KR970054164A - 강유전체기억장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

강유전체기억장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR970054164A
KR970054164A KR1019960009979A KR19960009979A KR970054164A KR 970054164 A KR970054164 A KR 970054164A KR 1019960009979 A KR1019960009979 A KR 1019960009979A KR 19960009979 A KR19960009979 A KR 19960009979A KR 970054164 A KR970054164 A KR 970054164A
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KR
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ferroelectric memory
bottom electrode
platinum
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KR1019960009979A
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Inventor
피. 내딩거 프레드
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/55Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • HELECTRICITY
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    • H01L28/40Capacitors
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    • H01L28/65Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)

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Abstract

강유전체층; 상기 강유전체층상에 제1재료로 형성되는 저부전극; 및 상기 강유전체층상에 상기 제1재료와 다른 제2재료로 형성되는 상부전극을 구비하여, 비대칭적인 층상구조를 갖는다. 이 비대칭적 층상구조는 두개의상이한 재료 각각의 소망 특성을 동시에 활용할 수 있는 이점을 갖는다. 상기 전극들의 적당한 재료는 백금, 루테늄 산화물 및 ITO를 포함한다.

Description

강유전체기억장치 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다. 제2A도는 능동모드에 있어서의 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다. 제2B도는 기억 및 호출모드에 있어서의 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다.

Claims (16)

  1. 두 면을 갖는 강유전체층; 상기 강유전체층의 1면상의 저부전극; 및 상기 강유전체층으 타면상의 상부전극을 포함하고, 상기 저부전극과 상부전극을 상이한 재료로 형성도는 강유전체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 강유전체층은 티탄산 지르콘산연을 포함하는 강유전체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저부 및 상부전극 중 적어도 하나는 백금, 산화 루테늄 및 ITO 중 적어도 하나를 포함하는 강유전체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 백금이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 루테늄 산화물인 강유전체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 저부전극은 백금이고 상기 상부전극은 RuO2인 강유전체 기억장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 저부전극은 Ru2O3이고 상기 상부전극은 백금인 강유전체 기억장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 ITO이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 산화 루테늄 및 백금 중 적어도 하나인 강유전체 기억장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극은 상이하게 어닐링되는 강유전체 기억장치.
  9. 제1재료의 저부전극을 기판에 형성하고 강유전체층을 상기 저부전극위에 형성하는 공정; 및 상기 제1재료와 상이한 제2재료로 이루어지는 상부전극을 강유전체층상에 형성하는 공정을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 강유전체층은 티탄산 지르콘산연을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 저부 및 상부전극 중 적어도 하나는 백금, 산화 루테늄 및 ITO 중 적어도 하나를 호함하는 강유전체 기억장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 백금을 포함하고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 산화 루테늄을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 저부전극은 백금을 포함하고 상기 상부전극은 RuO2를 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 저부 전극은 Ru2O3를 포함하고 상기 상부전극은 백금을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 ITO이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 백금 및 산화 루테늄 중 적어도 하나인 강유전체 기억장치의 제조방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극은 상이하게 어닐링되는 강유전체 기억장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960009979A 1995-12-04 1996-03-30 강유전체기억장치 및 그의 제조방법 KR970054164A (ko)

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