KR970052988A - 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 파워(Power) 반도체 제품에 적용되는 고출력 고속스위칭용 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 불순물이 저농도로 도핑된 영역의 하부에 불순물이 고농도로 도핑된 영역을 갖는 제1전도형의 반도체 기판의 상부 저농도 불순물 영역에 제2전도형의 불순물을 주입/활성화시켜 베이스 영역을 형성하고, 상기 베이스 영역의 표면으로부터 중앙 부분은 농도가 낮고 바깥 부분은 농도가 높게 제1전도형의 불순물을 주입/활성화시켜 에미터 영역을 형성하며, 상기 베이스와 에미터 영역이 형성된 기판 상부에 절연막을 형성하며 이를 통하여 하부 에미터 및 베이스 영역을 절연하고, 절연막의 일부 창을 열어 에미터 전극 및 베이스와 콜렉터 전극을 형성하는 단계에 의해 고출력 고속스위칭 반도체 장치를 제조함으로써, 에미터 중앙 영역으로 전류가 집중되는 현상을 줄이기 위한 에미터의 구조를 간단한 공정에 의해 형성함으로써 원가 절감 및 절연막에 의한 쇼트를 방지할 수 있고, 반도체 특성의 주요 항목인 안전동작 영역을 극대화시키는 효과가 있는 것이다.

Description

고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 구조를 보이는 트랜지스터의 단면도.
제4도는 제3도에 도시된 트랜지스터의 에미터 영역에 주입/확산된 불순물의 농도를 보이는 그래프.

Claims (4)

  1. 불순물이 저농도로 도핑된 영역의 하부에 불순물이 고농도로 도핑된 영역을 갖는 제1전도형의 반도체 기판의 상부 저농도 불순물 영역에 제2전도형의 불순물을 주입/활성화시켜 베이스 영역을 형성하는 단계; 상기 베이스 영역의 표면으로부터 중앙 부분은 농도가 낮고 바깥부분은 농도가 높게 제1전도형의 불순물을 주입/활성화시켜 에미터 영역을 형성하는 단계 및 상기 베이스와 에미터 영역이 형성된 기판 상부에 절연막을 형성하며 이를 통하여 각각을 절연하고 하부 에미터 및 베이스 영역과 콜렉터 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에미터 영역은 상기 베이스 영역이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 에미터 영역 형성을 위한 2개의 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 기판이 노출되도록 절연막을 선택적으로 식각하는 단계 및 상기 기판 상부로부터 기판의 표면을 통해 제1전도형의 불순물을 주입/활성화시켜 베이스 영역 내에 에미터 영역을 형성하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기에서 에미터 접합 깊이의 50~150℃ 폭을 갖는 절연막을 이용하여 에미터 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터 영역은 바깥쪽의 불순물 농도가 중앙부의 농도의 50~150배가 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 고속스위칭 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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