KR970054498A - 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일부영역에 고농도의 불순물이 주입된 플로팅 영역을 갖는 채널 폴리실리콘막(3); 상기 채널 폴리실리콘막(3) 상에 형성된 게이트 산화막(4); 및 상기 게이트 산화막(4) 상에 형성되되 상기 채널 폴리실리콘막(3)에 형성된 플로팅 영역 상부에는 위치하지 않고 필드영역에서 전기적으로 접속되는 게이트 폴리실리콘막(5)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 누설전류를 줄여 트랜지스터의 오프시 전류를 감소시킴으로써 에너지 소비를 줄일 수 있고, 특히 온/오프 전류비가 106이상이 되어야 하는 LCD TFT의 경우에 있어서 충분한 오프전류의 감소를 얻을 수 있는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.

Description

높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제3도는 본 발면에 따른 박막 트랜지스터 제조 공정 단면도.

Claims (6)

  1. 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 절연막 상에 채널 형성용 전도막, 게이트 절연막 및 게이트 형성용 전도막을 차례로 증착하는 단계; 상기 게이트 형성용 전도막의 중앙 일부부위를 소정의 크기로 패턴하여 제거하되 필드영역에서 분리된 게이트 형성용 전도막이 전기적으로 접속되도록 식각하는 단계; 및 상기 게이트 형성용 전도막이 제거된 지역의 하부에 위치하는 채녈 형성용 전도막에 불순물 이온을 주입하여 서로 분리된 3개의 고농도 이온 주입영역을 형성하여 소오스/드레인 영역과 플로팅(floating) 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 절류비를 갖는 박막 트랜지스터 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전도막은 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터 제조방법.
  4. 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터에 있어서, 일부 영역에 고농도의 불순물이 주입된 플로팅 영역을 갖는 채널 형성용 전도막; 상기 채널 형성용 전도막 상에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되되 상기 채널 형성용 전도막에 형성된 플로팅 영역 상부에는 위치 하지 않고 필드영역에서 전기적으로 접속되는 게이트 형성용 전도막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터.
  6. 제4항에 있어서, 상기 전도막은 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 높은 온/오프 전류비를 갖는 박막 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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