KR970054164A - 강유전체기억장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
강유전체기억장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
강유전체층; 상기 강유전체층상에 제1재료로 형성되는 저부전극; 및 상기 강유전체층상에 상기 제1재료와 다른 제2재료로 형성되는 상부전극을 구비하여, 비대칭적인 층상구조를 갖는다. 이 비대칭적 층상구조는 두개의상이한 재료 각각의 소망 특성을 동시에 활용할 수 있는 이점을 갖는다. 상기 전극들의 적당한 재료는 백금, 루테늄 산화물 및 ITO를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다. 제2A도는 능동모드에 있어서의 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다. 제2B도는 기억 및 호출모드에 있어서의 본 발명에 의한 강유전체 기억장치의 전기적 개략도이다.
Claims (16)
- 두 면을 갖는 강유전체층; 상기 강유전체층의 1면상의 저부전극; 및 상기 강유전체층으 타면상의 상부전극을 포함하고, 상기 저부전극과 상부전극을 상이한 재료로 형성도는 강유전체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 강유전체층은 티탄산 지르콘산연을 포함하는 강유전체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저부 및 상부전극 중 적어도 하나는 백금, 산화 루테늄 및 ITO 중 적어도 하나를 포함하는 강유전체 기억장치.
- 제3항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 백금이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 루테늄 산화물인 강유전체 기억장치.
- 제4항에 있어서, 상기 저부전극은 백금이고 상기 상부전극은 RuO2인 강유전체 기억장치.
- 제4항에 있어서, 상기 저부전극은 Ru2O3이고 상기 상부전극은 백금인 강유전체 기억장치.
- 제3항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 ITO이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 산화 루테늄 및 백금 중 적어도 하나인 강유전체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극은 상이하게 어닐링되는 강유전체 기억장치.
- 제1재료의 저부전극을 기판에 형성하고 강유전체층을 상기 저부전극위에 형성하는 공정; 및 상기 제1재료와 상이한 제2재료로 이루어지는 상부전극을 강유전체층상에 형성하는 공정을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 강유전체층은 티탄산 지르콘산연을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 저부 및 상부전극 중 적어도 하나는 백금, 산화 루테늄 및 ITO 중 적어도 하나를 호함하는 강유전체 기억장치.
- 제11항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 백금을 포함하고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 산화 루테늄을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 저부전극은 백금을 포함하고 상기 상부전극은 RuO2를 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제12항에 있어서, 상기 저부 전극은 Ru2O3를 포함하고 상기 상부전극은 백금을 포함하는 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극 중 일방은 ITO이고 상기 저부전극 및 상부전극 중 타방은 백금 및 산화 루테늄 중 적어도 하나인 강유전체 기억장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 저부전극 및 상부전극은 상이하게 어닐링되는 강유전체 기억장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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