JP2002169299A - フォトレジスト現像液 - Google Patents
フォトレジスト現像液Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光後のフォトレジストにおける非可溶部の
濡れ性に優れると共に可溶部の溶解性に優れ、且つ、非
可溶部の溶解速度が効果的に抑制されたフォトレジスト
現像液を提供する。 【解決手段】アルカリ水溶液に、ノニオン性界面活性剤
とカチオン性界面活性剤とを１０〜５０００重量ｐｐｍ
濃度で含有せしめることによって上記フォトレジスト現
像液が調製される。
濡れ性に優れると共に可溶部の溶解性に優れ、且つ、非
可溶部の溶解速度が効果的に抑制されたフォトレジスト
現像液を提供する。 【解決手段】アルカリ水溶液に、ノニオン性界面活性剤
とカチオン性界面活性剤とを１０〜５０００重量ｐｐｍ
濃度で含有せしめることによって上記フォトレジスト現
像液が調製される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なフォトレジ
スト現像液に関する。詳しくは、露光後のフォトレジス
トにおける非可溶部の濡れ性に優れると共に可溶部の溶
解性に優れ、且つ、非可溶部の溶解速度が効果的に抑制
されたフォトレジスト現像液である。
スト現像液に関する。詳しくは、露光後のフォトレジス
トにおける非可溶部の濡れ性に優れると共に可溶部の溶
解性に優れ、且つ、非可溶部の溶解速度が効果的に抑制
されたフォトレジスト現像液である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、近年、
半導体集積回路の高密度化、微細化が進められている。
例えば、パターン形成を行うリソグラフィー工程では、
露光装置の光源としてＫｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー（１９８ｎｍ）、
さらにはＦ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）へと移り
つつある。
半導体集積回路の高密度化、微細化が進められている。
例えば、パターン形成を行うリソグラフィー工程では、
露光装置の光源としてＫｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）から、ＡｒＦエキシマレーザー（１９８ｎｍ）、
さらにはＦ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）へと移り
つつある。
【０００３】このリソグラフィー工程では、回路パター
ンが描かれたマスクを露光によりウエハ上のフォトレジ
ストに転写し、次いで、上記フォトレジストの露光面を
現像液と接触せしめることにより、ポジ型では、露光さ
れた部分が現像液に溶け、また、ネガ型では未露光部分
が現像液に溶ける。そして、上記現像によって残ったフ
ォトレジストがマスクとして働き、下地基板のウェハを
プラズマなどでエッチングすることによって回路の形成
を行うことができる。
ンが描かれたマスクを露光によりウエハ上のフォトレジ
ストに転写し、次いで、上記フォトレジストの露光面を
現像液と接触せしめることにより、ポジ型では、露光さ
れた部分が現像液に溶け、また、ネガ型では未露光部分
が現像液に溶ける。そして、上記現像によって残ったフ
ォトレジストがマスクとして働き、下地基板のウェハを
プラズマなどでエッチングすることによって回路の形成
を行うことができる。
【０００４】上記リソグラフィー工程において、光源が
エキシマレーザーの場合、一般に使用されるフォトレジ
ストは化学増幅型フォトレジストが用いられている。こ
の化学増幅型フォトレジストは、現像液に可溶であるベ
ース樹脂中の官能基を、保護基でマスクして現像液に対
する溶解性を抑制させた樹脂と、露光によって酸を発生
する光酸発生剤とを主成分とする組成物が用いられるて
いる。
エキシマレーザーの場合、一般に使用されるフォトレジ
ストは化学増幅型フォトレジストが用いられている。こ
の化学増幅型フォトレジストは、現像液に可溶であるベ
ース樹脂中の官能基を、保護基でマスクして現像液に対
する溶解性を抑制させた樹脂と、露光によって酸を発生
する光酸発生剤とを主成分とする組成物が用いられるて
いる。
【０００５】この化学増幅型フォトレジストは、基板上
に塗布されたフォトレジストをエキシマレーザーにより
露光することにより、光酸発生剤から酸が発生し、露光
後のベークにより酸が保護基を切断する反応が生じる。
その結果、フォトレジストのベース樹脂がアルカリ水溶
液に対して可溶になり、アルカリ水溶液を現像液として
フォトレジストの現像を行うことができる。
に塗布されたフォトレジストをエキシマレーザーにより
露光することにより、光酸発生剤から酸が発生し、露光
後のベークにより酸が保護基を切断する反応が生じる。
その結果、フォトレジストのベース樹脂がアルカリ水溶
液に対して可溶になり、アルカリ水溶液を現像液として
フォトレジストの現像を行うことができる。
【０００６】一方、上記フォトレジストの現像液に求め
られる性質として、高い解像力が要求される。この解像
力は、フォトレジストの露光部と非露光部の現像速度の
比、即ち、そのフォトレジストの現像液に対する選択比
で表され、該選択比が高いことが微細なフォトレジスト
のパターンを得る上で重要である。
られる性質として、高い解像力が要求される。この解像
力は、フォトレジストの露光部と非露光部の現像速度の
比、即ち、そのフォトレジストの現像液に対する選択比
で表され、該選択比が高いことが微細なフォトレジスト
のパターンを得る上で重要である。
【０００７】しかし、前記フォトレジストは疎水性であ
り、特に、露光後におけるフォトレジストの非可溶部は
疎水性が強いため、アルカリ水溶液である現像液の濡れ
性が悪く、パターンを形成する可溶部が微細な場合、か
かる部分を囲む非可溶部の濡れ性の悪さにより現像液が
該可溶化部に接触し難く、パターンの基部の裾切れなど
が低下するという問題があった。
り、特に、露光後におけるフォトレジストの非可溶部は
疎水性が強いため、アルカリ水溶液である現像液の濡れ
性が悪く、パターンを形成する可溶部が微細な場合、か
かる部分を囲む非可溶部の濡れ性の悪さにより現像液が
該可溶化部に接触し難く、パターンの基部の裾切れなど
が低下するという問題があった。
【０００８】上記問題は、集積回路の製造工程での現像
方法として、パドル現像を利用した方法において顕著で
あった。
方法として、パドル現像を利用した方法において顕著で
あった。
【０００９】上記諸問題を解決する方法として、界面活
性剤を現像液に添加して、非可溶化部の濡れ性を向上さ
せることが行われている。そのうち、特に、化学増幅型
フォトレジストに対しては、アルカリ水溶液にノニオン
性界面活性剤を添加した現像液が有効であり、フォトレ
ジストに対して高い濡れ性を示すと共に、露光後のフォ
トレジストの可溶部についての溶解性に優れ、その結
果、高い解像力を達成することが可能である。
性剤を現像液に添加して、非可溶化部の濡れ性を向上さ
せることが行われている。そのうち、特に、化学増幅型
フォトレジストに対しては、アルカリ水溶液にノニオン
性界面活性剤を添加した現像液が有効であり、フォトレ
ジストに対して高い濡れ性を示すと共に、露光後のフォ
トレジストの可溶部についての溶解性に優れ、その結
果、高い解像力を達成することが可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ノ
ニオン性界面活性剤を添加した現像液は、フォトレジス
トのパターンを再現性よく得るために未だ解決すべき課
題があった。即ち、該現像液は、その後のエッチング工
程でマスクとして使用されるフォトレジストの非可溶部
の溶解性も比較的高く、現像後に十分な膜厚が確保でき
ないという問題である。この問題は、パターンの精度を
向上するために、フォトレジストの厚みを薄くする傾向
がある近年、顕著に現れる。
ニオン性界面活性剤を添加した現像液は、フォトレジス
トのパターンを再現性よく得るために未だ解決すべき課
題があった。即ち、該現像液は、その後のエッチング工
程でマスクとして使用されるフォトレジストの非可溶部
の溶解性も比較的高く、現像後に十分な膜厚が確保でき
ないという問題である。この問題は、パターンの精度を
向上するために、フォトレジストの厚みを薄くする傾向
がある近年、顕著に現れる。
【００１１】これに対して、特定のノニオン性界面活性
剤を使用することにより、非溶解部の溶解性を抑制する
試みも成され、ある程度の効果が達成されているもの
の、未だ十分ではなく、更なる改良が望まれる所であ
る。
剤を使用することにより、非溶解部の溶解性を抑制する
試みも成され、ある程度の効果が達成されているもの
の、未だ十分ではなく、更なる改良が望まれる所であ
る。
【００１２】従って、本発明の目的は、前記フォトレジ
ストの露光後における非可溶部の濡れ性に優れると共に
可溶部の溶解性に優れ、且つ、非可溶部の溶解速度が効
果的に抑制されたフォトレジスト現像液を提供すること
にある。
ストの露光後における非可溶部の濡れ性に優れると共に
可溶部の溶解性に優れ、且つ、非可溶部の溶解速度が効
果的に抑制されたフォトレジスト現像液を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決すべく鋭意研究を続けてきた。その結果、アルカ
リ水溶液に、ノニオン性界面活性剤と共にカチオン性界
面活性剤を併用することにより、上記目的を全て達成し
得ることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
を解決すべく鋭意研究を続けてきた。その結果、アルカ
リ水溶液に、ノニオン性界面活性剤と共にカチオン性界
面活性剤を併用することにより、上記目的を全て達成し
得ることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】即ち、本発明は、ノニオン性界面活性剤と
カチオン性界面活性剤とを１０〜５０００重量ｐｐｍの
濃度で含有するアルカリ水溶液よりなることを特徴とす
るフォトレジストの現像液である。
カチオン性界面活性剤とを１０〜５０００重量ｐｐｍの
濃度で含有するアルカリ水溶液よりなることを特徴とす
るフォトレジストの現像液である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明においてアルカリ性水溶液
は、従来、フォトレジストの現像液の成分として公知の
ものが何ら制限なく使用できる。具体的には、第一級、
第二級、第三級アミン類、例えばプロピルアミン、ブチ
ルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン等のアミ
ン類の水溶液、炭素、窒素、酸素、硫黄原子の中から選
ばれた環状塩基、例えば、ピロール、ピロリジン、ピロ
リドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジ
ン、オキサゾール、チアゾールなどがある。第四級アン
モニウム塩基なども使用できる。具体的には、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨと略称
する）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロ
キシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリエチル
（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、
トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（１−ヒドロキシプロピル）ア
ンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。これらのア
ルカリは、単独でアルカリ水溶液を構成しても良いし、
２種類以上組み合わせてアルカリ水溶液を構成すること
もできる。
は、従来、フォトレジストの現像液の成分として公知の
ものが何ら制限なく使用できる。具体的には、第一級、
第二級、第三級アミン類、例えばプロピルアミン、ブチ
ルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン等のアミ
ン類の水溶液、炭素、窒素、酸素、硫黄原子の中から選
ばれた環状塩基、例えば、ピロール、ピロリジン、ピロ
リドン、ピリジン、モルホリン、ピラジン、ピペリジ
ン、オキサゾール、チアゾールなどがある。第四級アン
モニウム塩基なども使用できる。具体的には、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（以下、ＴＭＡＨと略称
する）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロ
キシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリエチル
（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、
トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチル（１−ヒドロキシプロピル）ア
ンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。これらのア
ルカリは、単独でアルカリ水溶液を構成しても良いし、
２種類以上組み合わせてアルカリ水溶液を構成すること
もできる。
【００１６】また、これらの中で、ＴＭＡＨ、トリメチ
ル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド
を使用したアルカリ水溶液が好適である。
ル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド
を使用したアルカリ水溶液が好適である。
【００１７】本発明の現像液について、アルカリの濃度
は、使用するアルカリによって適切な濃度が選ばれる
が、一般的に、０．１重量％〜１０重量％、好ましくは
１重量％〜５重量％の範囲が好ましい。
は、使用するアルカリによって適切な濃度が選ばれる
が、一般的に、０．１重量％〜１０重量％、好ましくは
１重量％〜５重量％の範囲が好ましい。
【００１８】上記アルカリの濃度が０．１重量％より低
い場合、可溶部（ポジ型の場合は露光部）が現像液中に
充分に溶出せず、パターン（顕像）が形成し難くなる。
また、アルカリの濃度が１０重量％を超えると、非可溶
部（ポジ型の場合は非露光部）の溶解性が高くなり、本
発明の効果を十分発揮し難い。
い場合、可溶部（ポジ型の場合は露光部）が現像液中に
充分に溶出せず、パターン（顕像）が形成し難くなる。
また、アルカリの濃度が１０重量％を超えると、非可溶
部（ポジ型の場合は非露光部）の溶解性が高くなり、本
発明の効果を十分発揮し難い。
【００１９】本発明の最大の特徴は、上記アルカリ水溶
液にノニオン性界面活性剤及びカチオン性界面活性剤を
含有することにある。
液にノニオン性界面活性剤及びカチオン性界面活性剤を
含有することにある。
【００２０】即ち、アルカリ水溶液にノニオン性界面活
性を単独で含有する現像液は、フォトレジスト露光後の
非可溶部の濡れ性や界面張力の向上において効果があ
り、また、可溶部の溶解性を向上することができるた
め、微細なパターンの形成を行うことが可能であるが、
非可溶部の溶解速度も高いため、フォトレジストの膜厚
を薄くした場合、非可溶部によって形成されるパターン
の一部が欠損するという問題が懸念される。
性を単独で含有する現像液は、フォトレジスト露光後の
非可溶部の濡れ性や界面張力の向上において効果があ
り、また、可溶部の溶解性を向上することができるた
め、微細なパターンの形成を行うことが可能であるが、
非可溶部の溶解速度も高いため、フォトレジストの膜厚
を薄くした場合、非可溶部によって形成されるパターン
の一部が欠損するという問題が懸念される。
【００２１】これに対して、本発明においては、現像液
の組成として、ノニオン性界面活性剤にカチオン性界面
活性剤を併用することにより、驚くべきことに、ノニオ
ン性界面活性剤による上記露光後におけるフォトレジス
トの非可溶部の濡れ性及び可溶部の溶解性を殆ど低下さ
せることなく、非可溶部の溶解性を極めて効果的に抑制
するという効果を発揮するのである。
の組成として、ノニオン性界面活性剤にカチオン性界面
活性剤を併用することにより、驚くべきことに、ノニオ
ン性界面活性剤による上記露光後におけるフォトレジス
トの非可溶部の濡れ性及び可溶部の溶解性を殆ど低下さ
せることなく、非可溶部の溶解性を極めて効果的に抑制
するという効果を発揮するのである。
【００２２】本発明において、ノニオン性界面活性剤と
しては、公知のノニオン性界面活性剤を使用することが
できる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキル
フェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコール、ポ
リオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポ
リオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸
モノエステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノ
ールアミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド、ポリ
オキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミド、
ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミノエーテ
ル、ポリオキシエチレンアセチレングリコール、ポリオ
キシエチレンポリオキシプロピレンアセチレングリコー
ル、アルキルリン酸エステル塩などが挙げられる。これ
らの界面活性剤は、２種以上組み合わせて使用してもよ
い。
しては、公知のノニオン性界面活性剤を使用することが
できる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキル
フェニルエーテル、ポリオキシエチレングリコール、ポ
リオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポ
リオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸
モノエステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノ
ールアミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド、ポリ
オキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミド、
ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミノエーテ
ル、ポリオキシエチレンアセチレングリコール、ポリオ
キシエチレンポリオキシプロピレンアセチレングリコー
ル、アルキルリン酸エステル塩などが挙げられる。これ
らの界面活性剤は、２種以上組み合わせて使用してもよ
い。
【００２３】これらノニオン性界面活性剤のうち好適に
使用されるものを一般式で表わすと、下記のものが挙げ
られる。
使用されるものを一般式で表わすと、下記のものが挙げ
られる。
【００２４】
【化１】
【００２５】（式中Ｒは、炭素数４〜１８の直鎖アルキ
ル基；
ル基；
【００２６】
【化２】
【００２７】などの分枝状のアルキル基；フェニル基お
よび下記のアルキルフェニル基よりなる群より選ばれた
一種の基である。
よび下記のアルキルフェニル基よりなる群より選ばれた
一種の基である。
【００２８】
【化３】
【００２９】また、前記一般式中のｎ、ｍ、ｎ1、ｎ2、
ｍ1、ｍ2は整数である。nは５〜４０、mは２〜３０、ｎ
1＋ｎ2は５〜４０、ｍ1＋ｍ2は２〜３０である。）本発
明において、上記一般式で示される化合物を更に具体的
に示せば、下記のものが挙げられる。
ｍ1、ｍ2は整数である。nは５〜４０、mは２〜３０、ｎ
1＋ｎ2は５〜４０、ｍ1＋ｍ2は２〜３０である。）本発
明において、上記一般式で示される化合物を更に具体的
に示せば、下記のものが挙げられる。
【００３０】
【化４】
【００３１】本発明において、上記ノニオン界面活性剤
と共に使用されるカチオン性界面活性剤としては、公知
のものが特に制限されない。例えば、モノアルキルアミ
ンとその塩、アルキルトリメチルアミンとその塩、ジア
ルキルジメチルアミンとその塩、イミダゾリニウムとそ
の塩、アルキルベンジルジメチル四級アンモニウムとそ
の塩、ベンジルピリジニウムとその塩、アルキルピリジ
ニウムとその塩、ポリオキシエチレンアルキルベンジル
アンモニウムとその塩などが挙げられる。これらの界面
活性剤は、２種以上組み合わせて使用してもよい。
と共に使用されるカチオン性界面活性剤としては、公知
のものが特に制限されない。例えば、モノアルキルアミ
ンとその塩、アルキルトリメチルアミンとその塩、ジア
ルキルジメチルアミンとその塩、イミダゾリニウムとそ
の塩、アルキルベンジルジメチル四級アンモニウムとそ
の塩、ベンジルピリジニウムとその塩、アルキルピリジ
ニウムとその塩、ポリオキシエチレンアルキルベンジル
アンモニウムとその塩などが挙げられる。これらの界面
活性剤は、２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００３２】これら界面活性剤の中で、特に好適なもの
を例示すると、下記一般式で示されるものが挙げられ
る。
を例示すると、下記一般式で示されるものが挙げられ
る。
【００３３】
【化５】
【００３４】（但し、式中Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ6〜Ｒ8、及びＲ
10〜Ｒ12は、水素、メチル基又は炭素数４〜１５のアル
キル基を示し、且つ、上記Ｒ1〜Ｒ4の群、Ｒ6〜Ｒ8の群
及びＲ10〜Ｒ12の群中に、それぞれ炭素数４〜１５のア
ルキル基と水素又はメチル基とを併せて含み、Ｒ5はピ
リジニウム基又はフェニル基を示し、Ｒ9は炭素数４〜
１５のアルキレン基を示し、ｑは５〜２０の整数を示
し、また、ＸはＯＨ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩを示す。）
10〜Ｒ12は、水素、メチル基又は炭素数４〜１５のアル
キル基を示し、且つ、上記Ｒ1〜Ｒ4の群、Ｒ6〜Ｒ8の群
及びＲ10〜Ｒ12の群中に、それぞれ炭素数４〜１５のア
ルキル基と水素又はメチル基とを併せて含み、Ｒ5はピ
リジニウム基又はフェニル基を示し、Ｒ9は炭素数４〜
１５のアルキレン基を示し、ｑは５〜２０の整数を示
し、また、ＸはＯＨ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩを示す。）
【００３５】上記カチオン性界面活性剤において、アル
キル基は直鎖状のものが好ましい。好適なカチオン性界
面活性剤を更に具体的に例示すれば、下記の化合物が挙
げられる。
キル基は直鎖状のものが好ましい。好適なカチオン性界
面活性剤を更に具体的に例示すれば、下記の化合物が挙
げられる。
【００３６】
【化６】
【００３７】（但し、上記式において、Ｘは、ＯＨ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、又はＩである。） 上記カチオン性界面活性剤は、半導体製造のリソグラフ
ィー工程で、ハロゲン化物を使わない方が、金属配線等
の接触する金属の腐食を抑える上で有利であり、そのた
め、水酸化物が好適に使用できる。
ｌ、Ｂｒ、又はＩである。） 上記カチオン性界面活性剤は、半導体製造のリソグラフ
ィー工程で、ハロゲン化物を使わない方が、金属配線等
の接触する金属の腐食を抑える上で有利であり、そのた
め、水酸化物が好適に使用できる。
【００３８】本発明において、ノニオン性界面活性剤と
カチオン性界面活性剤の濃度は、現像液中に併せて１０
重量ｐｐｍ〜５０００重量ｐｐｍの濃度、好ましくは２
０重量ｐｐｍ〜１０００重量ｐｐｍの濃度で存在するこ
とが好ましい。
カチオン性界面活性剤の濃度は、現像液中に併せて１０
重量ｐｐｍ〜５０００重量ｐｐｍの濃度、好ましくは２
０重量ｐｐｍ〜１０００重量ｐｐｍの濃度で存在するこ
とが好ましい。
【００３９】即ち、この濃度が１０重量ｐｐｍより低い
場合、フォトレジストに対する濡れ性や界面張力が低下
する傾向にあり、一方、５０００重量ｐｐｍより高い場
合には、泡立ちが大きくなって、この泡がレジスト表面
に付着して現像不良を引き起こし易くなる。
場合、フォトレジストに対する濡れ性や界面張力が低下
する傾向にあり、一方、５０００重量ｐｐｍより高い場
合には、泡立ちが大きくなって、この泡がレジスト表面
に付着して現像不良を引き起こし易くなる。
【００４０】また、ノニオン性界面活性剤とカチオン性
界面活性剤との割合は、ノニオン性界面活性剤：カチオ
ン性界面活性剤重量比で、５：９５〜９５：５、好まし
くは１５：８５〜８５：１５となるように調整すること
が好ましい。即ち、ノニオン性界面活性剤の割合が５未
満では、前記濡れ性および界面張力が向上し難く、ま
た、９５を越えると非可溶部の溶解性が大きくなる傾向
がある。
界面活性剤との割合は、ノニオン性界面活性剤：カチオ
ン性界面活性剤重量比で、５：９５〜９５：５、好まし
くは１５：８５〜８５：１５となるように調整すること
が好ましい。即ち、ノニオン性界面活性剤の割合が５未
満では、前記濡れ性および界面張力が向上し難く、ま
た、９５を越えると非可溶部の溶解性が大きくなる傾向
がある。
【００４１】尚、本発明に用いられる現像液は、本発明
の目的が損なわれない範囲で従来の現像液に使用されて
いる公知の添加剤を適宜含有させることができる。
の目的が損なわれない範囲で従来の現像液に使用されて
いる公知の添加剤を適宜含有させることができる。
【００４２】例えば、界面活性剤、湿潤剤、安定剤及び
溶解助剤などである。これらはそれぞれ単独でまたは２
種以上を組み合わせて添加される。
溶解助剤などである。これらはそれぞれ単独でまたは２
種以上を組み合わせて添加される。
【００４３】本発明の現像液は、露光後の可溶部がアル
カリ性水溶液に可溶なフォトレジストであれば、ポジ型
及びネガ型に関わらず、公知のフォトレジストに対し、
露光後における現像液として使用することができる。特
に、フォトレジストが化学増幅型フォトレジストである
場合、その効果が顕著であり、かかるフォトレジストの
現像液として好ましい。
カリ性水溶液に可溶なフォトレジストであれば、ポジ型
及びネガ型に関わらず、公知のフォトレジストに対し、
露光後における現像液として使用することができる。特
に、フォトレジストが化学増幅型フォトレジストである
場合、その効果が顕著であり、かかるフォトレジストの
現像液として好ましい。
【００４４】上記化学増幅型フォトレジストは、前記し
たように、現像液に可溶であるベース樹脂中の官能基
を、保護基でマスクして現像液に対する溶解性を抑制さ
せた樹脂と、露光によって酸を発生する光酸発生剤とを
主成分とする組成物である。
たように、現像液に可溶であるベース樹脂中の官能基
を、保護基でマスクして現像液に対する溶解性を抑制さ
せた樹脂と、露光によって酸を発生する光酸発生剤とを
主成分とする組成物である。
【００４５】上記フォトレジストを構成する樹脂として
は、ＫｒＦ及びF2エキシマレーザーでは、ポリヒドロキ
シスチレン若しくはその誘導体、スチレンマレインイミ
ド共重合体若しくはその誘導体、ヒドロキシスチレン−
スルフォンの共重合体若しくはその誘導体、ビニルフェ
ノール−メチルビニルフェノールの共重合体若しくはそ
の誘導体等が挙げられる。
は、ＫｒＦ及びF2エキシマレーザーでは、ポリヒドロキ
シスチレン若しくはその誘導体、スチレンマレインイミ
ド共重合体若しくはその誘導体、ヒドロキシスチレン−
スルフォンの共重合体若しくはその誘導体、ビニルフェ
ノール−メチルビニルフェノールの共重合体若しくはそ
の誘導体等が挙げられる。
【００４６】また、ＡｒＦ及びF２エキシマレーザーで
は、アダマンチル（メタクリレート）系やイソボルニル
メタクリレート系共重合体若しくはその誘導体、t−ブ
チルメタクリレート−メタクリル酸メチルエステル−ナ
フチルメタクリレートの４元共重合体若しくはその誘導
体が挙げられる。
は、アダマンチル（メタクリレート）系やイソボルニル
メタクリレート系共重合体若しくはその誘導体、t−ブ
チルメタクリレート−メタクリル酸メチルエステル−ナ
フチルメタクリレートの４元共重合体若しくはその誘導
体が挙げられる。
【００４７】一方、前記保護基としては、ｔ−ブチルオ
キシカルボニル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ブトキシ基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基、トリメチルシリルエー
テル基やイソプロピルオキシ基などが挙げられる。
キシカルボニル基、ｔ−ブチル基、ｔ−ブトキシ基、テ
トラヒドロピラニルエーテル基、トリメチルシリルエー
テル基やイソプロピルオキシ基などが挙げられる。
【００４８】また、前記光酸発生剤としては、トリフェ
ニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、ハ
ロゲン化イソシアヌレート、ハロゲン化トリアジン、ニ
トロベンジルスルフォン酸エステル、ジアゾナフトキノ
ン-4-スルフォン酸エステル、アルキルスルフォン酸エ
ステル、ビスアリールスルフォニルジアゾメタン、β―
オキソシクロへキシルメチル（２―ノルボルニル）スル
フォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、シクロへ
キシルメチル（２―オキソシクロヘキシル）スルフォニ
ウムトリフルオロメタンスルフォン酸等が挙げられる。
ニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、ハ
ロゲン化イソシアヌレート、ハロゲン化トリアジン、ニ
トロベンジルスルフォン酸エステル、ジアゾナフトキノ
ン-4-スルフォン酸エステル、アルキルスルフォン酸エ
ステル、ビスアリールスルフォニルジアゾメタン、β―
オキソシクロへキシルメチル（２―ノルボルニル）スル
フォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸、シクロへ
キシルメチル（２―オキソシクロヘキシル）スルフォニ
ウムトリフルオロメタンスルフォン酸等が挙げられる。
【００４９】本発明の現像液を用いた現像方法は、特に
制限なく浸漬法やパドル法等の公知の方法が適用でき
る。現像液とフォトレジストとを接触させる方法として
は、フォトレジスト層が形成されたシリコンウェハ等の
基板を、一定時間該現像液に浸漬した後、純水に浸して
乾燥させる浸漬現像法、フォトレジスト面上に該現像液
を滴下して、一定時間静置して後、純水で洗浄して乾燥
させるするパドル現像法、フォトレジスト面上に該現像
液をスプレーした後に、純水で洗浄して乾燥させるスプ
レー現像法等のなかから適宜選択して用いられる。
制限なく浸漬法やパドル法等の公知の方法が適用でき
る。現像液とフォトレジストとを接触させる方法として
は、フォトレジスト層が形成されたシリコンウェハ等の
基板を、一定時間該現像液に浸漬した後、純水に浸して
乾燥させる浸漬現像法、フォトレジスト面上に該現像液
を滴下して、一定時間静置して後、純水で洗浄して乾燥
させるするパドル現像法、フォトレジスト面上に該現像
液をスプレーした後に、純水で洗浄して乾燥させるスプ
レー現像法等のなかから適宜選択して用いられる。
【００５０】このように、ＫｒＦエキシマレーザーであ
れば、線幅０．１４μｍのゲート電極の形成や、直径又
は一辺が０．１４μｍのホールの形成を良好に行うこと
ができる。また、ＡｒＦエキシマレーザーであれば、線
幅０．１１μｍのゲート電極の形成や、直径又は一辺が
０．１１μｍのホールの形成を良好に行うことができ
る。更に、Ｆ2エキシマレーザーを用いれば、線幅０．
０９μｍのゲート電極の形成や、直径又は一辺が０．０
９μｍのホールの形成を行うことができる。
れば、線幅０．１４μｍのゲート電極の形成や、直径又
は一辺が０．１４μｍのホールの形成を良好に行うこと
ができる。また、ＡｒＦエキシマレーザーであれば、線
幅０．１１μｍのゲート電極の形成や、直径又は一辺が
０．１１μｍのホールの形成を良好に行うことができ
る。更に、Ｆ2エキシマレーザーを用いれば、線幅０．
０９μｍのゲート電極の形成や、直径又は一辺が０．０
９μｍのホールの形成を行うことができる。
【００５１】
【実施例】以下、本発明を更に具体的に説明するため、
実施例及び比較例を挙げるが、本発明はこれらの実施例
に何ら限定されるものではない。
実施例及び比較例を挙げるが、本発明はこれらの実施例
に何ら限定されるものではない。
【００５２】実施例１〜１０及び比較例１〜３ 現像液として２．３８重量％のＴＭＡＨ水溶液（（株）
トクヤマ社製 商品名ＳＤ−１）に、表１に示すような
界面活性剤と量を添加したものを調整した。調整した現
像液について、界面張力を計測した。その結果を表２に
示す。
トクヤマ社製 商品名ＳＤ−１）に、表１に示すような
界面活性剤と量を添加したものを調整した。調整した現
像液について、界面張力を計測した。その結果を表２に
示す。
【００５３】次に、シリコンウェハを用意し、硫酸−過
酸化水素（体積比４：１）で表面を洗浄処理した。そし
てホットプレート上にて、２００℃で６０秒間ベークし
た。ベーク後、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を
塗布してウェハ面上を疎水化処理した。次いでこのシリ
コンウェハにＫｒＦエキシマレーザー用の化学増幅型ポ
ジ型フォトレジストＡ（ｔ−Ｂｏｃタイプ）、Ｂ（アセ
タールタイプ）、Ｃ（ＥＳＣＡＰタイプ）をスピンナコ
ーターにより塗布後、表３に示す条件でプリベークし、
プリベーク後冷却して、１２×１２ｍｍ角の範囲を２４
８ｎｍにスペクトルを有する紫外線ランプ（７μＷ）に
よって１００秒間露光した。露光量は７ｍＪ／ｃｍ2で
ある。露光後、表３に示す条件で露光後ベークを行なっ
た。
酸化水素（体積比４：１）で表面を洗浄処理した。そし
てホットプレート上にて、２００℃で６０秒間ベークし
た。ベーク後、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を
塗布してウェハ面上を疎水化処理した。次いでこのシリ
コンウェハにＫｒＦエキシマレーザー用の化学増幅型ポ
ジ型フォトレジストＡ（ｔ−Ｂｏｃタイプ）、Ｂ（アセ
タールタイプ）、Ｃ（ＥＳＣＡＰタイプ）をスピンナコ
ーターにより塗布後、表３に示す条件でプリベークし、
プリベーク後冷却して、１２×１２ｍｍ角の範囲を２４
８ｎｍにスペクトルを有する紫外線ランプ（７μＷ）に
よって１００秒間露光した。露光量は７ｍＪ／ｃｍ2で
ある。露光後、表３に示す条件で露光後ベークを行なっ
た。
【００５４】次いで、調製した現像液を上記処理後のフ
ォトレジストの非可溶部（未露光部）上に滴下し、接触
角計により該現像液の接触角を測定した。この場合接触
角が小さいほど濡れ性が良い。結果を表２に示す。
ォトレジストの非可溶部（未露光部）上に滴下し、接触
角計により該現像液の接触角を測定した。この場合接触
角が小さいほど濡れ性が良い。結果を表２に示す。
【００５５】更に、前記処理後、非可溶部について、フ
ォトレジストの膜厚を測定した後、調製した現像液に６
０秒間浸漬して、純水中でリンス処理して乾燥し、次い
で、残ったフォトレジストレジスト膜厚を測定し、上記
浸漬前の膜厚との差を「膜減り」として表２に示す。
ォトレジストの膜厚を測定した後、調製した現像液に６
０秒間浸漬して、純水中でリンス処理して乾燥し、次い
で、残ったフォトレジストレジスト膜厚を測定し、上記
浸漬前の膜厚との差を「膜減り」として表２に示す。
【００５６】更にまた、露光部（可溶部）について、調
整した現像液に６０秒間浸漬後、純水中でリンス処理し
て乾燥した。そして、上記露光部の現像具合を目視にて
確認し、四角形が完全に現像された場合を○、残さがあ
った場合を×として評価した。結果を表２に併せて示し
た。
整した現像液に６０秒間浸漬後、純水中でリンス処理し
て乾燥した。そして、上記露光部の現像具合を目視にて
確認し、四角形が完全に現像された場合を○、残さがあ
った場合を×として評価した。結果を表２に併せて示し
た。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
【発明の効果】以上の説明より理解されるように、本発
明の現像液は、露光後のフォトレジストにおける非可溶
部の濡れ性に優れると共に可溶部の溶解性に優れてお
り、フォトレジストによる微細パターンの形成を確実に
且つ有利に行うことができる。
明の現像液は、露光後のフォトレジストにおける非可溶
部の濡れ性に優れると共に可溶部の溶解性に優れてお
り、フォトレジストによる微細パターンの形成を確実に
且つ有利に行うことができる。
【００６１】また、非可溶部の溶解速度が効果的に抑制
されるため、現像後のフォトレジストパターンを確実に
残存させることができ、その後のエッチング処理におい
て、パターン部分を確実に保護することができる。
されるため、現像後のフォトレジストパターンを確実に
残存させることができ、その後のエッチング処理におい
て、パターン部分を確実に保護することができる。
【００６２】特に、本発明の現像液は、化学増幅型フォ
トレジストの現像液として有効に使用することができ
る。
トレジストの現像液として有効に使用することができ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/08 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｅ Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA04 AB16 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB41 FA17 2H096 AA25 BA11 EA05 EA23 GA08 GA11 4H003 AC08 AC11 AC12 AC13 AC23 AE05 AE06 AE08 BA12 DA15 EB19 EB34 ED02 FA21 5F046 LA12 LA19
Claims (3)
- 【請求項１】 ノニオン性界面活性剤とカチオン性界面
活性剤とを１０〜５０００重量ｐｐｍ濃度で含有するア
ルカリ水溶液よりなることを特徴とするフォトレジスト
現像液。 - 【請求項２】 ノニオン性界面活性剤とカチオン性界面
活性剤との割合が、重量比で５：９５〜９５：５である
請求項１記載のフォトレジスト現像液。 - 【請求項３】 フォトレジストが化学増幅型フォトレジ
ストである請求項１又は２記載のフォトレジスト現像
液。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000299049A JP2002169299A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-29 | フォトレジスト現像液 |
| PCT/JP2001/008145 WO2002025379A1 (fr) | 2000-09-21 | 2001-09-19 | Bain revelateur pour photoresine |
| KR1020027005912A KR100785383B1 (ko) | 2000-09-21 | 2001-09-19 | 포토레지스트 현상액 |
| CN01802828A CN1392973A (zh) | 2000-09-21 | 2001-09-19 | 光致抗蚀剂显影液 |
| US10/130,628 US20030104322A1 (en) | 2000-09-21 | 2001-09-19 | Developing solution for photoresist |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-286508 | 2000-09-21 | ||
| JP2000286508 | 2000-09-21 | ||
| JP2000299049A JP2002169299A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-29 | フォトレジスト現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002169299A true JP2002169299A (ja) | 2002-06-14 |
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ID=26600389
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000299049A Pending JP2002169299A (ja) | 2000-09-21 | 2000-09-29 | フォトレジスト現像液 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008310315A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Tokuyama Corp | フォトレジスト現像液 |
| US8808976B2 (en) | 2005-06-13 | 2014-08-19 | Tokuyama Corporation | Photoresist developer and method for fabricating substrate by using the developer thereof |
| WO2015178375A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、パターン、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、ナノインプリント用モールドの製造方法及びナノインプリント用モールド |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
| US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US6844131B2 (en) * | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| TWI297420B (en) * | 2003-12-30 | 2008-06-01 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | Low foaming developer for radiation sensitive composition |
| KR100811839B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-03-10 | 씨티엔지니어링주식회사 | 반도체 소자 패턴 형성용 세정액 조성물 |
| CN101178548B (zh) * | 2006-11-08 | 2011-08-10 | 新应材股份有限公司 | 碱性显影液组成物 |
| US20090063448A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Microsoft Corporation | Aggregated Search Results for Local and Remote Services |
| JP5052450B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2012-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 着色感光性組成物用アルカリ現像液、画像形成方法、カラーフイルタ、および液晶表示装置 |
| CN101813896A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-08-25 | 江阴市江化微电子材料有限公司 | 一种低张力正胶显影液 |
| CN101872136B (zh) * | 2010-05-31 | 2013-05-29 | 合肥茂丰电子科技有限公司 | 一种平板显示用显影液 |
| CN102063024B (zh) * | 2010-12-24 | 2014-01-29 | 东莞市智高化学原料有限公司 | 一种显影液组成物 |
| CN102289160B (zh) * | 2011-08-24 | 2012-11-21 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | 光致蚀刻剂用显影液及其制备方法与应用 |
| CN102540772A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-04 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种低张力正胶显影液及其制备方法 |
| CN112301340B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-08-26 | 九牧厨卫股份有限公司 | 一种不锈钢钝化液及提升不锈钢拉丝地漏耐腐蚀性能的方法 |
| CN112612189B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-06-14 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种平板显示用正性光阻显影液 |
| CN116149147B (zh) * | 2023-04-24 | 2023-07-14 | 甘肃华隆芯材料科技有限公司 | 一种光刻胶显影液及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3707856B2 (ja) * | 1996-03-07 | 2005-10-19 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| JP3939437B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2007-07-04 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版の製版方法 |
| JP3976108B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2007-09-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2000194136A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | パタ―ン形成方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000299049A patent/JP2002169299A/ja active Pending
-
2001
- 2001-09-19 WO PCT/JP2001/008145 patent/WO2002025379A1/ja active Application Filing
- 2001-09-19 US US10/130,628 patent/US20030104322A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-19 KR KR1020027005912A patent/KR100785383B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-19 CN CN01802828A patent/CN1392973A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8808976B2 (en) | 2005-06-13 | 2014-08-19 | Tokuyama Corporation | Photoresist developer and method for fabricating substrate by using the developer thereof |
| JP2008310315A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Tokuyama Corp | フォトレジスト現像液 |
| WO2015178375A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2015-11-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、パターン、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、ナノインプリント用モールドの製造方法及びナノインプリント用モールド |
| JPWO2015178375A1 (ja) * | 2014-05-21 | 2017-04-20 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、パターン、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びナノインプリント用モールドの製造方法 |
Also Published As
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