KR970053879A - 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 - Google Patents

스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 Download PDF

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KR970053879A
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KR
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level shifter
semiconductor device
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KR1019950066971A
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임정주
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

스태틱 전류소모가 없는 반도체 장치의 레벨 쉬프터가 포함되어 있다. 본 발명은 펄스 입력신호를 받아 임펄스형의 인에이블 신호를 발생하는 인에이블 신호 발생수단과, 상기 입력신호와 동일한 펄스 입력신호를 받아 기준전압을 발생하는 기준전압 발생수단과, 상기 입력신호 및 상기 기준전압 및 상기 인에이블 신호를 입력으로 하여 상기 입력신호의 전압레벨을 쉬프트하여 출력시키며 차동증폭기와 래치로 구성되는 레벨 쉬프팅 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 메모리장치에서 일반적으로 사용되는 단위 블락들인 ATD블락, 센스앰프, 기준전압 발생기 및 래치를 이용하여 쉽게 구성할 수 있고, 또한 스태틱 전류소모가 발생하지 않는 장점이 있다.

Description

스태틱 전류소모가 없는 반도체 장치의 레벨 쉬프터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 레벨 쉬프터의 블락도.

Claims (1)

  1. 반도체 장치의 레벨 쉬프터에 있어서, 펄스 입력신호를 받아 임펄스형의 인에이블 신호를 발생하는 인에이블 신호 발생수단; 상기 입력신호와 동일한 펄스 입력신호를 받아 기준전압을 발생하는 기준전압 발생수단; 상기 입력신호 및 상기 기준전압 및 상기 인에이블 신호를 입력으로 하여 상기 입력4신호의 전압레벨을 쉬프트하여 출력시키며 차동증폭기와 래치로 구성되는 레벨 쉬프팅 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스태틱 전류소모가 없는 반도체 장치의 레벨 쉬프터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950066971A 1995-12-29 1995-12-29 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 KR970053879A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7295038B2 (en) 2004-08-16 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Digital circuits having current mirrors and reduced leakage current

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