KR940012544A - 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

레지스트 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940012544A
KR940012544A KR1019930023140A KR930023140A KR940012544A KR 940012544 A KR940012544 A KR 940012544A KR 1019930023140 A KR1019930023140 A KR 1019930023140A KR 930023140 A KR930023140 A KR 930023140A KR 940012544 A KR940012544 A KR 940012544A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
radical
contrast
forming
alkyl radical
Prior art date
Application number
KR1019930023140A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100251615B1 (ko
Inventor
쥰 하타케야마
미츠오 우메무라
도시노부 이시하라
사토시 와타나베
Original Assignee
가나가와 지히로
신에츠 가가쿠 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나가와 지히로, 신에츠 가가쿠 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 가나가와 지히로
Publication of KR940012544A publication Critical patent/KR940012544A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100251615B1 publication Critical patent/KR100251615B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/47—Organic layers, e.g. photoresist
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

기판상에 수불용성 레지스트 필름을 형성시키는 단계, 식 (1)의 특정 아릴니트론 화합물로 이루어진 콘트라스트 증강조성물로부터 레지스트 필름상에 콘트라스트증강필름을 형성시키는 단계, 콘트라스트증강필름의 형성 전 또는 후에 레지스트 필름을 사전 소성하는 단계, 콘트라스트증강필름을 통해 레지스트 필름을 노광시키는 단계, 노광후 필름을 소성하는 단계, 소성단계후 콘트라스트증강필름을 제거시키는 단계, 그리고 레지스트 필름을 현상하는 단계로써 기판상에 레지스트 패턴을 형성시킨다. 이 공정은 충분히 장방형 프로파일과 향상된 초점마진을 가지는 레지스트 패턴을 형성한다. 실질족안 수정없이 종래의 장치가 사용될 수 있어 비용을 절감시킨다.
상기식에서 R1, R2및 R3는 각각 알킬라디칼, 아릴라디칼 또는 수소원자이고, R4내지 R8은 각각 알킬라디칼, 수소원자 또는 카르복실라디칼이며 R4내지 R8의 적어도 하나가 카르복실 라디칼이고, X는 소수원자, R9O-로써 표시되는 알콕시라디칼, 또는 R10R11N-으로써 표시되는 디알킬아미노 라디칼이며 여기서 R9는 알킬라디칼이고, R10및 R11은 각각 알킬라디칼이며 문자 n은 0, 1 또는 2의 값을 가진다.

Description

레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. -기판상에 수불용성 레지스트 필름을 형성시키는 단계-콘트라스트증강조성물로부터 레지스트 필름상에 콘트라스트증강필름을 형성시키는 단계-상기 콘트라스트증강필름의 형성 전 또는 후에 레지스트 필름을 사전소성하는 단계-빛에 상기 레지스트 필름 상기 콘트라스트증강필름을 노광시키는 단계-노광후 필름을 소성하는 단계-소성단계후 상기 콘트라스트증강필름을 제거시키는 단계, 그리고 -상기 레지스트 필름을 현상하는 단계로 이루어지는 기판상에 레지스트 패턴을 형성시키는 방법에 있어서, 상기 콘트라스트 증강조성물은 다음 일반식 (1)의 아릴니트론 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    상기식에서 R1, R2및 R3는 각각 알킬라디칼, 아릴라디칼 또는 수수원자이고, R4내지 R8은 각각 알킬라디칼, 수소원자 또는 카르복실라디칼이며 R4내지 R8의 적어도 하나는 카르복실 라디칼이고 X는 수소원자, R9O-로써 표시되는 알콕시 라디칼, 또는 R10R11N-으로써 표시되는 디알킬아미노 라디칼이며 여기서 R9는 알킬 라디칼이고, R10및 R11은 각각 알킬라디칼이며 문자 n은 0,1 또는 2의 값을 가진다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023140A 1992-11-02 1993-11-02 레지스트패턴형성방법 KR100251615B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4317878A JP2663815B2 (ja) 1992-11-02 1992-11-02 レジストパターン形成方法
JP92-317878 1992-11-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940012544A true KR940012544A (ko) 1994-06-23
KR100251615B1 KR100251615B1 (ko) 2000-04-15

Family

ID=18093070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930023140A KR100251615B1 (ko) 1992-11-02 1993-11-02 레지스트패턴형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5795700A (ko)
JP (1) JP2663815B2 (ko)
KR (1) KR100251615B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7897296B2 (en) * 2004-09-30 2011-03-01 General Electric Company Method for holographic storage
US7622246B2 (en) * 2006-09-22 2009-11-24 Massachusetts Institute Of Technology Contrast enhancing layers
US8323866B2 (en) * 2008-07-08 2012-12-04 Massachusetts Institute Of Technology Inorganic resist sensitizer
US8158338B2 (en) 2008-07-08 2012-04-17 Massachusetts Institute Of Technology Resist sensitizer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59104642A (ja) * 1982-11-01 1984-06-16 ハルズ　アメリカ　インコーポレイテッド 集積回路の製法
US4677049A (en) * 1983-09-28 1987-06-30 General Electric Company Spin castable photobleachable layer forming compositions
US4578344A (en) * 1984-12-20 1986-03-25 General Electric Company Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film
US4885232A (en) * 1985-03-11 1989-12-05 Hoechst Celanese Corporation High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions
JPS62215939A (ja) * 1986-03-18 1987-09-22 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
CA2011927C (en) * 1989-06-02 1996-12-24 Alan Lee Sidman Microlithographic method for producing thick, vertically-walled photoresist patterns
US5310620A (en) * 1991-12-06 1994-05-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Alkali-soluble nitrone compounds and contrast enhanced material comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100251615B1 (ko) 2000-04-15
US5795700A (en) 1998-08-18
JPH06148899A (ja) 1994-05-27
JP2663815B2 (ja) 1997-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950019896A (ko) 방사선 감응성 수지 조성물
KR960022615A (ko) 감광성 내식막 조성물
KR920020276A (ko) 패턴형성용 레지스트
KR960022623A (ko) 가교결합된 중합체
KR970049038A (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브 포토레지스트
KR970015629A (ko) 폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR960018764A (ko) 감광성 수지 조성물
KR950009357A (ko) 박막 패턴 형성 방법
KR960032092A (ko) 증가된 감도를 갖는 포토레지스트 및 그의 용도
KR950001418A (ko) 레지스트 물질
KR850005630A (ko) 음성 포토레지스트 시스템(Negative photoresist system)
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
KR950001416A (ko) 네가형 감광성 조성물 및 이것을 사용한 패턴의 형성방법
KR940012544A (ko) 레지스트 패턴 형성방법
KR950012149A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
US4271260A (en) Positive nonsilver washout systems containing dihydropyridines and photooxidants
KR900003678A (ko) 감광제 및 그 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법
KR970076092A (ko) 감광성 조성물, 패턴 형성방법 및 전자부품의 제조방법
KR960024674A (ko) 방사선-민감성 조성물에 사용되는 광산 생성 조성물
JP2002221795A5 (ko)
JP2002006495A5 (ko)
KR970071141A (ko) 아크릴 작용성 uv 안정화제를 포함하는 광 상 형성 조성물
KR960029359A (ko) 산-분해성 보호 그룹을 갖는 페놀 수지
KR960024662A (ko) 감광성 수지 조성물 및 그를 사용한 포토레지스트 패턴 형성방법
KR960001896A (ko) 광경화 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111216

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee