KR960042955A - 비아 콘택 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정중 다층 금속 구조의 비아 콘택 에칭 방법에 관한 것이다. 종래의 비아콘택 에칭시 형성되는 금속 폴리머가 PR 스트립 및 용매 세척에 의해 완전히 제거되지 않아 금속간의 접착을 방해하는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 다층 금속 구조의 반도체 소자의 에칭시 하부의 금속이 노출되는 시점까지 에칭하는 메인 에칭 단계와, 상기 노출된 하부의 금속을 SF6플라즈마 또는 CF 계와 SF6와의 조합 플라즈마를 이용하여 오버 에칭하는 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (3)
- 다층 금속 구조의 반도체 소자의 에칭시, 하부의 금속이 노출되는 시점까지 에칭하는 메인 에칭 단계와, 상기 노출된 하부의 금속을 SF6플라즈마 또는 CF 계와 SF6와의 조합 플라즈마를 이용하여 오버 에칭하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 비아 콘택 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 메인 에칭 단계에서 Ar/CF 계 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 비아 콘택 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오버 에칭 단계에서 SF6플라즈마를 5내지 50 SCCM 첨가하여 에칭함을 특징으로 하는 비아 콘택 에칭 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012610A KR960042955A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 비아 콘택 에칭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012610A KR960042955A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 비아 콘택 에칭 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042955A true KR960042955A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950012610A KR960042955A (ko) | 1995-05-19 | 1995-05-19 | 비아 콘택 에칭 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042955A (ko) |
-
1995
- 1995-05-19 KR KR1019950012610A patent/KR960042955A/ko not_active Application Discontinuation
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