
- 2002-12-05 JP JP2002354321A patent/JP2004186599A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093628A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hodogaya Chem Co Ltd | 有機半導体レーザー装置 |
| US20080113468A1 (en) * | 2004-10-01 | 2008-05-15 | Merck Patent Gmbh | Electronic Devices Containing Organic Semi-Conductors |
| US9150687B2 (en) * | 2004-10-01 | 2015-10-06 | Merck Patent Gmbh | Electronic devices containing organic semi-conductors |
| JP2006165206A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008527626A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 光共振器を有する電子デバイス |
| JP2006253221A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体レーザ |
| JP2006253505A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体レーザ |
| JP2019526937A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-09-19 | 国立大学法人九州大学 | 連続波有機薄膜分布帰還型レーザ及び電気駆動有機半導体レーザダイオード |
| US11539190B2 (en) | 2016-09-02 | 2022-12-27 | Kyushu University, National University Corporation | Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode |
| US11909177B2 (en) | 2016-09-02 | 2024-02-20 | Kyushu University, National University Corporation | Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode |
| WO2018043763A1 (en) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Kyushu University, National University Corporation | Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode |
| TWI793080B (zh) * | 2016-09-02 | 2023-02-21 | 國立大學法人九州大學 | 連續波有機薄膜分散式回饋雷射及電驅動有機半導體雷射二極體 |
| JP7162306B2 (ja) | 2017-02-07 | 2022-10-28 | 国立大学法人九州大学 | 電流注入有機半導体レーザダイオード、その作成方法及びプログラム |
| US11183815B2 (en) | 2017-02-07 | 2021-11-23 | Koala Tech Inc. | Current-injection organic semiconductor laser diode, meihod for producing same and program |
| WO2018147470A1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | Kyushu University, National University Corporation | Current-injection organic semiconductor laser diode, method for producing same and program |
| JP2020506527A (ja) * | 2017-02-07 | 2020-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 電流注入有機半導体レーザダイオード、その作成方法及びプログラム |
| US11626710B2 (en) | 2017-02-07 | 2023-04-11 | Kyushu University, National University Corporation | Current-injection organic semiconductor laser diode, method for producing same and program |
| CN109792134A (zh) * | 2017-02-07 | 2019-05-21 | 国立大学法人九州大学 | 电流注入式有机半导体激光二极管、其制造方法及程序 |
| US11955776B2 (en) | 2017-02-07 | 2024-04-09 | Kyushu University, National University Corporation | Current-injection organic semiconductor laser diode, method for producing same and program |
| CN111383912A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 三星Sdi株式会社 | 硬掩膜组成物、硬掩模层以及形成图案的方法 |
| CN111383912B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-02-28 | 三星Sdi株式会社 | 硬掩膜组成物、硬掩模层以及形成图案的方法 |
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