KR970052896A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052896A KR970052896A KR1019950061985A KR19950061985A KR970052896A KR 970052896 A KR970052896 A KR 970052896A KR 1019950061985 A KR1019950061985 A KR 1019950061985A KR 19950061985 A KR19950061985 A KR 19950061985A KR 970052896 A KR970052896 A KR 970052896A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- film
- semiconductor device
- manufacturing
- wiring
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속 배선을 형성한 후에 질소나 산소 또는 이러한 원소가 포함된 가스를 이용한 고농도의 이온 주입을 통하여 금속 배선의 상부층에 질화 알루미늄이나 산화알루미늄을 형성한다. 이러한 방법으로 형성된 질화 알루미늄이나 산화 알루미늄은 고강도 절연막으로써 금속 배선위의 절연막의 스트레스나 열처리 과정에서 생기는 열 스트레스로부터 배선을 보호하게 된다. 또한 금속의 질화막이나 금속의 산화막은 부식에 대한 저항성이 높아서 배선이 부식되는 것을 방지하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (다)는 본 발명에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
Claims (4)
- 반도체 기판에 금속막을 충적하여 금속 배선을 형성하는 제1단계, 상기 금속막에 이온을 주입하여 상기 금속막 표면에 반사 방지막을 형성하는 제2단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막을 금속의 질화막으로 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반사 방지막을 금속의 산화막으로 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이온 주입은 1017㎝-2이상의 고농도, 20keV 이하의 저에너지의 조건으로 이루어지는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061985A KR970052896A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061985A KR970052896A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052896A true KR970052896A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66621683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950061985A KR970052896A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052896A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403358B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950061985A patent/KR970052896A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403358B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960042954A (ko) | 반도체 장치의 확산장벽용 산화루테늄막 형성방법 | |
| US4364779A (en) | Fabrication of semiconductor devices including double annealing steps for radiation hardening | |
| KR970063571A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR960012287A (ko) | 반도체기판(Semiconductor Substrate)의 제조방법 | |
| KR970052896A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR940010194A (ko) | 반도체장치의 배선층 형성방법 | |
| US5877031A (en) | Method for forming a metallic barrier layer in semiconductor device | |
| KR970053163A (ko) | 반도체 소자의 본딩 패드 형성방법 | |
| KR960042961A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| KR100312030B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR0178998B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선막 형성방법 | |
| KR960043018A (ko) | 반도체 소자의 에스.오.지(sog)막 형성방법 | |
| JPS5687364A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5593236A (en) | Semiconductor device | |
| KR970052341A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR940018922A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 방법 | |
| KR970018020A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPS5519880A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| KR970063484A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
| KR940016691A (ko) | 반도체 소자의 금속박막 증착방법 | |
| JPH0567067B2 (ko) | ||
| KR970003842A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속 배선 형성방법 | |
| KR980005502A (ko) | 반도체장치의 콘택영역 형성방법 | |
| KR980005805A (ko) | 반도체 소자의 금속층간 절연막 형성방법 | |
| KR960039143A (ko) | 반도체 소자의 콘택 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |