KR970051208A - 반도체 메모리 장치의 데이터 감지회로 제어방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 데이터 감지회로 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치의 데이타 감지 회로의 제어 방법에 관한 것으로, 데이터 라인들(10)과, 데이터 감지 증폭기(20), 사이즈가 상이한 2개의 트랜지스터들로 이루어지고 데이터 감지 증폭기(20)에 전류를 가변적으로 공급하기 위한 전류 공급 회로(30) 및, 이 전류 공급 회로를 통하여 데이터 감지 증폭기(20)의 동작을 제어하기 위한 제어 회로(40)로 구성되는 데이터 감지 회로에서, 제어 회로(40)는 데이터 감지 명령이 입력된 후 데이터 라인들에 읽고자 하는 유효한 데이터가 실리기 이전에는 전류 공급 회로(30)를 제어함으로써 데이터 감지 증폭기(20)에 공급되는 전류의 양을 최소로 억제하고 있다가 데이터 라인들(10)에 유효한 데이터가 실리게 되는 시점부터 전류 공급 회로(30)를 제어함으로써 데이터 감지 증폭기(20)로 최대 전류가 공급되도록 하여 데이터 라인들(10)에 실린 데이터가 고속으로 감지 증폭되게 하며, 데이터 감지 증폭 동작이 완료되면 제어회로(40)는 다시 전류 공급 회로(30)를 제어함으로써 데이터 감지 증폭기(20)로 최소 전류가 공급되게 한다.

Description

반도체 메모리 장치의 데이터 감지회로 제어방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 데이터 감지 회로의 실시예의 회로도.

Claims (1)

  1. 메모리 셀에 연결되는 데이터 라인들에 실린 데이터를 감지 증폭하는 데이터 감지 증폭기회로를 구비하는 반도체 메모리 장치가 연속적인 모드로 동작할때 상기 데이터 감지 회로를 제어하는 방법에 있어서; 외부로부터의 소정의 데이터 감지 명령이 입력되어 상기 데이터 라인들에 유효 데이터가 여기되면, 소정의 제1시간(T1)동안 상기 데이터 감지 증폭기회로로 최대 전류를 공급하는 단계와; 적어도, 상기 데이터 감지 증폭기회로가 상기 데이터 라인에 실린 상기 유효 데이터를 감지 증폭한 후로부터 다음 데이터 감지 명령에 따른 새로운 유효 데이터가 상기 데이터 라인들에 여기되기 전까지의 소정의 제2시간(T2)동안에 상기 데이터 감지 증폭기회로로 최소 전류를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 감지 회로 제어 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950051497A 1995-12-18 1995-12-18 반도체 메모리 장치의 데이터 감지회로 제어방법 KR100191460B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100542161B1 (ko) * 2001-08-17 2006-01-16 가부시끼가이샤 도시바 반도체 메모리 장치
KR100562648B1 (ko) * 1998-12-22 2006-06-29 주식회사 하이닉스반도체 감지 증폭기 제어 회로
KR100666488B1 (ko) * 2005-06-17 2007-01-09 삼성전자주식회사 로컬 센스 증폭기 및 그것을 구비한 반도체 메모리 장치

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KR100542161B1 (ko) * 2001-08-17 2006-01-16 가부시끼가이샤 도시바 반도체 메모리 장치
KR100666488B1 (ko) * 2005-06-17 2007-01-09 삼성전자주식회사 로컬 센스 증폭기 및 그것을 구비한 반도체 메모리 장치

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