KR960029906A - 레지스트 재료 - Google Patents

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KR960029906A
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compound
substituted
straight chain
resist
acid generator
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Application number
KR1019960002035A
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구니히꼬 가사마
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가네꼬 하사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract

수직 배향 화합물을 화학 증폭식 레지스트에 첨가하여 노광 후 베이킹시의 산촉매화 및 현상 단계에서의 현상제의 침투가 레지스트의 깊이 방향으로 진행되도록 한다. 이렇게 함으로써 리도그래피 단계에서 레지스트 형상, 치수 균일성 및 해상력이 형상된다.

Description

레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 수직 배향 특성이 있는 직쇄 화합물이 첨가된, 적어도 수지 및 감광성 산 발생제를 함유하며, 감광성 산 발생제에 의해 생선된 산의 촉매 반응에 의해 그의 용해성이 변화하는 화학 증폭식 포지티스 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 직쇄 화합물이 산의 존재시 가수분해되어 하드록실rl를 생성하는 치환기를 함유하는 것인 레지스트 재료.
  3. 제1항에 있어서, 직쇄 화합물이 치환된 시클로헥실 시클로헥산카르복실세이트 화합물, 치환된 아릴 시클로헥산카르복실레이트 화합물, 치환된 아릴 벤조에이트 화합물, 치환된 비페닐 화합물, 치환된 페닐피리미딘 화합물 및 치환된 페닐디옥산 화합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 레지스트 재료.
  4. 제1항에 있어서, 레지스트 중의 수지가 자기장을 인가하지 않아도 분극 배향되는 것인 레지스트 재료.
  5. 수직 배향 특성이 있는 직쇄 화합물이 첨가된, 적어도 수지 및 감광성 산 발생제를 함유하며, 감광성 산 발생제에 의해 생성된 산의 촉매 반응에 의해 그의 용해성이 변화되는 화학 증폭식 네가티브 레지스트 재료.
  6. 제5항에 있어서, 직쇄 화합물이 히드록실기를 함유하는 것인 레지스트 재료.
  7. 제5항에 있어서, 직쇄 화합물이 치환된 시클로헥실 시클로헥산카르복실레이트 화합물, 치환된 아릴 시클로헥산카르복실레이트 화합물, 치환된 아릴 벤조에이트 화합물, 치환된 비페닐 화합물, 치환된 페닐피라미딘 화합물 및 치환된 페닐디옥산 화합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 레지스트 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960002035A 1995-01-30 1996-01-30 레지스트 재료 KR960029906A (ko)

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JP2820051B2 (ja) 1998-11-05
US5665519A (en) 1997-09-09
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