KR970063580A - 반도체 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 기관 제조방법이 공개되며, 이 반도체 기판 제조방법은 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층이 성장되기 전에 또는 그 후에, 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 선택적으로 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는, 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 선택적으로 주입하는 단계를 포함하고 있다. 또한, 이 방법에 의해 얻어진 반도체 기판이 공개된다.

Description

반도체 기판 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 제조 단계를 보인 단면도.

Claims (6)

  1. 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 형성함으로써 준비된 에피택셜 실리콘 반도체 기판으로서, 상기 실리콘 기판의 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에, 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물이 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 선택적으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
  2. 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 형성함으로써 준비된 에피택셜 실리콘 반도체 기판으로서, 상기 실리콘 기판의 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에, 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물이 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 선택적으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
  3. 제1항에 있어서, 불순물로서 붕소가 도핑된 실리콘 기판에 게르마늄이 선택적으로 주입되고, 불순물로서 붕소가 도핑된 에피택셜 층이 상기 실리콘 기판의 표면에 성장되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
  4. 제2항에 있어서, 불순물로서 붕소가 도핑된 실리콘 기판에 기르마늄이 선택적으로 주입되고, 불순물로서 붕소가 도핑된 에피택셜 층이 상기 실리콘 기판의 표면에 성장되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
  5. 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판에 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판에 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하는 단계; 및 상기 마스크를 제거한 후에 상기 실리콘 기판의 상기 표면에 에피택셜 층을 성장시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판 제조방법.
  6. 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 성장시키는 단계; 상기 에피택셜 층의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 및 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 경계면에 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970005423A 1996-02-23 1997-02-22 반도체 기판 및 그 제조방법 KR100273832B1 (ko)

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