KR970053128A - 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 배선막을 형성하기 위한 금속층의 식각시 식각의 장벽으로 사용한 감광막을 제거하는 방법에 관한 것으로, 금속층의 식각시 사용한 식각 챔버에 O2가스와 N2H2가스를 주입하여 상기 O2가스로는 감광막을 제거도록 하고, 상기 N2H2가스로는 금속막 표면의 Cl-기와 반응하여 N2와 HCl의 기체로 금속막의 표면에서 탈리되도록 하는 것을 특징으로 하는 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법을 제공한다. 이와 같은 본 발명의 방법에 의하면, 한 번의 공정에 감광막과 Cl-기가 동시에 제거되므로 공정의 단순화를 기할 수 있고, 또 Cl-기의 제거를 위한 CF4가스를 사용하지 않음으로 인한 금속 배선의 신뢰성을 확보할 수 있다는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 금속 배선막을 형성하기 위한 금속층의 식각시 식각의 장벽으로 사용한 감광막을 제거하는 방법에 있어서, 상기 금속층의 식각시 사용한 식각 챔버에 O2가스와 N2H2가스를 주입하여 상기 O2가스로는 감광막을 제거토록 하고, 상기 N2H2가스로는 금속막 표면의 Cl-기와 반응하여 N2와 HCl의 기체로 금속막의 표면에서 탈리되도록 하는 것을 특징으로 하는 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 O2가스와 N2H2가스의 반응 조건은 압력 : 0.1~1.0Torr, 전력 : 200~1000watt, O2: 10~100SCCM, N2H2: 10∼100SCCM로 유지하는 것을 특징으로 하는 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950069592A KR100197531B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970053128A true KR970053128A (ko) | 1997-07-29 |
| KR100197531B1 KR100197531B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19448516
Family Applications (1)
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| KR1019950069592A KR100197531B1 (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 금속 배선막 형성을 위한 감광막 제거방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100197531B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709439B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2007-04-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 |
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1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069592A patent/KR100197531B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100197531B1 (ko) | 1999-06-15 |
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