KR970053879A - 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 - Google Patents
스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 Download PDFInfo
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Abstract
스태틱 전류소모가 없는 반도체 장치의 레벨 쉬프터가 포함되어 있다. 본 발명은 펄스 입력신호를 받아 임펄스형의 인에이블 신호를 발생하는 인에이블 신호 발생수단과, 상기 입력신호와 동일한 펄스 입력신호를 받아 기준전압을 발생하는 기준전압 발생수단과, 상기 입력신호 및 상기 기준전압 및 상기 인에이블 신호를 입력으로 하여 상기 입력신호의 전압레벨을 쉬프트하여 출력시키며 차동증폭기와 래치로 구성되는 레벨 쉬프팅 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 메모리장치에서 일반적으로 사용되는 단위 블락들인 ATD블락, 센스앰프, 기준전압 발생기 및 래치를 이용하여 쉽게 구성할 수 있고, 또한 스태틱 전류소모가 발생하지 않는 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 레벨 쉬프터의 블락도.
Claims (1)
- 반도체 장치의 레벨 쉬프터에 있어서, 펄스 입력신호를 받아 임펄스형의 인에이블 신호를 발생하는 인에이블 신호 발생수단; 상기 입력신호와 동일한 펄스 입력신호를 받아 기준전압을 발생하는 기준전압 발생수단; 상기 입력신호 및 상기 기준전압 및 상기 인에이블 신호를 입력으로 하여 상기 입력4신호의 전압레벨을 쉬프트하여 출력시키며 차동증폭기와 래치로 구성되는 레벨 쉬프팅 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스태틱 전류소모가 없는 반도체 장치의 레벨 쉬프터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950066971A KR970053879A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950066971A KR970053879A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970053879A true KR970053879A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66638132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950066971A KR970053879A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 스태틱 전류소모가 없는 반도체장치의 레벨쉬프터 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970053879A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7295038B2 (en) | 2004-08-16 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Digital circuits having current mirrors and reduced leakage current |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066971A patent/KR970053879A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7295038B2 (en) | 2004-08-16 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Digital circuits having current mirrors and reduced leakage current |
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Date | Code | Title | Description |
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |