KR970030499A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 MOS 트랜지스터의 소오스/드레인 영역을 필드산화막의 일부를 제거하여 소자격리영역상에 형성하여 고집적화에 적당하도록 한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 제1도전형의 반도제 기판상에 액티브 마스크를 사용하여 활성영역을 패터닝하고 소자격리영역에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 활성영역에 문턱전압을 조절하기위한 불순물 이온주입공정을 실시하고 전면에 폴리실리콘층과 캡산화막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘층과 캡산화막을 채널영역과 필드산화막의 일부영역에만 남도록 제거하여 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 마스크로 저농도의 제2 도전형 불순물을 이온주입하고 필드산화막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 게이트전극과 남아있는 필드산화막의 측면에 측벽을 형성하고 전면에 제2 도전형의 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 증착하는 공정과, 상기 불순물이 도핑된 폴리실리콘층을 에치백하여 필드산화막이 제거된 영역에만 남도록하여 소오스 드레인영역을 형성하는 공정으로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) 내지 (i)는 본 발명의 반도체 소자의 공정단면도
Claims (1)
- 제1도전형의 반도체 기판상에 액티브 마스크를 사용하여 활성영역을 패터닝하고 소자격리영역에 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 활성영역에 문턱전압을 조절하기 위한 불순물 이온주입공정을 실시하고 전면에 폴리실리콘층과 캡산화막을 차례로 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘층과 캡산화막을 채널영역과 필드산화막의 일부영역에만 남도록 제거하여 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 마스크로 저농도의 제2 도전형 불순물을 이온주입하고 필드산화막의 일부를 제거하는 공정과, 상기 게이트전극과 남아있는 필드산화막의 측면에 측벽을 형성하고 전면에 제2 도전형의 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 증착하는 공정과, 상기 불순물이 도핑된 폴리실리콘층을 에치백하여 필드산화막이 제거된 영역에만 남도록하여 소오스 드레인영역을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
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