JP3152201B2

JP3152201B2 - 化学増幅系レジストのパターン形成方法

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Publication number: JP3152201B2
Application number: JP07186298A
Authority: JP
Inventors: 修一橋本
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-03-20
Filing date: 1998-03-20
Publication date: 2001-04-03
Anticipated expiration: 2018-03-20
Also published as: JPH11271976A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造工程において行われるレジストパターン形成方法に
係り、特に、化学増幅系レジストを用いたレジストパタ
ーン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、レジストパターンの形成方法は、
半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜を、所望の
半導体集積回路パターンを描いたレクチル又はマスクを
通して露光し、露光後ベーク処理し、その後現像液を用
いて現像し、フォトレジストパターンを形成するもので
あった。そして、従来のフォトレジストパターン形成技
術の主力は、その露光光にｇ線(436ｎｍ)，ｉ線(365ｎ
ｍ)を用いる露光装置とノボラック系レジストとを組み
合わせた露光技術であった。

【０００３】しかし、ＬＳＩデバイスの高集積化に伴
い、より微細化に有利な遠紫外光であるエキシマレーザ
ー光(248ｎｍ，193ｎｍ)を利用したリソグラフィーが必
要となり、そのレジストとして、従来の“ノボラック系
レジスト”を使用すると、光吸収が大きく、良好なレジ
スト形状が得られず、感度も大きく低下するという状況
であった。そこで、「光酸発生剤から発生する酸の酸触
媒反応を利用した“化学増幅系レジスト”」が提案さ
れ、短波長光リソグラフィー用レジストや電子線リソグ
ラフィー用レジストとして使用されるのが主流になって
きている。

【０００４】化学増幅系レジストは、少なくとも、水酸
基の一部が疎水性のアルキル基(保護基)で置換されたポ
リヒドロキシスチレン樹脂と光酸発生剤とから構成され
ており(例えば、特開平4-44045号公報，特開平5-80516
号公報参照)、このような化学増幅系レジストを用いた
膜(化学増幅系レジスト膜)は、露光を受けると、光酸発
生剤から酸が発生し、酸触媒反応によって脱保護基反応
が起こり、保護基がポリヒドロキシスチレン樹脂から外
れて樹脂が親水性となり、現像液に可溶となる。

【０００５】上記のように、化学増幅系レジスト膜は、
酸の触媒反応を利用しているため、露光により発生した
酸がレジスト膜表面領域で蒸散により消失したり、ある
いは空気中の塩基で中和されて失活し、レジスト膜中の
酸濃度が減少したりすると、可溶化反応(脱保護基反応)
が十分に進行せず、表面難溶化層が形成され、そのた
め、解像性，焦点深度，寸法精度が損なわれるという問
題が生じる。

【０００６】上記問題点について、図６を参照して、更
に説明する。なお、図６は、従来の化学増幅系レジスト
を用いたレジストパターンの模式的断面図である。従来
の化学増幅系レジストを用いたレジスト膜において、前
記したように、該レジスト膜中の酸が消失ないしは失活
して酸濃度が減少すると、可溶化反応(脱保護基反応)が
十分に進行せず、表面難溶化層が形成され、図６に示す
ように、現像後に得られるウェハー601上のレジストパ
ターン602が“Ｔ型形状”になり、解像性，焦点深度，
寸法精度が損なわれることになる。

【０００７】この問題を解決する手段として、従来より
いくつかの方法が提案されており、例えば、ベーク処理
時の雰囲気を不活性ガスで置換し、酸失活を防止する方
法が知られている(特開平4-369211号公報参照)。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
前記した「酸失活を防止する方法」では、ベーク処理時
における酸の失活それ自体が抑制し得るとしても、酸の
蒸散を防止することができない。そして、露光後ベーク
処理による酸の蒸散によりレジスト表面領域の酸濃度が
減少すると、従来の前記方法においても、“表面難溶化
層の形成”を防止することができず、現像後のレジスト
パターン形状が“Ｔ型”(前掲の図６のレジストパター
ン602参照)になりやすいという欠点を有している。

【０００９】ところで、微細パターン形成において、上
記の“表面難溶化層の形成”に起因するレジストパター
ンの形状劣化，解像性，焦点深度，寸法精度の劣化は、
致命的であり、この問題を解決するためには、酸の蒸散
を防ぐようなパターン形成方法が必要となる。

【００１０】本発明は、上記欠点，問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的とするところは、化学増幅系
レジストを使用する場合に生じる特有の、前記した“レ
ジスト表面での酸蒸散に起因する表面難溶化層の形成”
を抑制し、現像後のレジストパターンがＴ型形状になる
ことを防止することが可能なレジストパターンの形成方
法を提供することにある。そして、これにより、矩形な
レジストパターンを得ることができ、解像性，焦点深
度，寸法精度が向上し、半導体デバイスの高集積化が可
能になるレジストパターン形成方法を提供することがで
きるものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、後に詳記する
ように、「露光前のレジスト膜中の残存溶媒量，露光後
ベーク処理の際の酸の蒸散量が、形成されるレジストパ
ターンの形状に影響を与える」という事実に着目したも
のであって、・レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になるよう
に露光前ベーク処理を行うこと、を特徴とし、このよう
に、露光前ベーク処理により残存溶媒量を１vol％以下
にすることによって、・酸の蒸散量が１０％以下で露光後ベーク処理をするこ
とができること、を特徴としている。

【００１２】即ち、本発明の請求項１に係る発明は、
「酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン
樹脂と露光光により酸を発生する光酸発生剤とを少なく
とも含有する化学増幅系レジストを用いたパターン形成
方法において、レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以
下になるように露光前ベーク処理を行うことを特徴とす
る化学増幅系レジストのパターン形成方法。」を要旨
(発明を特定する事項)とし、また、本発明の請求項２に
係る発明は、「請求項１記載の化学増幅系レジストを用
いたパターン形成方法において、酸の蒸散量が１０％以
下で露光後ベーク処理を行うこと。」を特徴とする。

【００１３】そして、前記請求項１に係る発明におい
て、「レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になる
ように露光前ベーク処理を行う手段」として、・露光前
ベーク処理温度を高くすること(請求項３)、・露光前ベ
ーク処理時間を長くすること(請求項４)、を特徴とす
る。

【００１４】さらに、本発明(請求項１〜４に係る発明)
における“化学増幅系レジスト”としては、「芳香族ス
ルホン酸を発生する光酸発生剤を含有すること」(請求
項５)を特徴とし、また、この化学増幅系レジストの溶
媒が「エチルラクテート」または「プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート」であることを特徴と
する(請求項６，７)。

【００１５】本発明に係る化学増幅系レジストのパター
ン形成方法によれば、露光前ベーク(プリベーク)処理後
のレジスト膜中の残存溶媒量を“１vol％以下”にする
ことにより、露光後ベーク(ＰＥＢ)処理の際の酸の蒸散
量を「レジスト膜中に発生した全酸量の“10％以下”」
にすることができる。このことにより、レジスト表面領
域の酸濃度の減少が抑えられ、レジストパターンがＴ型
形状になることを防止することができ、その結果、矩形
なレジストパターンが得られ、解像性，焦点深度，寸法
精度が向上し、半導体デバイスの高集積化が可能になる
作用効果が生じる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明するが、それに先立って、本発明者等が行った実験
［露光前のレジスト膜中の残存溶媒量，露光後ベーク処
理の際の酸の蒸散量が“形成されるレジストパターンの
形状に影響する”という事実を確認する実験］について
説明する。

【００１７】本発明者等は、まず、形成されるレジスト
パターンの断面形状が“Ｔ型形状”(前掲の図６のレジ
ストパターン602参照)となる原因について調べるため
に、レジストとして・保護基にｔ−ブトキシカルボニル基(ｔ−ＢＯＣ基)を
持つヒドロキシスチレン樹脂と、ベンゼンスルホン酸を
発生する光酸発生剤からなる“２成分系の化学増幅系レ
ジスト”を用い、また、このレジストの溶媒として、・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(ＰＧＭＥＡ)，エチルラクテート(ＥＬ)を用いて、次の
実験１〜５を行った。

【００１８】なお、以下の実験１〜５において、レジス
トとして前記“２成分系の化学増幅系レジスト”を用い
たものであって、溶媒として“プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート(ＰＧＭＥＡ)”を用いたレ
ジストを「ＰＧＭＥＡレジスト」と略称し、“エチルラ
クテート(ＥＬ)”を用いたレジストを「ＥＬレジスト」
と略称する。また、露光前ベーク処理を「プリベーク処
理」と言い、露光後ベーク処理を「ＰＥＢ処理」と言
う。

【００１９】［実験１］ＰＧＭＥＡレジストをシリコン
基板上にスピンコートし、90℃で90秒間プリベーク処理
を行った。このウェハーに、塩基性不純物の無い雰囲気
下（ケミカルフイルタで塩基性不純物を除去した雰囲気
下）で、ＫｒＦエキシマレーザーステッパーにてテスト
パターンを露光し、100℃で90秒間ＰＥＢ処理を行い、
その後、現像処理を行った。得られたパターンの断面形
状をＳＥＭにて確認したところ、前掲の図６に示したよ
うな“Ｔ型形状”となっていたことが確認された。

【００２０】この実験１では、塩基性不純物の無い雰囲
気下で行っているので、Ｔ型形状の発生原因は、塩基性
不純物による“酸の失活”ではなく、“酸の蒸散”であ
ると考えられる。

【００２１】［実験２］そこで、酸の蒸散性についての
知見を得るために、ＰＧＭＥＡレジスト，ＥＬレジスト
の各レジストを用いた場合について、「露光条件（露光
量：10mJ/cm²，20mJ/cm²，50mJ/cm²，100mJ/cm²）」に
対する「プリベーク処理の処理条件(処理温度：110℃，
90℃，70℃)と、ＰＥＢ処理の有(処理温度：100℃)・無
との場合」における「レジスト膜中の“酸量(mol/
m³)”」を測定した。なお、レジスト膜中の酸量の測定
は、テトラブロモフェノールブルーを酸指示薬とする比
色法にて行った。

【００２２】得られた結果を図２，図３に示す。なお、
図２，図３は、実験２の結果をグラフ化したものであっ
て、露光量とレジスト膜中の酸量との関係を示す図であ
り、このうち図２は、ＰＧＭＥＡレジストの場合であ
り、図３は、ＥＬレジストの場合である。

【００２３】この実験２の測定結果を示す図２，図３か
ら、(ａ) レジスト膜中の“酸量”は、ＰＥＢ処理によ
り減少すること（これは、ＰＥＢ処理により“酸の蒸
散”が起こっていることを示している）、(ｂ) プリベ
ーク処理の処理温度が低いほどＰＥＢ処理後のレジスト
膜中の酸の減少量が大きいこと（つまり、酸の蒸散が大
きいこと）、(ｃ) ＰＧＭＥＡレジストを用いる場合と
ＥＬレジストを用いる場合とでは、ＰＧＭＥＡを溶媒と
して用いる場合の方が、ＥＬを溶媒として用いる場合に
比して、ＰＥＢ処理後のレジスト膜中の酸の減少量が大
きいこと（つまり、酸の蒸散が大きいこと）、が分かっ
た。

【００２４】［実験３］次に、ＰＧＭＥＡレジスト，Ｅ
Ｌレジスト各レジストを用いた場合について、プリベー
ク処理の処理温度とレジスト膜中に残存している溶媒量
との関係について調べた。なお、残存溶媒量の測定は、
ガスクロマトグラフ質量分析法(ＧＣ−ＭＳ法)にて行っ
た。得られた結果を図４に示す。なお、図４は、実験３
の結果をグラフ化したものであって、プリベーク温度と
レジスト膜中の残存溶媒量との関係を示す図である。

【００２５】この実験３の測定結果を示す図４から、
(ｄ) プリベーク処理温度が高いほど、プリベーク処理
後のレジスト膜中の残存溶媒量が少ないこと、換言すれ
ば、プリベーク処理温度が低いほど、プリベーク処理後
のレジスト膜中の残存溶媒量が多いこと、(ｅ) ＥＬ溶
媒を用いる場合の方が、ＰＧＭＥＡ溶媒を用いる場合よ
りも、プリベーク処理後のレジスト膜中の残存溶媒量が
少ないこと、が分かった。

【００２６】［実験４］次に、プリベーク処理後のレジ
スト膜中の“残存溶媒量”と、ＰＥＢ処理の際の“酸の
蒸散量”との関係を調べた。その結果を図５に示す。図
５より、ＰＥＢ処理の際の“酸の蒸散量”は、溶媒の種
類(ＰＧＭＥＡ，ＥＬ)によって異なるが、いずれもプリ
ベーク処理後のレジスト膜中の残存溶媒量にほぼ比例す
ること、そして、“残存溶媒量”が少ないほど“酸の蒸
散量”が少ないことが分かった。

【００２７】以上の実験１〜４より「プリベーク処理後
のレジスト膜中の残存溶媒量が、ＰＥＢ処理の際の酸の
蒸散性に影響を与えていること」が明らかとなった。特
に、実験４の結果を示す図５の「“残存溶媒量”に対す
る“酸の蒸散量”のプロット」を残存溶媒量の少ない側
に延長してみると、残存溶媒量が“１vol％以下”で
は、酸の蒸散量が“１０％以下”となることが分かっ
た。

【００２８】［実験５］上述のようにして得られた知見
を元にして、Ｔ型形状とプリベーク処理後のレジスト膜
中の残存溶媒量との関係をＥＬレジストで調べた。その
結果、残存溶媒量が少なくなるほどＴ型形状が矩形形状
に近くなること、特に、該残存溶媒量が“１Vol％以
下”である時に、図１に示されるような完全に矩形形状
の優れたレジストパターンが得られることが分かった。
なお、このときのＰＥＢ処理の際の“酸蒸散量”は、前
掲の図５から、前記したとおり、露光により発生した全
酸量の“１０％以下”であることが認められる。

【００２９】本発明は、以上の知見に基づいてなされた
ものであって、酸触媒により極性が変化するポリヒドロ
キシスチレン樹脂と露光光により酸を発生する光酸発生
剤とを含有する化学増幅系レジストを用いたパターン形
成方法において、・レジスト膜中の残存溶媒量が１vol
％以下になるようにプリベーク処理を行うこと、を特徴
とし、そして、酸の蒸散量が１０％以下でＰＥＢ処理を
行うことができる点を特徴とするものである。

【００３０】本発明において、“レジスト膜中の残存溶
媒量が１vol％以下になるようにプリベーク処理を行
う”方法としては、ｉ) プリベーク処理温度を高くし短時間にプリベーク処
理する方法、 ii) プリベーク処理温度を低くし時間を長くかけてプリ
ベーク処理する方法、のいずれかの方法を採用すること
ができる。

【００３１】但し、上記ｉ)の方法において、プリベー
ク処理温度をあまり高くすると、本発明で使用する“酸
触媒により極性が変化する(保護基で置換された)ポリヒ
ドロキシスチレン樹脂”が熱分解するので好ましくな
い。したがって、プリベーク処理温度の上限は、この熱
分解が生じない温度であって、使用する上記ポリヒドロ
キシスチレン樹脂の種類によって相違するが、140℃未
満が好ましい。また、上記ii)の方法において、処理時
間としては、使用する溶媒の種類などによって異なる
が、90〜180秒が好ましい。

【００３２】しかし、本発明では、上述した処理温度お
よび処理時間に限定されるものでなく、処理温度として
は、上記した熱分解が生じない温度とすべきであるが、
この熱分解が生じない温度範囲であれば任意の温度とす
ることができ、また、処理時間も任意である。要する
に、本発明では、「残存溶媒量を１vol％まで減少させ
る」ことができ得る限り、上記熱分解温度を除き任意の
処理温度，処理時間とすることができ、この処理温度，
処理時間は、上記ポリヒドロキシスチレン樹脂の種類や
溶媒の種類，レジストの含有割合などによって適宜選定
することができる。

【００３３】本発明において使用される“酸触媒により
極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂”として
は、アルコキシ基置換されたカルボニルオキシスチレン
樹脂，トリメチルシリル化されたポリオキシスチレン，
テトラヒドロピラニル置換されたスチレン，１−(エト
キシ)−エトキシスチレンなどのアセタ−ル基で保護さ
れたフェノ−ル樹脂等を挙げることができる。

【００３４】また、本発明において使用される“露光光
により酸を発生する光酸発生剤”としては、ベンゼンジ
アゾニウム塩，ジフェニルヨ−ドニウム塩，トリフェニ
ルスルホニウム塩などのオニウム塩、トリクロロメチル
トリアジン等のハロゲン化有機化合物、ビス−(ベンゼ
ンスルホニル)などのジアゾメタン系光酸発生剤等を挙
げることができる。

【００３５】更に、本発明において使用される“レジス
ト溶媒”としては、前記したプロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート(ＰＧＭＥＡ)，エチルラクテ
ート(ＥＬ)以外に、３−メトキシプロピオン酸メチル，
２−ヘプタノン，エチルセルソルブアセテート，ジエチ
レングリコールジメチルエーテル等を使用することがで
きる。

【００３６】本発明において、“化学増幅系レジスト”
としては、上記“酸触媒により極性が変化するポリヒド
ロキシスチレン樹脂”と“露光光により酸を発生する光
酸発生剤”の他に、露光前はアルカリ溶液に不溶である
が、露光により発生した酸により分解され溶解が促進さ
れる“第３成分”を加えることもできる。このような第
３成分としては、コ−ル酸，ｔ−ブチルエステル等を挙
げることができる。

【００３７】

【実施例】次に、本発明の実施例を挙げて、本発明を具
体的に説明する。

【００３８】（実施例１）本実施例１では、化学増幅系
レジストとして「保護基にｔ−ブトキシカルボニル基
(ｔ−ＢＯＣ基)を持つヒドロキシスチレン樹脂」「ベン
ゼンスルホン酸を発生する光酸発生剤」からなる２成分
系の化学増幅系レジストを用いた。また、このレジスト
の溶媒として「エチルラクテート(ＥＬ)」を用いた。

【００３９】上記レジスト材料をシリコン基板上にスピ
ンコートし、“130℃で90秒間”プリベーク処理を行
い、レジスト膜中の残存溶媒量を１vol％まで減少させ
た。このウェハーに、塩基性不純物の無い雰囲気下(注)
で、ＫｒＦエキシマレーザーステッパーにてテストパタ
ーンを露光し、100℃で90秒間ＰＥＢ処理を行い、その
後現像処理を行った。(尚、プリベーク処理により残存
溶媒量を“１vol％”まで減少させたので、この場合の
酸発散量は、前掲の図５より“露光により発生する全酸
量の10％以下”であることが分かる。) (注)：ケミカルフイルタで塩基性不純物を除去した雰囲
気下

【００４０】このようにして得られたレジストパターン
について、図１（本発明の実施例で得られるレジストパ
ターンの模式的断面図）を参照して説明すると、図１に
示すように、本実施例１によりウェハー101上に形成さ
れたレジストパターン102は、全くの矩形形状の優れた
レジストパターンであった。

【００４１】（比較例１）なお、比較のため、レジスト
の溶媒として「エチルラクテート(ＥＬ)」に代えて「プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(Ｐ
ＧＭＥＡ)」を使用し、前記実施例１と同様の処理を行
った。

【００４２】この比較例１では、溶媒としてＰＧＭＥＡ
を用い、前記実施例１と同様、130℃で90秒間プリベー
ク処理を行った例である。そして、この場合の“プリベ
ーク処理後のレジスト膜中の残存溶媒量”は、前記実施
例１のＥＬ溶媒を用いた場合と異なり、前掲の図４から
明らかなように“約1.7vol％”であって、本発明で限定
する「レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下」の範
囲外の例である。この比較例１で得られたレジストパタ
ーンは、図１に示されるような完全な矩形パターンとな
らなかった。これは、“約1.7vol％”の溶媒がレジスト
膜中に残存しているためであると考えられる。

【００４３】（実施例２）レジストの溶媒として「エチ
ルラクテート(ＥＬ)」に代えて「プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート(ＰＧＭＥＡ)」を使用
し、そして、“130℃で180秒間”プリベーク処理を行
い、レジスト膜中の残存溶媒量を１vol％まで減少させ
た以外は、前記実施例１と同様の処理をした。得られた
レジストパターンは、実施例１の場合と同様、図１に示
されているような全くの矩形形状の優れたレジストパタ
ーンであった。

【００４４】（比較例２）なお、比較のため、前記実施
例２と同様にＰＧＭＥＡ溶媒を用いたが、但し、プリベ
ーク処理を“140℃で90秒間”行った。この比較例２で
は、全くパターン形成がされなかった。これは、“140
℃”ではｔ−ＢＯＣ基が熱分解してしまったためと考え
られる。

【００４５】

【発明の効果】本発明に係る化学増幅系レジストのパタ
ーン形成方法は、以上詳記したとおり、「レジスト膜中
の残存溶媒量が１vol％以下になるように露光前ベーク
処理を行うこと」により、化学増幅系レジスト特有のＴ
型形状のレジストパターンの形成を防ぎ、矩形なレジス
トパターンを得ることができる。そして、このような矩
形なレジストパターンが得られることにより、解像性，
焦点深度，寸法精度が向上し、半導体デバイスの高集積
化が可能になる効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例で得られるレジストパターンの
模式的断面図である。

【図２】溶媒として“プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート(ＰＧＭＥＡ)”を使用した場合の
「露光量」と「レジスト膜中の酸量」との関係を示す図
である。

【図３】溶媒として“エチルラクテート(ＥＬ)”を使用
した場合の「露光量」と「レジスト膜中の酸量」との関
係を示す図である。

【図４】プリベーク温度とレジスト膜中の残存溶媒量と
の関係を示す図である。

【図５】レジスト膜中の残存溶媒量と酸蒸散量との関係
を示す図である。

【図６】従来の化学増幅系レジストを使用した場合のレ
ジストパターンの模式的断面図である。

【符号の説明】

１０１，６０１ウェハー１０２，６０２化学増幅系レジストパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】酸触媒により極性が変化するポリヒドロ
キスチレン樹脂と露光光により酸を発生する光酸発生剤
とを含有する化学増幅系レジストを用いたパターン形成
方法において、レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になるように
露光前ベーク処理を行う工程と、パターンを露光する工程と、露光後のベーク処理中の酸の蒸散量が露光により生じた
全酸量の１０％以下で露光後ベーク処理を行う工程と、を含むことを特徴とする化学増幅系レジストのパターン
形成方法。
【請求項２】請求項１記載の化学増幅系レジストを用
いたパターン形成方法において、露光前ベーク処理温度
を高くすることでレジスト膜中の残存溶媒量が１vol％
以下になるようにすることを特徴とする化学増幅系レジ
ストのパターン形成方法。
【請求項３】請求項１記載の化学増幅系レジストを用
いたパターン形成方法において、露光前ベーク処理時間
を長くすることでレジスト膜中の残存溶媒量が１vol％
以下になるようにすることを特徴とする化学増幅系レジ
ストのパターン形成方法。
【請求項４】前記化学増幅系レジストが、芳香族スル
ホン酸を発生する光酸発生剤を含有することを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の化学増幅系レジスト
のパターン形成方法。
【請求項５】前記化学増幅系レジストの溶媒が、エチ
ルラクテートであることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載の化学増幅系レジストのパターン形成方
法。
【請求項６】前記化学増幅系レジストの溶媒が、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の化学
増幅系レジストのパターン形成方法。