KR970060025A - 편광판용 보호필름 및 편광판 - Google Patents
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Abstract
지지체, 및 지지체의 한면에 순서대로 적층괸 대전방지층 및 경화층을 포함하는 보호필름에 있어서, 상기 대전방지층은 친수성 결합체 및 화학식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ), (Ⅴ), (1), (2) 또는 (3)으로 표시되는 화학구조를 갖는 화합물을 함유하며, 상기 경화층은 자외선 경화성 수지 조성물을 함유하는 층에 자외선을 조사하여 수득된 경화층인 편광판용 보호필름이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (8)
- 한면에 소수성 결합제 및 화학식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ), (Ⅴ), (1), (2) 또는 (3)으로 표시되는 화학구조를 갖는 화합물을 함유하는 대전방지층, 및 자외선 경화성 수지 조성물을 함유하는 층에 자외선을 조사하여 수득되는 경화층이 그 순서대로 적용된 지지체를 포함하는, 편광판용 보호필름.〔식 중, Z1및 Z2는 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고; R1및 R2는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 단 R1및 R2는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; W1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n1은 1 내지 100의 정수를 나타냄.〕〔식 중, Z3및 Z4는 독립적으로 탄소수 3 내지 10의 복소환 고리의 형성에 필요한 원자기를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; 단 V1은 단일 결합 또는 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; W2은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며, n2은 1 내지 100의 정수를 나타냄〕〔식 중, R5및 R6은 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알칼기, 히드록시 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; V2는 알킬렌, 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내고; W3은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타태며; n3은 1 내지 100의 정수를 나타냄〕〔식 중, R7및 R8은 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; W4는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 아케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타태며; n4은 1 내지 100의 정수를 나타냄〕〔식 중, B는 공중합체 단량체 단위를 나타내고; R9는 수소원자 또는 메틸기를 나타내며, L1및 L2는 독립적으로 2가의 결합기를 나타내고; y는 0 내지 90몰%를 나타내며; q는 0 내지 99몰%를 나타내고; s는 0내지 50몰%를 나타내며; 단, y+s는 100이 아니며, y+q+s는 100이고; Q1은 하기 화학식(Ⅵ), (Ⅶ), (Ⅷ) 또는 (Ⅸ)로 표시되는 기를 나타내며;식 중, T1은 화학식(X) 또는 (X′)를 나타내며,식 중, M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며;식 중, T2은 화학식(XI) 또는 (XI′)를 나타내며,식 중, M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며,식 중, T3은 화학식(XⅡ) 또는 (XⅡ′)로 표시되며,식 중, M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 벤질기 또는 아릴기를 나타내며,식 중, R16및 R17는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; W8은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n8은 1 내지 100의 정수를 나타내며; T4는 화학식(XⅢ) 또는 (XⅢ′)로 표시되고;식 중, M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 벤질기 또는 아릴기를 나타내며; Q2는 상기 화학식(X), (X′), (XI), (XI′), (XⅡ), (XⅡ′), (XⅢ), 또는 (XⅢ′), 또는 화학식 (XⅣ)로 표시되는 기를 나타내며;식 중, D는 탄소수 1 내지 12의 5-원 또는 6-원 포화 또는 불포화 복소환을 형성하기에 필요한 원자기를 나타내며; M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타냄〕〔식 중, A는 둘이상의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 단량체를 공중합하여 생성되는 공중합체 단량체 단위를 나타내고; B는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 단량체를 공중합하여 생성되는 공중합체 단량체 단위를 나타내고; R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고; L1, L2, L3, L4, L5, 및 L6은 독립적으로 2가의 결합기를 나타내고; x는 0 내지 80몰%를 나타내고; y는 0 내지 90몰%를 나타내며; p는 0 내지 100몰%를 나타내고; q는 0 내지 99몰%를 나타내며; r은 0 내지 100몰%를 나타내고; s는 0 내지 50몰%를 나타내며; 단, x+y는 100이 아니며, y+q는 100이 아니고, y+s도 100이 아니며, q+s도 100이 아니고, y+q+s는 100이 아니며 x+y+p+q+r+s는 100이며; Q1및 Q2은 하기 화학식(4), (5), (6) 또는 (7)로 표시되는 2가의 결합기를 나타내고; Q2및 Q4는 하기 화학식 (4′), (5′), (6′) 또는 (7′)로 표시되는 기를 나타내고;식 중, Z1및 Z2는 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 타나내고; R4및 R5는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기를 타나내며, 단 R4및 R5는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; W1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n9는 1 내지 100의 정수를 나타내고; T1은 화학식(8) 또는 (8′)로 표시되고;식 중, Z5및 Z5은 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬렌기를 나타내고; R12및 R13는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 벤질기 또는 아릴기를 나타내고, 단 R12및 R13은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며; X는 음이온을 나타내며; M는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고;식 중, Z3및 Z4는 독립적으로 탄소수 3 내지 10의 복소환을 형성하는 데 필요한 원자기를 나타내고; R6및 R7는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알키기 또는 아릴기를 나타내며; V1은 단일 결합 또는 알킬렌, 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; W2는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기, 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n10은 1 내지 100의 정수를 나타내고; T2은 화학식(9) 또는 (9′)를 나타내고;식 중, R14및 R15은 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고; V3은 단일 결합 또는 알킬렌 또는 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; X는 음이온을 나타내며; M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고;R8및 R9는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고; W3는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; V2은 알킬렌 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; X는 음이온을 나타내며; n11은 1 내지 100의 정수를 나타내고; T3은 화학식 (10) 또는 (10′)을 표시하고,식 중, R16및 R17은 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 알케닐기, 벤질기 또는 아릴기를 나타내고; V4은 알킬렌, 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; X는 음이온을 나타내며; M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고;식 중, R10및 R11는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내고, W4는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 라르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n12은 1 내지 100의 정수를 나타내고; T4은 화학식(11) 또는 (11′)을 표시하고,식 중, R18및 R19는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; X는 음이온을 나타내며; M은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타냄〕〔식 중, Y는 3가의 기를 나타내고; Q6은 화기 화학식으로 표시되는 3가의 기를 나타내며;식 중, Y′는 3가의 결합기를 나타내고, R28및 R29는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며, I는 하기 화학식(13), (14), (15) 또는 (16)으로 표시되는 기를 나타내고; Q5는 하기 화학식(13), (14), (15) 또는 (16)을 나타내며;식 중, Z9및 Z10은 독립적으로 탄소수 1 내지 7의 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고; R20및 R21는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 단 R20및 R21는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; W5는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n13은 1 내지 100의 정수를 나타내고,식 중, Z11및 Z12는 독립적으로 탄소수 3 내지 10의 복소환을 형성하는데 필요한 원자기를 나타내고; R22및 R23는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며, 단 V5는 단일결합 또는 알킬렌, 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; W5는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케닐기 또는 아르알킬렌기를 나타내고; X는 음이온을 나타내며; n14은 1 내지 100의 정수를 나타내고,식 중, R24및 R25는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; W7는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케니렌기 또는 아르알킬렌기를 나타내고, V6는 알킬렌, 알케닐렌 또는 아르알킬렌기를 나타내며; X는 음이온을 나타내며; n15은 1 내지 100의 정수를 나타내고,식 중, R26및 R27는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아르알킬기 또는 아릴기를 나타내며; W8는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 알케니렌기 또는 아르알킬렌기;를 나타내고, X는 음이온을 나타내며; n16은 1 내지 100의 정수를 나타님〕.
- 제1항에 있어서, 화학식(V)에서의 L1및 L2, 및 화학식(1)에서의 L1, L2, L3, L4, L5및 L6이 하기 화학식으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것인 보호필름.
- 제1항에 있어서, 대전방지층의 반대 지지체 표면상에 친수성 중합체를 함유하는 접착층을 갖는 보호필름.
- 제3항에 있어서, 접착층상에 PVA 친수성 층을 갖는 보호필름.
- 한면에 소수성 결합제 및 제1항에서 정의된 화학식(Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ), (Ⅴ), (1), (2), 또는 (3)으로 표시되는 화학 구조를 갖는 화합물을 함유하는 대정방지층, 및 자외선 경화성 수지 조성물을 함유하는 층에 자외선을 조사하여 수득한 경화층이 그 순서대로 적층된 지지체를 포함하는 보호필름 및 편광필름을 포함하며, 편광필름이 대전방지층의 반대의 보호필름 표면상에 접착된 편광판.
- 제5항에 있어서, 화학식(V)에서의 L1및 L2, 및 화학식(1)에서의 L1, L2, L3, L4, L5및 L6이 하기 화학식으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것인 편광판.
- 제5항에 있어서, 보호필름이 대전방지층 반대의 지지체의 표면상의 친수성 중합체를 함유하는 접착층을 갖는 편광판.
- 제7항에 있어서, 보호필름이 접착층상에 PVA 친수성 층을 갖는 편광판.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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