KR970053012A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
본 발명은 숏 채널 효과 억제 및 소오스 및 드레인 영역의 저항을 감소시키므로서 소자의 집적도 향상을 위한 단결정 실리콘 스페이서와 SPD(solid phase diffusion)공정을 이용하여 서브 쿼터 마이크론(Sub-Quarter Micron)MOSFET를 제조할 수 있는 반도체 소자 제조 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판상의 선택된 영역상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 질화막을 증착하고, 게이트 측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 질화막 스페이서가 형성된 게이트 측벽에 붕소가 도프된 비정질 실리콘 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 스페이서 단결정 실리콘 스페어서로 변환시키는 단계와, 상기 실리콘기판상에 불순물 이온을 주입하여 깊은 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 전체 소자에 RTA 공정을 실시하여 상기 실리콘 기판에 LDD 영역을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 붕소가 도핑된 비정질 실리콘 스페이서는 350℃의 온도에서 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 스페이서는 600℃의 질소(N2)분위기에서 열처리하므로써 단결정 실리콘 스페이서로 변환되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 RTA공정은 1000℃ 온도에서 10초간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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