KR970051207A - 메모리의 워드라인 구동회로 - Google Patents
메모리의 워드라인 구동회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 메모리의 워드라인 구동회로에 관한 것으로, 종래에는 동일한 크기의 보조워드라인구동부들이 사용되어, 메모리셀블럭선택부로부터 가까운 보조워드라인구동부는 워드라인신호를 지연없이 빠르게 발생하지만, 메모리셀블럭선택부로부터 먼 보조워드라인구동부일수록 지연된 워드라인신호를 출력는 문점이 있다. 따라서, 본 발명은 메모리셀의 블록을 선택하기 위한 메모리셀블럭선택부로부터 가까울수록 순차적으로 작은 크기의 보조워드라인구동회로를 배치함으로써, 메모리셀블럭선택부로부터 가까운 워드라인구동회로와 먼 워드라인구동회로 사이의 구동속도의 차를 감소시키고, 워드라인신호들간의 비중첩마진을 충분히 확보할 수 있도록 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에서 사용되는 보조워드라인구동부의 상세 회로도.
제5도는 본 발명에서 메모리셀블럭선택부로부터 가장 가까운 보조워드라인구동부의 입출력 파형도.
(a)는 입력되는 주워드라인신호의 파형도.
(b)는 입력되는 블록선택신호의 파형도.
(c)는 출력되는 워드라인신호의 파형도.
Claims (3)
- 메모리셀블럭을 선택하기 위한 블록선택신호를 출력하는 메모리셀블럭선택수단과, 각각의 주(main)워드라인신호를 출력하는 복수개의 주(main)워드라인구동수단과, 그 복수개의 주워드라인구동부로부터 각각 출력된 주워드라인신호 및 상기 메모리셀블럭선택부로부터 출력된 블록선택신호를 각각 입력받고, 순차적으로 빠르게 인에이블되어 워드라인신호를 각각 출력하는 복수개의 보조워드라인구동부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 메모리의 워드라인 구동회로.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 보조워드라인구동부는 주워드라인신호 및 블록선택신호를 낸드연산하는 낸드게이트와, 그 낸드게이트의 출력신호를 반전하여 워드라인신호를 출력하는 인버터로 각각 구성하여 된 것을 특징으로 하는 메모리의 워드라인 구동회로.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 보조워드라인구동부는 상기 메모리셀블럭선택부로부터 가까울수록 순차적으로 작은 크기를 갖도록 배치된 것을 특징으로 하는 메모리의 워드라인 구동회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950051094A KR0167296B1 (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 메모리의 워드라인 구동회로 |
US08/586,393 US5717649A (en) | 1995-12-16 | 1996-01-16 | Semiconductor memory device using sub-wordline drivers having width/length ratio of transistors varies from closest to farthest location from memory block selection circuits |
JP8011777A JPH09213080A (ja) | 1995-12-16 | 1996-01-26 | メモリのワードライン駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950051094A KR0167296B1 (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 메모리의 워드라인 구동회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970051207A true KR970051207A (ko) | 1997-07-29 |
KR0167296B1 KR0167296B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19440843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950051094A KR0167296B1 (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 메모리의 워드라인 구동회로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5717649A (ko) |
JP (1) | JPH09213080A (ko) |
KR (1) | KR0167296B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100585061B1 (ko) * | 1999-06-08 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 파워 간 동시적인 스위칭 전류 감소 기능을 갖는 출력 드라이버 |
US11670360B2 (en) | 2020-10-30 | 2023-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit including cell array with word line assist cells |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW347501B (en) * | 1996-10-29 | 1998-12-11 | Hitachi Ltd | Memory and microcomputer |
JP2000022097A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
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KR100935725B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 워드라인 구동 회로 |
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KR101217218B1 (ko) * | 2011-03-15 | 2012-12-31 | 고려대학교 산학협력단 | 저전력 비디오 프로세서를 위한 임베디드 메모리 설계 |
CN102930893B (zh) * | 2012-11-09 | 2015-07-08 | 苏州兆芯半导体科技有限公司 | 一种时序追踪电路及方法 |
US11514979B2 (en) * | 2021-03-31 | 2022-11-29 | Arm Limited | Wordline driver architecture |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58211393A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ装置 |
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US5193076A (en) * | 1988-12-22 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Control of sense amplifier latch timing |
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-
1995
- 1995-12-16 KR KR1019950051094A patent/KR0167296B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-01-16 US US08/586,393 patent/US5717649A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-26 JP JP8011777A patent/JPH09213080A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5717649A (en) | 1998-02-10 |
KR0167296B1 (ko) | 1999-02-01 |
JPH09213080A (ja) | 1997-08-15 |
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