KR970067574A - 레지스트 패턴의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
레지스트패턴의 형성방법에 관하여, 레지스트 막중에 현상액의 침투성을 높이고, 패턴프로파일을 개선하는 것을 목적으로 한다. 보호된 알칼리 가용성기를 가지고 또한 그 보호기가 산으로서 이탈하여 당해 화합물을 알칼리 가용성으로 되게하는 반복단위를 포함한 중합체 또는 공중합체와, 방사선 노광으로서 산을 발생하는 산발생제를 포함한 레지스트를 피처리기판상에 도포하고, 형성된 레지스트막을 상기 산발생제로부터의 산의 발생을 야기할 수 있는 방사선에 선택적으로 노광하고, 그리고, 상기 노광공정에 있어서 레지스트막상에 형성된 잠상을, 고급 알킬기를 함유하는 계면활성제의 존재에 있어서 유기 알칼리 수용액으로 잠상하는 것을 포함하도록 구성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- 보호된 알칼리 가용성기를 가지고 또한 그 보호기를 산으로서 이탈하여 당해 화합물을 알칼리 가용성으로 되게 하는 반복단위를 포함하는 중합체 또는 공중합체와, 방사선 노광으로서 산을 발생하는 산발생제를 포함하는 레지스트를 피처리기판상에 도포하고, 형성된 레지스트 막을 상기 발생제로부터의 산의 발생을 야기할 수 있는 방사선에 선택적으로 노광하고, 그리고, 상기 노광공정에 있어서, 레지스트막상에 형성된 잠상을, 고급 알킬기를 함유하는 계면활성제의 존재에 있어서 유기 알칼리 수용액으로 현상하는 것을 포함하여 되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레지스트 막의 형성공정과 상기 선택노광공정의 중간에 상기 레지스트막을 첨가하는 공정, 그리고, 상기 선택노광공정 및 상기 현상공정의 중간에 상기 레지스트막을 첨가하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 계면활성제가, 양이온계면활성제, 음이온 계면활성제, 양성이온계면 활성제 및 비이온계면활성제로서 되는 군에서 선택된 일원인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항 내지 제3항에 있어서, 상기 계면활성제를 상기 유기 알칼리 수용액의 유기 알칼리의 농도에 관하여 0.01~1몰당량으로 존재시키는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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